國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展火熱，2022年我國(guó)全年集成電路產(chǎn)量3241.9億塊，出口數(shù)量總額2734億塊。不過(guò)，中國(guó)大陸生產(chǎn)的晶圓有大約一半是由海外以及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的公司生產(chǎn)的。

中國(guó)大陸排名靠前的十大芯片制造企業(yè)中，有五家是國(guó)際芯片制造巨頭，包括：三星、英特爾、SK 海力士、臺(tái)積電、聯(lián)電等。

在華建廠并非特例，早在20年前，諸多國(guó)際巨頭公司紛紛赴華搭建其子公司。隨著美國(guó)頻頻公布相關(guān)“禁令”，國(guó)內(nèi)的外資及臺(tái)資晶圓廠也在逐漸修改一些計(jì)劃。

01 國(guó)內(nèi)有哪些海外晶圓廠？

英特爾

前不久，英特爾CEO帕特·基辛格訪問(wèn)中國(guó)，受到了中國(guó)政府多位官員的會(huì)見(jiàn)。植根中國(guó)近40年，帕特·基辛格表示，英特爾中國(guó)是英特爾的戰(zhàn)略之重。

英特爾（中國(guó)）在1994年成立于上海，2007年，英特爾宣布在大連市建設(shè)12英寸晶圓制造工廠，這是英特爾在亞洲*的晶圓制造廠。

三年后，英特爾大連晶圓廠宣布投產(chǎn)，在2015年前主要生產(chǎn)65nm制程的產(chǎn)品，之后則主要生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)產(chǎn)品，這是英特爾閃存業(yè)務(wù)的主要產(chǎn)線。

2017年5月，英特爾還專門(mén)在其大連工廠發(fā)布了采用 3D NAND 技術(shù)的全新數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)。2018年9月，英特爾當(dāng)時(shí)*進(jìn)的 96 層 3D NAND 產(chǎn)品也在大連投產(chǎn)。

隨著2020年，英特爾宣布向SK海力士賣出其NAND閃存業(yè)務(wù)，英特爾在中國(guó)*的晶圓制造工廠也拱手讓給 SK 海力士。

三星

三星是最早入駐中國(guó)的企業(yè)，早在1993年，三星就在天津成立了合資公司。三星在國(guó)內(nèi)的晶圓廠有兩座，分別是在蘇州、西安。1994年，三星電子（蘇州）半導(dǎo)體有限公司成立，主要從事半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝、測(cè)試業(yè)務(wù)。

2012年，三星在西安建立自己全資子公司三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司，生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片。2014年投產(chǎn)的一期項(xiàng)目共投資137億美元，2021年10月滿產(chǎn)的二期項(xiàng)目投資了133億美元。

從產(chǎn)能方面看，*工廠每月12萬(wàn)片、第二工廠每月可加工13萬(wàn)片。因此，三星電子在西安工廠生產(chǎn)的NAND閃存的月生產(chǎn)量達(dá)到了25萬(wàn)片。這一產(chǎn)能占三星電子NAND閃存總產(chǎn)量的40%以上。根據(jù)之前的規(guī)劃，三星還將投資150億美元建設(shè)西安三期項(xiàng)目，主要制造5G芯片和汽車芯片。

SK 海力士

如前文所述，英特爾出售其NAND閃存業(yè)務(wù)，SK 海力士就是其收購(gòu)買家。目前，SK海力士在中國(guó)大陸無(wú)錫、大連（從英特爾手中收購(gòu)而來(lái)）擁有晶圓廠。

SK 海力士在2019年完成第二工廠C2F的建設(shè)。隨著C2F項(xiàng)目的持續(xù)推進(jìn)，SK海力士無(wú)錫工廠的DRAM芯片產(chǎn)量約為公司整體產(chǎn)量的一半，占全球產(chǎn)量的15%。

此外，在2021年SK海力士還將其位于韓國(guó)青州的8英寸晶圓代工廠M8遷至了無(wú)錫，預(yù)計(jì)2022年全部投產(chǎn)后將月產(chǎn)11.5萬(wàn)片8吋晶圓，高于原來(lái)韓國(guó)M8工廠的10萬(wàn)片月產(chǎn)能。

2022年，SK海力士表示出資2.394萬(wàn)億韓元（約合人民幣126.7億元），這批資金將于今年底至2025年用于對(duì)無(wú)錫DRAM工廠的補(bǔ)充投資。

臺(tái)積電

2004年，臺(tái)積電在上海建設(shè)8英寸晶圓廠，一期工程月產(chǎn)35000 片8 英寸集成電路芯片。之后，經(jīng)過(guò)擴(kuò)建其總產(chǎn)能達(dá)到110000 片/月。

2016年，臺(tái)積電確定在南京建設(shè)12英寸廠。根據(jù)臺(tái)積電披露，其南京Fab16廠目前主要制造12nm、16nm工藝的芯片，產(chǎn)能為2萬(wàn)片/月。此后，臺(tái)積電開(kāi)臨時(shí)董事會(huì)，宣布計(jì)劃斥資28．87億美元（約合人民幣187億元），在南京擴(kuò)建28nm芯片生產(chǎn)線，到2023年中期月產(chǎn)能規(guī)模達(dá)到4萬(wàn)片。

聯(lián)電

聯(lián)電在大陸廈門(mén)、蘇州均有晶圓廠。聯(lián)電的蘇州晶圓廠為和艦芯片公司，2003年5月正式投產(chǎn)，目前月產(chǎn)量約8萬(wàn)片，產(chǎn)值占聯(lián)電整體合并營(yíng)收約5%。2014年，艦芯片設(shè)立子公司廈門(mén)聯(lián)芯，開(kāi)始建設(shè)12 英寸晶圓廠，并于2016 年11月投產(chǎn)，其總設(shè)計(jì)月產(chǎn)能為 50000片，目前月產(chǎn)能接近20000片。

總體來(lái)看，大陸本土的一些*的晶圓廠由SK海力士、三星、臺(tái)積電和聯(lián)電所有。目前中國(guó)集成電路制造業(yè)中，外資和臺(tái)資的占比仍然達(dá)到70%。

02 計(jì)劃開(kāi)始發(fā)生變化

美國(guó)一直在發(fā)布對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體相關(guān)的出口管制，其中2022年出臺(tái)了兩項(xiàng)影響大陸晶圓廠*的新規(guī)。

具體來(lái)看，美國(guó)規(guī)定美國(guó)企業(yè)生產(chǎn)的先進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備必須獲得美國(guó)商務(wù)部的許可證，才能向中國(guó)出口。此舉直接限制了位于中國(guó)大陸的晶圓制造廠商獲取16/14nm及以下先進(jìn)邏輯制程芯片、128層及以上NAND閃存芯片、18nm半間距或更小的DRAM內(nèi)存芯片所需的制造設(shè)備的能力。

這就包括了三星、SK海力士、臺(tái)積電等國(guó)際企業(yè)在中國(guó)大陸的晶圓廠。

雖然此前，三星電子與SK海力士均獲得了美國(guó)商務(wù)部的豁免許可，使得他們一年內(nèi)位于中國(guó)大陸的晶圓廠的生產(chǎn)都將暫時(shí)不會(huì)受到禁令的影響。但隨著時(shí)間流逝，這些晶圓廠也都在早做打算。

首先來(lái)看三星和SK海力士。三星西安晶圓廠*進(jìn)的產(chǎn)品為128層3D NAND，SK海力士無(wú)錫晶圓廠*進(jìn)的產(chǎn)品為17nm DRAM。目前在中國(guó)大陸晶圓廠*進(jìn)的技術(shù)制程，都超出了美國(guó)新規(guī)的限制要求。

近期，三星電子在中國(guó)西安工廠的NAND閃存生產(chǎn)亮起了紅燈。

有分析認(rèn)為，隨著生產(chǎn)NAND閃存的Mother Fab（優(yōu)先啟用最新工藝的工廠）——平澤工廠和西安工廠技術(shù)差距不斷拉大，西安工廠的運(yùn)營(yíng)效率相對(duì)而言正在降低。換言之，在Mother Fab*投入使用的200層以上最尖端3D NAND技術(shù)和工藝難以傳授給西安工廠。

據(jù)韓國(guó)媒體BusinessKorea報(bào)道稱，在今年二季度，三星的西安工廠將大幅度將產(chǎn)。就中國(guó)西安一廠而言，預(yù)計(jì)將減產(chǎn)至每月 110,000 片，比 2022 年第四季度的每月 125,000 片減少 12%。此外，西安二廠預(yù)計(jì)將推出 135,000 片，比之前的 14.5 萬(wàn)張減少了約 7%。

三星電子雖在去年第四季度經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)電話會(huì)議上稱，不會(huì)人為減產(chǎn)，但隨著中國(guó)半導(dǎo)體工廠工藝升級(jí)受阻，預(yù)計(jì)將出現(xiàn)自然減產(chǎn)的效果。業(yè)界人士解釋稱：“NAND價(jià)格從去年到今年一直呈走低趨勢(shì)，在生產(chǎn)效率競(jìng)爭(zhēng)中，憑借西安工廠的100層3D NAND勢(shì)必會(huì)落后于SK海力士、美光等公司”，“三星應(yīng)該會(huì)制定戰(zhàn)略降低西安工廠的比重?！?/p>

SK 海力士也傳出消息。

韓國(guó)*的媒體《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道，從今年*季度開(kāi)始到年底，SK海力士決定將*的DRAM生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)之一的中國(guó)無(wú)錫工廠晶圓投入量定在每月少于16萬(wàn)張。該數(shù)值相較于去年減少了約10%。

在 2023 年第二季度，SK 海力士將晶圓開(kāi)工量每月減少約 30 %。并且，SK海力士原本劃將其無(wú)錫晶圓廠的主流工藝從 1Y 納米過(guò)渡到 1Z 納米，從而減少傳統(tǒng)工藝的產(chǎn)量?，F(xiàn)在，由于受到美國(guó)禁令的限制，該公司轉(zhuǎn)而選擇增加其 21 納米生產(chǎn)線的份額，專注于 DDR3 和 DDR4 4Gb 產(chǎn)品。

臺(tái)積電計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)南京廠，在傳出ASML的光刻機(jī)受到限制后，也有流言傳出“南京工廠擴(kuò)產(chǎn)暫?！?。不過(guò)，前不久在臺(tái)積電公布業(yè)績(jī)報(bào)告時(shí)，已經(jīng)回應(yīng)“臺(tái)積電正在按計(jì)劃在南京擴(kuò)展28納米產(chǎn)能，持續(xù)恪守所有規(guī)章制度以支援客戶?！?/p>

由于聯(lián)電早在2018年就宣布放棄12nm以下先進(jìn)制程的投資，美國(guó)的禁令對(duì)聯(lián)電在華工廠的投資影響似乎不大。聯(lián)電在大陸同比啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，廈門(mén)聯(lián)芯的12英寸晶圓廠，產(chǎn)能則已達(dá)*階段滿載2.75萬(wàn)片規(guī)模，聯(lián)芯目前將以提升一廠營(yíng)運(yùn)效率為主，進(jìn)一步提升28nm產(chǎn)能比例，并進(jìn)行28nm及22nm特色工藝研發(fā)。

03 內(nèi)資企業(yè)需要加速了

從《全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告》來(lái)看，2021年全球晶圓月產(chǎn)能約為2160萬(wàn)片200mm當(dāng)量。而中國(guó)大陸的產(chǎn)能約為350萬(wàn)片每月，計(jì)算下來(lái)約占全球產(chǎn)能的16％。從地區(qū)晶圓產(chǎn)能排名來(lái)看，中國(guó)大陸的晶圓產(chǎn)能能夠排到第三，緊隨中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)。

目前看來(lái)，中國(guó)集成電路制造業(yè)在全行業(yè)的占比在逐年提高，達(dá)到了28.9%；在全球產(chǎn)業(yè)中的比重，已經(jīng)達(dá)到了19.9%。但值得關(guān)注的是，中國(guó)集成電路制造業(yè)中，內(nèi)資占比仍然只有31.1%。

此為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)副理事長(zhǎng)葉甜春公布的一張表。從上表中可以看到，2016年-2020年期間，前十大公司中內(nèi)資晶圓制造企業(yè)的銷售收入從364.4億元上漲到567.4億元，但整體占比卻從44%降低到了27.7%。

相比之下，外資晶圓制造企業(yè)貢獻(xiàn)的銷售收入份額，從2016年的49.1%已經(jīng)變?yōu)榱?1.3%；臺(tái)資企業(yè)貢獻(xiàn)的收入占比也從6.9%漲到了11%。這說(shuō)明雖然內(nèi)資制造企業(yè)也在增長(zhǎng)，但是其增速遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于外資企業(yè)的增長(zhǎng)。

好消息是，據(jù)葉甜春判斷：“未來(lái)可能隨著各地的擴(kuò)產(chǎn)步伐加快，產(chǎn)能開(kāi)始投入使用，這個(gè)情況會(huì)得到扭轉(zhuǎn)?！?/p>

雖然 SK 海力士、臺(tái)積電和聯(lián)電正在擴(kuò)大他們?cè)谥袊?guó)現(xiàn)有的晶圓廠，但是中國(guó)在建的大部分新晶圓廠都?xì)w國(guó)內(nèi)實(shí)體所有。

作為內(nèi)資晶圓代工龍頭，中芯國(guó)際在半導(dǎo)體行業(yè)下行周期中，2022年8月擬在天津投資75億美元建設(shè)12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項(xiàng)目，規(guī)劃產(chǎn)能為10萬(wàn)片/月。2023年存儲(chǔ)企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)好于先前預(yù)期，二三線晶圓廠粵芯、晉華、燕東等合計(jì)擴(kuò)產(chǎn)量預(yù)計(jì)仍有一定增長(zhǎng)。