（報(bào)告出品方/作者：興業(yè)證券，李雙亮、王佩麟）

1、國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)高峰+國產(chǎn)替代加速，半導(dǎo)體材料廠商迎黃金發(fā)展期

1.1、半導(dǎo)體材料：產(chǎn)業(yè)鏈的重要支撐環(huán)節(jié)

半導(dǎo)體材料為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條中重要的支撐環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體材料，顧名思義，指的 是半導(dǎo)體制造加工過程中所用到的各種材料產(chǎn)品，其應(yīng)用場(chǎng)景與半導(dǎo)體設(shè)備高度 相似，兩者都是晶圓制造和封測(cè)環(huán)節(jié)所不可缺少的產(chǎn)品，也均為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的 重要支撐環(huán)節(jié)。

但同時(shí)兩者又有著各自鮮明的特點(diǎn)和屬性。一方面，半導(dǎo)體設(shè)備一般是在晶圓廠 新建產(chǎn)線或產(chǎn)能擴(kuò)充時(shí)會(huì)有較為集中的采購，其市場(chǎng)與下游客戶的資本開支密切 相關(guān)，是晶圓產(chǎn)能得以擴(kuò)充新增的重要先決條件；而半導(dǎo)體材料作為制造環(huán)節(jié)的 消耗品，其市場(chǎng)則主要跟隨晶圓制造的產(chǎn)能及其利用率的變化而變化，因此隨著 晶圓廠資本開支的落地以及產(chǎn)能的增加，對(duì)于半導(dǎo)體材料的用量通常有著持續(xù)性 的拉動(dòng)。因此半導(dǎo)體材料市場(chǎng)相對(duì)來說有著更好的持續(xù)性和更弱的波動(dòng)性。 近兩年下游汽車電子、5G 等多領(lǐng)域需求高景氣，因此隨著全球主要晶圓廠存量產(chǎn) 能利用率保持高位以及新增產(chǎn)能逐漸釋出，全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模也實(shí)現(xiàn)較好 增速。據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，2021 年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 643 億美元，同比增 長 16%，創(chuàng)歷史新高。

具體來看，半導(dǎo)體材料主要分為前道晶圓制造材料和后道封裝材料，其中晶圓制 造材料市場(chǎng)近年增長更為迅速、規(guī)模占比也更大，2020 年達(dá)到 349 億美元，而封 裝材料也占有較大市場(chǎng)，2020 年超過 200 億美元。

此外，半導(dǎo)體材料不同于半導(dǎo)體設(shè)備的另一點(diǎn)在于，半導(dǎo)體設(shè)備雖然根據(jù)工序不 同也有較多種類，包括光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、各種沉積設(shè)備等，但整體上在機(jī)械、 自動(dòng)化、軟件等方面都有較強(qiáng)協(xié)同性和共通性，其橫向延展可能性更高，因此全 球龍頭廠商通常在多個(gè)細(xì)分設(shè)備產(chǎn)品線都有良好布局，AMAT、Lam Research、TEL 等廠商均是多領(lǐng)域頭部廠商，而從整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)來看也是主要集中于數(shù)家 頭部廠商。 我們統(tǒng)計(jì)了全球頭部設(shè)備廠商 2021 年的銷售額情況，前五大廠商便合計(jì)達(dá)到了約 871 億美元，結(jié)合 SEMI 統(tǒng)計(jì)的 2021 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)約 1026 億美元的規(guī) 模，即使考慮到廠商銷售額中含有部分配件/服務(wù)收入以及非半導(dǎo)體領(lǐng)域收入，其 整體集中度也是相當(dāng)之高。

而半導(dǎo)體材料作為晶圓制造過程中用到的各種消耗材料的統(tǒng)稱，其品類極多，包 含硅片、光刻膠、電子氣體、濕電子化學(xué)品、濺射靶材等等，不同材料間的生產(chǎn) 制造和技術(shù)原理差異較大，其共通性相對(duì)更弱，材料廠商的橫向拓展性也相對(duì)沒 有那么強(qiáng)。同時(shí)，這也構(gòu)成了半導(dǎo)體材料行業(yè)的重要壁壘，龍頭廠商確立細(xì)分領(lǐng) 域優(yōu)勢(shì)后相對(duì)比較穩(wěn)固。因此，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)更多呈現(xiàn)出細(xì)分領(lǐng)域市場(chǎng)相對(duì)集 中、但不同細(xì)分領(lǐng)域龍頭廠商不盡相同的格局情況。

1.2、全球主要晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，材料市場(chǎng)有望持續(xù)增長

半導(dǎo)體行業(yè)結(jié)構(gòu)性景氣持續(xù)，全球市場(chǎng)規(guī)模有望再創(chuàng)新高。2021 年，得益于汽車 電子、5G、IoT 等下游需求高景氣，行業(yè)整體供給偏緊，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模同 比大增 26%，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的 5560 億美元。展望 2022 年，汽車電子、云計(jì)算等細(xì) 分領(lǐng)域持續(xù)高景氣，有望帶動(dòng)市場(chǎng)規(guī)模繼續(xù)成長，超過 6000 億美元。

全球主要 IC 制造廠展望樂觀，積極進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充。雖然部分芯片供給緊缺情況 逐漸緩解，但主要晶圓廠判斷行業(yè)整體供需依然偏緊，因此紛紛宣布了積極的擴(kuò) 產(chǎn)規(guī)劃和資本開支計(jì)劃。如代工龍頭臺(tái)積電看好 5G、HPC、汽車電子的長期增長 趨勢(shì)，在全球范圍內(nèi)積極擴(kuò)產(chǎn)，2022 年的資本開支指引也在去年 300 億美元的高 基數(shù)上進(jìn)一步顯著提高，達(dá)到 400-440 億美元。

因此，未來隨著全球主要晶圓廠資本開支逐漸落地、新增產(chǎn)能逐步釋放，晶圓制 造過程中所耗用的各種半導(dǎo)體材料用量也將受到持續(xù)性的拉動(dòng)，市場(chǎng)規(guī)模有望持 續(xù)較快增長。

1.3、國內(nèi)擴(kuò)產(chǎn)高峰疊加替代加速，國產(chǎn)供應(yīng)商迎黃金發(fā)展期

中國大陸的晶圓廠/存儲(chǔ)廠隨著技術(shù)逐漸突破，近年更是積極進(jìn)行產(chǎn)線建設(shè)。分地 區(qū)來看，中國大陸是近年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)增長最快的地區(qū)，2016-2021 年復(fù)合增速 高達(dá) 11.9%。其中 2021 年大陸市場(chǎng)強(qiáng)勁增長 22%，達(dá)到 119 億美元，市場(chǎng)規(guī)模僅 次于中國臺(tái)灣地區(qū)。

尤其是 2020 年以來，隨著國內(nèi)領(lǐng)先晶圓廠/存儲(chǔ)廠實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破，其擴(kuò)產(chǎn)更 是處于高峰期。我們統(tǒng)計(jì)了國資背景主要晶圓廠/存儲(chǔ)廠的擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃，12 寸邏輯代 工及 IDM 產(chǎn)能將從 2021 年底的 40 多萬片/月提升至 2024 年底的超過 130 萬片/ 月；國資 3D NAND 和 DRAM 存儲(chǔ)廠的總產(chǎn)能也將從 2021 年底的 16 萬片/月提 升至 2024 年底的約 50 萬片/月，均有顯著提升。

隨著國資背景晶圓廠/存儲(chǔ)廠擴(kuò)充產(chǎn)能的落地，國內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)需求也將得到 顯著拉動(dòng)，繼續(xù)保持明顯高于全球的增速，進(jìn)而為國內(nèi)的半導(dǎo)體材料廠商帶來豐 厚的成長土壤。 除國內(nèi)市場(chǎng)本身的較快增速外，自主可控進(jìn)程的加速更是進(jìn)一步為國產(chǎn)供應(yīng)商帶 來了前所未有的發(fā)展良機(jī)。近年中美貿(mào)易關(guān)系存在不確定性，美國先后對(duì)華為、 中芯國際等國產(chǎn)廠商逐步加大制裁，使得國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)意識(shí)到了產(chǎn)業(yè)鏈自主可 控的必要性，紛紛加速國產(chǎn)替代進(jìn)程。

從材料供應(yīng)角度，晶圓制造從硅片制造到前道的光刻、刻蝕、沉積、拋光、清洗 再到后道封測(cè)等各個(gè)環(huán)節(jié)都會(huì)用到各式各樣的半導(dǎo)體材料。而目前多數(shù)細(xì)分領(lǐng)域， 如硅片、光刻膠等產(chǎn)品，越是先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)，其供應(yīng)便越是依賴于海外進(jìn)口， 國內(nèi)廠商份額相對(duì)還較小。 隨著國內(nèi)晶圓廠/存儲(chǔ)廠加速推進(jìn)供應(yīng)鏈的國產(chǎn)化進(jìn)程，為國產(chǎn)供應(yīng)商提供了導(dǎo)入 和試錯(cuò)的機(jī)會(huì)，優(yōu)質(zhì)廠商面臨著客戶突破和份額提升的黃金發(fā)展期，疊加國內(nèi)市 場(chǎng)本身的較快增速，半導(dǎo)體材料細(xì)分領(lǐng)域龍頭廠商有望迎來訂單和業(yè)績的加速釋 放期，迎來快速成長。

2、硅片：芯片制造基礎(chǔ)材料，半導(dǎo)體材料最大單一市場(chǎng)

2.1、硅片：晶圓制造關(guān)鍵/基礎(chǔ)原材料，大尺寸化趨勢(shì)持續(xù)

半導(dǎo)體硅片是生產(chǎn)集成電路、分立器件、傳感器等半導(dǎo)體產(chǎn)品的關(guān)鍵材料，是半 導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ)性的一環(huán)。目前絕大多數(shù)半導(dǎo)體產(chǎn)品仍使用硅基材料制造，在硅 片基礎(chǔ)上經(jīng)過光刻、刻蝕、沉積、拋光及清洗等工序的多次反復(fù)進(jìn)行，并經(jīng)切割、 封測(cè)等環(huán)節(jié)后便形成了具有特定結(jié)構(gòu)和功能的芯片。

而從硅片本身的制造工藝來講，首先是要將多晶硅原材料以一定的工藝制備為符 合要求的單晶硅錠。單晶硅錠的制備也是影響硅片質(zhì)量的重要工序，目前主要有 直拉法和區(qū)熔法兩種長晶方式，兩種方式各有優(yōu)劣。區(qū)熔法雖然制備的硅片具有 更高的純度，但由于效率較低、成本較高，因此目前僅應(yīng)用于部分功率器件，因 此直拉法占據(jù)了硅片制備的絕大多數(shù)比例。

而通過直拉法或區(qū)熔法生長出符合要求的單晶硅錠后，還需要過再經(jīng)切割、倒角、 激光打碼、研磨、清洗、刻蝕、拋光、外延等加工步驟后，形成單晶硅片，這些 加工過程對(duì)于硅片的平整度、厚度及其均勻性都有著重要影響。

硅片可劃分為正片和控?fù)跗?測(cè)試片，其中正片指的是用于正式生產(chǎn)的、最終形成 晶圓成品的硅片，具體又包括拋光片和在拋光片基礎(chǔ)上進(jìn)一步處理形成的外延片、 退火片等，各自具有不同的特性和應(yīng)用；而控?fù)跗?測(cè)試片則指的是用于測(cè)試、暖 機(jī)、工藝調(diào)整、監(jiān)測(cè)穩(wěn)定性等用途的硅片，通常其品質(zhì)要求和價(jià)值量相較正片都 會(huì)更低一些。因此，一般單晶硅棒中間較好的部分會(huì)用來制作正片，而兩側(cè)品質(zhì) 相對(duì)較差的頭尾部分則可用來制作控?fù)跗?測(cè)試片。

另外，硅片在制造過程中需要摻雜元素（通常為硼族或磷族元素）以實(shí)現(xiàn)特定的 電學(xué)特性，而根據(jù)摻雜濃度不同則可以分為輕摻硅片和重?fù)焦杵?，通常摻雜濃度 越高，則硅拋光片電阻率越低。

目前輕摻硅片廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)、邏輯 IC 等各個(gè)領(lǐng)域芯片制造，輕摻拋光片可以直 接用于芯片生產(chǎn)，因此通常對(duì)晶體原生缺陷要求極高，同時(shí)也可以進(jìn)一步生成外 延層后再用于 IC 制造；而重?fù)焦杵饕糜诠β省㈦娫垂芾硇酒阮I(lǐng)域，且通常 需制成外延片后用于芯片制造，由于有外延層存在因此對(duì)晶體缺陷要求相對(duì)較低。 從結(jié)構(gòu)上來說，重?fù)降膽?yīng)用僅局限于特定領(lǐng)域，占比有限；輕摻則占到了硅片市 場(chǎng)的絕大多數(shù)比例，尤其在邏輯、存儲(chǔ)等領(lǐng)域都是絕對(duì)主流。

而按照尺寸劃分，硅片又包括 4-12 英寸等不同尺寸的硅片，總體上隨著歷史演進(jìn) 朝著大尺寸化趨勢(shì)發(fā)展，主要是由于更大尺寸硅片擁有更高的切割效率，且在沉 積-光刻-刻蝕-清洗等工藝流程基本不變的情況下，單個(gè)芯片平均的生產(chǎn)時(shí)間縮短， 因此大尺寸硅片擁有更佳的經(jīng)濟(jì)效益。 目前 8 英寸和 12 英寸是較為主流的硅片尺寸。從制程節(jié)點(diǎn)角度，目前 90nm 及以 下制程主要使用12英寸硅片，90nm以上的制程主要使用8英寸及以下尺寸硅片。 隨著芯片制程整體不斷微縮化，12 英寸占比持續(xù)提升；而由于 PMIC、功率等部 分成熟制程產(chǎn)品仍有較大比例在使用 8 英寸硅片，因此其也占有一定的比例；此 外 6 英寸及以下尺寸硅片占比已相對(duì)較小，主要用于功率等細(xì)分領(lǐng)域。

2.2、晶圓制造最大單一材料市場(chǎng)，高景氣有望持續(xù)

硅片作為芯片制造的基礎(chǔ)性材料，是晶圓制造材料中成本占比最大的原材料，近 年半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模都在百億美元以上，2021 年則是同比增長 10%以上，達(dá)到 126 億美元。而從硅晶圓出貨面積來看，SEMI 預(yù)計(jì)在經(jīng)過 2021 年的顯著增長后， 在下游需求帶動(dòng)下未來幾年仍會(huì)保持穩(wěn)定增長。

按硅片尺寸來看，據(jù)硅片龍頭廠商 SUMCO 數(shù)據(jù)，2021Q4 全球 8 英寸硅片出貨量 約在 600 萬片/月，12 英寸硅片出貨量則在 750 萬片/月左右，并預(yù)計(jì)在 5G、HPC、 汽車電子等下游領(lǐng)域帶動(dòng)下，以先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)為代表的 12 英寸硅片需求將保持快 速增長，預(yù)計(jì)到 2025 年將超過 1000 萬片/月。

而在汽車電動(dòng)化智能化快速推進(jìn)的背景下，功率、模擬等半導(dǎo)體產(chǎn)品需求預(yù)計(jì)也 將保持高景氣，其硅片需求增長很大程度上集中在 8 英寸硅片上，因此 8 英寸硅 片需求也有望保持穩(wěn)定增長。

在硅片需求持續(xù)較快增長的情況下，硅片行業(yè)在 2021 年整體處于供應(yīng)緊張的狀 態(tài)，各尺寸硅片價(jià)格均有明顯漲幅，其中尤以 12 英寸硅片為甚。展望未來，由于 主要硅片廠前期并無新建產(chǎn)線規(guī)劃，而龍頭廠商 Siltronic、SUMCO 和環(huán)球晶圓在 2021 年以來宣布的新建產(chǎn)線最快也需要 2023 年下半年左右才能投產(chǎn)，在此之前 產(chǎn)能增幅有限。因此硅片供需偏緊的情況至少今明年仍將持續(xù)，環(huán)球晶圓也稱， 包括擴(kuò)產(chǎn)、去瓶頸產(chǎn)能在內(nèi)，至 2024 年的產(chǎn)能均已賣光。因此我們判斷硅片產(chǎn)品 價(jià)格有望保持高位。

2.3、海外廠商主導(dǎo)市場(chǎng)，國內(nèi)廠商逐漸突破

硅片作為半導(dǎo)體產(chǎn)品制造的關(guān)鍵材料和基礎(chǔ)性材料，有著極為嚴(yán)苛的性能和參數(shù) 要求。首先從純度上來講，半導(dǎo)體硅片要提純達(dá)到至少 9N-11N（即 99.9999999% 至 99.999999999%）的級(jí)別；同時(shí)，在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中還要盡可能地減少晶體缺陷，并 有效控制晶體中的雜質(zhì)含量，尤其是氧、碳含量（如氧含量是決定半導(dǎo)體硅片質(zhì) 量的關(guān)鍵因素之一）；然后，在切割、研磨、拋光等加工環(huán)節(jié)需要保證表面厚度和 平整度的均勻性、一致性，并獲得平坦度高、顆粒少與表面形貌優(yōu)良的產(chǎn)品。 而從規(guī)模量產(chǎn)的角度，廠商還需要滿足更多要求，以單晶生長環(huán)節(jié)為例，廠商要 最大程度降低對(duì)操作工人的依賴，保證拉制晶體質(zhì)量的重復(fù)性、穩(wěn)定性和一致性， 并盡可能提高產(chǎn)出良率，降低單晶生長成本。

目前半導(dǎo)體硅片行業(yè)格局集中，主要由信越化學(xué)（日本）、SUMCO（日本）、環(huán)球 晶圓（中國臺(tái)灣）、Siltronic（德國）、SK Siltron（韓國）五大家主導(dǎo)，合計(jì)占據(jù)約 九成市場(chǎng)份額。此外，Soitec 占據(jù) 5.7%份額，并在 SOI 硅片市場(chǎng)處于全球領(lǐng)先地 位，而中國大陸的滬硅產(chǎn)業(yè)份額也持續(xù)提升，位居全球第七。

國內(nèi)市場(chǎng)目前整體上仍十分依賴于海外進(jìn)口，尤其是在壁壘更高的大尺寸硅片領(lǐng) 域，具體來看，國產(chǎn)廠商在 6 英寸及以下硅片已實(shí)現(xiàn)較好的技術(shù)覆蓋和國產(chǎn)化率， 而在 8 英寸硅片尚有巨大的替代空間，在 12 英寸硅片真正實(shí)現(xiàn)正片規(guī)模量產(chǎn)的更 是只有滬硅產(chǎn)業(yè)等個(gè)別廠商。 因此，國內(nèi)大尺寸硅片領(lǐng)域國產(chǎn)替代空間巨大，而隨著下游快速擴(kuò)產(chǎn)以及積極推 進(jìn)國產(chǎn)化，國內(nèi)硅片廠商面臨發(fā)展良機(jī)。我們看到國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)硅片廠商正持續(xù)取得 技術(shù)和客戶突破，如滬硅產(chǎn)業(yè)成功實(shí)現(xiàn) 12 英寸正片規(guī)模量產(chǎn)，切入多家國內(nèi)頭部 晶圓廠/存儲(chǔ)廠客戶并取得高份額，神工股份、立昂微等優(yōu)質(zhì)廠商也在持續(xù)推進(jìn)新 產(chǎn)品的驗(yàn)證和量產(chǎn)，有望實(shí)現(xiàn)份額快速提升、帶動(dòng)業(yè)績快速成長。

2.4、國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)硅片廠商梳理

2.4.1、滬硅產(chǎn)業(yè)：國產(chǎn)硅片龍頭，12 英寸產(chǎn)能快速釋放

滬硅產(chǎn)業(yè)由國盛集團(tuán)、大基金、新微集團(tuán)（實(shí)控人為中科院微系統(tǒng)所）等設(shè)立， 通過控股新傲科技（最早也由微系統(tǒng)所發(fā)起設(shè)立）、上海新昇、芬蘭 Okmetic（原 全球第七大硅片廠商），實(shí)現(xiàn)了 12 英寸拋光片及外延片、8 英寸及以下拋光片/外 延片和 8 英寸及以下 SOI 硅片等產(chǎn)品的覆蓋，成為國內(nèi)半導(dǎo)體硅片領(lǐng)域龍頭廠商。

滬硅產(chǎn)業(yè)在國內(nèi) 8 英寸及以下硅片處于技術(shù)和規(guī)模領(lǐng)先地位，尤其在 SOI 硅片是 國內(nèi)少有具備生產(chǎn)能力的，此外更是國內(nèi)極為少有 12 英寸正片規(guī)模量產(chǎn)的廠商， 客戶包括臺(tái)積電、聯(lián)電、格羅方德、意法半導(dǎo)體、Towerjazz 等國際芯片廠商以及 中芯國際、華虹宏力、華力微電子、長江存儲(chǔ)、武漢新芯、長鑫存儲(chǔ)、華潤微等 國內(nèi)主要芯片制造企業(yè)。

公司8英寸及以下產(chǎn)品主要由新傲科技和Okmetic兩家子公司生產(chǎn)，目前拋光片、 外延片合計(jì)產(chǎn)能超過 40 萬片/月，SOI 硅片產(chǎn)能超過 5 萬片/月，產(chǎn)能利用率均處 于較高狀態(tài)，其中新傲科技 SOI 硅片仍在產(chǎn)能提升中，此外公司 5 月公告 Okmetic 擬投資 3.88 億歐元擴(kuò)建 8 英寸拋光片 26.1 萬片/月產(chǎn)能（一期 13.1 萬片/月），將 進(jìn)一步擴(kuò)大公司在 8 英寸硅片的收入和份額。

2.4.2、立昂微：國產(chǎn)重?fù)焦杵瑑?yōu)質(zhì)廠商，不斷拓展能力范圍

立昂微是國內(nèi)較早從事硅片生產(chǎn)業(yè)務(wù)的廠商之一，經(jīng)過多年發(fā)展，硅片產(chǎn)品類型 已實(shí)現(xiàn)從 6 英寸到 12 英寸、輕摻到重?fù)健 型到 P 型等領(lǐng)域全覆蓋，公司在技術(shù) 積累、產(chǎn)能規(guī)模、客戶覆蓋等均處于國內(nèi)領(lǐng)先地位，尤其在重?fù)焦杵I(lǐng)域是國內(nèi) 龍頭廠商，客戶已覆蓋 ONSEMI、AOS、東芝公司、臺(tái)灣半導(dǎo)體、臺(tái)灣漢磊等國 際知名跨國公司以及中芯國際、華虹宏力、華潤微電子、士蘭微等國內(nèi)知名公司。 而在 12 英寸硅片方面，公司也是國內(nèi)少有實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品出貨的廠商，技術(shù)能力覆蓋 14nm 以上邏輯電路，面向 CIS 和功率器件產(chǎn)品已大規(guī)模出貨，目前主要銷售產(chǎn)品 包括拋光片測(cè)試片及外延片正片，同時(shí)正在持續(xù)開展客戶送樣驗(yàn)證工作。此外， 公司公告擬并購國晶半導(dǎo)體，進(jìn)一步增強(qiáng)公司在輕摻硅片領(lǐng)域的競爭力。

在硅片業(yè)務(wù)以外，公司還是國內(nèi)較早從事功率器件業(yè)務(wù)的廠商，產(chǎn)品包括肖特基 芯片、MOSFET 芯片、TVS 芯片等，在光伏領(lǐng)域地位領(lǐng)先，并深耕車規(guī)芯片業(yè)務(wù)， 拓展通用電源終端領(lǐng)域；公司還成立子公司立昂東芯，布局化合物射頻芯片業(yè)務(wù)， 6 英寸砷化鎵微波射頻芯片的產(chǎn)能規(guī)模和工藝技術(shù)水平位居國內(nèi)第一梯隊(duì)。

3、光刻膠：半導(dǎo)體材料皇冠上的明珠，行業(yè)壁壘高筑

3.1、光刻膠：半導(dǎo)體材料皇冠上的明珠，曝光波長持續(xù)縮短

光刻工藝是將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的核心工藝，直接 決定了圖形轉(zhuǎn)移的精細(xì)化程度，是決定芯片最小特征尺寸的關(guān)鍵工藝，也是在整 個(gè)芯片制造過程中所占時(shí)間和成本最高的工藝之一。

而光刻膠是利用光化學(xué)反應(yīng)來實(shí)現(xiàn)圖案轉(zhuǎn)移精細(xì)加工的介質(zhì)，是光刻工藝中的關(guān) 鍵材料，被譽(yù)為“半導(dǎo)體材料皇冠上的明珠”。根據(jù)其光敏特性具體又可以分為正 性光刻膠和負(fù)性光刻膠：顯影時(shí)未曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版 相反，稱為負(fù)性光刻膠；顯影時(shí)曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相 同，稱為正性光刻膠。

負(fù)性光刻膠和正性光刻膠在黏附性、對(duì)比度、分辨率等方面特性有所差別。但總 的來說，由于負(fù)膠在顯影后會(huì)有膨脹現(xiàn)象影響精度，分辨率受限，而正膠無此影 響，可實(shí)現(xiàn)更高的分辨率，是更為主流的光刻膠產(chǎn)品。

另外，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品持續(xù)小型化，光刻工藝也需不斷通過縮短曝光波長提高極 限分辨率從而實(shí)現(xiàn)制程微縮，由紫外寬譜向ｇline(436nm)→ｉline(365nm)→ KrF(248nm)→ArF(193nm)的方向演進(jìn)，而到了 7nm 及以下制程則是需要 EUV （13.5nm 波長，極紫外光刻）技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。而光刻膠也與之對(duì)應(yīng)，分為 g line、i line、KrF、ArF、EUV 光刻膠等種類。

隨著制程節(jié)點(diǎn)演進(jìn)，目前 ArF（含 ArFi）和 KrF 光刻膠占據(jù)較大比例市場(chǎng)，據(jù) TECHCET 數(shù)據(jù)，2020 年半導(dǎo)體光刻膠中 ArF 占比接近一半，KrF 在 30%-40%之 間，而 g line & i line 合計(jì)占比不到 20%。（報(bào)告來源：未來智庫）

3.2、生產(chǎn)認(rèn)證壁壘極高，日美廠商主導(dǎo)

光刻膠作為光刻環(huán)節(jié)的核心材料，是晶圓制造材料中占比較大的單一種類產(chǎn)品， 據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，2021 年全球光刻膠及其配套材料市場(chǎng)規(guī)模約在 50 億美元，具體 來看，全球光刻膠市場(chǎng)同比增長 19.49%，達(dá)到 24.71 億美元；而全球光刻膠配套 試劑市場(chǎng)同比增長 11.41%，達(dá)到 25.67 億美元。 分地區(qū)來看，2021 年中國大陸增長尤為迅猛，其光刻膠市場(chǎng)保持著最快的增速， 同比增長 43.69%，達(dá)到 4.93 億美元；光刻膠配套試劑市場(chǎng)則同比增長 39%，達(dá)到 3.92 億美元。產(chǎn)品結(jié)構(gòu)方面，中國大陸半導(dǎo)體光刻膠中 ArF 和 KrF 占比最大，均 在四成左右，而 g line 和 i line 則合計(jì)占比約 18%，整體上與全球市場(chǎng)類似。

光刻膠作為對(duì)芯片線寬起到關(guān)鍵作用的光刻材料，擁有著極高的研發(fā)難度以及更 高的規(guī)模量產(chǎn)壁壘。從產(chǎn)品要求上來說，光刻膠產(chǎn)品需滿足特定的參數(shù)指標(biāo)，其 中最為重要的有分辨率、對(duì)比度、敏感度等，以實(shí)現(xiàn)圖案轉(zhuǎn)移的精細(xì)化，同時(shí)， 光刻膠產(chǎn)品在粘附性、抗蝕性等方面均有對(duì)應(yīng)的要求。

光刻膠本身是一種擁有多種成分的配方型產(chǎn)品，由成膜樹脂、光引發(fā)劑、溶劑、 添加劑等組成，成分略有差異便會(huì)引起產(chǎn)品的明顯變化，因此不同成分之間的比 例控制以及研發(fā)生產(chǎn)時(shí)對(duì)于環(huán)境溫度、濕度等的工藝控制均造就了此類配方型產(chǎn) 品的極高研發(fā)生產(chǎn)壁壘。

而對(duì)于光刻膠廠商來說，事實(shí)上壁壘更高的在于如何通過客戶認(rèn)證并在客戶處規(guī) 模上量。光刻膠細(xì)分型號(hào)極多，同一生產(chǎn)商根據(jù)客戶區(qū)別、客戶不同產(chǎn)線區(qū)別以 及產(chǎn)線工序區(qū)別，所提供的光刻膠產(chǎn)品便有很多型號(hào)。而不同生產(chǎn)商的產(chǎn)品更是 差異極大，即使在部分工序可實(shí)現(xiàn)類似的效果，其成分配方也往往不同，這意味 著客戶在更換原有供應(yīng)商產(chǎn)品時(shí)很難直接替換，通常需要進(jìn)行一定的工藝調(diào)整， 甚至連刻蝕等其他工序也要做對(duì)應(yīng)的調(diào)整，因此光刻膠產(chǎn)品的研發(fā)和認(rèn)證很多時(shí) 候都需要和客戶產(chǎn)線的緊密配合才可實(shí)現(xiàn)。 此外，原有供應(yīng)商同一款光刻膠產(chǎn)品有時(shí)會(huì)同時(shí)應(yīng)用于幾道不同的光刻工序，而 新進(jìn)入者進(jìn)行替換時(shí)其一款產(chǎn)品可能僅能在某一道工序起到相似的效果，而在別 的工序需要另外型號(hào)的產(chǎn)品替換，導(dǎo)致客戶替換掉某一款光刻膠可能需要數(shù)款新 供應(yīng)商的產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)，加上需要對(duì)產(chǎn)線工藝調(diào)整，這導(dǎo)致客戶通常情況下更換供 應(yīng)商的意愿極低。

因此，全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)整體上由龍頭廠商牢牢掌握，東京應(yīng)化、JSR、信越 化學(xué)、住友化學(xué)、杜邦和富士膠片等前六大廠商份額合計(jì)達(dá)到 80%以上，其中除 了美國杜邦外均為日本公司。 細(xì)分市場(chǎng)來看，最高端的 EUV 光刻膠市場(chǎng)基本由日本廠商壟斷，目前僅有 TOK 等兩三家廠商具備量產(chǎn)能力；而 ArF 和 KrF 光刻膠則分別由 JSR 和 TOK 占據(jù)龍 頭地位，同時(shí)信越化學(xué)、杜邦、住友化學(xué)等廠商也各有擅長的產(chǎn)品領(lǐng)域并占據(jù)一 定市場(chǎng)份額。

3.3、國產(chǎn)廠商逐漸突破，高端光刻膠亟待攻克

整體上來說，國內(nèi)光刻膠供應(yīng)目前也主要依賴于海外廠商，尤其是高端光刻膠領(lǐng) 域，如 EUV 光刻膠國內(nèi)都仍處于早期論證和研發(fā)階段；ArF 光刻膠在客戶端真正 實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)的也近乎沒有，僅部分廠商產(chǎn)品在客戶端取得認(rèn)證突破；KrF 光刻 膠也僅有北京科華等極少數(shù)公司在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)銷售，總體上國產(chǎn)化率極低、 替代空間巨大。

國內(nèi)也有一批廠商在光刻膠業(yè)務(wù)上有所布局和突破，優(yōu)質(zhì)龍頭如北京科華和晶瑞 電材均在光刻膠產(chǎn)品上有十?dāng)?shù)年以上的技術(shù)積累，也有產(chǎn)品在客戶端規(guī)模量產(chǎn)， 并不斷推進(jìn)新產(chǎn)品研發(fā)認(rèn)證，而南大光電、上海新陽等也都在細(xì)分光刻膠領(lǐng)域有 所布局、有序推動(dòng)。

而如前文所述，國內(nèi)半導(dǎo)體客戶均在積極推進(jìn)供應(yīng)鏈的國產(chǎn)化，光刻膠作為半導(dǎo) 體材料中至關(guān)重要的一種，其自主可控也同樣受到了極大推動(dòng)。尤其是 2021 年以 來，由于半導(dǎo)體晶圓制造高景氣、需求上漲，光刻膠產(chǎn)品也出現(xiàn)了供需偏緊現(xiàn)象， 信越化學(xué)等廠商在產(chǎn)能有限的情況下更多會(huì)優(yōu)先保障臺(tái)積電等大客戶的供應(yīng)，而 中國大陸晶圓廠的光刻膠供應(yīng)，尤其是 KrF 光刻膠供應(yīng)相對(duì)受限，因此給了國產(chǎn) 供應(yīng)商加速導(dǎo)入的發(fā)展良機(jī)。

3.4、國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)光刻膠廠商梳理

3.4.1、北京科華：國內(nèi)光刻膠領(lǐng)先廠商，實(shí)現(xiàn) KrF 光刻膠銷售

北京科華是國內(nèi)光刻膠領(lǐng)先廠商，由董事長李昕自美國光刻膠公司從業(yè)歸來后在 2004 年設(shè)立，并在 2009 年和 2012 年先后建成 g/i line 光刻膠產(chǎn)線和 KrF 光刻膠 產(chǎn)線，也是國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn) KrF 光刻膠量產(chǎn)銷售的廠商，在技術(shù)水平和銷售規(guī)模方 面均處于國內(nèi)領(lǐng)先地位。

據(jù)收購并表北京科華的彤程新材公告，公司 g line 產(chǎn)品在國內(nèi)擁有 60%以上市占 率，i line 產(chǎn)品也已穩(wěn)定供貨、接近國際先進(jìn)水平，KrF 光刻膠方面則是國內(nèi)極為 稀缺的切入客戶供應(yīng)鏈的廠商，i line 和 KrF 光刻膠已批量供應(yīng)中芯國際、華虹集 團(tuán)、長江存儲(chǔ)、武漢新芯等 13 家 12 寸客戶和 17 家 8 寸客戶。

3.4.2、晶瑞電材：國內(nèi)光刻膠優(yōu)質(zhì)廠商，且超凈高純?cè)噭I(yè)務(wù)國內(nèi)領(lǐng)先

晶瑞電材是國內(nèi)優(yōu)質(zhì)光刻膠公司，其子公司蘇州瑞紅在 1993 年由蘇電公司、日本 瑞翁（當(dāng)時(shí)全球知名的光刻膠廠商）和日本丸紅（日本知名商社）共同出資設(shè)立， 同年開始光刻膠的生產(chǎn)，是國內(nèi)最早規(guī)?；a(chǎn)光刻膠的企業(yè)之一，并承擔(dān)了 i 線 光刻膠的國家“02 專項(xiàng)”。

公司 i 線光刻膠已向國內(nèi)頭部的知名大尺寸半導(dǎo)體廠商供貨，是國內(nèi)少數(shù)實(shí)現(xiàn)半 導(dǎo)體光刻膠規(guī)模銷售的廠商之一，同時(shí)技術(shù)難度更高的 KrF 光刻膠完成中試，產(chǎn) 品分辨率達(dá)到了 0.25～0.13μm 的技術(shù)要求，建成了中試示范線。 此外，晶瑞電材還是國內(nèi)頂尖的濕電子化學(xué)品廠商，雙氧水、氨水、硫酸均已達(dá) 到 SEMI G5 等級(jí)，處于國際領(lǐng)先水平，尤其是雙氧水產(chǎn)品極具競爭優(yōu)勢(shì)；除了主 導(dǎo)產(chǎn)品以外，其他高純化學(xué)品也普遍達(dá)到 G3/G4 等級(jí)，處于國內(nèi)領(lǐng)先地位。

4、掩模版：光刻工藝圖形母版，國內(nèi)廠商亟待突破

掩模版（Photomask），又稱光罩、光掩膜等，是下游行業(yè)產(chǎn)品制造過程中的圖形 “底片” 轉(zhuǎn)移用的高精密工具，是承載圖形設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息的載 體。在光刻環(huán)節(jié)，利用掩膜版上已設(shè)計(jì)好的圖案，通過透光與非透光的方式進(jìn)行 圖像復(fù)制，從而實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，其功能類似相機(jī)“底片”。

從掩模版的制造角度，其上游原材料掩膜版基板是制作微細(xì)光掩膜圖形的感光空 白板，而廠商根據(jù)客戶所需要的圖形，用光刻機(jī)在掩模版基板上光刻出相應(yīng)的圖 形，將不需要的金屬層和膠層洗去，將微米級(jí)和納米級(jí)的精細(xì)圖案刻制于掩膜版 基板上，即得到掩膜版產(chǎn)成品。

根據(jù)基板材質(zhì)不同，光掩模版也有不同類型，其中石英玻璃由于有高光學(xué)透過率 和低熱膨脹率，以及更為平整、耐磨等優(yōu)點(diǎn)，成為應(yīng)用最為主流的光掩模版基板， 在半導(dǎo)體和 TFT-LCD 等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用；同時(shí)還有蘇打玻璃基板掩模版，主要用于 中低精度掩模版，在 STN-LCD、TN-LCD 等領(lǐng)域有所應(yīng)用；此外還有菲林掩模版 等，對(duì)應(yīng)用于 PCB 等領(lǐng)域。 光掩模一般選用石英玻璃做基板，并用金屬鉻覆蓋基板作為遮光層，主要是由于 鉻不僅可以鍍出均一的厚度，且在蝕刻環(huán)節(jié)還能加工出精細(xì)的線路，實(shí)現(xiàn)高精細(xì) 度，此外無毒無污染，因此適合用作遮光層。

據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，2020 年全球半導(dǎo)體掩模版市場(chǎng)規(guī)模約 40 多億美元，并處于穩(wěn) 步增長中，至 2025 年有望達(dá)到近 60 億美元。而國內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模約 8 億美元，且未 來幾年復(fù)合增速預(yù)計(jì)高于全球，至 2025 年達(dá)到約 14 億美元。

格局方面，一些頂尖的晶圓制造廠商通常會(huì)使用自制的掩模版，如臺(tái)積電、英特 爾、三星等龍頭廠商，以及國內(nèi)的中芯國際等企業(yè)；而晶圓廠自供以外，也有專 門為客戶提供掩模版服務(wù)的廠商，這部分市場(chǎng)主要為美國 Photronics、日本 DNP 以及日本 Toppan 三家公司所壟斷。 而國內(nèi)半導(dǎo)體掩模版行業(yè)發(fā)展較為落后，除了中芯國際等代工廠會(huì)自制掩模版外， 尚無商業(yè)掩模版公司可在 IC 領(lǐng)域掩模版實(shí)現(xiàn)較好的突破，僅部分公司在面板領(lǐng)域 實(shí)現(xiàn)較好的技術(shù)和客戶突破，而半導(dǎo)體領(lǐng)域極度依賴海外進(jìn)口。

5、電子特氣：品種繁多的 IC 制造 “糧食”，技術(shù)與服務(wù)壁壘兼具

5.1、電子特氣：IC 制造的“糧食”，技術(shù)與服務(wù)并重

電子特氣是集成電路、面板等電子工業(yè)生產(chǎn)不可或缺的原材料，廣泛應(yīng)用于離子 注入、刻蝕、氣相沉積、摻雜等工藝，被稱為集成電路、面板等產(chǎn)品制造的“糧 食”和“源”。電子特氣決定了器件的最終良率和可靠性，具有較高的產(chǎn)品附加值。

電子特氣種類豐富，客戶在生產(chǎn)過程中對(duì)氣體產(chǎn)品也存在多樣化需求，不同工藝 環(huán)節(jié)會(huì)用到不同氣體種類，而同一工藝根據(jù)具體要求不同也會(huì)用到多種氣體，因 此 IC 制造中硅片制造、氧化、光刻、氣相沉積、蝕刻、離子注入等工藝環(huán)節(jié)需要 的特種氣體種類就超過 50 種。

電子氣體種類繁多，而下游客戶通常希望多種氣體能由同一供應(yīng)商來提供，以保 證其供應(yīng)鏈的穩(wěn)定。而不同氣體需要不同的生產(chǎn)工藝，涉及到氣體分離與提純、 氣體合成、氣體混配等技術(shù)，從整個(gè)生產(chǎn)運(yùn)輸環(huán)節(jié)來看還涉及到容器處理、氣體 充裝、氣體檢測(cè)和氣體配送等技術(shù)。其中，僅氣體分離與提純技術(shù)就包括吸附法、 精餾法、催化轉(zhuǎn)化等多種工藝路線，不同技術(shù)路線的生產(chǎn)效率、產(chǎn)品純度、生產(chǎn) 成本、設(shè)備投資等方面均存在顯著差異。 更進(jìn)一步地，IC 制造對(duì)于各項(xiàng)技術(shù)也都有較為嚴(yán)苛的要求。舉例來講，純度是電 子特氣的核心指標(biāo)之一，IC 制造對(duì)不同氣體的純度要求不一，通常需要 5N （99.999%）及以上純度等級(jí)的電子特氣，而隨著氣體純度要求的提升，對(duì)氣體 中雜質(zhì)含量的檢測(cè)分析技術(shù)也更為嚴(yán)格，已發(fā)展到目前的 ppm（10 -6）、ppb（10 -9） 甚至 ppt（10 -12）級(jí)別。

由于特氣具有多品種、小批量、高頻次的特點(diǎn)，且涉及容器處理、檢測(cè)、運(yùn)輸?shù)?多環(huán)節(jié)，因此客戶對(duì)氣體種類、響應(yīng)速度、服務(wù)質(zhì)量都有高要求，企業(yè)需要不斷 投入人力物力建設(shè)擴(kuò)大營銷網(wǎng)絡(luò)、促進(jìn)市場(chǎng)開拓，同時(shí)還需要具備一站式氣體應(yīng) 用解決方案和高效的物流配送能力。這些都需要深厚的行業(yè)積淀和深刻的行業(yè)理 解，后來者很難一蹴而就。 此外，特氣作為 IC 制造的關(guān)鍵材料，客戶對(duì)供應(yīng)商的選擇極為審慎、嚴(yán)格，需經(jīng) 過審廠、產(chǎn)品認(rèn)證兩輪審核，IC 領(lǐng)域認(rèn)證周期長達(dá) 2-3 年，且建立合作關(guān)系后不 會(huì)輕易更換，客戶粘性較強(qiáng)。這些都加大了后進(jìn)入者參與競爭的難度，需要持續(xù) 投入來實(shí)現(xiàn)特氣品種的全面覆蓋、營銷及物流網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)建以及客戶的認(rèn)證拓展。

5.2、海外廠商主導(dǎo)，國內(nèi)廠商逐漸突破

據(jù) TECHCET 數(shù)據(jù)，2021 年全球電子氣體市場(chǎng)規(guī)模約在 60 億美元，其中電子特 氣市場(chǎng)規(guī)模約為 40 億美元。而在邏輯芯片產(chǎn)能擴(kuò)張帶動(dòng)下，2022 年電子氣體市 場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到 70 億美元，其中電子特氣規(guī)模約 50 億美元；并預(yù)計(jì)未來幾年整 體保持較快增長，至 2026 年全球電子氣體市場(chǎng)達(dá)到接近 90 億美元，特氣市場(chǎng)超 過 60 億美元。

電子特氣廣泛應(yīng)用于 IC 制造中各個(gè)工藝環(huán)節(jié)，據(jù) Linx 數(shù)據(jù)，沉積氣體（含硅材 料沉積和非硅材料沉積）和清洗氣體在特氣應(yīng)用中規(guī)模占比最大，分別約為四成 和三成比例，而刻蝕和摻雜氣體也有較大占比，這四大類工藝占據(jù)了特氣的絕大 多數(shù)應(yīng)用。

經(jīng)過多年的發(fā)展和兼并收購，目前全球電子特氣市場(chǎng)集中度較高，美國空氣化工、 德國林德集團(tuán)、法國液化空氣和日本大陽日酸等少數(shù)龍頭便占據(jù)了絕大多數(shù)市場(chǎng) 份額。而國內(nèi)市場(chǎng)也不例外，海外幾大氣體巨頭控制了 80%以上的市場(chǎng)份額，國 產(chǎn)替代空間巨大。

更進(jìn)一步地，電子氣體按業(yè)務(wù)模式劃分，主要包括現(xiàn)場(chǎng)供氣和零售供氣（含瓶裝 氣和儲(chǔ)槽氣）模式，其中現(xiàn)場(chǎng)制氣廣泛應(yīng)用于化工、冶金等用氣規(guī)模較大的行業(yè)， 且國內(nèi)外市場(chǎng)均主要是海外龍頭主導(dǎo)；而零售供氣則主要用于對(duì)單一氣體用量相 對(duì)較小、但對(duì)氣體品種需求較多的產(chǎn)業(yè)，如半導(dǎo)體、面板等領(lǐng)域，格局集中度相 比現(xiàn)場(chǎng)供氣要較低一些。

國內(nèi)也有一批廠商在多個(gè)電子氣體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。和海外廠商相比，國內(nèi)公司技 術(shù)積淀和行業(yè)經(jīng)驗(yàn)相對(duì)薄弱，覆蓋氣體品類相對(duì)單一，而優(yōu)勢(shì)則在于更好的就近 配套服務(wù)能力和明顯的成本改善。目前 IC 制造中用量較大的三氟化氮、一氧化二 氮、氟碳類氣體、摻雜氣體等都實(shí)現(xiàn)了一定的國產(chǎn)化，優(yōu)質(zhì)公司如華特氣體、派 瑞氣體、金宏氣體、南大光電等在不同細(xì)分產(chǎn)品領(lǐng)域各有所長。

5.3、國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)電子特氣廠商梳理

5.3.1、華特氣體：國內(nèi)電子特氣優(yōu)質(zhì)廠商，光刻氣深受認(rèn)可

華特氣體是國內(nèi)電子氣體領(lǐng)先廠商，主營業(yè)務(wù)以電子特氣為核心，輔以普通工業(yè) 氣體、氣體設(shè)備與工程業(yè)務(wù)，打造一站式服務(wù)能力，能夠面向全球市場(chǎng)提供氣體 應(yīng)用綜合解決方案。

公司的電子特氣產(chǎn)品逐步實(shí)現(xiàn)了高純六氟乙烷、高純?nèi)淄?、光刻氣、高純?氟化碳、高純二氧化碳、高純一氧化碳、高純八氟丙烷、高純一氧化氮等近 20 多 個(gè)產(chǎn)品的進(jìn)口替代，拳頭產(chǎn)品光刻氣（Ar/Ne/Xe、Kr/Ne、F2/Kr/Ne、F2/Ar/Ne） 通過了 ASML 和 GIGAPHOTON 的認(rèn)證，是國內(nèi)唯一通過兩家認(rèn)證的氣體公司。 公司成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)國內(nèi) 8 寸以上集成電路制造廠商超過 80%的客戶覆蓋率，解決 了中芯國際、華虹宏力、長江存儲(chǔ)、華潤微電子等客戶多種氣體材料的進(jìn)口制約， 此外還進(jìn)入了 Intel、Micron、TI、Hynix 等全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)供應(yīng)鏈體系。

5.3.2、金宏氣體：國內(nèi)優(yōu)質(zhì)綜合氣體供應(yīng)商

金宏氣體為國內(nèi)優(yōu)質(zhì)綜合氣體供應(yīng)商，目前已初步建立品類完備、布局合理、配 送可靠的氣體供應(yīng)和服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，能夠?yàn)榭蛻籼峁┨胤N氣體、大宗氣體和天然氣三 大類 100 多個(gè)氣體品種。根據(jù)中國工業(yè)氣體工業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)，2019-2021 年公司 銷售額連續(xù)三年在協(xié)會(huì)的民營氣體行業(yè)企業(yè)統(tǒng)計(jì)中名列第一。 公司自主研發(fā)的超純氨、高純氫、高純氧化亞氮、高純二氧化碳、硅烷混合氣、 八氟環(huán)丁烷、高純氬、高純氮等多種超高純氣體，擁有多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，品質(zhì) 和技術(shù)已達(dá)到進(jìn)口替代水平，其中超純氨、高純氧化亞氮等產(chǎn)品供應(yīng)中芯國際、 海力士等客戶。

此外，自 2021 年起，公司布局的電子大宗氣體項(xiàng)目也逐漸取得突破，先后與北方 集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心、芯粵能簽訂供應(yīng)合同，合同金額分別約 12 億和 10 億元， 為客戶供應(yīng)氮?dú)?、氫氣、氧氣等電子大宗氣體，這證明了公司通過電子特氣業(yè)務(wù) 進(jìn)入電子大宗氣業(yè)務(wù)戰(zhàn)略獲得成功，開啟了公司電子大宗氣體這一寬廣的新業(yè)務(wù) 領(lǐng)域，形成了公司的獨(dú)特競爭力。

6、CMP 拋光材料：晶圓表面平坦化利器，國產(chǎn)材料廠商已有較強(qiáng)替代能力

6.1、CMP：晶圓表面平坦化利器，隨制程演進(jìn)步驟明顯增加

在晶圓制造過程中，由于晶圓在沉積等工序后表面都會(huì)變得粗糙和不平整，因此 需要拋光來實(shí)現(xiàn)晶圓表面的平坦化，如機(jī)械拋光、化學(xué)拋光、化學(xué)機(jī)械拋光 （Chemical Mechanical Polish，CMP）等技術(shù)，其中 CMP 技術(shù)結(jié)合了機(jī)械研磨和 化學(xué)腐蝕的優(yōu)點(diǎn)，具有極高的平整度和全局化平坦效果，因此成為了最為主流的 拋光技術(shù)。

CMP 工藝在集成電路中的應(yīng)用主要包括單晶硅片拋光和芯片制造拋光，此外先進(jìn) 封裝領(lǐng)域也逐漸對(duì) CMP 技術(shù)有越來越多的應(yīng)用。在單晶硅片制造環(huán)節(jié)，單晶硅片 首先通過化學(xué)腐蝕減薄。減薄后粗糙度在 10-20μm。此后進(jìn)行粗拋光、細(xì)拋光、 精拋光等步驟，將粗糙度控制在 nm 級(jí)別以內(nèi)。

隨著 IC 制程節(jié)點(diǎn)不斷推進(jìn)，一方面更精細(xì)的節(jié)點(diǎn)使得對(duì) CMP 拋光的要求更高， 另一方面工藝步驟數(shù)也有明顯提升，14nm 制程的 CMP 工藝步驟約為 20 步，而 到了 7nm 以下制程后其 CMP 工藝步驟已經(jīng)達(dá)到約 30 步； 而存儲(chǔ)芯片中 NAND 產(chǎn)品制程隨著技術(shù)升級(jí)和演進(jìn)，CMP 拋光步驟也同樣增加 明顯，首先，NAND 產(chǎn)品從 2D 切換到 3D，對(duì)應(yīng) CMP 工藝步驟數(shù)翻倍，鎢 CMP 制程和其他 CMP 制程均有大幅提升；同時(shí)，3D NAND 產(chǎn)品隨著層數(shù)提升，CMP 步驟也有快速增加。

在 CMP 的具體工作過程中，拋光頭將晶圓待拋光面壓抵在粗糙的拋光墊上，借助 拋光液腐蝕、微粒摩擦、拋光墊摩擦等耦合實(shí)現(xiàn)全局平坦化，對(duì)應(yīng)地除 CMP 機(jī)臺(tái) 外，還需要用到拋光液、拋光墊、鉆石碟等材料，其中拋光液和拋光墊是最為重 要、占比也最大的兩個(gè)產(chǎn)品。 據(jù) TECHCET 數(shù)據(jù)估測(cè)，2021 年全球拋光液市場(chǎng)規(guī)模為 18.9 億美元，拋光墊市場(chǎng) 規(guī)模 11.5 億美元，兩大市場(chǎng)同比增長均在 13%左右。TECHCET 還預(yù)計(jì)，在下游 半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展之下，兩大拋光材料市場(chǎng)規(guī)模在 2020-2025 年的復(fù)合增速 分別為 8.8%和 6.2%。（報(bào)告來源：未來智庫）

6.2、CMP 拋光液：配方和專利是核心壁壘，海外廠商主導(dǎo)

CMP 拋光主要是結(jié)合了機(jī)械研磨和化學(xué)腐蝕的優(yōu)點(diǎn)，具體來講，拋光液中的化學(xué) 成分與材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成易拋光的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨 粒子對(duì)材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。在這個(gè)過程中，拋光液主要起 到與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以生成易去除的軟化層的作用，同時(shí)拋光液中的研磨 粒子在摩擦過程中也起著關(guān)鍵的作用。

CMP 拋光液的主要原料包括研磨粒子、pH 值調(diào)節(jié)劑、各種添加劑和水，其中添 加劑的種類根據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用也有所不同，如金屬拋光液中有金屬絡(luò)合劑、腐蝕抑制 劑等，非金屬拋光液中有各種調(diào)節(jié)去除速率和選擇比的添加劑。 CMP 拋光液的生產(chǎn)壁壘主要在于配方及對(duì)應(yīng)專利。在加料、混合和過濾等關(guān)鍵生 產(chǎn)流程中，各種組分的比例、順序、速度和時(shí)間等都會(huì)影響到最終的產(chǎn)品性能， 需要公司不斷優(yōu)化研究來找出最合適的方案，因此產(chǎn)品配方和專利是每家公司的 技術(shù)秘密，也是其核心能力所在。

根據(jù)拋光薄膜的不同，拋光液也可以對(duì)應(yīng)分為鎢拋光液、銅拋光液、硅拋光液等 種類，且側(cè)重的應(yīng)用領(lǐng)域有所不同。以邏輯芯片領(lǐng)域?yàn)槔?，?130/90nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn) 開始，銅憑借更好導(dǎo)電性能大幅取代鋁和鎢作為互連金屬材料，銅拋光液得到了 廣泛應(yīng)用；存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域則較多使用鎢拋光液，而銅拋光液的應(yīng)用較少。 而對(duì)應(yīng)不同的拋光薄膜，所需要的研磨粒子和添加劑也有所不同，尤其是研磨粒 子，作為拋光液中成本占比最大、作用也至關(guān)重要的關(guān)鍵原材料，在拋光不同的 薄膜時(shí)也有著不同的選擇。最常見的研磨粒子有二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰，此 外氧化鋯等磨料也有一定應(yīng)用。

拋光液種類較多，不同廠商產(chǎn)品根據(jù)配方不同也存在著一定差異，而海外廠商整 體上起步較早、品類較全，主導(dǎo)了整個(gè)市場(chǎng)。CMP 拋光液全球市場(chǎng)規(guī)模在 2021 年 為接近 20 億美元，主要生產(chǎn)廠商包括 Cabot Microelectronics、Hitachi、Versum、 Fujimi 等海外廠商，市場(chǎng)格局集中，四大廠商便占據(jù) 70%以上市場(chǎng)份額。 而國內(nèi)安集科技成功打破海外壟斷，已實(shí)現(xiàn)較全面的拋光液品類覆蓋，廣泛切入 海內(nèi)外下游晶圓廠，客戶包括臺(tái)積電、中芯國際、長江存儲(chǔ)、長鑫存儲(chǔ)等，并占 據(jù)可觀份額，據(jù)安集科技公告測(cè)算，其全球市占率近年快速提升，2021 年已達(dá)到 約 5%。此外，國內(nèi)的鼎龍股份在 2022 年也實(shí)現(xiàn)了細(xì)分品類拋光液產(chǎn)品的驗(yàn)證通過及銷售，有望在國內(nèi)市場(chǎng)占據(jù)一定市場(chǎng)。

6.3、CMP 拋光墊：格局高度集中，杜邦一家獨(dú)大

在 CMP 拋光過程中，拋光墊同樣是影響拋光效率和結(jié)果的重要材料，其主要起著 通過摩擦以機(jī)械方式去除拋光層、承載拋光液并使其有效均勻分布在加工區(qū)域以 促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)發(fā)生以及將拋光產(chǎn)物排除等作用。拋光墊同樣是一種消耗材料，在 使用過程中會(huì)逐漸產(chǎn)生磨損，因此使用一段時(shí)間后便需要進(jìn)行更換。 拋光墊根據(jù)材質(zhì)可分為不同種類，總體上則可概括為硬墊和軟墊兩大類，其中聚 氨酯材料的拋光墊硬度較高、拋光效率高，但容納拋光液能力較差、易劃傷芯片 表面、均勻性相對(duì)較差，常用于粗拋；而無紡布材料的軟墊容納拋光液能力好、 均勻性好，但去除率較低，常用于精拋。

因此，拋光墊的力學(xué)性能，如材質(zhì)硬度、彈性模量等都起到重要作用，同時(shí)，其 表面特征，如微孔形狀、孔隙率、溝槽形狀等，可通過影響拋光液流動(dòng)和分布， 來影響拋光效率和平坦性指標(biāo)。而由于在 CMP 拋光中發(fā)揮的作用和原理不同，拋 光墊更多是機(jī)械摩擦作用，同時(shí)承載拋光液以便化學(xué)反應(yīng)發(fā)生，因此相對(duì)起化學(xué) 反應(yīng)作用的拋光液品類要較少，產(chǎn)品的通用性相對(duì)更強(qiáng)。 整體上來說拋光墊的制備具有較高的技術(shù)壁壘，涉及力學(xué)、界面化學(xué)、摩擦學(xué)、 高分子材料學(xué)、固體物理和機(jī)械工程學(xué)等諸多學(xué)科領(lǐng)域，如材料開發(fā)階段便需要 有機(jī)高分子領(lǐng)域的知識(shí)經(jīng)驗(yàn)，而后端加工則又與精密加工等領(lǐng)域相關(guān)，跨領(lǐng)域的 技術(shù)和人才積累需求提升了廠商的研發(fā)難度。同時(shí)，海外領(lǐng)先廠商嚴(yán)密的專利布 局更進(jìn)一步提高了行業(yè)的進(jìn)入壁壘。

此外，拋光墊行業(yè)還有著較高的客戶壁壘。由于拋光墊產(chǎn)品對(duì)拋光效果影響明顯， IC 客戶本身的高要求使得認(rèn)證導(dǎo)入新供應(yīng)商需要長達(dá) 1-2 年的周期，但拋光墊本 身成本占比有限，而各家廠商產(chǎn)品差異化并不十分顯著，因此通常情況下 IC 客戶 并無動(dòng)力輕易更換供應(yīng)商。 目前全球拋光墊產(chǎn)品主要由海外廠商壟斷，尤其是杜邦公司，其拋光墊產(chǎn)品可追 溯到 Rodel 公司，該公司是全球最早生產(chǎn) IC 拋光墊的廠商，其早在 1990s 推出的 IC1000 產(chǎn)品仍是當(dāng)今 CMP 拋光墊的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，幾經(jīng)并購后現(xiàn)歸于杜邦公司。杜 邦公司在行業(yè)具有壟斷地位，占據(jù) 79%的市場(chǎng)份額，同時(shí) Cabot Microelectronics、 Thomas West、Fujibo 等公司也有一定的市占率。此外，國內(nèi)廠商以鼎龍股份為代 表，也已在該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，逐漸形成規(guī)模銷售。

6.4、國產(chǎn)優(yōu)質(zhì) CMP 拋光材料廠商梳理

6.4.1、安集科技：拋光液龍頭，功能性濕化學(xué)品成第二增長極

安集科技是國內(nèi)拋光液龍頭廠商，已實(shí)現(xiàn)較好的工藝和客戶覆蓋度，基本可滿足 國產(chǎn)替代需求。公司積極完成化學(xué)機(jī)械拋光液全品類產(chǎn)品布局，為客戶提供一站 式解決方案，銅及銅阻擋層拋光液和介電材料拋光液市場(chǎng)份額持續(xù)提高，鎢拋光 液快速放量，基于氧化鈰磨料的拋光液也實(shí)現(xiàn)突破、增長較快，HKMG 鋁拋光液 和襯底拋光液也逐漸取得突破?？蛻舴矫鎰t廣泛覆蓋國內(nèi)主流晶圓廠存儲(chǔ)廠，且 部分產(chǎn)品在部分客戶處取得主流份額。 同時(shí)，公司積極推進(jìn)上游核心原材料自主可控，與國內(nèi)具備優(yōu)質(zhì)研發(fā)及生產(chǎn)能力 的合作伙伴合資成立子公司山東安特納米材料有限公司，建立關(guān)鍵原材料硅溶膠 的自主可控生產(chǎn)供應(yīng)能力，其開發(fā)的多款硅溶膠已在公司多款拋光液產(chǎn)品中通過 內(nèi)部測(cè)試，并在積極與客戶合作進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證中；同時(shí)，公司通過自研自建的方 式加強(qiáng)了氧化鈰顆粒的制備和拋光性能的自主可控能力，進(jìn)展順利。

同時(shí)，公司功能性濕電子化學(xué)品平臺(tái)持續(xù)突破，有望成為公司第二增長極。公司 刻蝕后清洗液實(shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展，28nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)后段硬掩模銅大馬士革工藝已在 重要客戶上線穩(wěn)定使用，14-7nm 也在有序推進(jìn)中；拋光后清洗液方面，目前已經(jīng) 量產(chǎn)，應(yīng)用于 12 英寸芯片制造，并積極開發(fā)新產(chǎn)品、推進(jìn)客戶認(rèn)證；刻蝕液方 面，針對(duì) 12 英寸先進(jìn)制程獨(dú)特要求，成功建立功能性刻蝕液技術(shù)平臺(tái)，并開始 客戶端驗(yàn)證。

6.4.2、鼎龍股份：國內(nèi)拋光墊龍頭，拋光材料實(shí)現(xiàn)全布局

鼎龍股份早在 2012 年便啟動(dòng)了 CMP 拋光墊項(xiàng)目的研發(fā)，一期項(xiàng)目于 2016 年 8 月 建成并試生產(chǎn)，于 2017 年順利取得首張訂單。公司還于 2018 年收購時(shí)代立夫， 該企業(yè)是國內(nèi)領(lǐng)先的 CMP 拋光墊企業(yè)，承接了國家“02 專項(xiàng)”，有著良好的客戶 基礎(chǔ)與應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)。近年鼎龍股份產(chǎn)品品類和覆蓋客戶持續(xù)拓展，目前已全面進(jìn)入國內(nèi)所有主流晶圓廠的供應(yīng)鏈體系，產(chǎn)品型號(hào)覆蓋率接近 100%，是國內(nèi)極為稀缺 的實(shí)現(xiàn)了 CMP 拋光墊批量供應(yīng)的龍頭廠商。 技術(shù)方面，公司早在 2006 年便為了解決碳粉原材料問題而成立了高分子技術(shù)合作 平臺(tái)，以生產(chǎn)碳粉用樹脂，而高分子材料合成技術(shù)同時(shí)也是 CMP 拋光墊制造的核 心技術(shù)之一，基于相通的技術(shù)原理以及專門的研發(fā)投入，公司掌握了拋光墊的所 有核心高分子材料合成技術(shù)，掌握了品質(zhì)高度穩(wěn)定的高厚度圓柱形聚氨酯微球發(fā) 泡的國際領(lǐng)先技術(shù)，使公司能夠成功打破海外壟斷。

從具體產(chǎn)品來看，公司基本已實(shí)現(xiàn) 8 英寸和 12 英寸晶圓廠的多節(jié)點(diǎn)、全制程應(yīng)用 覆蓋，28nm 節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品已獲得客戶訂單，涵蓋 Oxide/STI/W/Cu/Al 等全制程，基本 可實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代。同時(shí)針對(duì) 14nm 以下節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品在客戶端驗(yàn)證進(jìn)展順利，公司 產(chǎn)品覆蓋度將得到進(jìn)一步提升。 客戶方面，公司作為國內(nèi)少有的進(jìn)入下游晶圓廠提供 CMP 拋光墊的廠商，目前已 廣泛供應(yīng)長江存儲(chǔ)、武漢新芯、中芯國際、合肥長鑫等國內(nèi)主流晶圓廠，并在多 個(gè)晶圓廠已取得一供地位，是 CMP 拋光墊國產(chǎn)替代當(dāng)之無愧的領(lǐng)頭羊。此外，公 司也在積極推進(jìn)海外客戶拓展，公司于 2021 年 12 月宣布取得首張海外訂單，其 用于 W 制程的 12 寸產(chǎn)品一次性通過驗(yàn)證，打消了國際半導(dǎo)體巨頭技術(shù)專家的疑 慮，開啟了合作之路，提升了公司拋光墊業(yè)務(wù)進(jìn)一步成長的可能性。

同時(shí)，鼎龍股份拋光液產(chǎn)品也逐漸取得突破。據(jù)公司年報(bào)，公司進(jìn)行 Oxide，SiN， Poly，Cu，Al 等 CMP 制程拋光液產(chǎn)品多線布局，目前在客戶端的驗(yàn)證反饋情況 良好，部分產(chǎn)品已通過各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)測(cè)試，其中 Oxide 制程某拋光液產(chǎn)品已取得 小量訂單，Al制程某拋光液產(chǎn)品在28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)HKMG工藝中通過客戶驗(yàn)證， 進(jìn)入噸級(jí)采購階段。 除了占比最大的拋光液和拋光墊兩大產(chǎn)品外，公司對(duì) CMP 過程中用到的其他材 料，包括 CMP 后清洗液和鉆石碟（Disk）等產(chǎn)品也都有所突破，是少有的對(duì) CMP 材料實(shí)現(xiàn)較為全面布局的國產(chǎn)廠商。

7、濕電子化學(xué)品：種類豐富應(yīng)用廣泛，國產(chǎn)替代空間巨大

7.1、濕電子化學(xué)品：面板/IC 制造的關(guān)鍵性材料，種類豐富應(yīng)用廣泛

濕電子化學(xué)品是微電子、光電子濕法工藝制程中使用的各種液體化工材料，是半 導(dǎo)體、顯示面板、太陽能電池、LED 等制作過程中不可缺少的關(guān)鍵性材料之一， 用于制造過程中的清洗、刻蝕、涂膠、顯影、去膠等各個(gè)環(huán)節(jié)，其質(zhì)量優(yōu)劣會(huì)直 接影響電子產(chǎn)品的成品率、電性能和可靠性，也對(duì)微電子制造技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化有重 大影響。 濕電子化學(xué)品一般可劃分為通用濕電子化學(xué)品和功能濕電子化學(xué)品，通用濕電子 化學(xué)品指在半導(dǎo)體、顯示面板、太陽能電池等制造工藝中被大量使用的液體化學(xué) 品，一般為單成份、單功能化學(xué)品，例如氫氟酸、硫酸、氫氧化鈉、氫氧化鉀等。 功能濕電子化學(xué)品指通過復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的復(fù) 配類化學(xué)品，例如顯影液、剝離液、蝕刻液、稀釋液、清洗液等。

具體來看，通用濕電子化學(xué)品由于應(yīng)用更為廣泛，用量明顯更高。據(jù)中國電子材 料行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2019 年我國濕電子化學(xué)品需求量中，通用濕電子化學(xué)品用量占 比高達(dá) 88%，其中又以過氧化氫、氫氟酸、硫酸、硝酸等用量較多；而顯影液、 蝕刻液、剝離液等功能濕電子化學(xué)品則通常僅用于特定工序，因此用量相對(duì)較少， 但由于復(fù)配類化學(xué)品除純化工藝外，還涉及到不同成分的配比問題，其研發(fā)和生 產(chǎn)的難度及單價(jià)通常會(huì)相對(duì)更高。

濕化學(xué)品作為對(duì)產(chǎn)品性能、可靠性、成品率有直接影響的關(guān)鍵性材料，通常要求 超凈、高純，對(duì)于金屬雜質(zhì)、顆粒數(shù)等都有嚴(yán)苛的要求。按照 SEMI 標(biāo)準(zhǔn)，濕化 學(xué)品通?？捎傻偷礁叻譃?G1-G5 五個(gè)等級(jí)，對(duì)于金屬雜質(zhì)、顆粒數(shù)等的要求也依 次更高，而不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)τ跐窕瘜W(xué)品的要求也不同，要求最高的 IC 制造領(lǐng)域通 常會(huì)要求達(dá)到 G4、G5 等級(jí)。

7.2、半導(dǎo)體領(lǐng)域要求最高，國內(nèi)需求快速增長

據(jù)華經(jīng)情報(bào)網(wǎng)數(shù)據(jù)，全球濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模 2019 年約為 53 億美元。而從應(yīng) 用領(lǐng)域來看，濕化學(xué)品下游主要集中于半導(dǎo)體、顯示面板、太陽能電池等領(lǐng)域， 三大市場(chǎng)需求量合計(jì)達(dá)到 327 萬噸，依次為 134 萬噸、116 萬噸、77 萬噸。結(jié)合 SEMI 統(tǒng)計(jì)的全球半導(dǎo)體材料銷售額及市場(chǎng)結(jié)構(gòu)情況，我們測(cè)算 2020 年全球半導(dǎo) 體領(lǐng)域濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模約在 25 億美元。

國內(nèi)濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模約百億元，而從下游應(yīng)用結(jié)構(gòu)來看，我國顯示面板領(lǐng) 域濕電子化學(xué)品需求量最高，其后依次為半導(dǎo)體、太陽能電池領(lǐng)域，與全球市場(chǎng) 結(jié)構(gòu)略有不同，主要是由于我國顯示面板產(chǎn)業(yè)技術(shù)和規(guī)模較為成熟，同時(shí)已有較 多濕化學(xué)品生產(chǎn)廠商可滿足面板客戶要求，而半導(dǎo)體領(lǐng)域要求更高、仍有待進(jìn)一 步突破。

半導(dǎo)體領(lǐng)域，濕電子化學(xué)品的使用幾乎貫穿整個(gè)芯片制造過程，硅片加工、晶圓 制造、封裝測(cè)試等主要環(huán)節(jié)都有所應(yīng)用。就用量最多的晶圓制造環(huán)節(jié)而言，以工 藝步驟最多之一的清洗工序?yàn)槔?，根?jù)清洗雜質(zhì)及污染物的區(qū)別需要用到過氧化 氫、硫酸、鹽酸、氫氧化鈉、氫氧化鉀等不同的清洗劑；而蝕刻工序根據(jù)蝕刻對(duì) 象的差異也要用到鋁蝕刻液、銅蝕刻液、硅蝕刻液等成分比例不同的化學(xué)品；再 如尤為關(guān)鍵的光刻工藝，除了備受的光刻膠材料外，還需要用到顯影液、剝離液 等濕化學(xué)品作為光刻膠配套試劑，根據(jù)光刻精度以及所用光刻膠的區(qū)別，同樣規(guī) 格和種類眾多。此外，硅片加工的清洗和后道封測(cè)的清洗、濺射、黃光、蝕刻等 工藝環(huán)節(jié)也都需要用到濕化學(xué)品。

晶圓制造工序眾多，空氣、水、化學(xué)試劑、設(shè)備、器具、工作環(huán)境、操作人員等 各種因素都可能會(huì)帶來污染物，污染物超過限度便可能使 IC 產(chǎn)品發(fā)生表面擦傷、 圖形斷線、短路、針孔等現(xiàn)象，影響產(chǎn)品性能和使用壽命甚至使產(chǎn)品報(bào)廢。IC 產(chǎn) 品本身極高的精細(xì)程度決定了其對(duì)于污染物的容忍度極低，因此對(duì)濕電子化學(xué)品 的要求最為嚴(yán)苛，且隨著制程的微縮，其要求越來越高。

據(jù)新材料在線數(shù)據(jù)，我國晶圓制造用濕電子化學(xué)品中用量較大的有硫酸、雙氧水、 顯影液、氨水，用量占比約在 31%、29%、10%、8%，其中硫酸、雙氧水、氨水 較多用于清洗工藝，此外氫氟酸、蝕刻液、硝酸、異丙醇、剝離液等在晶圓制造 中也有較大用量。

7.3、海外龍頭壟斷，國產(chǎn)替代空間巨大

前文已述，濕電子化學(xué)品通常要求是超凈、高純，對(duì)顆粒數(shù)、雜質(zhì)等都有極為嚴(yán) 苛的參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)，因此企業(yè)需要對(duì)分離技術(shù)、純化技術(shù)、混配技術(shù)以及與生產(chǎn)配套 的分析檢驗(yàn)技術(shù)、環(huán)境處理和監(jiān)測(cè)技術(shù)等有良好的掌握。同時(shí)，由于濕化學(xué)品具 有較高專用性、品種極多，不同濕化學(xué)品在材料屬性、生產(chǎn)工藝、功能原理方面 不盡相同，因此更進(jìn)一步加大了企業(yè)實(shí)現(xiàn)全面布局的難度。

除本身的生產(chǎn)難度外，濕電子化學(xué)品還存在著較高的客戶認(rèn)證壁壘，等級(jí)要求越 高的領(lǐng)域越是如此。由于濕化學(xué)品對(duì)于產(chǎn)品性能、良率有著直接重大影響，一旦 在純度、功能性等方面不達(dá)要求很容易影響產(chǎn)線生產(chǎn)情況，同時(shí)濕化學(xué)品本身在 制造成本中占比很小，客戶缺乏動(dòng)力更換供應(yīng)商，因此認(rèn)證及進(jìn)入壁壘很高。

目前濕電子化學(xué)品市場(chǎng)主要是以歐美和日本等海外廠商占比較高，巴斯夫、霍尼 韋爾、三菱化學(xué)、住友化學(xué)等龍頭廠商本身都是體量龐大、業(yè)務(wù)繁雜的老牌化工 大廠，擁有深厚的技術(shù)底蘊(yùn)，與下游半導(dǎo)體制造業(yè)發(fā)展幾乎保持同一步調(diào)，占據(jù) 了較高的市場(chǎng)份額，高端市場(chǎng)更是基本由這些廠商占據(jù)。

國內(nèi)廠商起步相對(duì)較晚，技術(shù)水平與世界領(lǐng)先水平仍有一定差距，處于持續(xù)追趕 階段，但一批優(yōu)質(zhì)廠商如江化微、晶瑞電材、格林達(dá)等不斷實(shí)現(xiàn)突破，在個(gè)別細(xì) 分領(lǐng)域已接近國際領(lǐng)先水平。目前國內(nèi)低端應(yīng)用領(lǐng)域已基本可實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代，如 太陽能電池領(lǐng)域濕化學(xué)品基本由內(nèi)資企業(yè)供應(yīng)，而面板產(chǎn)線尤其是低世代產(chǎn)線中 內(nèi)資企業(yè)的市占率也已相當(dāng)之高，但在部分高端領(lǐng)域如高世代線面板產(chǎn)線和 IC 制 造產(chǎn)線中，國產(chǎn)廠商則仍有較大的替代空間。

自主可控重要性凸顯，國產(chǎn)替代加速推進(jìn)。在當(dāng)前外部環(huán)境不確定的背景下，各 領(lǐng)域自主可控的重要性顯著提升，尤其是 IC 領(lǐng)域極具代表性，終端廠商紛紛開始 加速推進(jìn)國產(chǎn)替代，對(duì)國產(chǎn)供應(yīng)商的采用意愿明顯增強(qiáng)，為之提供寶貴的驗(yàn)證與 試錯(cuò)機(jī)會(huì)，而面板領(lǐng)域同樣有國產(chǎn)替代以及降成本和本土化供應(yīng)訴求，國產(chǎn)廠商 正面臨著良好的發(fā)展機(jī)遇，優(yōu)質(zhì)廠商有望實(shí)現(xiàn)份額快速提升。 具體來看，江化微等國內(nèi)廠商逐漸在硫酸、雙氧水、氨水等濕化學(xué)品領(lǐng)域具備 G4、 G5 等級(jí)產(chǎn)品的量產(chǎn)能力，隨著在下游面板客戶高世代線以及 IC 客戶產(chǎn)線逐漸驗(yàn) 證通過并量產(chǎn)，未來份額提升空間及業(yè)績彈性巨大。

7.4、國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)濕電子化學(xué)品廠商梳理

7.4.1、江化微：G5 等級(jí)產(chǎn)品投產(chǎn)，新基地產(chǎn)能持續(xù)釋放

江化微為國內(nèi)濕電子化學(xué)品行業(yè)領(lǐng)先廠商，業(yè)務(wù)規(guī)模居于國內(nèi)最前列，同時(shí)也是 國內(nèi)產(chǎn)品品種最齊全、配套能力最強(qiáng)的濕電子化學(xué)品企業(yè)之一。公司作為多年專注于濕電子化學(xué)品產(chǎn)業(yè)的廠商，江陰基地已量產(chǎn)產(chǎn)品等級(jí)涵蓋 SEMI 標(biāo)準(zhǔn) G1-G4 級(jí)別，在國內(nèi)處于較領(lǐng)先水平，能滿足多領(lǐng)域客戶替代需求，而鎮(zhèn)江基地也已投 產(chǎn)，部分產(chǎn)品等級(jí)將進(jìn)一步提升至 G5 等級(jí)，進(jìn)一步追趕全球領(lǐng)先水平。 公司超凈高純?cè)噭╊惍a(chǎn)品在半導(dǎo)體、面板、太陽能電池領(lǐng)域客戶得到高度認(rèn)可， 是京東方、熊貓等多家知名面板廠商部分產(chǎn)線的主要供應(yīng)商，在半導(dǎo)體領(lǐng)域除硅 片加工和后道封裝外，在晶圓制造環(huán)節(jié)也成功打進(jìn)了部分 8 英寸及以下產(chǎn)線和 12 英寸功率器件產(chǎn)線并占據(jù)重要份額；而光刻膠配套試劑類產(chǎn)品則逐步有更多產(chǎn)品 在面板客戶得到更多采用，在長電科技等半導(dǎo)體客戶部分產(chǎn)線也有大量應(yīng)用。相 比國內(nèi)同行來說，江化微已有極為優(yōu)質(zhì)的廣泛客戶基礎(chǔ)和較為領(lǐng)先的市場(chǎng)份額， 在國產(chǎn)替代加速推進(jìn)背景下受益程度較深。

技術(shù)能力逐步突破，新基地投產(chǎn)釋放增長新動(dòng)能。公司原有基地位于江陰本部， 經(jīng)過一期及技改、IPO 募投二期項(xiàng)目依次建設(shè)投產(chǎn)后，江陰基地現(xiàn)有產(chǎn)能約為 9 萬噸/年，產(chǎn)品最高等級(jí)為 G4。而公司四川、鎮(zhèn)江（一期）兩大基地也已相繼投 產(chǎn)，公司部分可生產(chǎn)產(chǎn)品最高等級(jí)提升為 G5，進(jìn)一步打開公司成長瓶頸。 四川基地規(guī)劃為年產(chǎn) 6 萬噸電子化學(xué)品及 3.2 萬噸電子化學(xué)品再生項(xiàng)目，產(chǎn)品主 要為 G2/G3 等級(jí)，面向西南地區(qū)的高世代液晶面板及 OLED 面板客戶，可更好就 近配套客戶，進(jìn)一步增強(qiáng)客戶體驗(yàn)及粘性，且再生項(xiàng)目的建設(shè)有助于公司改善成 本，提升產(chǎn)品競爭力。

鎮(zhèn)江基地規(guī)劃產(chǎn)能為 22.8 萬噸/年，其中一期 5.8 萬噸/年已經(jīng)投產(chǎn)。該基地專門為 半導(dǎo)體客戶布局，產(chǎn)品等級(jí)達(dá)到 G4/G5 級(jí)別，可滿足 8 到 12 英寸、16/14/10nm 制程晶圓制造需求。鎮(zhèn)江基地的建設(shè)投產(chǎn)，意味著公司在高端領(lǐng)域進(jìn)一步突破， 能夠覆蓋的領(lǐng)域和客戶進(jìn)一步擴(kuò)大，打開了公司長期成長空間。

7.4.2、晶瑞電材：多產(chǎn)品實(shí)現(xiàn) G5 等級(jí)供應(yīng)的國內(nèi)領(lǐng)先濕電子化學(xué)品廠商

前文已述，晶瑞電材是國內(nèi)頂尖的光刻膠及其配套試劑廠商，同時(shí)還是國內(nèi)技術(shù) 領(lǐng)先的濕電子化學(xué)品廠商。雙氧水、氨水、硫酸三大產(chǎn)品均已達(dá)到 G5 等級(jí)并批量 供應(yīng)半導(dǎo)體客戶，尤其是拳頭產(chǎn)品雙氧水極具競爭力，而三大產(chǎn)品以外的其他產(chǎn) 品也普遍達(dá)到 G3/G4 水平。

具體來看，公司是全球范圍內(nèi)同時(shí)掌握半導(dǎo)體級(jí)高純雙氧水、高純硫酸、高純氨 水三項(xiàng)技術(shù)的少數(shù)領(lǐng)導(dǎo)者之一，同時(shí)建成了高純硫酸、高純雙氧水兩大高純電子 化學(xué)品國內(nèi)最大產(chǎn)能。公司優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品高純雙氧水打破國外技術(shù)壟斷全面實(shí)現(xiàn)國產(chǎn) 替代，成為幾個(gè)頭部芯片制造企業(yè)的主供應(yīng)商；高純硫酸一期 3 萬噸年產(chǎn)能已順 利通車，正在主流客戶中密集跨線測(cè)試，已銷售合肥晶合等客戶，同時(shí)半導(dǎo)體級(jí) 高純硫酸二期 6 萬噸項(xiàng)目正在積極建設(shè)中，預(yù)計(jì) 2023 年上半年建成。

8、濺射靶材：PVD 關(guān)鍵原材料，國產(chǎn)廠商具有國際競爭力

8.1、濺射靶材：PVD 沉積關(guān)鍵原材料，應(yīng)用廣泛空間大

濺射工藝是物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù) 之一，而濺射靶材正是該工藝的關(guān)鍵原材料。以晶圓制造為例，需要反復(fù)重復(fù)薄 膜沉積工藝，用于導(dǎo)電層、阻擋層、接觸層、介電層等的制備，薄膜沉積工藝通 常分為物理氣相沉積（PVD）技術(shù)和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)，其中 PVD 常用 來生長鋁、銅、鈦、鉭等金屬薄膜，CVD 常用來制備氧化硅等絕緣薄膜。

除鎢接觸層和銅互連層外的絕大多數(shù)金屬薄膜都是用 PVD 技術(shù)生成，而濺射則是 目前最主流的 PVD 技術(shù)。濺射是利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過加速聚 集，而形成高速度能得離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能 交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是制備濺射 法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。類似地，除晶圓制造外，顯示面板、薄膜 太陽能電池等的制造過程中也都會(huì)用到濺射工藝以制備薄膜材料。

濺射靶材種類和規(guī)格眾多，按形狀可以分為長靶、方靶、圓靶等；按化學(xué)成分又 可以分為金屬靶材、合金靶材、化合物靶材等，用以沉積不同的薄膜材料；而按 照下游終端應(yīng)用則又可以分為半導(dǎo)體用、平板顯示用、太陽能電池用、信息存儲(chǔ) 用、電子器件用等多種類。

不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)τ跒R射靶材的材料和性能要求存在一定差異。如半導(dǎo)體芯片對(duì)于 靶材的純度和精度要求最高，技術(shù)難度也最高，通常為圓靶；而面板則要求材料 面積大、均勻性好，技術(shù)難度不如芯片但要求也很高，形狀常為長靶。

據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2020 年全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)規(guī)模約 196 億美元，其中以平 板顯示領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模最大，2020 年在 70 億美元左右。此外記錄媒體和光伏電池 領(lǐng)域占比也較大，2018 年分別在 28.6%和 18.5%左右。而半導(dǎo)體領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模約 在 10 多億美元。

8.2、半導(dǎo)體性能要求最高，面板市場(chǎng)規(guī)模最大

半導(dǎo)體芯片是對(duì)濺射靶材的成分、組織和性能要求的最高的領(lǐng)域。具體來講，半 導(dǎo)體芯片的制作過程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節(jié)，其中， 在晶圓制造和芯片封裝這兩個(gè)環(huán)節(jié)中都需要用到金屬濺射靶材。 具體來看，半導(dǎo)體領(lǐng)域用量較多的濺射靶材主要有鉭靶、銅靶、鋁靶、鈦靶等， 其中銅靶和鉭靶多配合起來使用，分別用于生成銅導(dǎo)電層和鉭阻擋層，在 110nm 以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中大量使用；鋁靶和鈦靶則主要用于 8 英寸晶圓 110nm 以上技術(shù)節(jié) 點(diǎn)中導(dǎo)電層和阻擋層的制備。隨著芯片制程持續(xù)微縮，銅靶和鉭靶需求有望持續(xù) 增長，而汽車芯片等仍廣泛使用成熟制程，鋁靶和鈦靶仍有大量應(yīng)用。

目前薄膜晶體管液晶顯示（TFT-LCD）是最為主流的顯示面板技術(shù)，據(jù)隆華科技 公告，用于制作 TFT-LCD 面板的金屬靶材，以鋁靶、銅靶、鉬靶和鉬鈮合金靶為 主，部分平板顯示企業(yè)也會(huì)用到鈦靶、鉭靶、鈮靶、鉻靶以及銀靶等。但由于各 家企業(yè)所采用的濺射工藝不同，其所選的濺射靶材也有區(qū)別，例如，京東方用銅 靶、鋁靶、鉬靶和鉬鈮靶；韓國三星用鉬靶、鉭靶、鈦靶，但不用鉬鈮靶；中電 熊貓用銅靶、鈦靶，但不用鉬靶、鉭靶等。（報(bào)告來源：未來智庫）

8.3、海外龍頭主導(dǎo)，國產(chǎn)廠商突破情況良好

高純?yōu)R射靶材作為 PVD 沉積的關(guān)鍵原材料，其純度、密度、品質(zhì)等對(duì)最終的電子 器件或光學(xué)元器件的質(zhì)量和性能起著重要作用。目前高端鍍膜材料產(chǎn)品純度一般 在 99.99%-99.9999%（即 4-6N），如純度要求最高的 IC 領(lǐng)域通常要達(dá)到 5N5 （99.9995%）以上，平板顯示和太陽能電池也分別要求達(dá)到 5N、4N5 以上。濺射 靶材質(zhì)量對(duì)膜層性能有很大的影響，同時(shí)會(huì)影響到鍍膜的生產(chǎn)效率和成本，具有 較高的進(jìn)入壁壘。 從產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)來看，濺射靶材上游原材料為高純金屬，若金屬雜質(zhì)含量過高，則 形成的薄膜無法達(dá)到使用所要求的電性能，且在濺射過程中易在晶圓上形成微粒， 導(dǎo)致電路短路或損壞，嚴(yán)重影響薄膜的性能。而這對(duì)金屬提純的要求極高，且提 純后往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，這個(gè)過程中需經(jīng)過熔煉、合金化 和鑄造等步驟，對(duì)配比和工藝控制都有極高要求，因此目前高純銅、高純鉭等原 材料都很大程度上由海外廠商把控，國內(nèi)靶材廠商的采購容易受到限制。

繼上游高純金屬原材料環(huán)節(jié)后，在濺射靶材制造環(huán)節(jié)，需要進(jìn)行反復(fù)的塑性變形、 熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關(guān)鍵指標(biāo)，再經(jīng)過焊接、機(jī)械加工、清洗 干燥、真空包裝等工序，工序繁多且精細(xì)，工序流程管理及制造工藝水平將直接 影響到濺射靶材的質(zhì)量和良品率。 目前全球?yàn)R射靶材具有規(guī)模化生產(chǎn)能力的企業(yè)較少，主要是日礦金屬、霍尼韋爾、 東曹、普萊克斯等日美廠商主導(dǎo)，這些龍頭廠商較早涉足該領(lǐng)域，技術(shù)積累深厚、 專利布局完善，且不斷進(jìn)行垂直整合和橫向擴(kuò)張，同時(shí)掌握金屬提純和濺射靶材 制造能力。而韓國、新加坡、中國臺(tái)灣地區(qū)等在磁記錄和光學(xué)薄膜領(lǐng)域有所特長， 但大多缺少核心技術(shù)及裝備，核心材料靶坯依賴美日進(jìn)口。我國濺射靶材產(chǎn)業(yè)起 步較晚，整體技術(shù)和規(guī)模與全球龍頭相比仍有較大差距，尤其是在半導(dǎo)體、平板 顯示等中高端領(lǐng)域有著巨大的替代空間。

國內(nèi)已有部分優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商在細(xì)分領(lǐng)域取得突破，如江豐電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域打進(jìn)臺(tái) 積電產(chǎn)線，隆華科技等在平板顯示領(lǐng)域有所建樹，雖然一定程度上同樣存在著核 心材料和裝備依賴海外廠商、產(chǎn)業(yè)化容易受人限制的情況，但隨著技術(shù)提升和產(chǎn) 能擴(kuò)充，整體上面臨著巨大的份額提升機(jī)會(huì)。 下游客戶紛紛加速推進(jìn)自主可控，國產(chǎn)供應(yīng)商迎發(fā)展良機(jī)。在當(dāng)前外部環(huán)境不確 定的背景下，各領(lǐng)域自主可控的重要性顯著提升，尤其是 IC 領(lǐng)域極具代表性，終 端廠商紛紛開始加速推進(jìn)國產(chǎn)替代，對(duì)國產(chǎn)供應(yīng)商的采用意愿明顯增強(qiáng)，為之提 供寶貴的驗(yàn)證與試錯(cuò)機(jī)會(huì)。而面板領(lǐng)域京東方和華星光電等國產(chǎn)廠商行業(yè)地位快 速崛起，同樣有國產(chǎn)替代以及降成本和本土化供應(yīng)訴求，國產(chǎn)廠商正面臨著良好 的發(fā)展機(jī)遇，細(xì)分龍頭有望實(shí)現(xiàn)份額快速提升。

8.4、國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)濺射靶材廠商梳理

8.4.1、江豐電子：半導(dǎo)體靶材全球領(lǐng)先，持續(xù)完善上游原材料布局

江豐電子作為技術(shù)積累深厚的國內(nèi)濺射靶材龍頭，技術(shù)水平處于全球領(lǐng)先地位。 從技術(shù)壁壘最高的半導(dǎo)體領(lǐng)域來看，公司 300mm 晶圓用鋁、鈦、鉭、銅等靶材產(chǎn) 品已批量應(yīng)用于 90-7nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)，其中鉭靶材及環(huán)件在臺(tái)積電 7nm 量產(chǎn)，且應(yīng)用于 5nm 節(jié)點(diǎn)的部分產(chǎn)品也已獲客戶評(píng)價(jià)通過并量產(chǎn)，整體上與下游 IC 制造最 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)保持同步，在全球范圍內(nèi)能實(shí)現(xiàn)這點(diǎn)的廠商也是屈指可數(shù)。 而在面板領(lǐng)域，公司 LCD 用平面鋁靶、銅靶、鉬靶及管狀銅靶在 G4.5-G11 世代 線通過客戶驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)最高世代 LCD 面板產(chǎn)線的覆蓋。因此公司 在半導(dǎo)體和面板等領(lǐng)域都具備了基本可以實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代的能力，有望充分受益、 實(shí)現(xiàn)份額快速提升。

同時(shí)，由于上游高純金屬材料對(duì)于濺射靶材產(chǎn)品至關(guān)重要，倘若依賴于海外進(jìn)口， 對(duì)應(yīng)濺射靶材的產(chǎn)業(yè)化及產(chǎn)能規(guī)模都會(huì)受人掣肘。公司很早便對(duì)高純金屬進(jìn)行布 局，通過子公司/聯(lián)營公司等方式持續(xù)推進(jìn)自主可控，目前高純鋁、高純鈦的進(jìn)口 依賴程度已經(jīng)很低，鉭材料的自主化也已實(shí)現(xiàn)明顯突破，盈利能力預(yù)計(jì)會(huì)逐步改 善，銅材料自研也在有序攻克中，將有效解決此前銅靶受制于原材料而規(guī)模較小 的問題，未來三年有望迎來快速放量。原材料的自主化是公司的重要競爭力所在， 有效解決了被海外廠商卡脖子的問題，同時(shí)能保持良好的成本優(yōu)勢(shì)。

公司此前收入結(jié)構(gòu)中半導(dǎo)體領(lǐng)域占比高達(dá) 80%以上，這與公司策略有關(guān)，在早期 資金和研發(fā)資源有限的情況下，先行選擇技術(shù)壁壘最高的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行突破， 填補(bǔ)國內(nèi)空白，然后再向市場(chǎng)規(guī)模更大、技術(shù)難度相對(duì)更低的面板領(lǐng)域拓展，目 前已實(shí)現(xiàn)鋁靶、銅靶、鉬靶等產(chǎn)品量產(chǎn)，客戶也已實(shí)現(xiàn)對(duì)京東方、華星光電等國 內(nèi)龍頭的覆蓋，但整體份額還相對(duì)較小。 公司 2020 年平板顯示用靶材產(chǎn)量約 1134.7 噸，2021 年擬募資 5.2 億元實(shí)行惠州 基地和武漢基地項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。兩大基地可就近配套臨近面板產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后 預(yù)計(jì)將分別新增 1847.1 噸和 2102.8 噸，按公司公告的工時(shí)產(chǎn)能算則是在原有 6.48 萬工時(shí)基礎(chǔ)上增加 24.3 萬工時(shí)，同比增長 375%。達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)公司此前產(chǎn)能瓶頸 的問題將得到有效解決，未來在面板領(lǐng)域的份額有望快速提升。

同時(shí)，作為國產(chǎn)替代先鋒，公司在半導(dǎo)體用濺射靶材產(chǎn)能上也將大幅擴(kuò)充，實(shí)現(xiàn) 份額提升。當(dāng)前半導(dǎo)體領(lǐng)域自主可控重要性凸顯，IC 制造客戶紛紛加速采用國產(chǎn) 供應(yīng)商的產(chǎn)品，而公司作為產(chǎn)品打進(jìn)臺(tái)積電先進(jìn)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)線的國內(nèi)廠商，毫無疑問 是半導(dǎo)體用濺射靶材國產(chǎn)替代的首選。公司擬定增募資不超過 16.52 億元，用于 IC 用濺射靶材擴(kuò)產(chǎn)，建成后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)鋁、鈦、鉭等靶材 5.2 萬個(gè)以及銅靶 1.8 萬 個(gè)，打破原有產(chǎn)能瓶頸、實(shí)現(xiàn)份額快速提升。

此外，公司較早便開啟了零部件業(yè)務(wù)的戰(zhàn)略布局，并逐漸迎來收獲期。公司布局 半導(dǎo)體零部件品類眾多，產(chǎn)品包括 PVD 機(jī)臺(tái)用 Clamp Ring、Collimator，CVD 及 etching 機(jī)臺(tái)用 face plate、shower head 等，CMP 用金剛石研磨片、Retaining Ring 等，此外 CVD 腔室等產(chǎn)品也已量產(chǎn)?？蛻舴矫?，公司產(chǎn)品主要面向半導(dǎo)體設(shè)備制 造廠商和 IC 制造企業(yè)兩大類客戶，憑借強(qiáng)大的產(chǎn)品性能和與原有業(yè)務(wù)相通的客戶 圈積累，公司已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品在諸多優(yōu)質(zhì)客戶的量產(chǎn)，業(yè)務(wù)迎來快速增長。

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