1. 英特爾

宣布分拆顯卡業(yè)務(wù)部門(AXG)，其中一部分專注于高性能計(jì)算，另一部分專注于游戲市場(chǎng)，負(fù)責(zé)人Raja Koduri將重回首席架構(gòu)師職位

從產(chǎn)品路線規(guī)劃上看，英特爾于22年一季度發(fā)布第一代Alchemist產(chǎn)品，并于10月開(kāi)始銷售，此前公司預(yù)估2022年全年顯卡銷量將達(dá)400萬(wàn)。分拆后，英特爾仍將延續(xù)現(xiàn)有ARC消費(fèi)級(jí)獨(dú)立顯卡規(guī)劃路線， 致力于推出第二代Battlemage、第三代Celestial 等游戲GPU產(chǎn)品

2. AMD

針對(duì)賽靈思FPGA產(chǎn)品向客戶發(fā)布漲價(jià)函，考慮供應(yīng)成本增加及當(dāng)前供求關(guān)系等因素，擬自2023年1月9日起調(diào)整賽靈思FPGA產(chǎn)品價(jià)格，其中Spartan6系列(48nm)漲價(jià)25%，Versal系列(7nm)價(jià)格保持不變，其他系列產(chǎn)品漲價(jià)8%

產(chǎn)品交期方面，AMD預(yù)估UltraScale+系列(16nm)、UltraScale系列(20nm)和Spartan7系列(28nm)交期將延遲至20周，并持續(xù)至23年二季度，而Spartan6和Versal系列產(chǎn)品交期維持不變

考慮到賽靈思28nm 7系列器件持續(xù)受歡迎，延長(zhǎng)Spartan7系列產(chǎn)品生命周期至2035年，此前預(yù)期至2025年

3. 三星電子

成功開(kāi)發(fā)首款12nm工藝16GB DDR5 DRAM產(chǎn)品，并與AMD一起完成兼容性方面產(chǎn)品評(píng)估，預(yù)計(jì)將于2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

該產(chǎn)品使用先進(jìn)多層極紫外光刻(EUV)技術(shù)，擁有公司最高DDR5 Die密度，晶圓生產(chǎn)率提升20%，較上一代DRAM產(chǎn)品可降低約23%功耗，將為下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域提供更可持續(xù)運(yùn)營(yíng)基礎(chǔ)

三星將提高京畿道華城13號(hào)產(chǎn)線(L13)中CIS設(shè)備比例，將部分產(chǎn)線從存儲(chǔ)器生產(chǎn)轉(zhuǎn)為CMOS影像傳感器(CIS)生產(chǎn)

華城L13主要為18nm存儲(chǔ)器產(chǎn)品產(chǎn)線，月產(chǎn)能達(dá)9.5萬(wàn)片/月，此次改產(chǎn)CIS產(chǎn)品主要為調(diào)節(jié)DRAM供應(yīng)量以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求變化

美國(guó)工廠方面，德克薩斯州泰勒建廠的稅收激勵(lì)申請(qǐng)，已經(jīng)獲得批準(zhǔn)，三星方面將因此獲得48億美元的稅收激勵(lì)

計(jì)劃在2024年下半年投入運(yùn)營(yíng)，目前已開(kāi)始訂購(gòu)這一工廠潔凈室所需的設(shè)備，部分在2024年1月開(kāi)始交付

韓國(guó)工廠方面，將進(jìn)一步擴(kuò)大DRAM和晶圓代工的晶圓產(chǎn)能，將至少增加10臺(tái)EUV設(shè)備，預(yù)計(jì)平澤的P3晶圓廠將擴(kuò)產(chǎn)至每月生產(chǎn) 7萬(wàn)片12英寸晶圓，且將生產(chǎn)業(yè)界最先進(jìn)的12納米的DDR5，主要向數(shù)據(jù)中心和人工智能等客戶供貨

4. 美光科技

單季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收40.85億美元，同比下滑46.9%，環(huán)比下滑38.5%，低于彭博一致預(yù)期的42.59億美元

毛利率為22.9%，低于前期指引中位數(shù)(26%)

分產(chǎn)品來(lái)看，DRAM產(chǎn)品收入28.29億美元(占比69%)，出貨量及ASP均出現(xiàn)下滑，其中位元出貨量環(huán)比約下降24%-26%，ASP 環(huán)比約下降21%-23%

NAND產(chǎn)品收入11.03億美元(占比27%)，位元出貨量環(huán)比下降約14%-16%，ASP環(huán)比下降約21%-23%，主要系終端市場(chǎng)需求持續(xù)疲軟，下游客戶仍處庫(kù)存調(diào)整階段

庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)環(huán)比上升93天至214天，預(yù)期將進(jìn)一步提升達(dá)到頂峰

削減2023財(cái)年資本支出至70-75億美元(此前計(jì)劃為80億美元)，同比降幅達(dá)38-42%，設(shè)備支出同比下降超50%

5. SK海力士

開(kāi)發(fā)DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM)樣品，其最低數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)8Gbps，較之前DDR5產(chǎn)品4.8Gbps速率提高67%，為業(yè)界目前最快服務(wù)器DRAM產(chǎn)品

該產(chǎn)品以英特爾MCR技術(shù)為基礎(chǔ)，利用安裝在MCR DIMM上的數(shù)據(jù)緩沖器同時(shí)運(yùn)行兩個(gè)內(nèi)存列，每次可向CPU傳輸128個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)，推動(dòng)數(shù)據(jù)傳輸速度提高至8Gbps以上，為單個(gè)DRAM兩倍

該產(chǎn)品推出彰顯DDR5技術(shù)取得長(zhǎng)足進(jìn)步

6. 西部數(shù)據(jù)

召開(kāi)2022年“數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，賦能智駕未來(lái)”汽車技術(shù)論壇，并推出兩款車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品iNAND EU321/EM132

其中EU321為第一代車規(guī)級(jí)UFS EFD產(chǎn)品，使用96層3D NAND技術(shù)與iNAND SmartSLC 5.1架構(gòu)，容量為16GB-256GB，讀取速度最高可達(dá)800MB/s，寫入速度最高可達(dá)550MB/s，隨機(jī)讀寫IOPS達(dá)到50/52K

EM132為車規(guī)級(jí)嵌入式eMMC存儲(chǔ)設(shè)備，使用64層BiCS3 3D TLC NAND閃存打造，容量為16GB-256GB，讀速高達(dá)310MB/s

西部數(shù)據(jù)持續(xù)擴(kuò)充e.MMC、UFS、microSD、SSD及HDD等全線存儲(chǔ)產(chǎn)品布局，積極滿足單車智能與網(wǎng)聯(lián)賦能創(chuàng)新融合下的車路云一體化發(fā)展需求

7. 高通

推出最新“高通Wi-Fi 7沉浸式家庭聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)”方案和“QCX216 LTE物聯(lián)網(wǎng)調(diào)制解調(diào)器”，賦能快速、強(qiáng)大、高性能的全新一代物聯(lián)網(wǎng)解決方案

推出Snapdragon Ride Flex，行業(yè)首款同時(shí)支持?jǐn)?shù)字座艙和ADAS的可擴(kuò)展系列SoC，賦能高度可擴(kuò)展且安全的駕駛輔助和自動(dòng)駕駛體驗(yàn)

高通的Snapdragon Ride第一代已實(shí)現(xiàn)商用，下一代Snapdragon Ride平臺(tái)和集成式Snapdragon Ride視覺(jué)軟件棧已面向主要汽車一級(jí)供應(yīng)商出樣，預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)

希望2023年減少在更成熟的業(yè)務(wù)領(lǐng)域的支出，并將這些資源和資金重新分配給汽車和物聯(lián)網(wǎng)，并對(duì)某些職能部門進(jìn)行了選擇性裁員。在裁員的同時(shí)，還放慢了招聘的步伐

8. 聯(lián)發(fā)科

發(fā)布天璣8200 5G移動(dòng)芯片，采用臺(tái)積電先進(jìn)的4nm制程，八核CPU架構(gòu)包含4個(gè)Cortex-A78大核，搭載Mali-G610六核GPU，主頻最高達(dá)到3.1GHz

發(fā)布Genio700物聯(lián)網(wǎng)八核芯片組，采用6nm工藝，預(yù)計(jì)2023年二季度實(shí)現(xiàn)商用

9. Qorvo

將在CES上展示其最新的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)，智能家居，5G，Wi-Fi，超寬帶(UWB)，傳感器和電源產(chǎn)品，可為消費(fèi)電子、通信、寬帶和汽車/電動(dòng)汽車等廣泛應(yīng)用提供更多的數(shù)據(jù)容量、始終在線的可靠性和低延遲

將在CES上展示基于超寬帶(UWB)的室內(nèi)導(dǎo)航演示，該導(dǎo)航系統(tǒng)提供了高度精確的設(shè)備網(wǎng)絡(luò)，用于定位GPS和其他衛(wèi)星技術(shù)無(wú)法涉足的多層建筑，停車場(chǎng)和地下等特殊位置

10. Skyworks

推出了業(yè)界效率最高的Wi-Fi前端模塊(FEM)產(chǎn)品組合，可滿足下一代企業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品中Wi-Fi 6/6E設(shè)備在功率、性能和散熱方面的要求

Skyworks與Broadcom合作，將使Skyworks ICETM FEM在處理速度，延遲和系統(tǒng)級(jí)電源效率方面產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性的改進(jìn)

11. 英飛凌

推出業(yè)界首款PFC和混合反激二合一IC，可提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能

將未來(lái)幾年的營(yíng)收預(yù)估成長(zhǎng)率從9%上調(diào)至10%

擬投資數(shù)十億歐元收購(gòu)新公司，用以在功率半導(dǎo)體、傳感器、軟件以及人工智能等多個(gè)領(lǐng)域擴(kuò)大其產(chǎn)品組合

12. 安森美

車用芯片供不應(yīng)求預(yù)計(jì)大幅擴(kuò)產(chǎn)，最新EliteSiC碳化硅系列方案帶來(lái)領(lǐng)先業(yè)界的高能效

根據(jù)DIGITIMES 12月21日消息，全球車用芯片市場(chǎng)的需求強(qiáng)勁，芯片廠商供不應(yīng)求，CEO表示，旗下碳化硅芯片產(chǎn)品在2023 年底以前的庫(kù)存都已銷售一空，正在擴(kuò)產(chǎn)當(dāng)中，預(yù)計(jì)2023年產(chǎn)能將大幅增加30%

在美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上，安森美將展示其碳化硅系列EliteSiC的3款新產(chǎn)品

一款1700 V EliteSiC MOSFET，最大Vgs范圍為-15V/25V，擁有更高的擊穿電壓

兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管，能夠在高溫高壓下穩(wěn)定運(yùn)行、并由SiC賦能更高能效

EliteSiC系列碳化硅(SiC)功率模塊已被起亞(Kia Corporation)選中用于EV6 GT車型，該模塊實(shí)現(xiàn)了高效電根據(jù)安源轉(zhuǎn)換，并使電動(dòng)車的續(xù)航里程增加了5%

13. 意法半導(dǎo)體

推出100W無(wú)線充電器接收芯片，新型STWLC99器件可在30分鐘內(nèi)將一部電池容量最大的高端智能手機(jī)充滿電，刷新市場(chǎng)記錄

意法半導(dǎo)體宣布對(duì)創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)公司Soitec進(jìn)行產(chǎn)前認(rèn)證，以面向未來(lái)的8英寸碳化硅襯底制造。該舉將推動(dòng)公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務(wù)， 并在中期實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

Jean-Marc Chery等意法半導(dǎo)體高管于11月訪華，與長(zhǎng)安汽車、賽力斯汽車、寧德時(shí)代、固德威、威邁斯新能源、埃泰克汽車電子等客戶深入交流，并實(shí)地考察了國(guó)產(chǎn)新能源汽車品牌賽力斯汽車和龍頭車企長(zhǎng)安汽車，中國(guó)區(qū)總裁表示，此次拜訪表明公司對(duì)高速增長(zhǎng)的中國(guó)汽車和工業(yè)市場(chǎng)充滿信心

意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部Luca Sarica表示，軟件定義電動(dòng)汽車中用到的半導(dǎo)體器件單車總價(jià)值在1500至2000美元之間，是傳統(tǒng)汽車半導(dǎo)體單車的3-4倍。官方稱，將持續(xù)加強(qiáng)汽車領(lǐng)域投入，提高碳化硅和FD-SOI工藝的制造能力

14. 羅姆

開(kāi)發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET，長(zhǎng)度1毫米，寬0.6毫米，功耗降低20%，可幫助提高無(wú)線耳機(jī)和可穿戴設(shè)備等輕薄小型設(shè)備的效率和運(yùn)行安全性

采用自有的電路和器件技術(shù)TDACCTM開(kāi)發(fā)出有助于安全工作和減少功率損耗的小型智能功率器件，通過(guò)替代機(jī)械繼電器和 MOSFET實(shí)現(xiàn)汽車和工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)所需的功能安全

第4代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車逆變器，從2025年起將向全球電動(dòng)汽車供貨，助力延長(zhǎng)續(xù)航里程和系統(tǒng)的小型化

15. Wolfspeed

與一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)延長(zhǎng)碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議，目前協(xié)議價(jià)值約2.25億美元。Wolfspeed將為該公司提供150毫米碳化硅晶圓和外延片，助力該企業(yè)從硅基半導(dǎo)體功率器件向碳化硅轉(zhuǎn)型

CEO表示，從內(nèi)燃機(jī)轉(zhuǎn)向電動(dòng)車的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)將不會(huì)停止，功率半導(dǎo)體尤其是SiC市場(chǎng)將在2022年至2030年以14%的CAGR高速發(fā)展

將為奔馳未來(lái)的電動(dòng)車平臺(tái)供應(yīng)SiC器件，產(chǎn)品將集成在奔馳幾條電動(dòng)車產(chǎn)線的下一代動(dòng)力系統(tǒng)中，助力提升系統(tǒng)效率。相應(yīng)的 SiC功率器件將在北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆工廠及紐約馬西莫霍克谷8英寸工廠生產(chǎn)

16. 德州儀器

位于猶他州Lehi的最新12吋晶圓廠LFAB于12月22日開(kāi)始量產(chǎn)，早于原先預(yù)估的23年初，這是TI2022年投入量產(chǎn)的第二家12 吋晶圓廠

LFAB支持65及45納米技術(shù)，全面投產(chǎn)后每天將制造數(shù)千萬(wàn)顆芯片

計(jì)劃后續(xù)對(duì)Lehi晶圓廠總投資額將達(dá)到30億~40億美元，將生產(chǎn)各類嵌入式處理芯片，主要滿足再生能源、電動(dòng)車及太空望遠(yuǎn)鏡等需求

為維持新廠稼動(dòng)率，TI進(jìn)行價(jià)格調(diào)整，市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技表示2023年上半年整體消費(fèi)電子供應(yīng)鏈持續(xù)進(jìn)行去庫(kù)存化，預(yù)期所有廠商仍將面臨產(chǎn)品訂價(jià)方面的壓力

17. 臺(tái)積電

4納米方面，亞利桑那州的第一個(gè)晶圓廠計(jì)劃于2024年開(kāi)始生產(chǎn)

3納米方面，12月29日在新竹晶圓18廠開(kāi)展舉行3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，董事長(zhǎng)于典禮上表示，目前3納米制程良率已與5納米量產(chǎn)同期相當(dāng)，預(yù)計(jì)從3納米制程量產(chǎn)首年開(kāi)始，每年帶來(lái)的收入都會(huì)大于同期的5納米

計(jì)劃于美國(guó)亞利桑那州開(kāi)啟建設(shè)第二個(gè)晶圓廠，計(jì)劃于2026年開(kāi)始生產(chǎn)3納米工藝技術(shù)

1納米方面，新廠將落地竹科桃園龍?zhí)?，目?biāo)2026年中開(kāi)始動(dòng)土，最快2027年試產(chǎn)，2028年量產(chǎn)，屆時(shí)臺(tái)積電海外廠區(qū)最先進(jìn)制程為3納米，而1納米制程將留在臺(tái)灣本土

18. 阿斯麥

投資者會(huì)議上宣布2025年至2026年的年產(chǎn)能將提高到90臺(tái)EUV光刻系統(tǒng)和600臺(tái)DUV光刻系統(tǒng)，同時(shí)2027年至2028年High-NA EUV系統(tǒng)的產(chǎn)能也將提高到20臺(tái)

到22年底，ASML預(yù)計(jì)供貨EUV光刻設(shè)備達(dá)180臺(tái)，備受矚目的High-NA EUV的初期版本預(yù)計(jì)將于23年底推出，并于2025年底正式商用

將擴(kuò)大在臺(tái)灣地區(qū)的投資，臺(tái)灣地區(qū)新工廠預(yù)計(jì)將在23年7月動(dòng)工，一期投資將達(dá)到300億新臺(tái)幣(約合人民幣68.8億元)，是該公司在當(dāng)?shù)氐淖畲笸顿Y，并計(jì)劃把歐洲供應(yīng)鏈帶到臺(tái)灣地區(qū)

19. 泛林半導(dǎo)體

計(jì)劃將更多業(yè)務(wù)遷出中國(guó)，被迫縮減在華業(yè)務(wù)停止向中國(guó)客戶發(fā)貨，并開(kāi)始在中國(guó)區(qū)裁員約10%。受美國(guó)出口限制新規(guī)影響，其2023年總營(yíng)收或?qū)p少20億-25億美元

已從Gruenwald Equity和其他投資者手中收購(gòu)全球濕法加工半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商SEMSYSCO GmbH

隨著SEMSYSCO的加入，泛林集團(tuán)獲得的先進(jìn)封裝能力是高性能計(jì)算(HPC)、人工智能(AI)和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的前沿邏輯芯片和基于小芯片的理想解決方案

20. 盛美半導(dǎo)體

盛美上海推出了一款擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Ultra Pmax TM等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備，拓展了一個(gè)重要的全新產(chǎn)品分類，預(yù)計(jì)將在幾周內(nèi)向中國(guó)的一家集成電路客戶交付其首臺(tái)PECVD設(shè)備

首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的涂膠顯影Track設(shè)備Ultra LITH于22年12月成功出機(jī)，順利向中國(guó)國(guó)內(nèi)客戶交付首臺(tái)前道ArF工藝涂膠顯影Track設(shè)備，該設(shè)備由盛美半導(dǎo)體設(shè)備(亞太)制造中心完成出貨，提升在涂膠和顯影領(lǐng)域內(nèi)專業(yè)技術(shù)