在半導(dǎo)體發(fā)展史上，有三場典型而重要的半導(dǎo)體貿(mào)易摩擦“戰(zhàn)事”。但人們最容易記住的，其實是大國直接參與的兩場：中美之間和美日之間。

美日半導(dǎo)體貿(mào)易摩擦從上世紀80年代后半期持續(xù)到90年代前半期，先后簽署兩份協(xié)議：第一次半導(dǎo)體協(xié)議，限定日本半導(dǎo)體產(chǎn)品在海外市場的價格下限；第二次半導(dǎo)體協(xié)議則把外國半導(dǎo)體產(chǎn)品在日本國內(nèi)市場份額提升20％以上。

1996年7月第二次協(xié)議到期后，美國原本還想簽訂第三次協(xié)議繼續(xù)壓榨，但由于韓國、臺灣地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起，美國最終還是“放過”了日本，在日方“據(jù)理力爭”下不再續(xù)簽第三次半導(dǎo)體協(xié)議。

盡管美國贏得了對日本的半導(dǎo)體“戰(zhàn)爭”——日本半導(dǎo)體廠商從1980年代全球過半份額已降低到現(xiàn)在的10％以下。但傷敵一千，自傷八百。比如，第一次協(xié)議簽訂后僅過去兩年，美國就爆發(fā)了內(nèi)存芯片短缺危機。256Kb的內(nèi)存（DRAM）芯片價格從1987年初的2美元上漲到最高12美元，1Mb芯片從9-10美元上漲到最高40美元，眾多美國電腦公司被迫承受更高的成本，蘋果公司更因此庫存高企，虧損嚴重。

《華盛頓郵報》記者T·R·里德當時就曾評論道：美國半導(dǎo)體廠商放棄低利潤的內(nèi)存芯片，進入微處理器和可編程邏輯器件市場，這種轉(zhuǎn)變是自由市場中的自然發(fā)展趨勢；里根政府試圖幫助美國企業(yè)占領(lǐng)內(nèi)存市場，卻造成嚴重芯片短缺，自討苦吃。

而中美之間的這場摩擦由于正在發(fā)生，對于身處其中的當代人來說，其激烈程度似乎也更高：畢竟，美國擁有全世界最強大的半導(dǎo)體設(shè)計、裝備、IDM等產(chǎn)業(yè)鏈，中國又擁有全世界最大的半導(dǎo)體市場，同時也有著“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈進一步國產(chǎn)化”的雄心壯志。

但美日、中美之外，第三場重要的半導(dǎo)體“戰(zhàn)事”發(fā)生在哪里呢？其實，離我們很近——那就是日韓之間發(fā)端于2019年并且還未結(jié)束的半導(dǎo)體對決。

韓日沖突與美日沖突的不同

如果將中美半導(dǎo)體摩擦比作兩個高手“決戰(zhàn)于紫禁之巔”，誰都怕跌落巔峰，因此每一步過招都萬分驚險。那么美日的半導(dǎo)體摩擦，則沒有那么多華麗招數(shù)，更像是主人陰狠逼迫富起來的仆從“自我閹割”。當然，仆從并沒有給自己“閹割”干凈，還是留下了半導(dǎo)體制造設(shè)備和零部件、材料等競爭力較強的部分。畢竟，再俯首帖耳的仆從，也有自己的利益關(guān)切。

那么日韓之間的半導(dǎo)體摩擦，和美日這種主仆間的“戰(zhàn)事”，又有什么區(qū)別呢？

區(qū)別首先就在于，二戰(zhàn)結(jié)束前韓國被日本占領(lǐng)殖民，就此結(jié)下的矛盾遲遲未能消解。盡管1965年韓日兩國關(guān)系正?；院?，兩國在經(jīng)貿(mào)合作方面基本以“1965年體制”為基礎(chǔ)實現(xiàn)了穩(wěn)定發(fā)展。但兩國關(guān)系的雷，依然有很多。

在2019年日本對韓國半導(dǎo)體所需三種關(guān)鍵材料進行出口限制之前，韓日關(guān)系的惡化就已經(jīng)有幾起導(dǎo)火索事件發(fā)生。比如，2018年10月，韓國大法院終審判決日本新日鐵住金須向二戰(zhàn)期間被強征的四位韓國勞工，每人賠償1億韓元（約合61萬元人民幣）。而終審14年前提起訴訟時的四位勞工，已經(jīng)去世三位，僅剩下時年98歲的李春植（Lee Choon-shik）健在。

這些錢對這家日本鋼鐵巨頭來說雖然不多，但日本人卻覺得“侮辱性極強”。因為日本政府認為，在1965年的《日韓請求權(quán)協(xié)定》中，兩國和國民間的財產(chǎn)和索賠權(quán)問題已經(jīng)“確認完全且最終得到解決”。為此日本外務(wù)省在第一時間召見韓國駐日大使表示反對。

巧合的是，新日鐵住金在2018年不僅做了拒絕賠償?shù)臎Q定，還做了另一個決定：將于2019年4月更名為“日本制鐵”。至于更名理由，新日鐵住金表示為了提高國際競爭力，需要一個新的相匹配的名稱，“希望在進軍全球之際能表明這是發(fā)源于日本的制鐵公司”。而日本制鐵是1934年由前八幡制鐵所等合并后成立，正是日本殖民統(tǒng)治韓國的高峰時期。其后，日本制鐵在1950年被解散，后又經(jīng)過多次重組才成為新日鐵住金。

就這樣，新日鐵住金不僅拒絕殖民時代的傷害賠償，還改回了殖民時代的名字。

兩國關(guān)于歷史與協(xié)定，當然有不同認知，兩個決定或許也僅是巧合。但多重事件下，韓日兩國在2018年關(guān)系快速下降。2018年12月，在郁陵島附近海域，日本海上自衛(wèi)隊巡邏機接近韓國巡邏船，發(fā)生低空飛行威懾事件更是給兩國經(jīng)貿(mào)往來火上澆油。

在這樣的背景之下，2019年7月，日本宣布加強氟聚酰亞胺、感光劑光刻膠和高純度氟化氫三種半導(dǎo)體核心原料的對韓出口管制，并在8月通過了新版《出口貿(mào)易管理令》，將韓國剔除在安全保障出口管理上享有優(yōu)惠待遇的“白名單國家”。

根據(jù)韓國貿(mào)易協(xié)會2018年的數(shù)據(jù)，韓國 84.5％ 的氟化聚酰亞胺（進口價值 1972 萬美元）、93.2％的光刻膠（29889萬美元）以及41.9％的氟化氫（6685萬美元）都依賴從日本進口。

而且，這些材料還并非芯片那種可以突擊囤積的物資。就以氟化氫為例，其腐蝕性極強，只能短期保存于鉛制容器和某些有機材料中，無法長期保存，因此韓國半導(dǎo)體企業(yè)都是小批量從日本進口的。據(jù)新華日報消息，日本出口管制出臺時，三星的氟化氫庫存只夠大約一個月用量，如果不能解決氟化氫供應(yīng)問題，屆時減產(chǎn)、甚至停產(chǎn)，就會造成巨額損失。

反映在財報上，2019年三季度財報顯示，三星電子營業(yè)利潤從二季度12.8萬億韓元，下降至7.7萬億韓元，環(huán)比下降39.8％；SK海力士營業(yè)利潤從6316億韓元，下降至4100億韓元，環(huán)比下降 35.1％。

當然韓國也作出報復(fù)，于2019年9月宣布終止履行《韓日軍事情報保護協(xié)定》，將日本移出韓方“白名單”，并就日方對韓國的不合理出口管制措施向WTO提起訴訟。韓日半導(dǎo)體摩擦就從2019年延宕至今。

韓日螳螂捕蟬，中美誰是黃雀

關(guān)于韓國半導(dǎo)體崛起于1980年代的歷史，人們一般關(guān)注于少數(shù)明星企業(yè)如三星的崛起。

如三星從1983年開始DRAM研發(fā)，1987年就實現(xiàn)第一次盈利，在1993年6英寸硅片仍是主流時就大膽地投資興建8英寸硅片生產(chǎn)線用于DRAM生產(chǎn)。在日本DRAM被美國成功打壓后，三星卻奠定了自己全球存儲器霸主的地位。

但三星、SK海力士等明星企業(yè)過于耀眼的光芒，遮蔽了韓國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈國產(chǎn)化的問題。正是從2019年日韓半導(dǎo)體貿(mào)易摩擦之后，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)除明星企業(yè)、重點產(chǎn)品（DARM、NAND等）之外，才更聚焦于材料和制造設(shè)備的國產(chǎn)化。

韓國政府2019年7月在日本宣布出口管制的次日就宣稱，將每年撥出1萬億韓元（約合8.5億美元）預(yù)算，支持國內(nèi)半導(dǎo)體材料和器件的國產(chǎn)化。

今年7月，在日本出口管制三周年之際，韓國更是明確表示，要在2030年之前實現(xiàn)半導(dǎo)體材料、零部件和設(shè)備的50％的國產(chǎn)化程度。

數(shù)據(jù)顯示，目前韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)化程度約為30％，其中，半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率約20％，半導(dǎo)體材料和零部件國產(chǎn)化率也小于50％。同時，三年來韓國不斷降低對日本半導(dǎo)體材料的依賴度，已從2019年的30.9％下降至2021年的24.9％。

但韓國半導(dǎo)體只是降低了對日本供應(yīng)鏈中半導(dǎo)體材料的依賴程度，對于以應(yīng)用材料、ASML、東京電子（TEL）、Lam Research、KLA為主的半導(dǎo)體設(shè)備廠商依賴程度仍較高，包括光刻、刻蝕、沉積等半導(dǎo)體核心工藝設(shè)備都依賴國外。

有分析認為，美國以國家安全風(fēng)險為理由對中國進行半導(dǎo)體出口管制，而2019年時任日本首相安倍晉三同樣以“國家安全”為日本官方借口，限制向韓國出口日本制造的化學(xué)品，因此日美半導(dǎo)體摩擦就是中美摩擦的縮小版。

但實際上，盡管在半導(dǎo)體材料、設(shè)備的對外依賴上，中國與韓國類似，但中美半導(dǎo)體摩擦與日韓有著本質(zhì)區(qū)別。

首先，針對日韓半導(dǎo)體貿(mào)易摩擦，國內(nèi)大部分解讀都指出，日本通過在半導(dǎo)體材料上游的技術(shù)優(yōu)勢，用三大關(guān)鍵材料卡住了韓國半導(dǎo)體制造的脖子，比如2018年41.9％的氟化氫（6685萬美元）都依賴從日本進口

但很少有分析指出，日本的高純度氟化氫產(chǎn)業(yè)，其實原料絕大部分都依賴中國出口的純度為95％至98％的粗氫氟酸。

如果說日本卡了韓國的脖子，那豈不是說中國也可以卡日本的脖子？盡管純度不同，對工藝的精細化要求自然有高低之分。但能夠大規(guī)模穩(wěn)定供應(yīng)95％至98％純度的粗氫氟酸，同樣考驗一個國家的供應(yīng)鏈能力。

而在中美半導(dǎo)體摩擦中，并不存在類似日韓背后還有中國這樣的潛在大國，能夠卡美國的脖子。

其次就是，日韓貿(mào)易摩擦中，日本出口限制盡管給韓國帶來短期困難，且韓國供應(yīng)鏈國產(chǎn)化進度也沒有快速跟上，但韓國有更多日本之外的備選方案。

還是以韓國41.9％的氫氟酸都依賴日本為例，大部分分析在強調(diào)韓國半導(dǎo)體材料過于依賴日本之時，往往忽略了同期的其他數(shù)據(jù)——同期韓國從中國大陸進口了45％、從臺灣進口了10％的氫氟酸。

實際上，國產(chǎn)高純電子化學(xué)品材料龍頭廠商多氟多高純電子級氫氟酸，已經(jīng)打入臺積電供應(yīng)鏈，并與2022年5月開始向臺積電南京廠批量交付。據(jù)了解，多氟多所生產(chǎn)的電子級氫氟酸品質(zhì)達到UP-SSS級（G5級別），產(chǎn)品純度達到PPT級，是目前半導(dǎo)體用電子級氫氟酸的最高級別，能夠滿足目前最先進工藝制程對材料的要求。

也就是說，哪怕日本斷供（當然，日本僅是通過出口限制減少供應(yīng)，并不想真正斷供）氫氟酸，韓國也能夠從中國供應(yīng)鏈補缺。

當然，由于氫氟酸的混合比例是為每個公司的晶圓廠特殊生產(chǎn)流程嚴格設(shè)計和確定，因此中國的材料制造商很難立即提供韓國公司所需確切規(guī)格的氟化氫，需要較長時間的調(diào)配、磨合。材料制造商很難在一到兩個月內(nèi)就產(chǎn)量翻番以吃掉日本材料商空出的市場份額，需要一年以上的更長時間。

一旦韓國開始系統(tǒng)地淘汰使用日本制造的化學(xué)原料和半導(dǎo)體設(shè)備，不管其供應(yīng)鏈國產(chǎn)化的程度能提高到多少，都將給日本的半導(dǎo)體上游行業(yè)帶來毀滅性的打擊。因為韓國和中國臺灣地區(qū)，是日本半導(dǎo)體材料最大的兩個下游市場，失去一個就是斷其左膀，屆時僅剩下右臂對日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說也是獨木難支了。

日本精細加工研究所所長Takashi Yunogami就指出，日本材料制造商和設(shè)備供應(yīng)商不僅將失去目前與三星、SK海力士和LG電子的業(yè)務(wù)，原本通過服務(wù)于韓國頂級芯片供應(yīng)商來磨練技能的日本公司也將削弱自己的競爭優(yōu)勢。即使日本政府決定稍后取消出口限制，撤退也可能為時已晚。損害已經(jīng)造成。一旦失去，就很難重新獲得對業(yè)務(wù)關(guān)系的信任。

也就是說，日本半導(dǎo)體材料等企業(yè)在韓國的市場和磨煉“know how”的機會，都將被葬送。

所以，韓國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈盡管國產(chǎn)化程度和中國同樣不高，也難以辨別其是否能夠成功。即使韓國成功了，其經(jīng)驗中國也不好直接參照。而就算韓國國產(chǎn)化計劃失敗了，其尋求中國、歐洲等更多供應(yīng)鏈作為替代日本的行為，也能夠給日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來嚴重的消極影響，這一點中國在中美摩擦中更不可能實現(xiàn)類似效果。

那面對美國一輪又一輪的愈加嚴格的半導(dǎo)體出口管制，中國怎么辦？

技術(shù)和規(guī)模，誰更重要

如上文所述，韓國的經(jīng)驗并不適用于中國。但韓國的教訓(xùn)，也有值得借鑒的一面。

韓國盡管在2019年之后加大了半導(dǎo)體國產(chǎn)化進度，整體半導(dǎo)體材料對日本的依賴度從2019年的30.9％下降至2021年的24.9％。但據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，韓國需對日進口的三種關(guān)鍵半導(dǎo)體材料中，氟化聚酰亞胺僅小幅減少；氟化氫除2020年比2018年減少86％外，2021年以后已經(jīng)維持復(fù)蘇態(tài)勢，或許還能恢復(fù)到2018年水平；光刻膠進口額甚至2021年后還增加了。

業(yè)內(nèi)專家劉劍濱曾指出，在摩爾時代集成電路產(chǎn)業(yè)的壟斷性，使得包括中國在內(nèi)的后發(fā)國家在追尋摩爾定律往更小、更密、更快的方向發(fā)展上，追趕美國等先進國家地區(qū)極其困難；但在后摩爾時代，集成電路的發(fā)展涉及更多橫向產(chǎn)業(yè)，如新材料、光學(xué)、生物學(xué)、熱學(xué)等，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展從單一追求深度向同步追求廣度發(fā)展，這種更廣泛的創(chuàng)新，能夠助力新企業(yè)避開傳統(tǒng)競爭領(lǐng)域的專利障礙。

不過，這種規(guī)律可能更適合于中國等擁有超大市場規(guī)模的國家，不適于韓國。2019年8月，韓國政府公布了《加強材料、零部件和設(shè)備競爭力的措施》，試圖扶持國內(nèi)的半導(dǎo)體材料等新企業(yè)，以解決國內(nèi)材料、零部件和設(shè)備行業(yè)的結(jié)構(gòu)性短板。但目前韓國半導(dǎo)體關(guān)鍵材料依然依賴日本等國，制造設(shè)備2021年對日進口額也同比增長44％，增至63億美元。

當然，韓國并非追趕者，而是偏科者。而且，韓國有關(guān)部門依然看重曾助力韓國“蕪湖起飛”的偏科戰(zhàn)略，試圖在其他領(lǐng)域創(chuàng)造類似半導(dǎo)體內(nèi)存等產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢。

10月，韓國科學(xué)技術(shù)信息通信部長官李宗昊在接受采訪時就表示，韓國應(yīng)再確保至少三到四項像半導(dǎo)體技術(shù)一樣、中美兩國都想獲得的核心科技優(yōu)勢，“就像在半導(dǎo)體晶片上精確印上1納米的線條一樣，要謹小慎微判斷形勢。這是夾在大國之間不可避免的命運，唯一能確保生存的方法就是開發(fā)擁有超級領(lǐng)先差距的技術(shù)”。

只不過，當一國具備少數(shù)領(lǐng)域的技術(shù)先進性之時，如韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)高度集中于內(nèi)存、存儲NAND顆粒等領(lǐng)域，但國內(nèi)市場總體規(guī)模又有限，這種技術(shù)先進性帶來的優(yōu)勢往往會是短暫而又脆弱的。

甚至于技術(shù)的先進性也未必能保持。2022年5月美光公司發(fā)布了全球首個232層的3D NAND閃存，并宣布該技術(shù)將會投入包括SSD在內(nèi)的多種產(chǎn)品；11月，長江存儲更是在電商平臺全球首銷232層3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品。盡管美光和長江存儲整體市場占有率不敵三星、SK海力士，但卻分別背靠兩個全球最大的市場，擁有更多主場優(yōu)勢，且在232層3D NAND閃存上領(lǐng)先于韓國企業(yè)。

日本行業(yè)專家太田泰彥就認為，在比較數(shù)字大小的納米競爭的背后，還有另一條“戰(zhàn)線”，那就是上一代半導(dǎo)體芯片能以多大的成本和數(shù)量進行生產(chǎn)的實力競爭。

比如中芯國際盡管在14-16納米受限于美國原來越嚴格的出口管制，產(chǎn)量停滯不前；但28-39納米制程投資兩年來幾乎翻了一番，從33億美元（2020年）到55億美元（2021年）、62億美元（預(yù)計2022年），并帶來28納米以上成熟制程晶圓的產(chǎn)量30％-40％的年增長速度。

也就是說，僅僅先進制程的領(lǐng)先，并不能保證整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成功，還需要低成本和大規(guī)模的產(chǎn)能，哪怕技術(shù)弱一些。太田泰彥以日本鋼鐵行業(yè)舉例，日本鋼鐵行業(yè)原本在技術(shù)上領(lǐng)先中國，但最終被中國壓倒性的生產(chǎn)力量打敗而被淘汰——雖然在技術(shù)上贏了，但在市場上輸了。

行業(yè)專家劉劍濱也認為，傳統(tǒng)摩爾時代追求更小、更密、更快的12寸先進制程晶圓具有產(chǎn)能過剩、投產(chǎn)風(fēng)險大、人才缺失的風(fēng)險，而看似落后的8寸成熟制程晶圓反而發(fā)展前景更好。

靠超大產(chǎn)能、超大市場規(guī)模壓倒產(chǎn)能較低的技術(shù)領(lǐng)先者，這樣的產(chǎn)業(yè)替代歷史會不會在半導(dǎo)體行業(yè)重演？

對于韓國來說，受限于國內(nèi)市場規(guī)模有限，即使三星、SK海力士具備很強的技術(shù)優(yōu)勢，但也難以在半導(dǎo)體材料上與“化學(xué)立國”的日本匹敵。對于中國來說，確實有這種可能。

比如，高純度半導(dǎo)體材料依然是日本企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，但中國的市場規(guī)模大于日本，一些低純度半導(dǎo)體材料產(chǎn)出也遠高于日本，但靠著低純度材料龐大的產(chǎn)能，一點點向上攀科技樹，慢慢啃下高端市場。

盡管中國光刻膠、CMP拋光材料、濺射靶材等半導(dǎo)體材料的對外依賴度盡管還在80％以上，但在封裝基板、電鍍液、超純試劑等領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)了部分國產(chǎn)替代，濕電子化學(xué)品國產(chǎn)率已經(jīng)達到35％左右。從摻雜/熱處理，到蝕刻/清潔，到沉積，到光刻，在半導(dǎo)體制作的逐個環(huán)節(jié)，中國企業(yè)也在逐個提高國產(chǎn)率。

但中國并沒有追求絕對的國產(chǎn)替代，只是為了避免“卡脖子”而已。從材料到設(shè)備、零部件，借助中國超大的市場規(guī)模，在半導(dǎo)體行業(yè)周期低谷逆向投資，用更大產(chǎn)能“規(guī)模壓倒技術(shù)”，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化的比例一定會提高到一個更安全的程度。

本文源自億歐網(wǎng)