近期半導(dǎo)體外圍利空不斷，最為重要的就是光刻機(jī)和華為供應(yīng)商禁售的消息：

消息一：彭博社引述消息人士指，美國、荷蘭及日本官員27日在華盛頓結(jié)束會議，三方就限制先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備出口到中國達(dá)成協(xié)議。報道指，根據(jù)協(xié)議，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥將不會出售制造芯片的光刻機(jī)給中國企業(yè)。日本也會限制尼康、東京電子等公司出口半導(dǎo)體制造設(shè)備到中國。美國白宮未有正面回應(yīng)，只是表示會議討論了對三方都很重要的議題。而荷蘭外交部、日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省以及尼康都拒絕作出評論，東京電子公司也未有回應(yīng)。

消息二：1月31日消息，據(jù)路透社報道，隨著美國政府加大對中國科技行業(yè)的打擊力度，拜登政府正在考慮切斷華為與其所有美國供應(yīng)商的所有聯(lián)系，包括英特爾公司和高通公司。另據(jù)英國《金融時報》周一援引知情人士的話報道稱，美國政府已暫停對美國部分企業(yè)核發(fā)向華為供貨的許可證。目前美國商務(wù)部已通知部分企業(yè)，商務(wù)部將不再核發(fā)許可證。

若這項(xiàng)政策獲得通過，所有美國供應(yīng)商向華為供貨的許可證申請，都將被拒絕。有知情人士表示，先前可能早獲批準(zhǔn)的4G芯片，現(xiàn)在也在限制之列。

這是讓華為連4G手機(jī)都造不出了！有知情人士表示，美國將禁止向華為提供包括4G，WiFi 6和7，人工智能，以及高性能計算以及云計算等相關(guān)領(lǐng)域的產(chǎn)品。再往極端的一面看，全面禁止高通、Intel等與華為的合作，意味著華為手機(jī)業(yè)務(wù)、PC業(yè)務(wù)將會再次面臨嚴(yán)峻考驗(yàn)。這已經(jīng)不是單純有沒有5G的問題，可以說華為的手機(jī)、PC、平板電腦等大部分消費(fèi)級主力產(chǎn)品，都將面臨無芯可用的危機(jī)。

光刻膠的機(jī)會

前幾日，美、日、荷達(dá)成協(xié)議，組建“芯片制裁聯(lián)盟”，其中包含了ASML公司和日本尼康等，對中國芯片行業(yè)進(jìn)一步進(jìn)行封鎖，之前的重點(diǎn)是光刻機(jī)以及臺積電代工的封鎖，現(xiàn)在拉攏日韓，開始從材料端進(jìn)行打壓，而在芯片制造環(huán)節(jié)，我認(rèn)為材料遠(yuǎn)重要于設(shè)備。在我國未被封鎖之前，其實(shí)已經(jīng)購入大量的半導(dǎo)體設(shè)備，即使現(xiàn)在無法繼續(xù)購買，再使用五年十年是不成問題的，未來可能國產(chǎn)設(shè)備已經(jīng)能趕上了，而我國半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化率極低，主要依靠進(jìn)口，不同于設(shè)備而言可以使用多年，材料用完了就徹底無法制造了，而我國半導(dǎo)體材料主要進(jìn)口大國就是日韓，所以這次美國新的制裁聯(lián)盟，將直接影響我國芯片行業(yè)的發(fā)展，影響遠(yuǎn)大于設(shè)備制裁。今天主要聊一下光刻膠。

一、基本知識

光刻膠是半導(dǎo)體制造光刻工藝的關(guān)鍵材料。光刻膠為利用光化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行微細(xì)加工圖形轉(zhuǎn)移的媒體，由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等主要成分組成的對光敏感的感光材料，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。光刻膠按照用途主要分為半導(dǎo)體用光刻膠、平板顯示用光刻膠和PCB 光刻膠三類。不同品類半導(dǎo)體用光刻膠應(yīng)用于不同制程節(jié)點(diǎn)。光刻膠根據(jù)對應(yīng)波長，主要品類分為紫外光譜（300-450nm）、g-line（436nm）、i-line（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）和 EUV（13.5nm）。目前 g-line、i-line 廣泛應(yīng)用于0.5um以上和0.5-0.35um 制程，KrF 多應(yīng)用于 0.25-0.13um，ArF 應(yīng)用于130-7nm，EUV應(yīng)用于7nm 及以下。

二、市場前景

全球光刻膠市場與國內(nèi)光刻膠市場穩(wěn)定擴(kuò)增。根據(jù)reportlinker 數(shù)據(jù)，2021 年市場規(guī)模約92 億美元，預(yù)計2026年將達(dá)到 123 億美元，2019-2026 年 CAGR 值為 5.9%。根據(jù)中商情報網(wǎng)數(shù)據(jù)，2017年中國光刻膠市場規(guī)模為 58.7 億元，2021 年中國光刻膠市場規(guī)模為93.3億元，預(yù)計 2022 年達(dá)到 98.7 億元，2017-2022CAGR 值為10.9%，保持穩(wěn)定增長，而從數(shù)據(jù)上看我國光刻膠市場增速遠(yuǎn)高于全球增速，在我國屬于高景氣疊加國產(chǎn)替代雙邏輯。

從細(xì)分上看，出貨量 EUV 光刻膠 CAGR 增速最快，KrF、ArFi 保持高增速。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，2020-2025 年CAGR 中，EUV光刻膠增速最高為 51.8%，KrF、ArFi 分別為 8.5%和 6.5%，g&i line、ArF 增速為2%、1.8%。

三、國產(chǎn)替代現(xiàn)狀

國內(nèi)光刻膠生產(chǎn)集中于 PCB 光刻膠，半導(dǎo)體光刻膠和平板顯示光刻膠具有廣闊的國產(chǎn)替代空間。根據(jù) Research in China 數(shù)據(jù)，全球光刻膠市場三大組成部分是半導(dǎo)體光刻膠、平板顯示光刻膠和 PCB 光刻膠，市場份額分別為23.3%、25.9%和23.6%。半導(dǎo)體光刻膠在三者中是技術(shù)難度相對高、成長性好的細(xì)分市場。目前我國半導(dǎo)體光刻膠和平板顯示光刻膠制造能力仍較弱，只占整體生產(chǎn)結(jié)構(gòu)的2%和3%，主要生產(chǎn)技術(shù)水平較低的 PCB 用光刻膠，占整體生產(chǎn)結(jié)構(gòu)中的94%，半導(dǎo)體光刻膠及面板光刻膠國產(chǎn)替代空間廣闊。

2022-2025 年是國內(nèi)晶圓廠產(chǎn)線投產(chǎn)期，外部壓力增大，國產(chǎn)光刻膠進(jìn)入認(rèn)證窗口。受益于5G 通訊、新能源汽車等行業(yè)快速發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入迅速擴(kuò)張期。據(jù)SEMI 統(tǒng)計，預(yù)計至2024年底，中國國內(nèi)將建立 31 座大型晶圓廠，主要集中于成熟制程，隨著晶圓廠產(chǎn)線投產(chǎn)，光刻膠驗(yàn)證進(jìn)入導(dǎo)入期。

同時，光刻膠配套材料市場規(guī)模不斷提升。在光刻膠使用過程中，光刻膠配套材料是光刻膠使用過程中不可或缺的一部分。包括稀釋劑、顯影液、漂洗液、蝕刻液、去膠液等，主要采用基礎(chǔ)化工原料，包括氫氟酸、異丙醇、硝酸、氫氧化鉀、四甲基氫氧化銨、無水乙醇、雙氧水、硫酸、氫氧化鈉等制造。根據(jù)SEMI 數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體光刻膠配套材料市場規(guī)模穩(wěn)步增長，2016 年為19.1 億美元，2021年達(dá)到了 32.3 億美元，CAGR 為 11.1%。

四、投資方向

國內(nèi)知名光刻膠企業(yè)包括南大光電、晶瑞電材、彤程新材、上海新陽等，但實(shí)力都是比較一般，目前沒有很出色的企業(yè)，所以如果想進(jìn)行投資，最好尋找其他業(yè)務(wù)比較強(qiáng)勢而且業(yè)務(wù)涉及光刻膠的企業(yè)進(jìn)行投資。由于我國光刻膠產(chǎn)業(yè)起步較晚，目前市場份額占比較低，未來仍有很大的空間，但這個空間能夠提升多少，還得看各大企業(yè)的努力了，投資的是中國芯片強(qiáng)國夢想，但不得不承認(rèn)我們的起點(diǎn)太低，進(jìn)步太慢，將概念轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí)的時間無法確定，可能是明天，也可能是十年后，所以不確定性較高，但因?yàn)楣饪棠z國產(chǎn)替代迫在眉睫，未來是否有特別強(qiáng)力的政策支持，可以拭目以待，賽道是好賽道，未來有未來，就看怎么實(shí)現(xiàn)了

半導(dǎo)體材料端機(jī)會：靶材

一、基本知識

靶材是 PVD 的核心材料。物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition）技術(shù)是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，是利用物理方法在基板表面沉積薄膜的方式，根據(jù)沉積方式的不同，PVD 分為濺射法和蒸鍍法，被沉積的材料稱為靶材。

靶材產(chǎn)業(yè)鏈可以分為金屬提純、靶材制造、鍍膜和終端應(yīng)用四個環(huán)節(jié)。首先是金屬提純，原材料鋁、銅、鉭、鈦等金屬以金屬提純方式形成高純金屬，作為靶材制造的原材料；第二環(huán)節(jié)是靶材制造，將高純金屬通過加工形成濺射靶材，制造好的靶材包括靶坯和背板兩部分，靶坯是濺射靶材的主體，背板起固定靶坯的作用。第三個環(huán)節(jié)是鍍膜，以濺射鍍膜為例，以高速離子束流轟擊靶坯，濺射出靶坯表面原子，沉積于基板從而制成電子薄膜，電子薄膜按照應(yīng)用不同有不同分類；最后將薄膜材料應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、信息存儲、光學(xué)元器件、薄膜太陽能等不同領(lǐng)域。

二、市場前景

靶材市場主要分布于平板顯示、記錄媒體、太陽能電池和半導(dǎo)體四大領(lǐng)域，其中半導(dǎo)體占比約 10%。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，截至2021 年，四大領(lǐng)域靶材市場占比約 94%，其中平板顯示、記錄媒體和太陽能電池占比較高，分別為34%、29%和 21%，半導(dǎo)體占比約 10%。

根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體靶材市場規(guī)模整體保持增長態(tài)勢。2021 年為16.95億美元，同比增長超過 20%，其中晶圓制造用靶材 10.5 億美元，封裝用靶材6.45億美元。根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，2021 年中國半導(dǎo)體靶材市場約63.1億元，預(yù)計2022年中國半導(dǎo)體靶材的市場規(guī)模將達(dá)到 75.1 億元，同比增長19%，2018-2022 年，中國半導(dǎo)體靶材市場規(guī)模一直保持較快增速，CAGR 值為 22.1%。一方面系消費(fèi)電子、5G、新能源等半導(dǎo)體下游應(yīng)用快速發(fā)展，另一方面由于國內(nèi)政策推動了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步向國內(nèi)轉(zhuǎn)移。

靶材在晶圓制造與芯片封裝中均有應(yīng)用。先進(jìn)制程的發(fā)展將刺激銅靶、鉭靶的需求量增加，而汽車電子所需的功率芯片通常 110nm 以上制程即可滿足，鋁靶、鈦靶將受益于汽車電子發(fā)展。

三、國產(chǎn)替代現(xiàn)狀

靶材市場主要被世界巨頭壟斷，國產(chǎn)公司成長迅速。由于濺射鍍膜工藝起源于國外，國外靶材公司相較于國內(nèi)擁有更長時間的成長歷史和技術(shù)積淀，在靶材市場處于主導(dǎo)地位，根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，截至 2021 年，美日頭部靶材企業(yè)占據(jù)了全球市場的 80%，其中 日礦金屬、霍尼韋爾、東曹和普萊克斯分別占比30%、20%、20%和 10%。

國內(nèi)企業(yè)雖然處于國產(chǎn)替代初期，但頭部廠商成長迅速，目前江豐電子、有研新材、阿石創(chuàng)、隆華科技等在下游各領(lǐng)域頭部企業(yè)均打開了一定市場，市場份額在1%-3%左右，但是中國大部分靶材行業(yè)企業(yè)主要生產(chǎn)的是低附加值的中低檔產(chǎn)品，產(chǎn)品呈現(xiàn)多品種、小批量、生產(chǎn)周期長的特點(diǎn)，未來還有很大的空間。

國家政策推進(jìn)靶材發(fā)展，推動靶材國產(chǎn)化。近年來，國家不斷出臺新的政策法規(guī)，來推動靶材行業(yè)國產(chǎn)化的發(fā)展，特別是集成電路產(chǎn)業(yè)的靶材國產(chǎn)化。2021年頒布的《“十四五”規(guī)劃和 2035 年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中，重點(diǎn)提到了集成電路攻關(guān)方面，高純靶材為重點(diǎn)攻關(guān)方向之一，國家政策的大力扶持進(jìn)一步助力靶材產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)替代發(fā)展。

四、投資方向

個人認(rèn)為，在品種方面，3nm制程量產(chǎn)，晶圓制造朝著更小的制程方向發(fā)展，銅和鉭靶材的需求有望提高。下圖是主流靶材公司的匯總。

短期的投資更多是靠技術(shù)面和資金面，但如果看向未來長期投資，靶材無疑也是比較優(yōu)質(zhì)的賽道，和光刻膠一樣，也是受美、日所制約，國產(chǎn)替代的緊迫性會更加強(qiáng)烈

半導(dǎo)體材料機(jī)會：硅片

一、基本知識

硅片是半導(dǎo)體器件的主要載體，在半導(dǎo)體材料占比最高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料。硅片位于半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈上游。在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈中，硅片是基礎(chǔ)材料，位于制造產(chǎn)業(yè)鏈的上游，集成電路結(jié)構(gòu)是以硅片為基礎(chǔ)搭建而成的，硅片是芯片制造的核心原材料。

應(yīng)用最廣的三類硅片是拋光片、外延片與以 SOI 硅片。拋光片直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI 硅片的襯底材料；外延片是由拋光片經(jīng)過外延生長而形成，常在CMOS 電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等，也應(yīng)用于應(yīng)用于二極管、IGBT 等功率器件的制造；SOI 硅片是由拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成，具備耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高等特點(diǎn)，主要應(yīng)用于智能手機(jī)、WiFi 等無線通信設(shè)備的射頻前端芯片，也應(yīng)用于功率器件、傳感器、硅光子器件等芯片產(chǎn)品，價格是一般硅片的 4-5 倍。下圖是不同尺寸硅片的應(yīng)用領(lǐng)域。

二、市場前景

2015年至2020年，我國半導(dǎo)體市場規(guī)模從824億美元增長至 1638 億美元，年均復(fù)合增長率約為 14.74%。2021 年，我國半導(dǎo)體市場銷售額達(dá)到 1925億美元。

歷史上半導(dǎo)體行業(yè)的年均增速高于電子系統(tǒng)整體市場，主要驅(qū)動力是電子系統(tǒng)中使用的半導(dǎo)體的含量不斷增加。比如隨著全球手機(jī)、汽車和個人電腦出貨量增長趨于成熟和放緩，電子系統(tǒng)市場 2011-2021 年的年均復(fù)合增長率為3.5%，而半導(dǎo)體行業(yè) 2011-2021 年的年均復(fù)合增長率為 6.5%。根據(jù)IC Insights 的數(shù)據(jù)，2021年電子系統(tǒng)中的半導(dǎo)體含量提高到了 33.2%，創(chuàng)歷史新高，同時預(yù)期終值將超過40%。在半導(dǎo)體含量推動作用下，硅片出貨面積呈上升趨勢，根據(jù)SEMI 的數(shù)據(jù)，2021 年全球硅片出貨面積 141.65 億平方英寸，創(chuàng)歷史新高。下圖是各尺寸半導(dǎo)體需求量圖，可以看出大尺寸硅片逐漸成為市場主流。

根據(jù)摩爾定律，集成電路上的晶體管每隔 18 個月要翻一倍，相對應(yīng)的成本就下降一半，而大尺寸硅片能夠提高單個硅片上集成的芯片數(shù)量，芯片尺寸越小，硅片尺寸越大，單個芯片的制造成本越低，可以顯著降低邊際成本。因此，制程的不斷縮小推動硅片向大尺寸發(fā)展。根據(jù)IC insight 預(yù)測，2021-2024年，全球芯片制造產(chǎn)能中 10nm 以下制程占比迅速上升。2021 年，10nm 以下制程占比為 16%，2024 年將上升至 29%，而先進(jìn)制程基本是以12 英寸硅片為主，先進(jìn)制程的發(fā)展將刺激 12 英寸硅片需求。

三、國產(chǎn)替代現(xiàn)狀

2018年我國半導(dǎo)體硅片市場 規(guī)模為172.1億元人民幣，2021年達(dá)到250.5億。根據(jù)測算，2021年國內(nèi)市場仍有130億元人民幣依賴進(jìn)口，國產(chǎn)替代空間巨大。未來隨著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和產(chǎn)業(yè)生態(tài)的持續(xù)完善，市場規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大，預(yù)計到2025年我國半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模將超過400億元人民幣。

目前國內(nèi) 8 in 硅片技術(shù)已可以滿足國內(nèi)需求，正處于產(chǎn)能釋放階段，國產(chǎn)化率不斷提高；12 in硅片已批量進(jìn)入市場，技術(shù)水平逐步提高，產(chǎn)業(yè)配套能力顯著增強(qiáng)。而目前我國功率芯片用重?fù)?8 in 硅片、12 in 硅片技術(shù)水平與國際水平相當(dāng)，邏輯芯片、存儲芯片等各類半導(dǎo)體需求的硅片技術(shù)水平達(dá)到28 nm半導(dǎo)體制程要求，實(shí)現(xiàn)批量供貨，先進(jìn)制程用硅片得到驗(yàn)證和應(yīng)用。

從芯片法案中看，在硅片制造方面，供應(yīng)我國半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè)所需關(guān)鍵檢測設(shè)備、關(guān)鍵零部件、關(guān)鍵原輔材料供應(yīng)可能受影響，關(guān)鍵人才引進(jìn)難度更大，同時產(chǎn)品進(jìn)入美國等供應(yīng)體系預(yù)計將受到較大限制，國內(nèi)硅片企業(yè)在國際上的競爭力受到影響。

國內(nèi)企業(yè)的產(chǎn)業(yè)規(guī)模、技術(shù)水平、盈利能力等方面與國際領(lǐng)先企業(yè)仍存在很大差距。從產(chǎn)業(yè)規(guī)?？?，國外幾家大廠的12 in硅片產(chǎn)能在100萬片/ 月以上，而且連續(xù)多年穩(wěn)定出貨，技術(shù)水 平可以覆蓋全部下游技術(shù)節(jié)點(diǎn)，產(chǎn)品種類包括拋 光片、外延片、退火片等，可以滿足所有半導(dǎo)體產(chǎn)品需要，綜合毛利率長期保持在40%以上，具有穩(wěn)定良好的盈利能力。截止2022年年底，國內(nèi)企業(yè)目前單一產(chǎn)出不超過30萬片/月，先進(jìn)制程產(chǎn)品仍以研發(fā)為主，技術(shù)水平與國外領(lǐng)先水平尚有較大差距，產(chǎn)品品種少，質(zhì)量穩(wěn)定性仍需提高，中國企業(yè) 的12 in硅片尚未進(jìn)入三星等全球前10的半導(dǎo)體芯片制造公司。

目前12 in 硅片制造所需關(guān)鍵顆粒測試設(shè)備、最終拋光液、包裝片盒等關(guān)鍵設(shè)備和原輔材料依然依賴進(jìn)口，國內(nèi)企業(yè)差距大，存在被“卡脖子”風(fēng)險，產(chǎn)業(yè)鏈安全存在一定風(fēng)險，這些因素也導(dǎo)致 12 in 硅片產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)投資大、運(yùn)行成本高。已國產(chǎn)化設(shè)備、原輔材料的質(zhì)量性能仍有差距，在12 in硅片產(chǎn)線的推廣使用少，制約國內(nèi)12 in硅片產(chǎn)業(yè)的競爭力。

四、投資方向

目前，上海硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司 12 in 硅片已實(shí)現(xiàn)批量供貨，規(guī)劃在現(xiàn)有每月30萬片產(chǎn)能基礎(chǔ)上再增30萬片產(chǎn)能，同時每年新增312萬片8 in半導(dǎo)體拋光片產(chǎn)能。

TCL中環(huán)新能源科技股份有限公司在12 in硅片17萬片/月、8 in硅片75萬片/ 月產(chǎn)能基礎(chǔ)上，規(guī)劃到2023年年底建成12 in硅片60萬片/月、8 in硅片100萬片/月的產(chǎn)能。

浙江立昂微電子股份有限公司已建成 8 in 拋光片27萬片/月，12 in硅片15萬片/月的產(chǎn)能，在建年產(chǎn) 180萬片12 寸硅片、年產(chǎn) 12萬片8 in 硅片項(xiàng)目。

杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司已建成 400萬片/月8 in硅片產(chǎn)能，在建年產(chǎn)120萬片8 in、年產(chǎn)24萬片12 in外延片項(xiàng)目。

有研半導(dǎo)體硅材料股份公司完成了集成電路大硅片產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)，8 in硅片批量供貨，其30萬片/月12 in硅片規(guī)?；a(chǎn)線正在建設(shè)。

在大硅片上，我國各大產(chǎn)商都在快速布局，雖然種類較少，穩(wěn)定性較差，但相對于其他分支而言發(fā)展較快，目前主要受制于制造硅片的設(shè)備和材料存在被禁止出口的風(fēng)險，而硅片作為半導(dǎo)體的基石，如果缺少硅片，相當(dāng)于整個產(chǎn)業(yè)鏈癱瘓，其重要性不言而喻，目前主要相關(guān)公司估值和價格都不是很高，可能是個不錯的布局機(jī)會

我會在 公眾號：海涵財經(jīng) 每天更新最新的醫(yī)療新基建、一體化壓鑄、 汽車智能化，激光雷達(dá)，HUD，車規(guī)芯片，空氣懸掛、L3級智能駕駛、PET銅箔，納電池，800V高壓，光伏HJT、TOPCON、鈣鈦礦、光伏XBC、BIPV、IGBT芯片、碳化硅SIC、CTP/CTC/CTB電池、4680電池、工業(yè)母機(jī)、海風(fēng)柔直高壓、新能源車高壓快充、高鎳三元、碳纖維、PET鋁箔、PET銅箔、空氣源熱泵、新材料、中藥創(chuàng)新藥、中藥配方顆粒、鄉(xiāng)村振興、鋰礦、釩液流電池、鈉離子電池、分布式儲能、集中式儲能、抗原檢測等最新題材熱點(diǎn)挖掘，未來屬于高預(yù)期差的結(jié)構(gòu)性市場，把握核心賽道以及個股的內(nèi)在價值邏輯預(yù)期差才是根本所在。

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先贊后看，養(yǎng)成習(xí)慣

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