第四代半導(dǎo)體材料新進(jìn)展,未來十年有望直接與碳化硅競爭!概念股太稀缺,2股市盈率不到20倍
作者:數(shù)據(jù)寶 來源: 頭條號
93001/09


數(shù)據(jù)是個寶數(shù)據(jù)寶炒股少煩惱據(jù)專家預(yù)測,氧化鎵材料是最有可能在未來大放異彩的材料之一。氧化鎵領(lǐng)域研究取得重要進(jìn)展據(jù)科技日報,日前在美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會(IEEE IEDM)上,中國科大國家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩

數(shù)據(jù)是個寶數(shù)據(jù)寶炒股少煩惱據(jù)專家預(yù)測,氧化鎵材料是最有可能在未來大放異彩的材料之一。氧化鎵領(lǐng)域研究取得重要進(jìn)展據(jù)科技日報,日前在美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會(IEEE IEDM)上,中國科大國家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文(高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器)被大會接收。龍世兵課題組基于氧化鎵異質(zhì)PN結(jié)的前期研究基礎(chǔ),將異質(zhì)結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)成功應(yīng)用于氧化鎵肖特基二極管。該研究通過合理設(shè)計優(yōu)化JTE區(qū)域的電荷濃度,確保不影響二極管正向特性的同時最大化削弱肖特基邊緣電場,從而有效提高器件的耐壓能力。氧化鎵材料應(yīng)用場景有望擴(kuò)大氧化鎵( Ga2O3 )是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料,是第四代半導(dǎo)體材料之一。研究證明,以氧化鎵材料所制作功率器件,相較于碳化硅和氮化鎵所制成的產(chǎn)品,更加耐熱且高效、成本更低、應(yīng)用范圍更廣。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為,氧化鎵有望替代碳化硅和氮化鎵成為新一代半導(dǎo)體材料的代表。目前,各國的半導(dǎo)體企業(yè)都爭先恐后布局,氧化鎵正在逐漸成為半導(dǎo)體材料界一顆冉冉升起的新星。據(jù)《中國電子報》,我國研究氧化鎵的機(jī)構(gòu)和高校較多,也取得了很多研究成果,有望在應(yīng)用場景和需求量逐漸明確之后,進(jìn)行科技成果轉(zhuǎn)移。輻射探測傳感器芯片、高功率和超大功率芯片是氧化鎵兩個主要方向,下游應(yīng)用領(lǐng)域包括電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器、電動汽車和光伏太陽能系統(tǒng)等。中國科學(xué)院院士郝躍曾指出,氧化鎵材料是最有可能在未來大放異彩的材料之一,在未來的10年左右,氧化鎵器件有可能成為有競爭力的電力電子器件,會直接與碳化硅器件競爭。但氧化鎵目前的研發(fā)進(jìn)度還不夠快,仍需不懈努力。布局氧化鎵業(yè)務(wù)的概念股稀缺證券時報·數(shù)據(jù)寶統(tǒng)計,當(dāng)前A股公司中涉及氧化鎵業(yè)務(wù)的不到10家。今年前三季度,南大光電、中國西電、藍(lán)曉科技、中航機(jī)電等凈利潤實(shí)現(xiàn)同比增長。截至12月13日收盤,新湖中寶、中鋼國際2只概念股滾動市盈率不到20倍。最新收盤價與年內(nèi)高點(diǎn)相比,中航機(jī)電、中鋼國際、南大光電等3股回撤幅度逾20%。新湖中寶參股公司富加鎵業(yè)專注于寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的研發(fā),已經(jīng)初步建立了氧化鎵單晶材料設(shè)計、熱場模擬仿真、單晶生長、晶圓加工等全鏈路研發(fā)能力,推出2寸及以下規(guī)格的氧化鎵UID(非故意摻雜)、導(dǎo)電型及絕緣型產(chǎn)品。藍(lán)曉科技為氧化鋁企業(yè)提供拜耳母液提鎵技術(shù)和運(yùn)營服務(wù),客戶使用公司吸附分離技術(shù)所提取鎵產(chǎn)品通常為4N(純度99.99%以上,雜質(zhì)總含量小于100ppm),銷售給下游精鎵企業(yè)。南大光電在互動平臺表示,公司三甲基鎵產(chǎn)品可以作為生產(chǎn)氧化鎵的原材料。中航機(jī)電全資子公司川西機(jī)器建設(shè)的氮化鎵聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室目前主要用于試驗(yàn),未批量生產(chǎn)加工氮化鎵。中鋼國際下屬全資子公司中鋼設(shè)備有限公司持有浙江制造基金合伙企業(yè)(有限合伙)20%份額,是有限合伙人,不參與基金的投資決策。該基金間接持股北京銘鎵半導(dǎo)體科技有限公司,目標(biāo)公司是國內(nèi)率先專業(yè)從事第四代(超寬禁帶)半導(dǎo)體氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化的高科技公司。中國西電子公司西電電力持股陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心,該中心有進(jìn)行氧化鎵、金剛石半導(dǎo)體、石墨烯、AIN等化合物半導(dǎo)體、化合物集成電路等創(chuàng)新性科研成果的轉(zhuǎn)化。
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