近日，筆者透過設備大廠的財報和行業(yè)動態(tài)，揭示了這個被稱為半導體行業(yè)“壓艙石”賽道的市場起伏與未來預期，映襯出市場的興衰。

而另一個被譽為“半導體風向標”的存儲市場，在如今業(yè)界對行業(yè)復蘇與轉折的強烈預期中，正經歷著怎樣的轉折與演變？殘酷周期之后又是否能苦盡甘來？

存儲巨頭財報，透露出哪些信號？

受終端需求不振和產業(yè)鏈庫存高企影響，自2022年至今，存儲行業(yè)經歷了一場“史無前例”的危機。

彼時，三星電子利潤暴跌97%、SK海力士創(chuàng)下有史以來*虧損、美光科技、西部數據等存儲大廠庫存持續(xù)攀升，存儲芯片價格也跌入谷底。

存儲“寒冬”之下，2023年幾家存儲大廠集體經營虧損預估達破紀錄的50億美元，創(chuàng)下過去15年來最嚴重的低迷。

為緩解庫存，存儲芯片原廠相繼實行減產、降價和減少開支等策略。

自2022年第四季度起，上游鎧俠、美光科技、SK海力士、三星等國際存儲芯片大廠就紛紛啟動削減開支減產，調整供給。

減產這一關鍵詞，幾乎貫穿上游原廠的2023年全年。

三星電子：2023Q4公司資本開支同比減少25.53%降至14.0萬億韓元。公司計劃到2024H1為止，將NAND產量削減規(guī)模擴大40%-50%。

SK海力士：2023年公司資本開支同比減少50%降至9.5萬億韓元，并預計2024年資本開支同比小幅增長。2023年10月公司表示NAND的減產措施至少持續(xù)至2024年6月。

美光：2023財年美光各季度資本開支呈現(xiàn)逐季下滑趨勢，至FQ1-24公司資本開支環(huán)比大幅增長88.89%升至17億美元。2022年11月公司首次宣布減產并逐步擴大減產幅度（20%→25%→30%），同時公司預計2024年晶圓開工率仍將顯著低于2022年的水平。

在經歷了漫長的行業(yè)下行周期之后，結合原廠消減資本開支，減少晶圓產能等多重措施，使得存儲市場供需回歸平衡。

至2023年四季度，存儲賽道釋放出了多個樂觀信號，庫存減少、訂單見長、原廠醞釀漲價等一系列反轉跡象都在表明——整個存儲行業(yè)的周期底部越來越明顯，存儲芯片行業(yè)或許迎來了拐點。

從存儲巨頭最新公布的財報來看，也證明了存儲市場目前似乎正在迎來轉機。

三星電子：存儲業(yè)務顯著增強

2024年1月結束之際，三星電子公布了2023年第四季度（截至2023年12月31日）財報，三星電子該季度營收為67.78萬億韓元，環(huán)比增長0.6%，同比下降3.8%。其中，存儲業(yè)務營收為15.71萬億韓元，環(huán)比增長49%，同比增長29%。

三星電子業(yè)績數據（圖源：三星）

2023年全年，三星電子的營收為258.94萬億韓元，同比減少14.32%；營業(yè)利潤為6.57萬億韓元，同比減少84.85%。

這是三星電子自2009年以來營業(yè)利潤首次跌破10萬億韓元，其全年凈利潤為15.49萬億韓元，達十二年來*。其中，2023年三星的半導體業(yè)務創(chuàng)紀錄地虧損了14.88萬億韓元，該業(yè)務在2022年盈利23.82萬億韓元。

不過，從三星芯片業(yè)務在2023年各季度的表現(xiàn)可以看出，到2023Q4，相關虧損已有所收窄。三星表示，隨著客戶削減庫存至健康水平，存儲芯片業(yè)務顯著增強。同時，PC和移動設備單機存儲容量增加，以及IT行業(yè)對生成式人工智能的投資不斷擴大，服務器需求出現(xiàn)了復蘇的跡象，三星電子存儲業(yè)務整體市場較上一季度出現(xiàn)復蘇。

展望未來，三星預計未來需求將集中在先進節(jié)點，存儲業(yè)務計劃將重點放在基于尖端節(jié)點競爭力的盈利能力上。今年一季度，三星將繼續(xù)專注包含HBM、DDR5、UFS 4.0和服務器SSD等高附加值產品在內的銷售，推動盈利能力不斷改善。

盡管2024年市場仍存在不確定性，但三星認為存儲業(yè)務將會繼續(xù)復蘇。

SK海力士：率先實現(xiàn)季度扭虧

2023年四季度存儲公司業(yè)績走向扭轉也成為普遍趨勢，SK海力士是存儲巨頭中率先實現(xiàn)全公司單季度扭虧的公司。

據財報顯示，SK海力士2023財年第四季度結合并收入為11.306萬億韓元，營業(yè)利潤為0.346萬億韓元，成功實現(xiàn)扭虧為盈。SK海力士僅時隔一年就擺脫了從2022年第四季度以來一直持續(xù)的營業(yè)虧損。

SK海力士季度毛利率和凈利率表現(xiàn)（圖源：SK海力士財報）

但其2023全年仍在虧損中，SK海力士2023年實現(xiàn)營收32.766萬億韓元，經營虧損7.73萬億韓元，經營利潤率-24%。

SK海力士業(yè)績（圖源：SK海力士財報）

對于為何能快速實現(xiàn)扭虧為盈，SK海力士表示，去年在DRAM方面，公司以牽引市場的技術實力積極應對了客戶需求，使得主力產品DDR5 DRAM和HBM3的收入同比分別增長4倍和5倍以上。

順應高性能DRAM需求的增長趨勢，SK海力士將順利進行用于AI的存儲器HBM3E的量產和HBM4的研發(fā)，同時將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產品及時供應于服務器和移動端市場。而且，公司為了應對持續(xù)增長的AI服務器需求和端側AI的應用普及，將為準備高容量服務器模組MCRDIMM和移動端模組LPCAMM2竭盡全力，由此持續(xù)保持技術*優(yōu)勢。

另外，對于市況復蘇相對緩慢的NAND閃存，2023年主要集中于投資和費用的效率化。后續(xù)，SK海力士決定通過以eSSD等高端產品為主擴大銷售，改善盈利并加強內部管理。

美光科技：抓住AI機遇

去年12月，美光公布了截至2023年11月30日的2024財年*財季財報，該季美光營收47.26億美元，同比增長15.6%，環(huán)比上升17.86%。

美光CEO Sanjay Mehrotra對外透露，得益于生成式AI的火爆，推動了云端高性能AI芯片對于HBM的旺盛需求，美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。同時，2024年PC銷售量有望成長1~5%，結束連續(xù)兩年跌勢; 智能手機需求也有望出現(xiàn)復蘇跡象。

展望未來，美光表示已做好充分準備，抓住人工智能為終端市場帶來的巨大機遇，預計第二財季營收為53億美元左右，同比大幅增長。業(yè)務基本面將在2024年得到改善，行業(yè)TAM預計將在2025年實現(xiàn)突破。

除了海外廠商，國內多家公司也認為，全球存儲市場正在逐步復蘇。

綜合市場情況來看，存儲原廠嚴格控制出貨節(jié)奏，下游廠商都在積極備貨，當下的價格傳導機制是較為順暢的。

存儲芯片開啟漲價潮

存儲巨頭業(yè)績回暖的背后，也是曾經“跌跌不休”的存儲芯片價格開始轉折的信號。

據了解，自去年10月以來，DRAM存儲芯片和NAND閃存芯片價格連續(xù)反彈。去年四季度，Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13%至18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10%至15%，多個型號的存儲芯片呈現(xiàn)漲價之勢。

據存儲器模塊廠商透露，三星電子、SK海力士、美光等存儲大廠，正規(guī)劃今年*季將DRAM價格調漲15%-20%。

至于2024年存儲芯片市況，全球市場調查機構TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，DRAM產品合約價自2021年第四季開始下跌，連跌八季，至2023年第四季起漲。NAND Flash方面，合約價自2022年第三季開始下跌，連跌四季，至2023年第三季起漲。在面對2024年市場需求展望仍保守的前提下，二者價格走勢均取決于供應商產能利用率情況。

集邦咨詢預計，今年一季度DRAM合約價季漲幅約13~18%；NAND Flash則是18~23%。第二季度，DRAM與NAND Flash合約價季漲幅皆收斂至3~8%。第三季由于是傳統(tǒng)旺季，DRAM與NAND Flash兩者合約價季漲幅有機會同步擴大至8~13%。第四季在供應商能夠維持有效的控產策略的前提下，漲勢應能延續(xù)，預估DRAM合約價季漲幅約8~13%。NAND Flash合約價季漲幅則預估0~5%。

其中，在DRAM市場，DDR5和HBM滲透率的上升將進一步推高整體平均售價，從而擴大合約價格環(huán)比漲幅。

根據Gartner的數據，2024年全球半導體市場規(guī)模預計將同比增長16.8%，達到6240億美元。這一增長主要受到存儲芯片的推動，預計存儲芯片將在2024年增長66.3%。

具體來看，全球DRAM市場規(guī)模2024年有望達到874億美元，同比增長88%；隨著NAND價格的觸底反彈，2024年全球NAND市場預計將強勁復蘇，同比增長49.6%，達到530億美元。

整體來看，存儲價格在2024年將基本延續(xù)價格季度環(huán)比增長趨勢，2024年存儲原廠扭虧為盈將指日可待。

下游需求陸續(xù)回暖

作為全球半導體市場“晴雨表”，存儲芯片的價格止跌回升可能預示著新一輪市場周期的到來。

除了堅定地執(zhí)行去庫存策略的上游企業(yè)，下游的消費電子市場回暖、新興AI相關需求以及HBM的崛起等正逐漸成為此次存儲行業(yè)復蘇中的“加速器”。

作為半導體產業(yè)的三大支柱之一，存儲芯片的重要性無需多言，在消費電子、智能終端、數據中心等諸多領域有著非常廣泛的應用。

消費電子觸底反彈

在三大應用市場中，現(xiàn)階段智能手機需求較為明朗，全球手機銷量環(huán)比回暖，在華為強勢歸來以及國內手機容量配置提升的影響下，中國手機市場也得到提振。

PC市場環(huán)比需求也在逐步改善，渠道庫存回歸正常水位，在新處理器平臺以及Windows更新的帶動下，明年將會迎來一定的換機需求。

據IDC預測，2024年，半導體市場的兩個關鍵驅動因素預計將復蘇。智能手機銷量在2023年下降5%后，到2024年將增長4%。IDC預計PC銷量在2023年急劇下降14%后，到2024年將增長4%。

能看到，消費電子市場整體正以緩慢而穩(wěn)定的速度逐步扭轉低迷狀態(tài)，中長期內有望實現(xiàn)復蘇。

同時，隨著5G、物聯(lián)網以及AI等技術普及，AI PC、智能手機等智能終端也將助力存儲器需求增長。

2024年被大多PC廠商視做“AI PC元年”，AI PC 運行本地大模型對內存需求提升，更高的內存?zhèn)鬏斔俾屎透蟮膬却婵臻g。據悉，AI PC DRAM容量是普通PC的2倍左右。

前段時間，高通、AMD、英特爾接連發(fā)布具備AI性能的處理器，加之2025年微軟的Windows10將會停止服務，軟硬件與處理器的更新有可能拉動新一波的PC換機需求，也為存儲器——尤其是DDR5帶來一波市場增量。

雖然目前量還比較少，但隨著時間推移，將會帶動更多存儲芯片需求。

AI浪潮提升回溫動力

隨著AI相關應用加速普及，也將為存儲市場帶來進一步回溫動力。

尤為值得注意的是，被AI服務器引爆的HBM存儲需求迅速增加，價格也水漲船高。HBM“救場”存儲芯片巨頭財報，也成為當下亮點。

SK海力士在財報中指出，隨著人工智能服務器和移動應用的需求增加，推動ASP上升。其主要產品DDR5和HBM3的銷量較上年同期分別增長了4倍多和5倍以上，并正在積極開發(fā)HBM4，同時向服務器和移動市場提供高性能的DDR5和LPDDR5T等高容量產品，以滿足對高性能DRAM日益增長的需求。

SK海力士之所以能實現(xiàn)業(yè)績大增，扭虧為盈的最關鍵驅動力，也是先進DRAM芯片，特別是HBM。

目前存儲行業(yè)普遍面臨的命題將是如何提高盈利能力，頭部存儲廠商均表示將加碼適用于AI時代的高性能存儲產品。

美光也表示，生成式AI驅動對AI服務器的需求，成為公司業(yè)務的強勁支撐。

AI服務器對DRAM和NAND的容量需求分別是常規(guī)服務器的8倍和3倍，預計將帶動服務器存儲需求實現(xiàn)數倍增長。其中，高端AI服務器GPU搭載HBM芯片已成主流。

能看到，生成式AI帶來了HBM高漲的需求，將存儲芯片行業(yè)從庫存調整與虧損的“水深火熱”中，提前解救了出來。

雖然2023年縮減開支是重頭戲，但存儲芯片巨頭們在HBM方向的投資仍相當舍得。據TrendForce調查顯示，存儲原廠在面臨英偉達、AMD以及亞馬遜等云服務廠商自研芯片的加單下，試圖通過加大TSV產線來擴增HBM產能。

在AI浪潮推進下，HBM需求繼續(xù)高漲。

存儲芯片巨頭們正嚴陣以待，對HBM等高性能內存產品的需求激增做好準備。

在HBM市場*的SK海力士正通過提高生產力、加快設備交付時間和削減其他領域的投資等努力，確保HBM3的產能和投資；穩(wěn)居全球存儲芯片*的三星，自然不甘在HBM這一*前景的細分市場屈居于SK海力士身后，亦加大馬力爭取新訂單并專注于HBM等高附加值產品的銷售；美光科技也在緊追不舍，其HBM3E預計將在2024年第三季度/第四季度開始出貨。

美光科技披露面向AI基礎設施需求的解決方案路線圖

從原廠規(guī)劃來看，預估2024年HBM供給位元量將年增105%。此前TrendForce預測，2023年HBM需求量同比增長58%，2024年有望再增長約30%。據Omdia預測，2025年HBM市場的總收入將達到25億美元。

此外，AI服務器不僅帶旺了HBM，也使DDR5需求急速上升，激勵廠商出貨快速增加?；谏鲜鲒厔?，HBM3、DDR5以及NAND等高端存儲產品的銷量開始提升。

伴隨本輪半導體下行周期走向逐漸復蘇，頭部存儲廠商接下來將持續(xù)推進盈利能力修復進程。其中主要抓手就是大容量、高性能的產業(yè)類型，尤其是面向AI時代的存儲器需求。

綜合需求端情況來看，智能手機、PC邊際改善，終端庫存基本出清，未來新品發(fā)布，容量升級均拉動需求改善；服務器方面，AI算力緊俏拉動HBM需求，三大廠爭先布局HBM，疊加通用服務器CPU升級推動DDR5滲透，預計下半年需求加速改善。

此外，汽車存儲市場發(fā)展迅速，隨著汽車新四化趨勢不斷推進，拉動車載存儲器需求。根據Yole報告，2021年，汽車存儲器市場規(guī)模達到43億美元，預計2021到2027年的年均復合增長率為20%，超過同期存儲器市場和汽車半導體市場的增速。

另外，高速存儲、高可靠性、數據安全性相關應用也將具有很大的發(fā)展?jié)摿Γ热?G基站、物聯(lián)網、云計算、大數據、智能工廠、可穿戴設備等新興應用，對存儲芯片的功耗、安全性、傳輸速率、體積和成本會有更高的要求。

雖然這些細分應用短期內并不能直接改變存儲芯片市場大趨勢，但其豐厚的利潤率和增量也將在一定程度上讓存儲芯片廠商受益，且長期需求值得關注。

展望2024年，存儲芯片供需將逐步走向平衡，帶動價格緩步上漲。

但也有業(yè)內人士強調：“半導體行業(yè)將從2024年起全面反彈。在原廠減產效應的影響下，晶圓價格上漲的趨勢已經形成，但盡管目前下游市場對存儲器的采購需求有一定的恢復，后續(xù)的漲價幅度與漲價頻率，仍取決于下游終端需求能否形成持續(xù)支撐，需要持續(xù)關注宏觀經濟復蘇情況?！?/p>

寫在最后

存儲芯片是半導體標準化程度最高的市場，周期性顯著，市場彈性較強，被視為半導體產業(yè)周期的風向標。

同時，在半導體行業(yè)眾多細分市場中，存儲器由于占比較大，也是拉動半導體行業(yè)復蘇回升的主要驅動力之一。

全球半導體和存儲市場規(guī)模及占比（億美元，%）

圖源：WETS，國聯(lián)證券研究所

據了解，存儲芯片銷售額走勢與整體半導體走勢高度協(xié)同，但波動性位于行業(yè)*。從歷史數據來看，半導體以及存儲細分賽道呈現(xiàn)出趨同的周期性，但存儲板塊波動性位于行業(yè)*位。2005年以來全球半導體行業(yè)已經歷多輪周期，當下我們正走在2023年底部以來的上行周期。

在整體行業(yè)處于下行周期時，存儲市場往往會受到更大沖擊，而相應地若處于從低谷持續(xù)回暖的上行周期，存儲芯片市場也將會相對受益更多。

據IDC分析，在經歷了行業(yè)周期的低迷期后，2024年半導體市場將開啟新一輪復蘇。存儲芯片是半導體產業(yè)第二細分市場，自消費市場需求疲軟以來，存儲芯片成為最受沖擊的細分領域之一，其復蘇跡象在半導體行業(yè)也具有“風向標”意義，或許也暗示著半導體行業(yè)將加快復蘇。

但也有聲音指出，不同于此前幾輪行業(yè)周期，本輪存儲器市場的扭轉，來自需求端的拉動力要小于上游原廠減產帶來的效應，是通過減少供應來加速行業(yè)走向供求平衡。

“減產是原廠不得已為之，在這輪調整中，上游存儲大廠面臨著虧損和高庫存的雙重壓力，只能通過減產來重新平衡供需關系。”前述產業(yè)鏈人士表示，“其實幾個大廠同時發(fā)提價預告，也有點試探性意味，看看下游買不買賬，最終還是要看下游需求，供需關系不是一下子能反轉過來的。”

無論如何，作為典型的周期成長行業(yè)，存儲市場已經擺脫了前幾個季度連續(xù)下滑的最壞時刻，正處于新一輪成長的黎明期。

文章參考

21世紀經濟報道：半導體行業(yè)“風向標”加速回暖？供應鏈漲價、上游單季扭虧

國聯(lián)電子：存儲芯片復蘇到了什么位置？