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近期，我國多地區(qū)半導(dǎo)體項目先后迎來新進(jìn)展，包括珠海香洲區(qū)中晟泰科半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項目，復(fù)旦大學(xué)寧波研究院重大產(chǎn)業(yè)化項目、中建三局中標(biāo)深圳某半導(dǎo)體電子廠房項目、穆棱市北一半導(dǎo)體二期投產(chǎn)等。
珠海多個地區(qū)半導(dǎo)體項目集中開工
2023年一季度，珠海多個地區(qū)半導(dǎo)體項目迎來集中開工。
香洲區(qū)中晟泰科半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項目，將圍繞第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品建設(shè)光芯片設(shè)計制造基地項目，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)出50億元。
金灣區(qū)銳駿華南半導(dǎo)體項目，總投資12億元，擬建設(shè)LED驅(qū)動芯片、功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)基地。
斗門區(qū)匯創(chuàng)達(dá)新一代電子信息創(chuàng)新基地項目，在富山工業(yè)園建設(shè)“柔性線路板”“連接器”等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新項目，達(dá)產(chǎn)后滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)年產(chǎn)值將達(dá)15億元以上，可吸引帶動上游原材料供應(yīng)商和下游企業(yè)集聚，形成相關(guān)產(chǎn)業(yè)集群。
高新區(qū)邁為泛半導(dǎo)體設(shè)備及半導(dǎo)體材料項目，計劃建設(shè)泛半導(dǎo)體激光設(shè)備研產(chǎn)基地，主要包括面向半導(dǎo)體、微型顯示、PCB 的設(shè)備研發(fā)及制造。
昆山同興達(dá)首臺SMEE光刻機(jī)順利搬入
據(jù)同興達(dá)官方消息，2月1日，昆山同興達(dá)首臺SMEE光刻機(jī)搬入。
據(jù)悉，此次搬入儀式的SMEE光刻機(jī)是昆山首臺金凸塊封測光刻機(jī)，具有較強(qiáng)延展性，可實現(xiàn)與先進(jìn)制程芯片相似功能。設(shè)備采用先進(jìn)封測裝技術(shù)，應(yīng)用于集成電路封裝技術(shù)及光電組件對外連接，屬于集成電路產(chǎn)業(yè)重要組成部分。
昆山同興達(dá)總經(jīng)理胡明翊表示，將以此“開工進(jìn)機(jī)”為契機(jī)，加快完成設(shè)備調(diào)試、樣品試制和批量投產(chǎn)，全力打造金凸塊IC先進(jìn)封裝測試制造平臺，為千燈經(jīng)濟(jì)社會高質(zhì)量發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
總投資35億！奧松半導(dǎo)體項目落戶重慶
近日，奧松半導(dǎo)體8英寸MEMS特色芯片IDM產(chǎn)業(yè)基地項目落戶西部（重慶）科學(xué)城。
西部重慶科學(xué)城消息顯示，該項目總投資35億元，擬用地200畝，包含8英寸CMOS+MEMS特色傳感器芯片量產(chǎn)線、8英寸MEMS特色晶圓快速研發(fā)線、西部成渝雙城經(jīng)濟(jì)圈智能傳感器創(chuàng)新研發(fā)中心、車規(guī)級傳感器可靠性檢測中心、產(chǎn)學(xué)研科研中心及奧松半導(dǎo)體研發(fā)辦公大樓等建設(shè)項目，技術(shù)能力覆蓋CMOS+MEMS特色工藝，可實現(xiàn)各類MEMS傳感器產(chǎn)品的研發(fā)和批量生產(chǎn)。
該項目可全面開展表面硅、體硅以及新工藝、新器件、新系統(tǒng)的研發(fā)和量產(chǎn)；具有MEMS壓阻、壓電、硅光、磁材料、MOX、微流控等相關(guān)工藝的研發(fā)和量產(chǎn)設(shè)備，大幅提升產(chǎn)品研發(fā)的成功率，實現(xiàn)產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的無縫銜接。
成都芯未半導(dǎo)體10億功率半導(dǎo)體項目廠房已封頂
近期，成都高新發(fā)展股份有限公司（以下簡稱“高新發(fā)展”）在投資者互動平臺表示，截至目前，芯未半導(dǎo)體建設(shè)各項工作進(jìn)展順利，廠房建設(shè)現(xiàn)已封頂，爭取早日實現(xiàn)投產(chǎn)。
公開消息顯示，2022年8月，成都高新西區(qū)高投芯未高端功率半導(dǎo)體器件和組件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目開工。該項目總投資約10億元，運營方為成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司，主要從事IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率半導(dǎo)體芯片及產(chǎn)品的設(shè)計、開發(fā)、銷售。項目建成投產(chǎn)后將為包括森未科技在內(nèi)的功率半導(dǎo)體設(shè)計企業(yè)提供IGBT特色授權(quán)委托加工服務(wù)，包括IGBT芯片、模組及方案組件產(chǎn)品等。
清純半導(dǎo)體研發(fā)基地啟用
2月3日，復(fù)旦大學(xué)寧波研究院重大產(chǎn)業(yè)化項目——清純半導(dǎo)體研發(fā)基地舉行啟用儀式。
清純半導(dǎo)體消息顯示，清純半導(dǎo)體研發(fā)基地總面積4600平米，建設(shè)四大實驗平臺：一樓建設(shè)器件性能測試平臺、晶圓測試及老化平臺；三樓建設(shè)可靠性及應(yīng)用平臺；四樓建設(shè)器件測試及老化平臺。實驗室總規(guī)劃面積超2500平米，配備了國際領(lǐng)先的功率器件參數(shù)測試及可靠性設(shè)備，平臺總投入近億元，具備支撐月產(chǎn)近千萬顆碳化硅器件的測試及篩選能力。
清純半導(dǎo)體成立于2021年3月，是一家碳化硅功率器件設(shè)計和供應(yīng)商。寧波前灣新區(qū)消息顯示，清純半導(dǎo)體已正式量產(chǎn)首款國產(chǎn)15V驅(qū)動SiC MOSFET，推出國內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET，同時獲得AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證并通過HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。
超73億安捷利美維項目：力爭2月底主體建筑封頂
近日，安捷利美維高端封裝基板及高端HDI生產(chǎn)能力建設(shè)項目傳來新進(jìn)展。
今日海滄消息顯示，目前安捷利美維項目建設(shè)短期目標(biāo)是力爭在2月底實現(xiàn)項目主體建筑封頂。此外，預(yù)計到2023年底項目一期將完成生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)廠安裝，一期預(yù)計2024年完成新產(chǎn)品導(dǎo)入和正式投產(chǎn)。
公開消息顯示，該項目于2022年9月在廈門海滄區(qū)開工，總投資73.8億元。
賽揚電子車規(guī)級集成電路封測項目開工
2月5日，由中億豐承建的浙江賽揚電子車規(guī)級集成電路封測項目正式開工。
據(jù)官方介紹，浙江賽揚電子車規(guī)級集成電路封裝測試項目總投資5億元，預(yù)計2024年4月竣工投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值約5億元。該項目在產(chǎn)業(yè)園的深耕發(fā)展，將對產(chǎn)業(yè)園“智能傳感谷”和傳感產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈的打造產(chǎn)生積極影響。
35億元，中建三局中標(biāo)深圳某半導(dǎo)體電子廠房項目
近日，中建三局消息稱，其中標(biāo)深圳某半導(dǎo)體項目，中標(biāo)額約35億元。
據(jù)悉，該項目位于深圳市寶安區(qū)，建成后將補(bǔ)齊深圳地區(qū)芯片制造短板，加快實現(xiàn)半導(dǎo)體關(guān)鍵領(lǐng)域和技術(shù)的自主創(chuàng)新突破和商業(yè)化運作，增強(qiáng)廣東集成電路產(chǎn)業(yè)的核心競爭力。
近年來，中建三局在全國范圍承攬電子廠房類項目80余個，業(yè)務(wù)覆蓋全國20余個城市，承建國內(nèi)半數(shù)以上大型電子廠房項目，累計建造面積近3500萬平方米，形成面板廠房、半導(dǎo)體、芯片等多個高科技專業(yè)領(lǐng)域電子廠房產(chǎn)品線。
穆棱市北一半導(dǎo)體二期投產(chǎn)
據(jù)新華網(wǎng)黑龍江頻道消息，黑龍江省重點項目之一的穆棱市北一半導(dǎo)體科技有限公司二期工程在春節(jié)伊始投入運營。
據(jù)介紹，北一半導(dǎo)體項目總投資4.3億元，分兩期建設(shè)。一期項目總投資8000萬元，建設(shè)潔凈車間1800平方米，2018年9月正式投產(chǎn)，主要產(chǎn)品為34mm、48mm、62mmIGBT模塊，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制領(lǐng)域；二期項目為黑龍江省重點項目，總投資3.5億元，建設(shè)潔凈車間8000平方米，今年1月下旬正式投產(chǎn)。新上5條現(xiàn)代化生產(chǎn)線，讓企業(yè)的生產(chǎn)規(guī)模得到大幅度提高。
據(jù)了解，北一半導(dǎo)體打造高端數(shù)字化展廳，引進(jìn)國內(nèi)外先進(jìn)制造設(shè)備生產(chǎn)IGBT、PIM、IPM、HPD等模塊及IGBT后端芯片，計劃2023年6月實現(xiàn)量產(chǎn)。目前，企業(yè)與國內(nèi)外18家客商簽訂了供貨合同，生產(chǎn)訂單已經(jīng)排到了2024年5月。
“激光晶體材料”、“泛半導(dǎo)體腔體”等3項目簽約上海
2月3日，長三角國家技術(shù)創(chuàng)新中心與上海市寶山區(qū)舉行“長三角國創(chuàng)中心-寶山區(qū)合作項目簽約大會”。
根據(jù)協(xié)議，長三角國創(chuàng)中心將與寶山區(qū)合作共建“上海長三角數(shù)字醫(yī)療技術(shù)研究所”，實施“激光晶體材料”和“泛半導(dǎo)體腔體”兩項重大產(chǎn)業(yè)化技術(shù)項目。其中：
激光晶體材料項目聚焦晶體材料鍵合核心技術(shù)和工藝的自主研發(fā)，有效提升激光器的可靠性和穩(wěn)定性，降低封裝成本，推動激光器件封裝技術(shù)的微型化發(fā)展。通過項目，計劃進(jìn)一步拓展其自主核心技術(shù)及器件產(chǎn)品在汽車級、工業(yè)級、民用消費級以及軍工等領(lǐng)域應(yīng)用。
真空腔體固態(tài)成型項目是制造光伏半導(dǎo)體器件、高端液晶面板半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵核心工藝，可為半導(dǎo)體集成電路、光伏和顯示面板制造等泛半導(dǎo)體行業(yè)提供高質(zhì)量鋁合金真空腔體。
5億元中鎧電子封裝基地項目簽約落戶青島
據(jù)萊西經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)消息，近期，山東中鎧電子科技有限公司與青島市萊西經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)管委會舉行簽約儀式。
據(jù)悉，中鎧電子封裝基地項目落戶萊西經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，計劃投資5億元，主要建設(shè)電子元器件金屬組件自動化生產(chǎn)線及電子封裝產(chǎn)業(yè)基地。
景旺電子深圳寶安半導(dǎo)體封裝基板項目開工
近日，深圳寶安區(qū)舉行一季度重大項目開工活動，總投資約915.2億元的71個新開工項目啟動，其中包括景旺電子的半導(dǎo)體封裝基板及高端高密度印制電路智能制造基地項目。
據(jù)寶安日報報道，該項目位于燕羅街道，規(guī)劃占地面積約1.8萬平方米，總建筑面積約6.9萬平方米。項目建成后主要開展半導(dǎo)體封裝基板、高端高密度印制電路板（含5G通訊用板、新能源汽車用板和新型智能終端用板等）的研發(fā)、中試和中小批量制造業(yè)務(wù)。項目預(yù)計2025年交付使用，建成后達(dá)產(chǎn)后預(yù)計可實現(xiàn)年產(chǎn)值70億元。
全球半導(dǎo)體觀察整理 Kiki
珠海多個地區(qū)半導(dǎo)體項目集中開工
2023年一季度，珠海多個地區(qū)半導(dǎo)體項目迎來集中開工。
香洲區(qū)中晟泰科半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項目，將圍繞第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品建設(shè)光芯片設(shè)計制造基地項目，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)出50億元。
金灣區(qū)銳駿華南半導(dǎo)體項目，總投資12億元，擬建設(shè)LED驅(qū)動芯片、功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)基地。
斗門區(qū)匯創(chuàng)達(dá)新一代電子信息創(chuàng)新基地項目，在富山工業(yè)園建設(shè)“柔性線路板”“連接器”等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新項目，達(dá)產(chǎn)后滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)年產(chǎn)值將達(dá)15億元以上，可吸引帶動上游原材料供應(yīng)商和下游企業(yè)集聚，形成相關(guān)產(chǎn)業(yè)集群。
高新區(qū)邁為泛半導(dǎo)體設(shè)備及半導(dǎo)體材料項目，計劃建設(shè)泛半導(dǎo)體激光設(shè)備研產(chǎn)基地，主要包括面向半導(dǎo)體、微型顯示、PCB 的設(shè)備研發(fā)及制造。
昆山同興達(dá)首臺SMEE光刻機(jī)順利搬入
據(jù)同興達(dá)官方消息，2月1日，昆山同興達(dá)首臺SMEE光刻機(jī)搬入。
據(jù)悉，此次搬入儀式的SMEE光刻機(jī)是昆山首臺金凸塊封測光刻機(jī)，具有較強(qiáng)延展性，可實現(xiàn)與先進(jìn)制程芯片相似功能。設(shè)備采用先進(jìn)封測裝技術(shù)，應(yīng)用于集成電路封裝技術(shù)及光電組件對外連接，屬于集成電路產(chǎn)業(yè)重要組成部分。
昆山同興達(dá)總經(jīng)理胡明翊表示，將以此“開工進(jìn)機(jī)”為契機(jī)，加快完成設(shè)備調(diào)試、樣品試制和批量投產(chǎn)，全力打造金凸塊IC先進(jìn)封裝測試制造平臺，為千燈經(jīng)濟(jì)社會高質(zhì)量發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
總投資35億！奧松半導(dǎo)體項目落戶重慶
近日，奧松半導(dǎo)體8英寸MEMS特色芯片IDM產(chǎn)業(yè)基地項目落戶西部（重慶）科學(xué)城。
西部重慶科學(xué)城消息顯示，該項目總投資35億元，擬用地200畝，包含8英寸CMOS+MEMS特色傳感器芯片量產(chǎn)線、8英寸MEMS特色晶圓快速研發(fā)線、西部成渝雙城經(jīng)濟(jì)圈智能傳感器創(chuàng)新研發(fā)中心、車規(guī)級傳感器可靠性檢測中心、產(chǎn)學(xué)研科研中心及奧松半導(dǎo)體研發(fā)辦公大樓等建設(shè)項目，技術(shù)能力覆蓋CMOS+MEMS特色工藝，可實現(xiàn)各類MEMS傳感器產(chǎn)品的研發(fā)和批量生產(chǎn)。
該項目可全面開展表面硅、體硅以及新工藝、新器件、新系統(tǒng)的研發(fā)和量產(chǎn)；具有MEMS壓阻、壓電、硅光、磁材料、MOX、微流控等相關(guān)工藝的研發(fā)和量產(chǎn)設(shè)備，大幅提升產(chǎn)品研發(fā)的成功率，實現(xiàn)產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的無縫銜接。
成都芯未半導(dǎo)體10億功率半導(dǎo)體項目廠房已封頂
近期，成都高新發(fā)展股份有限公司（以下簡稱“高新發(fā)展”）在投資者互動平臺表示，截至目前，芯未半導(dǎo)體建設(shè)各項工作進(jìn)展順利，廠房建設(shè)現(xiàn)已封頂，爭取早日實現(xiàn)投產(chǎn)。
公開消息顯示，2022年8月，成都高新西區(qū)高投芯未高端功率半導(dǎo)體器件和組件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目開工。該項目總投資約10億元，運營方為成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司，主要從事IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率半導(dǎo)體芯片及產(chǎn)品的設(shè)計、開發(fā)、銷售。項目建成投產(chǎn)后將為包括森未科技在內(nèi)的功率半導(dǎo)體設(shè)計企業(yè)提供IGBT特色授權(quán)委托加工服務(wù)，包括IGBT芯片、模組及方案組件產(chǎn)品等。
清純半導(dǎo)體研發(fā)基地啟用
2月3日，復(fù)旦大學(xué)寧波研究院重大產(chǎn)業(yè)化項目——清純半導(dǎo)體研發(fā)基地舉行啟用儀式。
清純半導(dǎo)體消息顯示，清純半導(dǎo)體研發(fā)基地總面積4600平米，建設(shè)四大實驗平臺：一樓建設(shè)器件性能測試平臺、晶圓測試及老化平臺；三樓建設(shè)可靠性及應(yīng)用平臺；四樓建設(shè)器件測試及老化平臺。實驗室總規(guī)劃面積超2500平米，配備了國際領(lǐng)先的功率器件參數(shù)測試及可靠性設(shè)備，平臺總投入近億元，具備支撐月產(chǎn)近千萬顆碳化硅器件的測試及篩選能力。
清純半導(dǎo)體成立于2021年3月，是一家碳化硅功率器件設(shè)計和供應(yīng)商。寧波前灣新區(qū)消息顯示，清純半導(dǎo)體已正式量產(chǎn)首款國產(chǎn)15V驅(qū)動SiC MOSFET，推出國內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET，同時獲得AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證并通過HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。
超73億安捷利美維項目：力爭2月底主體建筑封頂
近日，安捷利美維高端封裝基板及高端HDI生產(chǎn)能力建設(shè)項目傳來新進(jìn)展。
今日海滄消息顯示，目前安捷利美維項目建設(shè)短期目標(biāo)是力爭在2月底實現(xiàn)項目主體建筑封頂。此外，預(yù)計到2023年底項目一期將完成生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)廠安裝，一期預(yù)計2024年完成新產(chǎn)品導(dǎo)入和正式投產(chǎn)。
公開消息顯示，該項目于2022年9月在廈門海滄區(qū)開工，總投資73.8億元。
賽揚電子車規(guī)級集成電路封測項目開工
2月5日，由中億豐承建的浙江賽揚電子車規(guī)級集成電路封測項目正式開工。
據(jù)官方介紹，浙江賽揚電子車規(guī)級集成電路封裝測試項目總投資5億元，預(yù)計2024年4月竣工投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值約5億元。該項目在產(chǎn)業(yè)園的深耕發(fā)展，將對產(chǎn)業(yè)園“智能傳感谷”和傳感產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈的打造產(chǎn)生積極影響。
35億元，中建三局中標(biāo)深圳某半導(dǎo)體電子廠房項目
近日，中建三局消息稱，其中標(biāo)深圳某半導(dǎo)體項目，中標(biāo)額約35億元。
據(jù)悉，該項目位于深圳市寶安區(qū)，建成后將補(bǔ)齊深圳地區(qū)芯片制造短板，加快實現(xiàn)半導(dǎo)體關(guān)鍵領(lǐng)域和技術(shù)的自主創(chuàng)新突破和商業(yè)化運作，增強(qiáng)廣東集成電路產(chǎn)業(yè)的核心競爭力。
近年來，中建三局在全國范圍承攬電子廠房類項目80余個，業(yè)務(wù)覆蓋全國20余個城市，承建國內(nèi)半數(shù)以上大型電子廠房項目，累計建造面積近3500萬平方米，形成面板廠房、半導(dǎo)體、芯片等多個高科技專業(yè)領(lǐng)域電子廠房產(chǎn)品線。
穆棱市北一半導(dǎo)體二期投產(chǎn)
據(jù)新華網(wǎng)黑龍江頻道消息，黑龍江省重點項目之一的穆棱市北一半導(dǎo)體科技有限公司二期工程在春節(jié)伊始投入運營。
據(jù)介紹，北一半導(dǎo)體項目總投資4.3億元，分兩期建設(shè)。一期項目總投資8000萬元，建設(shè)潔凈車間1800平方米，2018年9月正式投產(chǎn)，主要產(chǎn)品為34mm、48mm、62mmIGBT模塊，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制領(lǐng)域；二期項目為黑龍江省重點項目，總投資3.5億元，建設(shè)潔凈車間8000平方米，今年1月下旬正式投產(chǎn)。新上5條現(xiàn)代化生產(chǎn)線，讓企業(yè)的生產(chǎn)規(guī)模得到大幅度提高。
據(jù)了解，北一半導(dǎo)體打造高端數(shù)字化展廳，引進(jìn)國內(nèi)外先進(jìn)制造設(shè)備生產(chǎn)IGBT、PIM、IPM、HPD等模塊及IGBT后端芯片，計劃2023年6月實現(xiàn)量產(chǎn)。目前，企業(yè)與國內(nèi)外18家客商簽訂了供貨合同，生產(chǎn)訂單已經(jīng)排到了2024年5月。
“激光晶體材料”、“泛半導(dǎo)體腔體”等3項目簽約上海
2月3日，長三角國家技術(shù)創(chuàng)新中心與上海市寶山區(qū)舉行“長三角國創(chuàng)中心-寶山區(qū)合作項目簽約大會”。
根據(jù)協(xié)議，長三角國創(chuàng)中心將與寶山區(qū)合作共建“上海長三角數(shù)字醫(yī)療技術(shù)研究所”，實施“激光晶體材料”和“泛半導(dǎo)體腔體”兩項重大產(chǎn)業(yè)化技術(shù)項目。其中：
激光晶體材料項目聚焦晶體材料鍵合核心技術(shù)和工藝的自主研發(fā)，有效提升激光器的可靠性和穩(wěn)定性，降低封裝成本，推動激光器件封裝技術(shù)的微型化發(fā)展。通過項目，計劃進(jìn)一步拓展其自主核心技術(shù)及器件產(chǎn)品在汽車級、工業(yè)級、民用消費級以及軍工等領(lǐng)域應(yīng)用。
真空腔體固態(tài)成型項目是制造光伏半導(dǎo)體器件、高端液晶面板半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵核心工藝，可為半導(dǎo)體集成電路、光伏和顯示面板制造等泛半導(dǎo)體行業(yè)提供高質(zhì)量鋁合金真空腔體。
5億元中鎧電子封裝基地項目簽約落戶青島
據(jù)萊西經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)消息，近期，山東中鎧電子科技有限公司與青島市萊西經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)管委會舉行簽約儀式。
據(jù)悉，中鎧電子封裝基地項目落戶萊西經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，計劃投資5億元，主要建設(shè)電子元器件金屬組件自動化生產(chǎn)線及電子封裝產(chǎn)業(yè)基地。
景旺電子深圳寶安半導(dǎo)體封裝基板項目開工
近日，深圳寶安區(qū)舉行一季度重大項目開工活動，總投資約915.2億元的71個新開工項目啟動，其中包括景旺電子的半導(dǎo)體封裝基板及高端高密度印制電路智能制造基地項目。
據(jù)寶安日報報道，該項目位于燕羅街道，規(guī)劃占地面積約1.8萬平方米，總建筑面積約6.9萬平方米。項目建成后主要開展半導(dǎo)體封裝基板、高端高密度印制電路板（含5G通訊用板、新能源汽車用板和新型智能終端用板等）的研發(fā)、中試和中小批量制造業(yè)務(wù)。項目預(yù)計2025年交付使用，建成后達(dá)產(chǎn)后預(yù)計可實現(xiàn)年產(chǎn)值70億元。
全球半導(dǎo)體觀察整理 Kiki
