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存儲(chǔ)芯片,苦盡甘來?

作者:L晨光 來源: 半導(dǎo)體行業(yè)觀察 267403/24

近日,筆者透過設(shè)備大廠的財(cái)報(bào)和行業(yè)動(dòng)態(tài),揭示了這個(gè)被稱為半導(dǎo)體行業(yè)“壓艙石”賽道的市場(chǎng)起伏與未來預(yù)期,映襯出市場(chǎng)的興衰。而另一個(gè)被譽(yù)為“半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo)”的存儲(chǔ)市場(chǎng),在如今業(yè)界對(duì)行業(yè)復(fù)蘇與轉(zhuǎn)折的強(qiáng)烈預(yù)期中,正經(jīng)歷著怎樣的轉(zhuǎn)折與演變?殘酷周期之后

標(biāo)簽: 半導(dǎo)體 三星 海力士 芯片

近日,筆者透過設(shè)備大廠的財(cái)報(bào)和行業(yè)動(dòng)態(tài),揭示了這個(gè)被稱為半導(dǎo)體行業(yè)“壓艙石”賽道的市場(chǎng)起伏與未來預(yù)期,映襯出市場(chǎng)的興衰。

而另一個(gè)被譽(yù)為“半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo)”的存儲(chǔ)市場(chǎng),在如今業(yè)界對(duì)行業(yè)復(fù)蘇與轉(zhuǎn)折的強(qiáng)烈預(yù)期中,正經(jīng)歷著怎樣的轉(zhuǎn)折與演變?殘酷周期之后又是否能苦盡甘來?

存儲(chǔ)巨頭財(cái)報(bào),透露出哪些信號(hào)?

受終端需求不振和產(chǎn)業(yè)鏈庫存高企影響,自2022年至今,存儲(chǔ)行業(yè)經(jīng)歷了一場(chǎng)“史無前例”的危機(jī)。

彼時(shí),三星電子利潤(rùn)暴跌97%、SK海力士創(chuàng)下有史以來*虧損、美光科技、西部數(shù)據(jù)等存儲(chǔ)大廠庫存持續(xù)攀升,存儲(chǔ)芯片價(jià)格也跌入谷底。

存儲(chǔ)“寒冬”之下,2023年幾家存儲(chǔ)大廠集體經(jīng)營(yíng)虧損預(yù)估達(dá)破紀(jì)錄的50億美元,創(chuàng)下過去15年來最嚴(yán)重的低迷。

為緩解庫存,存儲(chǔ)芯片原廠相繼實(shí)行減產(chǎn)、降價(jià)和減少開支等策略。

自2022年第四季度起,上游鎧俠、美光科技、SK海力士、三星等國際存儲(chǔ)芯片大廠就紛紛啟動(dòng)削減開支減產(chǎn),調(diào)整供給。

減產(chǎn)這一關(guān)鍵詞,幾乎貫穿上游原廠的2023年全年。

三星電子:2023Q4公司資本開支同比減少25.53%降至14.0萬億韓元。公司計(jì)劃到2024H1為止,將NAND產(chǎn)量削減規(guī)模擴(kuò)大40%-50%。

SK海力士:2023年公司資本開支同比減少50%降至9.5萬億韓元,并預(yù)計(jì)2024年資本開支同比小幅增長(zhǎng)。2023年10月公司表示NAND的減產(chǎn)措施至少持續(xù)至2024年6月。

美光:2023財(cái)年美光各季度資本開支呈現(xiàn)逐季下滑趨勢(shì),至FQ1-24公司資本開支環(huán)比大幅增長(zhǎng)88.89%升至17億美元。2022年11月公司首次宣布減產(chǎn)并逐步擴(kuò)大減產(chǎn)幅度(20%→25%→30%),同時(shí)公司預(yù)計(jì)2024年晶圓開工率仍將顯著低于2022年的水平。

在經(jīng)歷了漫長(zhǎng)的行業(yè)下行周期之后,結(jié)合原廠消減資本開支,減少晶圓產(chǎn)能等多重措施,使得存儲(chǔ)市場(chǎng)供需回歸平衡。

至2023年四季度,存儲(chǔ)賽道釋放出了多個(gè)樂觀信號(hào),庫存減少、訂單見長(zhǎng)、原廠醞釀漲價(jià)等一系列反轉(zhuǎn)跡象都在表明——整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)的周期底部越來越明顯,存儲(chǔ)芯片行業(yè)或許迎來了拐點(diǎn)。

從存儲(chǔ)巨頭最新公布的財(cái)報(bào)來看,也證明了存儲(chǔ)市場(chǎng)目前似乎正在迎來轉(zhuǎn)機(jī)。

三星電子:存儲(chǔ)業(yè)務(wù)顯著增強(qiáng)

2024年1月結(jié)束之際,三星電子公布了2023年第四季度(截至2023年12月31日)財(cái)報(bào),三星電子該季度營(yíng)收為67.78萬億韓元,環(huán)比增長(zhǎng)0.6%,同比下降3.8%。其中,存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收為15.71萬億韓元,環(huán)比增長(zhǎng)49%,同比增長(zhǎng)29%。

三星電子業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)(圖源:三星)

2023年全年,三星電子的營(yíng)收為258.94萬億韓元,同比減少14.32%;營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6.57萬億韓元,同比減少84.85%。

這是三星電子自2009年以來營(yíng)業(yè)利潤(rùn)首次跌破10萬億韓元,其全年凈利潤(rùn)為15.49萬億韓元,達(dá)十二年來*。其中,2023年三星的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)創(chuàng)紀(jì)錄地虧損了14.88萬億韓元,該業(yè)務(wù)在2022年盈利23.82萬億韓元。

不過,從三星芯片業(yè)務(wù)在2023年各季度的表現(xiàn)可以看出,到2023Q4,相關(guān)虧損已有所收窄。三星表示,隨著客戶削減庫存至健康水平,存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)顯著增強(qiáng)。同時(shí),PC和移動(dòng)設(shè)備單機(jī)存儲(chǔ)容量增加,以及IT行業(yè)對(duì)生成式人工智能的投資不斷擴(kuò)大,服務(wù)器需求出現(xiàn)了復(fù)蘇的跡象,三星電子存儲(chǔ)業(yè)務(wù)整體市場(chǎng)較上一季度出現(xiàn)復(fù)蘇。

展望未來,三星預(yù)計(jì)未來需求將集中在先進(jìn)節(jié)點(diǎn),存儲(chǔ)業(yè)務(wù)計(jì)劃將重點(diǎn)放在基于尖端節(jié)點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力的盈利能力上。今年一季度,三星將繼續(xù)專注包含HBM、DDR5、UFS 4.0和服務(wù)器SSD等高附加值產(chǎn)品在內(nèi)的銷售,推動(dòng)盈利能力不斷改善。

盡管2024年市場(chǎng)仍存在不確定性,但三星認(rèn)為存儲(chǔ)業(yè)務(wù)將會(huì)繼續(xù)復(fù)蘇。

SK海力士:率先實(shí)現(xiàn)季度扭虧

2023年四季度存儲(chǔ)公司業(yè)績(jī)走向扭轉(zhuǎn)也成為普遍趨勢(shì),SK海力士是存儲(chǔ)巨頭中率先實(shí)現(xiàn)全公司單季度扭虧的公司。

據(jù)財(cái)報(bào)顯示,SK海力士2023財(cái)年第四季度結(jié)合并收入為11.306萬億韓元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為0.346萬億韓元,成功實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。SK海力士?jī)H時(shí)隔一年就擺脫了從2022年第四季度以來一直持續(xù)的營(yíng)業(yè)虧損。

SK海力士季度毛利率和凈利率表現(xiàn)(圖源:SK海力士財(cái)報(bào))

但其2023全年仍在虧損中,SK海力士2023年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收32.766萬億韓元,經(jīng)營(yíng)虧損7.73萬億韓元,經(jīng)營(yíng)利潤(rùn)率-24%。

SK海力士業(yè)績(jī)(圖源:SK海力士財(cái)報(bào))

對(duì)于為何能快速實(shí)現(xiàn)扭虧為盈,SK海力士表示,去年在DRAM方面,公司以牽引市場(chǎng)的技術(shù)實(shí)力積極應(yīng)對(duì)了客戶需求,使得主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的收入同比分別增長(zhǎng)4倍和5倍以上。

順應(yīng)高性能DRAM需求的增長(zhǎng)趨勢(shì),SK海力士將順利進(jìn)行用于AI的存儲(chǔ)器HBM3E的量產(chǎn)和HBM4的研發(fā),同時(shí)將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產(chǎn)品及時(shí)供應(yīng)于服務(wù)器和移動(dòng)端市場(chǎng)。而且,公司為了應(yīng)對(duì)持續(xù)增長(zhǎng)的AI服務(wù)器需求和端側(cè)AI的應(yīng)用普及,將為準(zhǔn)備高容量服務(wù)器模組MCRDIMM和移動(dòng)端模組LPCAMM2竭盡全力,由此持續(xù)保持技術(shù)*優(yōu)勢(shì)。

另外,對(duì)于市況復(fù)蘇相對(duì)緩慢的NAND閃存,2023年主要集中于投資和費(fèi)用的效率化。后續(xù),SK海力士決定通過以eSSD等高端產(chǎn)品為主擴(kuò)大銷售,改善盈利并加強(qiáng)內(nèi)部管理。

美光科技:抓住AI機(jī)遇

去年12月,美光公布了截至2023年11月30日的2024財(cái)年*財(cái)季財(cái)報(bào),該季美光營(yíng)收47.26億美元,同比增長(zhǎng)15.6%,環(huán)比上升17.86%。

美光CEO Sanjay Mehrotra對(duì)外透露,得益于生成式AI的火爆,推動(dòng)了云端高性能AI芯片對(duì)于HBM的旺盛需求,美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計(jì)已全部售罄。同時(shí),2024年P(guān)C銷售量有望成長(zhǎng)1~5%,結(jié)束連續(xù)兩年跌勢(shì); 智能手機(jī)需求也有望出現(xiàn)復(fù)蘇跡象。

展望未來,美光表示已做好充分準(zhǔn)備,抓住人工智能為終端市場(chǎng)帶來的巨大機(jī)遇,預(yù)計(jì)第二財(cái)季營(yíng)收為53億美元左右,同比大幅增長(zhǎng)。業(yè)務(wù)基本面將在2024年得到改善,行業(yè)TAM預(yù)計(jì)將在2025年實(shí)現(xiàn)突破。

除了海外廠商,國內(nèi)多家公司也認(rèn)為,全球存儲(chǔ)市場(chǎng)正在逐步復(fù)蘇。

綜合市場(chǎng)情況來看,存儲(chǔ)原廠嚴(yán)格控制出貨節(jié)奏,下游廠商都在積極備貨,當(dāng)下的價(jià)格傳導(dǎo)機(jī)制是較為順暢的。

存儲(chǔ)芯片開啟漲價(jià)潮

存儲(chǔ)巨頭業(yè)績(jī)回暖的背后,也是曾經(jīng)“跌跌不休”的存儲(chǔ)芯片價(jià)格開始轉(zhuǎn)折的信號(hào)。

據(jù)了解,自去年10月以來,DRAM存儲(chǔ)芯片和NAND閃存芯片價(jià)格連續(xù)反彈。去年四季度,Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13%至18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10%至15%,多個(gè)型號(hào)的存儲(chǔ)芯片呈現(xiàn)漲價(jià)之勢(shì)。

據(jù)存儲(chǔ)器模塊廠商透露,三星電子、SK海力士、美光等存儲(chǔ)大廠,正規(guī)劃今年*季將DRAM價(jià)格調(diào)漲15%-20%。

至于2024年存儲(chǔ)芯片市況,全球市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,DRAM產(chǎn)品合約價(jià)自2021年第四季開始下跌,連跌八季,至2023年第四季起漲。NAND Flash方面,合約價(jià)自2022年第三季開始下跌,連跌四季,至2023年第三季起漲。在面對(duì)2024年市場(chǎng)需求展望仍保守的前提下,二者價(jià)格走勢(shì)均取決于供應(yīng)商產(chǎn)能利用率情況。

集邦咨詢預(yù)計(jì),今年一季度DRAM合約價(jià)季漲幅約13~18%;NAND Flash則是18~23%。第二季度,DRAM與NAND Flash合約價(jià)季漲幅皆收斂至3~8%。第三季由于是傳統(tǒng)旺季,DRAM與NAND Flash兩者合約價(jià)季漲幅有機(jī)會(huì)同步擴(kuò)大至8~13%。第四季在供應(yīng)商能夠維持有效的控產(chǎn)策略的前提下,漲勢(shì)應(yīng)能延續(xù),預(yù)估DRAM合約價(jià)季漲幅約8~13%。NAND Flash合約價(jià)季漲幅則預(yù)估0~5%。

其中,在DRAM市場(chǎng),DDR5和HBM滲透率的上升將進(jìn)一步推高整體平均售價(jià),從而擴(kuò)大合約價(jià)格環(huán)比漲幅。

根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù),2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將同比增長(zhǎng)16.8%,達(dá)到6240億美元。這一增長(zhǎng)主要受到存儲(chǔ)芯片的推動(dòng),預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片將在2024年增長(zhǎng)66.3%。

具體來看,全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模2024年有望達(dá)到874億美元,同比增長(zhǎng)88%;隨著NAND價(jià)格的觸底反彈,2024年全球NAND市場(chǎng)預(yù)計(jì)將強(qiáng)勁復(fù)蘇,同比增長(zhǎng)49.6%,達(dá)到530億美元。

整體來看,存儲(chǔ)價(jià)格在2024年將基本延續(xù)價(jià)格季度環(huán)比增長(zhǎng)趨勢(shì),2024年存儲(chǔ)原廠扭虧為盈將指日可待。

下游需求陸續(xù)回暖

作為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)“晴雨表”,存儲(chǔ)芯片的價(jià)格止跌回升可能預(yù)示著新一輪市場(chǎng)周期的到來。

除了堅(jiān)定地執(zhí)行去庫存策略的上游企業(yè),下游的消費(fèi)電子市場(chǎng)回暖、新興AI相關(guān)需求以及HBM的崛起等正逐漸成為此次存儲(chǔ)行業(yè)復(fù)蘇中的“加速器”。

作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的三大支柱之一,存儲(chǔ)芯片的重要性無需多言,在消費(fèi)電子、智能終端、數(shù)據(jù)中心等諸多領(lǐng)域有著非常廣泛的應(yīng)用。

消費(fèi)電子觸底反彈

在三大應(yīng)用市場(chǎng)中,現(xiàn)階段智能手機(jī)需求較為明朗,全球手機(jī)銷量環(huán)比回暖,在華為強(qiáng)勢(shì)歸來以及國內(nèi)手機(jī)容量配置提升的影響下,中國手機(jī)市場(chǎng)也得到提振。

PC市場(chǎng)環(huán)比需求也在逐步改善,渠道庫存回歸正常水位,在新處理器平臺(tái)以及Windows更新的帶動(dòng)下,明年將會(huì)迎來一定的換機(jī)需求。

據(jù)IDC預(yù)測(cè),2024年,半導(dǎo)體市場(chǎng)的兩個(gè)關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素預(yù)計(jì)將復(fù)蘇。智能手機(jī)銷量在2023年下降5%后,到2024年將增長(zhǎng)4%。IDC預(yù)計(jì)PC銷量在2023年急劇下降14%后,到2024年將增長(zhǎng)4%。

能看到,消費(fèi)電子市場(chǎng)整體正以緩慢而穩(wěn)定的速度逐步扭轉(zhuǎn)低迷狀態(tài),中長(zhǎng)期內(nèi)有望實(shí)現(xiàn)復(fù)蘇。

同時(shí),隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)以及AI等技術(shù)普及,AI PC、智能手機(jī)等智能終端也將助力存儲(chǔ)器需求增長(zhǎng)。

2024年被大多PC廠商視做“AI PC元年”,AI PC 運(yùn)行本地大模型對(duì)內(nèi)存需求提升,更高的內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾屎透蟮膬?nèi)存空間。據(jù)悉,AI PC DRAM容量是普通PC的2倍左右。

前段時(shí)間,高通、AMD、英特爾接連發(fā)布具備AI性能的處理器,加之2025年微軟的Windows10將會(huì)停止服務(wù),軟硬件與處理器的更新有可能拉動(dòng)新一波的PC換機(jī)需求,也為存儲(chǔ)器——尤其是DDR5帶來一波市場(chǎng)增量。

雖然目前量還比較少,但隨著時(shí)間推移,將會(huì)帶動(dòng)更多存儲(chǔ)芯片需求。

AI浪潮提升回溫動(dòng)力

隨著AI相關(guān)應(yīng)用加速普及,也將為存儲(chǔ)市場(chǎng)帶來進(jìn)一步回溫動(dòng)力。

尤為值得注意的是,被AI服務(wù)器引爆的HBM存儲(chǔ)需求迅速增加,價(jià)格也水漲船高。HBM“救場(chǎng)”存儲(chǔ)芯片巨頭財(cái)報(bào),也成為當(dāng)下亮點(diǎn)。

SK海力士在財(cái)報(bào)中指出,隨著人工智能服務(wù)器和移動(dòng)應(yīng)用的需求增加,推動(dòng)ASP上升。其主要產(chǎn)品DDR5和HBM3的銷量較上年同期分別增長(zhǎng)了4倍多和5倍以上,并正在積極開發(fā)HBM4,同時(shí)向服務(wù)器和移動(dòng)市場(chǎng)提供高性能的DDR5和LPDDR5T等高容量產(chǎn)品,以滿足對(duì)高性能DRAM日益增長(zhǎng)的需求。

SK海力士之所以能實(shí)現(xiàn)業(yè)績(jī)大增,扭虧為盈的最關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力,也是先進(jìn)DRAM芯片,特別是HBM。

目前存儲(chǔ)行業(yè)普遍面臨的命題將是如何提高盈利能力,頭部存儲(chǔ)廠商均表示將加碼適用于AI時(shí)代的高性能存儲(chǔ)產(chǎn)品。

美光也表示,生成式AI驅(qū)動(dòng)對(duì)AI服務(wù)器的需求,成為公司業(yè)務(wù)的強(qiáng)勁支撐。

AI服務(wù)器對(duì)DRAM和NAND的容量需求分別是常規(guī)服務(wù)器的8倍和3倍,預(yù)計(jì)將帶動(dòng)服務(wù)器存儲(chǔ)需求實(shí)現(xiàn)數(shù)倍增長(zhǎng)。其中,高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM芯片已成主流。

能看到,生成式AI帶來了HBM高漲的需求,將存儲(chǔ)芯片行業(yè)從庫存調(diào)整與虧損的“水深火熱”中,提前解救了出來。

雖然2023年縮減開支是重頭戲,但存儲(chǔ)芯片巨頭們?cè)贖BM方向的投資仍相當(dāng)舍得。據(jù)TrendForce調(diào)查顯示,存儲(chǔ)原廠在面臨英偉達(dá)、AMD以及亞馬遜等云服務(wù)廠商自研芯片的加單下,試圖通過加大TSV產(chǎn)線來擴(kuò)增HBM產(chǎn)能。

在AI浪潮推進(jìn)下,HBM需求繼續(xù)高漲。

存儲(chǔ)芯片巨頭們正嚴(yán)陣以待,對(duì)HBM等高性能內(nèi)存產(chǎn)品的需求激增做好準(zhǔn)備。

在HBM市場(chǎng)*的SK海力士正通過提高生產(chǎn)力、加快設(shè)備交付時(shí)間和削減其他領(lǐng)域的投資等努力,確保HBM3的產(chǎn)能和投資;穩(wěn)居全球存儲(chǔ)芯片*的三星,自然不甘在HBM這一*前景的細(xì)分市場(chǎng)屈居于SK海力士身后,亦加大馬力爭(zhēng)取新訂單并專注于HBM等高附加值產(chǎn)品的銷售;美光科技也在緊追不舍,其HBM3E預(yù)計(jì)將在2024年第三季度/第四季度開始出貨。

美光科技披露面向AI基礎(chǔ)設(shè)施需求的解決方案路線圖

從原廠規(guī)劃來看,預(yù)估2024年HBM供給位元量將年增105%。此前TrendForce預(yù)測(cè),2023年HBM需求量同比增長(zhǎng)58%,2024年有望再增長(zhǎng)約30%。據(jù)Omdia預(yù)測(cè),2025年HBM市場(chǎng)的總收入將達(dá)到25億美元。

此外,AI服務(wù)器不僅帶旺了HBM,也使DDR5需求急速上升,激勵(lì)廠商出貨快速增加?;谏鲜鲒厔?shì),HBM3、DDR5以及NAND等高端存儲(chǔ)產(chǎn)品的銷量開始提升。

伴隨本輪半導(dǎo)體下行周期走向逐漸復(fù)蘇,頭部存儲(chǔ)廠商接下來將持續(xù)推進(jìn)盈利能力修復(fù)進(jìn)程。其中主要抓手就是大容量、高性能的產(chǎn)業(yè)類型,尤其是面向AI時(shí)代的存儲(chǔ)器需求。

綜合需求端情況來看,智能手機(jī)、PC邊際改善,終端庫存基本出清,未來新品發(fā)布,容量升級(jí)均拉動(dòng)需求改善;服務(wù)器方面,AI算力緊俏拉動(dòng)HBM需求,三大廠爭(zhēng)先布局HBM,疊加通用服務(wù)器CPU升級(jí)推動(dòng)DDR5滲透,預(yù)計(jì)下半年需求加速改善。

此外,汽車存儲(chǔ)市場(chǎng)發(fā)展迅速,隨著汽車新四化趨勢(shì)不斷推進(jìn),拉動(dòng)車載存儲(chǔ)器需求。根據(jù)Yole報(bào)告,2021年,汽車存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到43億美元,預(yù)計(jì)2021到2027年的年均復(fù)合增長(zhǎng)率為20%,超過同期存儲(chǔ)器市場(chǎng)和汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)的增速。

另外,高速存儲(chǔ)、高可靠性、數(shù)據(jù)安全性相關(guān)應(yīng)用也將具有很大的發(fā)展?jié)摿?,比?G基站、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、智能工廠、可穿戴設(shè)備等新興應(yīng)用,對(duì)存儲(chǔ)芯片的功耗、安全性、傳輸速率、體積和成本會(huì)有更高的要求。

雖然這些細(xì)分應(yīng)用短期內(nèi)并不能直接改變存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)大趨勢(shì),但其豐厚的利潤(rùn)率和增量也將在一定程度上讓存儲(chǔ)芯片廠商受益,且長(zhǎng)期需求值得關(guān)注。

展望2024年,存儲(chǔ)芯片供需將逐步走向平衡,帶動(dòng)價(jià)格緩步上漲。

但也有業(yè)內(nèi)人士強(qiáng)調(diào):“半導(dǎo)體行業(yè)將從2024年起全面反彈。在原廠減產(chǎn)效應(yīng)的影響下,晶圓價(jià)格上漲的趨勢(shì)已經(jīng)形成,但盡管目前下游市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器的采購需求有一定的恢復(fù),后續(xù)的漲價(jià)幅度與漲價(jià)頻率,仍取決于下游終端需求能否形成持續(xù)支撐,需要持續(xù)關(guān)注宏觀經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇情況?!?/p>

寫在最后

存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)化程度最高的市場(chǎng),周期性顯著,市場(chǎng)彈性較強(qiáng),被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期的風(fēng)向標(biāo)。

同時(shí),在半導(dǎo)體行業(yè)眾多細(xì)分市場(chǎng)中,存儲(chǔ)器由于占比較大,也是拉動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇回升的主要驅(qū)動(dòng)力之一。

全球半導(dǎo)體和存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模及占比(億美元,%)

圖源:WETS,國聯(lián)證券研究所

據(jù)了解,存儲(chǔ)芯片銷售額走勢(shì)與整體半導(dǎo)體走勢(shì)高度協(xié)同,但波動(dòng)性位于行業(yè)*。從歷史數(shù)據(jù)來看,半導(dǎo)體以及存儲(chǔ)細(xì)分賽道呈現(xiàn)出趨同的周期性,但存儲(chǔ)板塊波動(dòng)性位于行業(yè)*位。2005年以來全球半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)歷多輪周期,當(dāng)下我們正走在2023年底部以來的上行周期。

在整體行業(yè)處于下行周期時(shí),存儲(chǔ)市場(chǎng)往往會(huì)受到更大沖擊,而相應(yīng)地若處于從低谷持續(xù)回暖的上行周期,存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)也將會(huì)相對(duì)受益更多。

據(jù)IDC分析,在經(jīng)歷了行業(yè)周期的低迷期后,2024年半導(dǎo)體市場(chǎng)將開啟新一輪復(fù)蘇。存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第二細(xì)分市場(chǎng),自消費(fèi)市場(chǎng)需求疲軟以來,存儲(chǔ)芯片成為最受沖擊的細(xì)分領(lǐng)域之一,其復(fù)蘇跡象在半導(dǎo)體行業(yè)也具有“風(fēng)向標(biāo)”意義,或許也暗示著半導(dǎo)體行業(yè)將加快復(fù)蘇。

但也有聲音指出,不同于此前幾輪行業(yè)周期,本輪存儲(chǔ)器市場(chǎng)的扭轉(zhuǎn),來自需求端的拉動(dòng)力要小于上游原廠減產(chǎn)帶來的效應(yīng),是通過減少供應(yīng)來加速行業(yè)走向供求平衡。

“減產(chǎn)是原廠不得已為之,在這輪調(diào)整中,上游存儲(chǔ)大廠面臨著虧損和高庫存的雙重壓力,只能通過減產(chǎn)來重新平衡供需關(guān)系。”前述產(chǎn)業(yè)鏈人士表示,“其實(shí)幾個(gè)大廠同時(shí)發(fā)提價(jià)預(yù)告,也有點(diǎn)試探性意味,看看下游買不買賬,最終還是要看下游需求,供需關(guān)系不是一下子能反轉(zhuǎn)過來的?!?/p>

無論如何,作為典型的周期成長(zhǎng)行業(yè),存儲(chǔ)市場(chǎng)已經(jīng)擺脫了前幾個(gè)季度連續(xù)下滑的最壞時(shí)刻,正處于新一輪成長(zhǎng)的黎明期。

文章參考

21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道:半導(dǎo)體行業(yè)“風(fēng)向標(biāo)”加速回暖?供應(yīng)鏈漲價(jià)、上游單季扭虧

國聯(lián)電子:存儲(chǔ)芯片復(fù)蘇到了什么位置?

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