“立方砷化硼”、“氧化鎵”等新型半導體制造材料正在進入投資者視野。自7月27日以來，在上海證券交易所和深圳證券交易所的互動平臺上分別以“立方砷化硼”、“氧化鎵”為關(guān)鍵詞搜索問答記錄，記者分別得到8條和65條結(jié)果，均與公司業(yè)務(wù)范圍相關(guān)。

上月底，麻省理工休斯頓大學和其他機構(gòu)的科學家宣布他們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了“迄今為止能發(fā)現(xiàn)的最好的半導體材料”——立方砷化硼，隨后網(wǎng)絡(luò)上便出現(xiàn)了咨詢“砷化硼概念股”的問答。

網(wǎng)上也流傳出了“砷化硼概念股”的上市企業(yè)名單，包括聚燦光電，中金黃金，湖南黃金，三安光電，乾照光電、金貴銀業(yè)，正帆科技等公司，并試圖將其與“立方砷化硼”的概念掛鉤。

第一財經(jīng)記者梳理后發(fā)現(xiàn)，排除湖南黃金、金貴銀業(yè)等以貴金屬開采、冶煉、化工合成為業(yè)務(wù)的企業(yè)后，剩余的光電公司與“砷化硼”或“立方砷化硼”的關(guān)系并不大。

目前，乾照光電、鹽湖股份、四方達等多家上市公司已紛紛在公開平臺回應(yīng)投資者和咨詢者，表示不生產(chǎn)“立方砷化硼”相關(guān)材料。最“貼近”的是三超新材8月1日在互動平臺表示，公司沒有立方砷化硼業(yè)務(wù)，公司有部分砂輪用立方氮化硼為原材料。

立方砷化硼是什么

硅片目前仍舊是市場上應(yīng)用最為廣泛的半導體材料，SEMI 數(shù)據(jù)顯示，硅片在半導體材料領(lǐng)域所占的市場份額占比達 32.9%，排名第一。然而硅元素作為半導體材料具有兩方面不足：

不太善于傳導熱量以及不具備足夠好的空穴遷移率，這成為制約半導體性能至關(guān)重要的因素。

科學界認為，立方砷化硼在理論上同時具有比硅更好的導熱性以及更高的雙極性遷移率。7月，國家納米科學中心研究員劉新風研究團隊聯(lián)合美國休斯敦大學在《科學》上發(fā)表論文，首次在半導體砷化硼中檢測到其電子空穴約化遷移率約1550 cm2/Vs。通過查閱論文，記者了解到，目前應(yīng)用在芯片中的應(yīng)變硅電子的空穴約化遷移率最高僅可達830 cm2/Vs。

據(jù)國家納米科學中心副研究員岳帥介紹，空穴約化遷移率決定了半導體材料的邏輯運算速度，遷移率越高則運算速度越快。

另外，在導熱性方面，銅的熱導率400W/mK，目前已廣泛應(yīng)用于芯片制造的碳化硅的導熱率為500W/mK，而根據(jù)劉新風的介紹，目前學界預測砷化硼的熱導率可以媲美金剛石，達到2000W/mK。

然而，據(jù)麻省理工學院稱，目前立方砷化硼并無法大批量生產(chǎn)，對于該物質(zhì)，目前尚需要研究人員借助特殊設(shè)備來研究其特性。

第四代半導體材料引關(guān)注

當然，立方砷化硼并不是撥動市場神經(jīng)的唯一新材料。

美國時間8月12日，美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）在《聯(lián)邦公報》中披露了一項新增的出口限制臨時最終規(guī)則，限制以金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料等產(chǎn)品的出口。隨后，網(wǎng)絡(luò)上便頻現(xiàn)關(guān)于“第四代半導體材料”的討論。

目前，從能帶角度通常可以將半導體材料劃分為三代：第一代半導體材料以硅和鍺等元素半導體材料為代表；第二代以砷化鎵和磷化銦（InP）為代表；第三代是指Ⅲ族氮化物（如氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）等）、碳化硅（SiC）、氧化物半導體（如氧化鋅（ZnO）、氧化鎵（Ga2O3）、鈣鈦礦（CaTiO3等）和金剛石等寬禁帶半導體材料。而目前網(wǎng)絡(luò)上炒動的所謂“第四代半導體材料”便是美國近期限制出口的金剛石和氧化鎵。

市場方面，8月15日氧化鎵概念股新湖中寶開盤“一字”漲停，截至17日收盤，新湖中寶股價為2.8元，相較于8月9日開盤價2.56元，上漲約9.3%。

據(jù)了解，該公司持有杭州富加鎵業(yè)科技有限公司22%股權(quán)，富加鎵業(yè)依托于中科院上海光機所，研究新型半導體材料--氧化鎵(Ga2O3)，目前的信息顯示基于β氧化鎵的晶體制備及其功率器件開發(fā)已取得一定進展。此外，該公司還參股上海鉆石交易所，持股比例5%。

此外，金剛石概念股晶盛機電8月15日開盤時也曾一度漲停，最大漲幅達到12.38%，最新總市值為995.26億元。截至8月17日收盤，晶盛機電股價為76.1元，相較于9日開盤價70元，上漲約8.7%。該公司于今年3月初曾表示，公司全自動金剛石生長爐研發(fā)成功。

據(jù)了解，對于氧化鎵原件的開發(fā)可以追溯到2012年，日本國家信息與通信技術(shù)研究所（NICT）發(fā)表了首個單晶β-氧化鎵晶體管。而到了2014年，氧化鎵材料迎來量產(chǎn)。

我國氧化鎵的研究目前主要集中于科研領(lǐng)域。今年我國科技部將氧化鎵列入“十四五重點研發(fā)計劃”，這讓該物質(zhì)獲得了更為廣泛的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)化方面，國內(nèi)目前剛剛起步，北京鎵族科技、杭州富加鎵業(yè)、北京銘鎵半導體、深圳進化半導體中電46所等企業(yè)紛紛涌入氧化鎵基礎(chǔ)材料領(lǐng)域。

此外，新湖中寶、三安光電、藍曉科技、中國西電、上海瀚訊、隆基綠能、南大光電等也正在布局如金屬鎵提取、氧化鎵晶體生長、寬禁帶半導體等產(chǎn)業(yè)相關(guān)上下游的領(lǐng)域。