“水逆”許久的存儲芯片市場正在迎來拐點。

11月以來，多只存儲芯片概念股持續(xù)走強。在披露了子公司生產(chǎn)的存儲芯片已小批量交付后，協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)（300857.SZ）的月內(nèi)股價從27.6元/股暴漲至 55.42元/股，漲幅高達(dá)100.65%；全資收購韓國GSI公司進(jìn)軍存儲芯片測試業(yè)務(wù)的亞威股份（002559.SZ） 月 內(nèi) 股 價 亦 飆 漲59.63%；產(chǎn)品線覆蓋 SSD固態(tài)硬盤、DRAM內(nèi)存條、嵌入式存儲的移動存儲*股、朗科科技（300042.SZ）股價在11月的漲幅亦高達(dá)45.36%。

相關(guān)公司股價回暖的背后，是曾經(jīng)“跌跌不休”的存儲芯片價格開始在今年四季度大幅攀升。據(jù)行業(yè)知名咨詢機構(gòu)CFM閃存市場的數(shù)據(jù)，自10月份以來，現(xiàn)貨市場NANDFlash（閃存）價格指數(shù)漲幅已達(dá)40%。從華南部分存儲芯片經(jīng)銷廠商處記者亦了解到，目前以三星、西部數(shù)據(jù)以及金士頓為代表的固態(tài)硬盤產(chǎn)品，在最近數(shù)月內(nèi)價格均出現(xiàn)顯著回升，回升幅度普遍在100元至130元之間。

有市場觀點認(rèn)為，此輪存儲芯片價格“翻盤”，是典型的產(chǎn)業(yè)內(nèi)供需雙方相互成就的結(jié)果。對于芯片生產(chǎn)廠商來說，在產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了2022年的重創(chuàng)后，以三星電子、SK海力士為代表的存儲巨頭均出現(xiàn)不小程度的業(yè)績下滑甚至虧損，于是“提價”加“減產(chǎn)”開始成為各家存儲廠商的共識。

除了堅定地執(zhí)行去庫存策略的上游企業(yè)，下游的消費電子市場亦呈現(xiàn)出回暖跡象。根據(jù)IDC的調(diào)研數(shù)據(jù)，2023年10月23日至11月3日期間，整體PC市場（含電商平臺、廠商官網(wǎng)及線下傳統(tǒng)渠道的筆記本及臺式機市場）銷量同比上升1.4%。此外，平板市場銷量同比增長13.5%，手機市場銷量同比增長10.2%，顯示器市場銷量同比增長5.3%，智能手表（不含兒童表）市場銷量同比增長23.6%，手環(huán)市場同比增長15.2%。

IDC指出，今年“雙11”期間，PC、手機、平板三大主流消費電子終端的需求均獲得超出預(yù)期的增長，這也是拉動整體智能終端市場的主要原因之一。

CFM閃存市場分析師孫夢維告訴記者，從存儲產(chǎn)業(yè)供、需雙方情況來看，雖然當(dāng)前相關(guān)產(chǎn)品價位仍在底部區(qū)間，也不排除下游個別渠道商為刺激出貨增加現(xiàn)金流小幅降價，但這都不會改變整體行情上揚的趨勢。

大力去庫存終有效果

受終端需求不振和產(chǎn)業(yè)鏈庫存高企影響，自2022年至今，存儲芯片行業(yè)正經(jīng)歷一段“歷史級”的艱難時期。

三星電子的三季報顯示，公司存儲芯片業(yè)務(wù)實現(xiàn)營收10.53萬億韓元，同比減少31%，包含存儲芯片業(yè)務(wù)在內(nèi)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門（DS部門）在三季度凈虧損高達(dá)3.75萬億韓元；SK海力士在2023財年第三季度實現(xiàn)營收為9.0662萬億韓元，營業(yè)虧損達(dá)1.79萬億韓元，凈虧損為2.19萬億韓元；美光科技2023財年第四財季數(shù)據(jù)顯示，其當(dāng)季實現(xiàn)營收40.1億美元，同比減少39.64%，凈虧損為14.3億美元。

在A股中，主要的上市存儲企業(yè)，三季度業(yè)績都不甚理想。兆易創(chuàng)新（603986.SH）在2023年前三季度實現(xiàn)營收43.94億元，同比減少35.08%，實現(xiàn)歸母凈利潤4.34億元，同比暴跌79.27%；佰維存儲（688525.SH）2023年前三季度營收約21.22億元，同比減少2.88%，歸母凈虧損約4.84億元；江波龍（301308.SZ）2023年前三季度實現(xiàn)營收 65.79億元，同比下滑0.73%，歸母凈虧損達(dá)8.83億元。

“三星、SK海力士、美光、鎧俠和西部數(shù)據(jù)五家原廠合計虧損，從Q1虧損100億美元收斂至Q2虧損85億美元再到Q3虧損65億美元，累計虧損250億美元，壓力之大可想而知?！睂O夢維指出。

持續(xù)虧損之下，扭轉(zhuǎn)財報業(yè)績便成為各大存儲廠商“*”關(guān)注的事。

孫夢維告訴記者，對于存儲原廠來說，減產(chǎn)、控制產(chǎn)能釋出是實現(xiàn)業(yè)績扭轉(zhuǎn)的最快手段。據(jù)CFM閃存市場統(tǒng)計，目前，各大存儲原廠NANDFlash減產(chǎn)幅度都在30%—50%左右，尤其是產(chǎn)能占比較大的成熟制程產(chǎn)品，各大廠對明年的資本支出和產(chǎn)能釋出也都持謹(jǐn)慎態(tài)度，需根據(jù)庫存水位及盈利情況靈活調(diào)整。

“此番下行周期是近年來持續(xù)時間最長、跌幅*的一次，也給各大原廠帶來了史無前例的經(jīng)營壓力。所謂物極必反，正是在如此高壓下，競爭激烈的存儲原廠才步調(diào)一致，強勢減產(chǎn)拉漲價格，其決心之大可見壓力之重?！睂O夢維說。

集邦咨詢分析師敖國鋒亦向記者表示，國際存儲大廠減產(chǎn)主要著眼于去化市場多余存儲芯片庫存，阻止存儲芯片價格進(jìn)一步下滑。眼下，此舉已在第四季度迎來效果，閃存芯片產(chǎn)品在本季出現(xiàn)全面反彈。

除了調(diào)整產(chǎn)能，減少庫存，不愿繼續(xù)做賠本買賣的存儲巨頭也開始攜手漲價。

近日就有市場消息稱，三星電子已和主要客戶簽訂了采購合約，并且在第四季度將合約價上調(diào)10%—25%，其中調(diào)價最猛的SSD產(chǎn)品，合約價漲幅最高達(dá)30%，SK海力士亦在10月官宣將對DRAM和NAND閃存芯片進(jìn)行漲價，美光科技也被曝光將跟進(jìn)調(diào)價。

三大應(yīng)用市場“回溫”

在10月31日舉辦的三星電子財報電話會上，該公司管理層指出，得益于PC/移動設(shè)備高密度產(chǎn)品的日益普及、客戶庫存調(diào)整即將完成以及高端面向AI產(chǎn)品的持續(xù)強勁，需求環(huán)境有所改善。

“在行業(yè)普遍減產(chǎn)之后，市場對行業(yè)觸底的認(rèn)識不斷擴大，我們收到了大量的購買詢問。在持續(xù)專注于盈利能力的運營下，我們繼續(xù)擴大了如HBM/DDR5和UFS4.0等先進(jìn)節(jié)點產(chǎn)品的銷售。對于那些庫存水平相對較高的傳統(tǒng)產(chǎn)品，我們通過降低生產(chǎn)來減少庫存。”三星電子高管在財報電話會中指出。

孫夢維告訴記者，三大應(yīng)用市場（服務(wù)器、Mobile、PC）下半年環(huán)比回溫，但存儲價格下跌也加速終端設(shè)備平均容量的增長，帶來存儲“甜蜜點效應(yīng)”。

她指出，在三大應(yīng)用市場中，現(xiàn)階段手機需求較為明朗，全球手機銷量環(huán)比回暖，在華為強勢歸來以及國內(nèi)手機容量配置提升的影響下，中國手機市場也得到提振。

“從各大手機品牌廠商的FCST來看，2024年的銷量預(yù)期較2023年微幅增長，預(yù)計2023年全球智能手機出貨量為11.5億部，為近幾年的*點，但2024年將有望恢復(fù)增長至12億部。同時，今年以來，PC市場環(huán)比需求逐步改善，渠道庫存回歸正常水位，在新處理器平臺以及Windows更新的帶動下，明年將會迎來一定的換機需求，預(yù)計2024年P(guān)C出貨量將由2023年的下跌14%恢復(fù)至增長8%”，孫夢維表示。

兆易創(chuàng)新的管理層在三季度的業(yè)績交流會中亦指出，隨著減產(chǎn)效應(yīng)的體現(xiàn)，供需會達(dá)到平衡的狀態(tài)，大存儲的價格有望延續(xù)反彈的走勢，但也不太會出現(xiàn)暴漲暴跌的情況。

“存儲分為大存儲和利基存儲兩大塊。大存儲包括用于手機、PC和服務(wù)器的DRAM以及3DNand，主要供應(yīng)商為以三星為代表的國際頭部廠商。大存儲經(jīng)歷了約6-7個季度的下跌周期，在今年第三季度已經(jīng)達(dá)到了價格的底部區(qū)間，隨著主要廠商的持續(xù)減產(chǎn)，達(dá)到了供需基本平衡的狀態(tài)。在今年三季度末大存儲出現(xiàn)了一些價格反彈，此反彈對利基存儲有一定的帶動效應(yīng)，利基存儲價格也在筑底并有微弱反彈?！闭滓讋?chuàng)新管理層分析。

在集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷看來，展望2024年，存儲市場將有下列三個關(guān)注事項：一，減產(chǎn)后原廠庫存水位已開始下降，但仍需觀望庫存能否持續(xù)往買方轉(zhuǎn)移；二，預(yù)期原廠產(chǎn)能將緩慢增加，倘若因市況回溫而提早恢復(fù)稼動率，將使得供需再次失衡；三，各終端需求能否符合預(yù)期回溫，其中AI相關(guān)訂單的持續(xù)將是重心。

但同時，她亦向記者強調(diào)，由于缺乏實質(zhì)終端強勁的需求出現(xiàn)，現(xiàn)階段存儲芯片的漲勢延續(xù)性仍不明朗，倘若需求如期在2024下半年回升，尤其服務(wù)器SSD采購動能有所提升，再加上供貨商不躁進(jìn)恢復(fù)產(chǎn)能利用率，加速供需平衡，閃存價格便有望呈現(xiàn)全年走升的格局。

國產(chǎn)存儲的新突破

今年以來，在兩大主要的存儲芯片品類（DRAM和NANDFlash）上，國內(nèi)企業(yè)均取得了新的突破。

2023年11月28日，長鑫存儲官宣正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品，包括12Gb的LPDDR5顆粒、POP封裝的12GBLPDDR5芯片及DSC封裝的6GBLPDDR5芯片。

據(jù)其官網(wǎng)介紹，該公司自研自產(chǎn)的12GBLPDDR5芯片目前已在國內(nèi)主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。長鑫存儲方面指出，DDR5產(chǎn)品的推出，將進(jìn)一步完善公司在DRAM（動態(tài)隨機存取存儲）芯片的產(chǎn)品布局。

DRAM芯片市場一直以來主要由三星、SK海力士和美光三家海外存儲廠商主導(dǎo)，東海證券在今年9月份發(fā)表的一份研報中指出，在2023年第二季度，三星電子占全球DRAM市場營收的38.14%，SK海力士占比達(dá) 32.29%，美光的市占率也達(dá)到25.03%，市場高度集中。寡頭壟斷的格局使得國內(nèi)廠商對DRAM芯片議價能力很低，也使得DRAM芯片成為我國受外部制約最嚴(yán)重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一。

因此，此次長鑫存儲推出*國產(chǎn)高端DRAM產(chǎn)品后，就有業(yè)內(nèi)人士告訴記者，DDR5是一種高效能的手機和便攜設(shè)備用內(nèi)存，相比之前的版本，它傳輸數(shù)據(jù)更快，耗電更少，而長鑫存儲實現(xiàn)了國產(chǎn)LPDDR5產(chǎn)品從零到一的突破，對當(dāng)前亟待復(fù)蘇的產(chǎn)業(yè)鏈來說是一個利好。

另外，在NANDFlash領(lǐng)域，今年9月，長江存儲旗下*零售存儲品牌致態(tài)發(fā)布了一款Ti600固態(tài)硬盤，該產(chǎn)品采用長江存儲原廠QLC閃存顆粒，基于自研架構(gòu)，順序讀取速度高達(dá)7000MB/s，提供500GB/1TB/2TB多種容量選擇。

長江存儲致態(tài)產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人劉舒雯當(dāng)時表示，QLC閃存芯片的性能和壽命不斷優(yōu)化，以其為存儲介質(zhì)的固態(tài)硬盤開始進(jìn)入零售市場?！癗ANDFlash技術(shù)正在發(fā)展成可以堆疊200層或更多層的形式，這意味著存儲設(shè)備能存更多的數(shù)據(jù)。同時，DRAM內(nèi)存技術(shù)也在進(jìn)步，制造出更小尺寸（小于1β納米）的芯片，讓它們變得更高效。目前在這兩個領(lǐng)域，國產(chǎn)廠商都在朝著行業(yè)技術(shù)*地位發(fā)起沖擊。”CFM閃存市場分析師戴曉瑜告訴記者。但有分析人士也向記者強調(diào)，在目前先進(jìn)制程產(chǎn)能設(shè)備取得受限的情況下，國產(chǎn)存儲芯片未來擴張200層以上制程產(chǎn)能則是需要透過國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備商的技術(shù)突破才能完成。

滬上一家大型券商的半導(dǎo)體研究員亦向記者表示，由于國產(chǎn)存儲芯片行業(yè)起步晚，缺乏技術(shù)積累，因此大部分國內(nèi)廠商都聚焦于利基型市場，與存儲三巨頭展開錯位競爭，近年來具有代表性的存儲芯片設(shè)計及制造企業(yè)如兆易創(chuàng)新、長江存儲、長鑫存儲、武漢新芯等，都在 DRAM和 NANDFlash領(lǐng)域逐漸突破技術(shù)壁壘，國產(chǎn)品牌將在未來持續(xù)攪動全球存儲芯片市場的競爭格局。