半導(dǎo)體周期處于什么階段?還缺芯嗎?
作者:金融界 來源: 頭條號(hào)
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我們將半導(dǎo)體的研究框架分為兩個(gè)階段:2018年之前和2018年之后。我們提出了半導(dǎo)體研究的三波疊加:1、短期看:價(jià)格周期,又稱為庫(kù)存周期,由供給主導(dǎo),一般為2年左右。2、中期看:創(chuàng)新周期,一般由3~5年的底層創(chuàng)新驅(qū)動(dòng),比如4G、5G、智能手

我們將半導(dǎo)體的研究框架分為兩個(gè)階段:2018年之前和2018年之后。我們提出了半導(dǎo)體研究的三波疊加:1、短期看:價(jià)格周期,又稱為庫(kù)存周期,由供給主導(dǎo),一般為2年左右。2、中期看:創(chuàng)新周期,一般由3~5年的底層創(chuàng)新驅(qū)動(dòng),比如4G、5G、智能手機(jī)、智能電車。3、長(zhǎng)期看:國(guó)產(chǎn)替代,這是中國(guó)半導(dǎo)體公司的最主要矛盾和未來增長(zhǎng)的核心驅(qū)動(dòng)力,預(yù)計(jì)將維持10年左右。結(jié)論是:一、按照庫(kù)存周期律1)先進(jìn)工藝12寸的芯片(14/7/5nm),將在2022年上半年逐步出現(xiàn)緩解,原因是全球巨額CAPEX+手機(jī)/電腦需求疲軟。2)成熟工藝12寸的芯片(28/45/65nm),將在2022年下半年逐步出現(xiàn)緩解,但是跟智能電車相關(guān)需求的拐點(diǎn)會(huì)晚半年~1年。3)成熟工藝8寸的芯片(130/90/mos/IGBT/SiC),將在2023年逐步出現(xiàn)緩解,因?yàn)槟茉锤锩男枨筮€處于早期,產(chǎn)能擴(kuò)充進(jìn)度因?yàn)樵O(shè)備交期延期而延后。二、按照創(chuàng)新周期律1、電動(dòng)化:電動(dòng)化最大的增量是電控,電控中最大壁壘和成本來自于功率半導(dǎo)體。1)傳統(tǒng)硅基;2)碳化硅2、智能化:1)傳統(tǒng)座艙;2)智能駕駛三、按照國(guó)產(chǎn)替代:2020年~2030年是我國(guó)又一次大級(jí)別的產(chǎn)業(yè)升級(jí),從傳統(tǒng)的OEM/拼裝/貼牌,到核心半導(dǎo)體元器件的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,2018年之后的科技封鎖加速了這個(gè)過程,國(guó)產(chǎn)化逐步深化,分為四個(gè)階段:1)國(guó)產(chǎn)1.0;2)國(guó)產(chǎn)2.0;3)國(guó)產(chǎn)3.0;4)國(guó)產(chǎn)4.0建議聚焦以國(guó)產(chǎn)化為核心的半導(dǎo)體細(xì)分板塊:半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料和原料、設(shè)備零部件、EDA/IP、車規(guī)級(jí)芯片、FPGA、CPU/GPU等。風(fēng)險(xiǎn)提示:國(guó)產(chǎn)晶圓廠進(jìn)度低于預(yù)期;下游需求低于預(yù)期;國(guó)產(chǎn)化上游進(jìn)度低于預(yù)期。本文源自金融界
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