近日，國務院特殊津貼專家徐志宏博士、化合物半導體核心專家曹雨博士，以及氮化鎵（GaN）核心專家陳振博士重磅加盟宏光半導體。憑借三位行業(yè)領軍人物的尖端管理經(jīng)驗、豐富的專業(yè)知識以及行業(yè)資源，勢必將進一步激活集團于第三代半導體領域中的勢能及潛力，為新布局做足準備，全速推動其成為第三代半導體行業(yè)龍頭企業(yè)的終極目標！

新管理團隊上任，為公司發(fā)展賦能添力

根據(jù)其最新公告顯示，徐志宏博士被任命為副主席兼執(zhí)行董事、曹雨博士為行政總裁兼執(zhí)行董事、而陳振博士則被委任為執(zhí)行董事。

徐志宏博士，此前擔任招商永隆銀行有限公司董事總經(jīng)理及中國工商銀行金融市場部總經(jīng)理，其后曾分別于中潛股份有限公司（300526.SZ）及大唐西市絲路投資控股有限公司（0620.HK）擔任董事及常務副總經(jīng)理，執(zhí)行董事、常務副主席及投資委員會主席等職位。相信其豐富的上市公司管理經(jīng)驗，對于大灣區(qū)金融市場的獨到見解及于企業(yè)財務規(guī)劃的充分經(jīng)驗將帶領著宏光半導體邁上一個新的臺階。

如果說徐志宏博士的加入是帶動財務業(yè)務上的發(fā)展，那么接下來兩位業(yè)界技術大牛則是帶領宏光半導體于技術研發(fā)層面更上一層樓!

作為化合物半導體領域的核心專家，曹博士在GaN、InN、AlN、GaAs、InP以及相關的三元和四元合金基電子以及光電器件的外延生長、表征、器件設計及加工領域擁有逾20年研究、開發(fā)及生產(chǎn)相關的成熟經(jīng)驗，曾撰寫或合著4本書籍或書籍章節(jié)，申請12項專利，以及撰寫170多篇期刊及會議論文。當然，他也是電機電子工程師學會（IEEE）的高級會員。眾所周知，IEEE是世界上最大的專業(yè)技術組織之一，在工業(yè)界所定義的標準有著極大的影響，制定了全世界電子和電機還有計算器科學領域30%的文獻，超過900個現(xiàn)行工業(yè)標準。曹博士超群的科研實力也使其于2016年獲得IEEE George E. Smith Award獎，并擔任IEEE EDS 化合物半導體器件與電路委員會（2019年至今）及IEEE高級會員申請評審小組（2021年至今）的委員會成員。

而同樣作為IEEE光子學會的高級會員和IEEE電子器件協(xié)會的高級會員的陳振博士，是GaN半導體業(yè)務的核心專家。他于GaN基光電工程設備領域擁有超過20年的研發(fā)、生產(chǎn)及管理經(jīng)驗，并掌握GaN電子器件及全波段固態(tài)發(fā)光器件的核心技術及8英寸矽基GaN外延生長的專有技術。與諾貝爾獎得獎者中村修二教授及美國工程院院士Umesh Mishra教授的一同工作經(jīng)歷更是成為了陳振博士日后科研發(fā)展的源源動力，截止目前，他撰寫或合著3篇書籍章節(jié)、50多篇同行評議學術論文及20篇會議論文集，申請國內(nèi)外專利逾30項，并獲授逾10項專利。

相信憑借三位領軍人物在半導體行業(yè)內(nèi)的豐富經(jīng)驗和前沿洞察，將有效賦能公司第三代半導體GaN業(yè)務的高速發(fā)展，持續(xù)拓展產(chǎn)品研發(fā)與升級的深度及廣度，同時在半導體相關業(yè)務的創(chuàng)新及開發(fā)方面探索更大空間！

宏光半導體在研發(fā)技術、創(chuàng)新思維、產(chǎn)業(yè)布局等多方面已頗具規(guī)模和優(yōu)勢，新的管理團隊將助力公司從1到N，克服瓶頸，實現(xiàn)突破，借力使力，躋身行業(yè)頂端。

加速探索第三代半導體GaN，拓展多領域應用

當下，半導體行業(yè)發(fā)展已經(jīng)邁向第三階段。以GaN、SiC（碳化硅）為代表的第三代半導體材料憑借其可適應高壓、高頻、高溫等極端環(huán)境的性能優(yōu)勢，已被廣泛運用于新能源車、5G通訊、光伏儲能等場景當中。在新能源及半導體行業(yè)相關利好政策支持下，作為市場稀缺的第三代半導體企業(yè)，宏光半導體持續(xù)探索半導體技術與材料的進化升級，一系列階段性成果的實現(xiàn)及戰(zhàn)略合作表現(xiàn)均映射出其出色且穩(wěn)健的價值增長潛能。

宏光半導體前期已基本完成在GaN第三代半導體方面的研發(fā)、制造、銷售及落地，并快速切入外延片生產(chǎn)，現(xiàn)已逐步進入收獲期。去年11月，宏光半導體在為時僅三個月的生產(chǎn)設備和技術調(diào)試后，成功生產(chǎn)出達到國際大廠高良率標準的6英寸GaN功率器件外延片，并在確保產(chǎn)能的前提下陸續(xù)展開銷售，至少領先于同類大型企業(yè)一至兩年。

據(jù)悉，集團將于2023年第二季開始晶圓試產(chǎn)，并計劃于2024年初前開始投產(chǎn)芯片。超預期的答卷直接體現(xiàn)出宏光半導體在行業(yè)技術和產(chǎn)投協(xié)同方面的顯著優(yōu)勢。

早前，集團已與世界領先新能源行業(yè)的龍頭企業(yè)協(xié)鑫集團達成戰(zhàn)略合作，依靠協(xié)鑫集團的豐富行業(yè)資源，布局GaN芯片在新能源領域的應用。另外，宏光半導體也在不斷探索第三代半導體的多場景應用，此前集團與GaN Systems針對互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心電力基礎設施首次公開進行GaN行業(yè)實地試驗，其提供的GaN方案可降低互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心10%的總能耗，比傳統(tǒng)硅基功率半導體減少最高20%的能源消耗，起到了絕佳的行業(yè)示范作用。

總結

站在新起點，新的管理團隊無疑將會為宏光半導體的發(fā)展帶來新思路和新動能，引領集團邁向更豐盛、更光輝的未來。

根據(jù)外銀最新報告指出，市場正在加快消化過剩的半導體，供應鏈企業(yè)都降低了產(chǎn)品平均售價，并采取措施降低庫存，防疫限制放寬，也使得備用庫存管理逐漸恢復到”實時生產(chǎn)管理“（just-in-time）模式，市場供需在今年下半年將有所改善，尤其在去庫存的趨勢，加上資金輪換到早期周期性受益者的勢頭增強，有利于亞洲半導體板塊未來6至12個月的前景。

而無論是針對性分析第三代半導體GaN的技術能力還是與之配合的商業(yè)運作，長期而言，宏光半導體的價值中樞無疑表現(xiàn)出上移潛力。