1 半導(dǎo)體:周期中前行,期待下一個(gè)黎明
1.1 復(fù)盤:半導(dǎo)體行業(yè)在周期中前行半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的底層驅(qū)動(dòng)力是人類社會(huì)經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的發(fā)展,以及信息化、電氣化、 智能化程度的提升。自從全球第一顆芯片在 1958 年被發(fā)明以來(lái),半導(dǎo)體產(chǎn)品已經(jīng) 滲透到了人類生活幾乎所有方面。根據(jù) SIA 數(shù)據(jù),1999 年全球半導(dǎo)體銷售額為 1494 億美元,而 2021 年已達(dá)到 5589 億美元,1999-2021 年 CAGR=6.15%。同期, 根據(jù)世界銀行數(shù)據(jù),全球 GDP 規(guī)模從 1999 年的 32.74 萬(wàn)億美元增長(zhǎng)至 2021 年的 96.10 萬(wàn)億美元,1999-2021 年 CAGR=5.02%。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期波動(dòng)的原因來(lái)自于技術(shù)升級(jí)、產(chǎn)能投資、庫(kù)存波動(dòng)等多個(gè)維度。 其中維度最長(zhǎng)的是由終端技術(shù)升級(jí)帶動(dòng)的技術(shù)周期,往往由新技術(shù)領(lǐng)域、新終端 應(yīng)用場(chǎng)景的開(kāi)拓帶動(dòng),周期長(zhǎng)度可達(dá) 8-10 年;最短的是庫(kù)存周期,由于產(chǎn)業(yè)供需 關(guān)系的變化和自我調(diào)節(jié),行業(yè)銷售額和庫(kù)存增速呈現(xiàn)長(zhǎng)度約 2-4 年的周期波動(dòng)。2019 年,全球經(jīng)濟(jì)創(chuàng)下 2015 年以后的最慢增長(zhǎng)速度,貿(mào)易壁壘的增加和相關(guān)的 不確定性打擊了全球范圍的商業(yè)信心。根據(jù)世界銀行數(shù)據(jù),2019 年全球 GDP 為 87.65 億美元,同比+1.43%。半導(dǎo)體行業(yè)亦不能幸免,除了全球宏觀經(jīng)濟(jì)層面的 因素以外,從半導(dǎo)體行業(yè)的內(nèi)生稟賦來(lái)看,2019 年是青黃不接的一年。彼時(shí),智 能手機(jī)銷量見(jiàn)頂回落,云計(jì)算廠商 Capex 增速亦受到下游需求景氣度影響顯著下 滑,電動(dòng)汽車、光伏等新興下游領(lǐng)域體量尚小,對(duì)需求拉動(dòng)有限。進(jìn)入 2020 年,多重因素影響下,景氣周期開(kāi)啟。宏觀層面來(lái)看,為了對(duì)抗疫情對(duì) 經(jīng)濟(jì)的沖擊,各國(guó)致力于增強(qiáng)流動(dòng)性,10 年期美債收益率從 2020 年年初的 1.88% 下降至 2020 年 6 月 30 日的 0.66%,全球?qū)捤芍芷趩?dòng),刺激需求上行。同時(shí)從 微觀層面看,部分細(xì)分領(lǐng)域亦呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。例如疫情影響下,居家辦公需 求迅速興起,帶動(dòng) PC、平板等消費(fèi)終端需求旺盛,線上活動(dòng)的增加也進(jìn)一步推動(dòng) 了數(shù)據(jù)中心建設(shè)的節(jié)奏。另一方面,新興下游行業(yè)(如新能源車和光伏)迎來(lái)技術(shù)或成本突破,需求快速增長(zhǎng)。此外,庫(kù)存端來(lái)看,受地緣政治沖突影響,宏觀 不確定性增加,產(chǎn)業(yè)鏈部分環(huán)節(jié)主動(dòng)增加庫(kù)存,亦進(jìn)一步促進(jìn)了供需關(guān)系的變化。
旺盛需求帶動(dòng)下,晶圓廠產(chǎn)能利用率上行,同時(shí)各晶圓廠/IDM 均加大了資本開(kāi) 支計(jì)劃。根據(jù)中芯國(guó)際數(shù)據(jù),2021Q2 開(kāi)始,其產(chǎn)能利用率達(dá)到 100.40%,并在 21Q2-22Q1 期間維持高位。進(jìn)入 21H2,隨著供需關(guān)系的改善,盡管大多數(shù)半導(dǎo)體產(chǎn)品價(jià)格依然維持堅(jiān)挺, 但價(jià)格增速顯著放緩,部分產(chǎn)品價(jià)格開(kāi)始出現(xiàn)松動(dòng)。同時(shí),終端客戶和經(jīng)銷商手 中部分特定產(chǎn)品庫(kù)存水位較高(長(zhǎng)短料現(xiàn)象),隨著對(duì)未來(lái)產(chǎn)品價(jià)格的預(yù)期逐步發(fā) 生變化,部分特定領(lǐng)域的拉貨動(dòng)能顯著放緩,行業(yè)周期開(kāi)始逐步切入下行通道。1.2 周期節(jié)奏研判:黎明前的黑暗1.2.1 需求端:結(jié)構(gòu)分化持續(xù)宏觀層面來(lái)看,目前全球需求依然受到流動(dòng)性收縮、高油價(jià)等因素的壓制。如我 們前文回顧,歷史上來(lái)看,半導(dǎo)體行業(yè)與全球經(jīng)濟(jì)之間存在顯著的乘數(shù)效應(yīng)。宏 觀經(jīng)濟(jì)的波動(dòng)將以更加劇烈的形式反饋到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的各個(gè)環(huán)節(jié)。目前我們依 然在全球?qū)用婵吹斤@著的流動(dòng)性收縮趨勢(shì),美國(guó) 2022 年 9 月 CPI 同比增長(zhǎng) 8.2%, 10 月 CPI 為 7.70%,盡管有所下降,但仍處于歷史高位水平。高企的通脹對(duì)消費(fèi) 端需求形成壓制,回顧歷史上來(lái)看,通脹水平的見(jiàn)頂下行往往預(yù)示著周期底部的 到來(lái)。此外,油價(jià)的高企,也對(duì)消費(fèi)需求形成了擠壓。微觀層面來(lái)看,22Q3 汽車、新能源等下游依然維持較高景氣狀態(tài)。汽車方面, 盡管上半年受到疫情影響,但在疫情管控降級(jí)、減征購(gòu)置稅、地方政府發(fā)布系列 促進(jìn)汽車消費(fèi)政策、整車優(yōu)惠策略的支持下,汽車市場(chǎng)持續(xù)回穩(wěn)復(fù)蘇,庫(kù)存水位顯著下降,22Q3 經(jīng)銷商庫(kù)存水位在榮枯線以下,汽車需求維持較高景氣度。同時(shí), 根據(jù)海關(guān)數(shù)據(jù),逆變器出口亦維持持續(xù)增長(zhǎng),體現(xiàn)新能源需求高景氣。HPC 賽道受到宏觀需求不及預(yù)期和 Intel 和 AMD 新平臺(tái)延后影響,節(jié)奏有所放 緩,年后有望逐步切入上行周期。受宏觀需求景氣度壓制,服務(wù)器需求整體走弱, 根據(jù)臺(tái)灣信驊月度營(yíng)收數(shù)據(jù),Aspeed 在 7、8 月的收入增速顯著放緩。Intel 新平 臺(tái)延期亦壓制 DDR5 升級(jí)進(jìn)程。進(jìn)入 9 月,受到服務(wù)器客戶拉貨回溫帶動(dòng),信驊 收入創(chuàng)歷史次高。
1.2.2 供給端:產(chǎn)能稼動(dòng)率已進(jìn)入下行通道根據(jù) Omdia 數(shù)據(jù),22Q2 全球晶圓代工廠產(chǎn)能稼動(dòng)率為 95.4%,預(yù)計(jì) 22Q3 和 22Q4 將逐步下降至 92.8%和 91.9%。晶圓代工廠景氣度亦有所分化,呈現(xiàn)頭部集中效應(yīng)。以成熟制程電源管理芯片、 面板驅(qū)動(dòng) IC 代工為主的世界先進(jìn)(VIS)指引 22Q4 收入和毛利率環(huán)比均顯著下 滑,體現(xiàn)較大的產(chǎn)能利用率壓力。同樣以成熟制程為主、制程水平整體更高的聯(lián) 電(UMC)的產(chǎn)能利用率在 22Q3 依然維持 100%以上水平,展望 22Q4,UMC 預(yù)計(jì)晶圓出貨將環(huán)比下降 10%,產(chǎn)能利用率回落至 90%的水平。封測(cè)景氣度依然低迷。從中國(guó)臺(tái)灣主要封測(cè)企業(yè)月度營(yíng)收數(shù)據(jù)來(lái)看,自 22 年 6 月開(kāi)始,封測(cè)企業(yè)收入增速顯著下行,環(huán)比亦持續(xù)下降。1.2.3 庫(kù)存端:供需關(guān)系改善有望促進(jìn)存貨見(jiàn)頂出清全球主要 EMS 廠商庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)處于上行通道,22Q2 增速已有所放緩。根據(jù)我 們統(tǒng)計(jì),截至 22Q2,全球主要 EMS 企業(yè)總計(jì)庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)約為 86.1 天,環(huán)比+1.1 天,同比+23.4 天,目前庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)依然處于歷史高位(歷史中位數(shù)約為 50 天), 而 22Q2 環(huán)比增速顯著縮窄。產(chǎn)業(yè)鏈去庫(kù)存意愿增強(qiáng),我們判斷 22Q3 EMS/OEM 環(huán)節(jié)庫(kù)存上升趨勢(shì)將進(jìn)一步放緩,庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)或有望下行。
下游 EMS 企業(yè)拉貨動(dòng)能減緩,而上游晶圓代工廠/IDM 產(chǎn)能利用率在 22Q2-22Q3 未見(jiàn)顯著緩解,導(dǎo)致半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和經(jīng)銷商環(huán)節(jié) 22Q2-22Q3 庫(kù)存壓力較大。根據(jù)我 們統(tǒng)計(jì),22Q2 全球主要 IDM 公司庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)為 117.3 天,環(huán)比+0.1 天;設(shè)計(jì) 公司庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)為 88.7 天,環(huán)比+4.6 天;合計(jì)庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)為 105.7 天,環(huán)比 +1.5 天。全球主要經(jīng)銷商 22Q2 庫(kù)存水位亦繼續(xù)上行,22Q2 達(dá)到 59 天,環(huán)比+7.1 天。22Q3,盡管目前全球上市公司報(bào)表披露尚未結(jié)束,但從需求端來(lái)看,全球需求依 然維持低迷,考慮到下游客戶去庫(kù)存意愿疊加上游晶圓廠產(chǎn)能稼動(dòng)率下行不明顯, 我們判斷設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)仍將承受較大的存貨壓力。從 A 股上市公司披露數(shù)據(jù)來(lái)看, 22Q3 半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/IDM 公司存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)維持較快上行趨勢(shì),達(dá)到 253.21 天,環(huán) 比+49.88 天。其中上升速度最快的是圖像傳感器行業(yè),22Q3 庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)達(dá)到 429.07 天,環(huán)比+97.24 天。展望 22Q4 的庫(kù)存水位,盡管需求端承壓,EMS、經(jīng)銷商、芯片原廠三個(gè)環(huán)節(jié)庫(kù) 存水位依然維持較高水平,但從產(chǎn)能端來(lái)看,上游晶圓代工廠產(chǎn)能稼動(dòng)率已開(kāi)始 下降,有望助力供需關(guān)系改善,庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)上行趨勢(shì)有望減緩甚至見(jiàn)頂,年后 有望進(jìn)入下行通道。1.3 股價(jià)節(jié)奏研判:如何把握周期反轉(zhuǎn)的機(jī)會(huì)?復(fù)盤美股歷史,我們認(rèn)為庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)見(jiàn)底是股價(jià)反轉(zhuǎn)的積極信號(hào)。將費(fèi)城半導(dǎo) 體指數(shù)相對(duì)標(biāo)普 500 的超額收益與全球半導(dǎo)體 Fabless/IDM 公司庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)放 在同一時(shí)間軸上,我們?nèi)菀装l(fā)現(xiàn),歷史上費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)有超額收益的區(qū)間往往 起始于庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)見(jiàn)底的季度(前后誤差 1-2 個(gè)季度)。從估值層面來(lái)看,目前費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)估值已處于歷史低分位數(shù)水平。截至 2022 年 11 月 10 日,費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù) LTM PE 倍數(shù)為 18.8 倍,接近歷史最低的 13.6 倍。 同時(shí)我們復(fù)盤多輪歷史周期來(lái)看,在歷輪下行周期中,費(fèi)城半導(dǎo)體下行亦較少有 超過(guò) 35%的幅度。本輪半導(dǎo)體周期中股價(jià)的下行幅度已經(jīng)處于歷史前列水平。
結(jié)合我們前文對(duì)庫(kù)存周期的判斷,我們認(rèn)為 23 年年中是值得關(guān)注的半導(dǎo)體周期 底部位置,股價(jià)有望提前 1-2 個(gè)季度反應(yīng)。需求端來(lái)看,盡管海外需求可能在通脹 見(jiàn)頂后迎來(lái)衰退,但從國(guó)內(nèi)需求趨勢(shì)和行業(yè)庫(kù)存去化的節(jié)奏來(lái)看,國(guó)內(nèi)需求有望在 23 年迎來(lái)邊際改善。產(chǎn)能端來(lái)看,22Q3 和 22Q4 全球晶圓廠產(chǎn)能利用率呈現(xiàn)下行態(tài)勢(shì)。 庫(kù)存端來(lái)看,22Q3 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)庫(kù)存水位維持上行;展望 22Q4 和 23 年,隨 著供需關(guān)系的改善,庫(kù)存水位有望見(jiàn)頂并切入下行通道,歷史上去庫(kù)存一般持續(xù) 2-3 個(gè)季度,庫(kù)存水位有望于 23Q2-23Q3 迎來(lái)見(jiàn)底。
2 行業(yè)增量:汽車、AR/VR、DDR5 世代更迭
縱觀芯片設(shè)計(jì)行業(yè)下游應(yīng)用領(lǐng)域眾多,所涉及千行百業(yè)總體處于蓬勃發(fā)展階段, 其中在當(dāng)前節(jié)點(diǎn)我們認(rèn)為對(duì)于芯片設(shè)計(jì)行業(yè)具有明顯增量推動(dòng)作用的驅(qū)動(dòng)因素包 括:1)汽車的電動(dòng)化、智能化趨勢(shì)下汽車半導(dǎo)體需求增長(zhǎng),2)虛擬現(xiàn)實(shí)產(chǎn)業(yè)加 速發(fā)展驅(qū)動(dòng) AR/VR 行業(yè)規(guī)模增長(zhǎng),3)服務(wù)器 CPU 換代升級(jí)推動(dòng) DDR5 內(nèi)存相 關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用加速落地。2.1 汽車:電動(dòng)化、智能化趨勢(shì)下汽車半導(dǎo)體需求增長(zhǎng)汽車行業(yè)正在經(jīng)歷電動(dòng)化、智能化革命,根據(jù) Research and Market 測(cè)算,全球汽 車電子市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)從 2021 年的 2723 億美元增長(zhǎng)至 2027 年的 4156 億美元,年 復(fù)合增長(zhǎng)率為 7.1%。隨著新能源汽車、自動(dòng)駕駛、智能座艙系統(tǒng)升級(jí)的推進(jìn),未 來(lái)汽車電子的快速發(fā)展將為集成電路領(lǐng)域帶來(lái)廣闊成長(zhǎng)空間。2.1.1 汽車電動(dòng)化趨勢(shì)催生BMIC、碳化硅用量提升 汽車的電動(dòng)化主要改變汽車的動(dòng)力和傳動(dòng)系統(tǒng),汽車電子電氣架構(gòu)的革新催生出 大量的半導(dǎo)體器件需求,其中模擬類的 BMIC 以及 SiC 功率器件有望持續(xù)受益于 電動(dòng)化趨勢(shì)。 BMIC: 電池管理系統(tǒng)(BMS)專用芯片可以分為保護(hù)芯片(Protector)、充電芯片(Charger)、 電量計(jì)芯片(Gauge)、監(jiān)測(cè)芯片(Monitor/AFE)、均衡芯片(Balancer)、認(rèn)證芯 片(Authentication)等類型。其中,電池監(jiān)測(cè)與均衡器(Monitor/AFE 和 Balancer)的主要功能是對(duì)電池參數(shù)進(jìn) 行高精度監(jiān)測(cè),并通過(guò)通訊接口將相關(guān)數(shù)據(jù)發(fā)送給主控制器。一般在高串?dāng)?shù)系統(tǒng) 中,為了保障電芯電壓、電量的均衡,需要多個(gè)監(jiān)測(cè)芯片級(jí)聯(lián)以形成完整的監(jiān)測(cè) 系統(tǒng)。BMIC 是電動(dòng)汽車電池安全的核心組件。以磷酸鐵鋰電池為例,單體電芯電壓范 圍一般在 3.2-3.6V 之間(標(biāo)稱電壓 3.2V),400V 系統(tǒng)電動(dòng)汽車電池電壓一般在360V 左右,為達(dá)到相應(yīng)電壓等級(jí),需要約 120 只電芯串聯(lián)。如此大量的電芯串聯(lián), 對(duì)電芯之間的電量一致性提出了更高要求,因此需要大量采用電池監(jiān)測(cè)芯片對(duì)每 一個(gè)電芯進(jìn)行電壓、電流檢測(cè)。假如 120 只電芯串聯(lián)(電芯并聯(lián)的數(shù)量取決于電 池容量),采用常見(jiàn)的 12-16S AFE 芯片,則需要約 8-10 只 AFE 芯片。目前新能源汽車電池電壓普遍在 400V 左右,而根據(jù)電路原理,功率 P=電壓 U× 電流 I,在相同功率下,電壓越大,電流越小,相應(yīng)地電流在傳導(dǎo)過(guò)程中產(chǎn)生的熱 損耗也越小,因此,目前主流車企均布局高壓平臺(tái),800V 成為了車企高壓平臺(tái)電 壓的主流選擇。而為實(shí)現(xiàn)更高電壓則幾乎需要等比例的更多電芯串聯(lián),對(duì) AFE 芯 片需求也將大幅增長(zhǎng),預(yù)計(jì)平臺(tái)電壓從 400V 升高到 800V 將帶動(dòng) AFE 需求翻倍 成長(zhǎng)。我們基于以下假設(shè)測(cè)算全球新能源車 BMIC 市場(chǎng)規(guī)模: 1、對(duì)于 400V 系統(tǒng)新能源車,假設(shè)需要 8 顆 AFE 芯片和 1 顆隔離通訊芯片。 2、對(duì)于 800V 系統(tǒng)新能源車,假設(shè)需要 16 顆 AFE 芯片和 1 顆隔離通訊芯片。 3、22/23/24/25/26 年全球新能源車銷量分別為 1200/1500/1900/2240/2500 萬(wàn)輛。 4、監(jiān)測(cè)芯片單價(jià)約 5 美元,通訊芯片單價(jià)約 0.5 美元。
SiC: SiC 是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,在禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和漂移速度等 物理特性上較 Si 更有優(yōu)勢(shì),制備的 SiC 器件如二極管、晶體管和功率模塊具有更 優(yōu)異的電氣特性,能夠克服硅基無(wú)法滿足高功率、高壓、高頻、高溫等應(yīng)用要求 的缺陷,也是能夠超越摩爾定律的突破路徑之一,因此被廣泛應(yīng)用于新能源領(lǐng)域 (光伏、儲(chǔ)能、充電樁、電動(dòng)車等)。在汽車應(yīng)用中,采用 SiC 可減小電力電子系統(tǒng)體積、減少能量損失。SiC 模塊可 以在實(shí)現(xiàn) 50kHz 以上的高頻驅(qū)動(dòng)(傳統(tǒng) IGBT 模塊無(wú)法實(shí)現(xiàn)),推動(dòng)電感等被動(dòng)器 件的小型化。另外 SiC 模塊開(kāi)關(guān)損耗較小,即使在高頻驅(qū)動(dòng)時(shí)也無(wú)需進(jìn)行大幅的 電流降額,散熱系統(tǒng)要求也相對(duì)較低,同樣減小了器件的體積。SiC 特性使得其在高效、高壓和高頻率領(lǐng)域應(yīng)用具有優(yōu)勢(shì),越是處于頻繁開(kāi)關(guān)/頻 繁剎車加油的低速工況下,獲得的效率優(yōu)勢(shì)就更高,所以在城市工況中運(yùn)行,使 用 SiC 器件帶來(lái)的效率提升的優(yōu)勢(shì)更加明顯。雖然 SiC 器件成本高于硅基器件, 但使用 SiC 器件可以降低系統(tǒng)體積、降低電池?fù)p耗、提升續(xù)航里程,從而促進(jìn)整 車成本的降低。據(jù) Wolfspeed(Cree)測(cè)算,在新能源汽車使用 SiC 逆變器,可以提 升 5%-10%的續(xù)航,節(jié)省 400-800 美元的電池成本,與新增 200 美元的 SiC 器件成 本抵消后,還能實(shí)現(xiàn) 200-600 美元的單車成本節(jié)約,未來(lái),隨著 SiC 規(guī)模化量產(chǎn) 之后,成本有望逐步降低,將為整車成本創(chuàng)造更大空間。高壓平臺(tái)成主流,推動(dòng) SiC 器件的替代需求增長(zhǎng)。隨著市場(chǎng)對(duì)續(xù)航里程、充電速度要求的提高,電動(dòng)車電壓有望從傳統(tǒng) 400V 升至 800V-1000V。高壓平臺(tái)看起來(lái) 只是升高了整車的電壓,但對(duì)于技術(shù)的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用,卻是“牽一發(fā)而動(dòng)全身”的系 統(tǒng)工程。 1)電機(jī)電控:800V 平臺(tái)要求下,硅基 IGBT 的開(kāi)關(guān)/導(dǎo)通損耗將大幅升高,而 SiC 器件在耐壓、開(kāi)關(guān)頻率、損耗等多個(gè)維度表現(xiàn)優(yōu)異,因此電機(jī)控制器需要采用 SiC MOSFET 代替硅基 IGBT。 2)車載 OBC:主流功率從 3.6kW、6.6kW 升級(jí)到 11kW、22kW,并向雙向逆變 升級(jí)。雙向 OBC 不僅可將 AC 轉(zhuǎn)化為 DC 為電池充電,同時(shí)也可將電池的 DC 轉(zhuǎn) 化為 AC 對(duì)外進(jìn)行功率輸出,需要使用 SiC 器件。 3)DC/DC:直流快充樁原本輸出電壓等級(jí)為 400V,可直接給動(dòng)力電池充電,但 車系統(tǒng)平臺(tái)升級(jí)為 800V 后需要額外的升壓產(chǎn)品使電壓能夠上升到 800V,配合 OBC 給動(dòng)力電池進(jìn)行直流快充。此外,DC/DC 轉(zhuǎn)換器還可將高電池電壓轉(zhuǎn)換為 低電壓,為動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、空調(diào)以及其他輔助設(shè)備提供所需的電力,同樣需要耐 高壓材質(zhì)的 SiC 器件。 4)空調(diào)壓縮機(jī):由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng),為系統(tǒng)提供主動(dòng)制冷/熱的動(dòng)力,在汽車熱管理 系統(tǒng)中處于重要地位,隨著動(dòng)力源向更高電壓切換,SiC 器件有很大的優(yōu)勢(shì)。
大功率充電樁帶動(dòng) SiC 滲透率不斷提升。對(duì)于充電樁而言,采用 SiC 模塊可將充 電模塊功率提高至 60KW 以上,而采用 MOSFET/IGBT 單管的設(shè)計(jì)還是在 15-30kW 水平。同時(shí),和硅基功率器件相比,SiC 功率器件可以大幅降低模塊數(shù) 量。因此,SiC 的小體積優(yōu)勢(shì)在城市大功率充電站、充電樁的應(yīng)用場(chǎng)景中具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。我們假設(shè)車規(guī) SiC 電驅(qū)模塊價(jià)值量約為 3000-4000 元,加之 OBC、DC/DC 等部件 使用,整車的 SiC 器件價(jià)值量約為 4500 元。中壓車和低壓車會(huì)部分采用 SiC 器件, 通過(guò)對(duì)不同電壓新能源車滲透率的計(jì)算,我們預(yù)計(jì)全球車用 SiC 器件市場(chǎng)規(guī)模有 望在 2025 年達(dá)到 240 億元以上。2.1.2 智能化引領(lǐng)汽車下半場(chǎng)革命,計(jì)算+感知需求升級(jí)汽車的智能化改變了人與車之間的關(guān)系。車正在從根本上改變其產(chǎn)品形態(tài),從移 動(dòng)工具轉(zhuǎn)變成生活伙伴,智能化的發(fā)展將在未來(lái)解放人們的雙手和注意力,從而 賦予汽車這一產(chǎn)品更豐富的想象空間。同時(shí)汽車智能化將有望成為半導(dǎo)體行業(yè)新 增長(zhǎng)級(jí),其中智能座艙 SoC 以及車載 CIS 傳感器有望持續(xù)受益于智能化趨勢(shì)。智能座艙 SoC: 智能座艙滲透率將逐步提升,未來(lái)中國(guó)市場(chǎng)滲透率將遠(yuǎn)高于全球。目前全球及中 國(guó)智能座艙配置新車滲透率分別為 49.7%與 53.3%,當(dāng)前中國(guó)汽車智能座艙普及 度已經(jīng)過(guò)半,預(yù)計(jì)未來(lái)中國(guó)智能座艙產(chǎn)品滲透率的增長(zhǎng)將領(lǐng)先全球市場(chǎng)。目前中 國(guó)智能座艙主要裝備于中高端車型,低端車型裝備率較低。
智能座艙興起誕生新的硬件投資機(jī)會(huì),催生大算力 SOC 芯片需求。與傳統(tǒng)多芯 多屏方案相比,大算力單芯片解決方案極大降低系統(tǒng)成本,并能提供多屏互動(dòng)的 智能互聯(lián)體驗(yàn),“一芯多屏”成為發(fā)展趨勢(shì),芯片本身也朝小型化,集成化、高性 能方向發(fā)展。座艙 SOC 芯片技術(shù)壁壘高,市場(chǎng)集中度高,在國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)下,國(guó) 產(chǎn)座艙 SOC 廠商有望迎來(lái)發(fā)展機(jī)會(huì)。單車搭載智能座艙 SOC 芯片數(shù)量:目前智能座艙的核心一般都是 1~2 顆 SOC 芯 片。目前座艙屏幕數(shù)量一般還都是一、兩塊,稍微多的一些車型會(huì)使用上三四塊, 但隨著車輛屏幕數(shù)的增加,車內(nèi)電子元器件(音響、監(jiān)測(cè)等)的增加,單顆芯片 對(duì)于這些信息量的處理可能會(huì)變得吃力起來(lái),此時(shí)有兩種方式處理:(1)使用算 力更高的芯片。但是這種方式會(huì)導(dǎo)致采購(gòu)和開(kāi)發(fā)成本的提升,比如集度采用高通8295,所對(duì)應(yīng)的芯片價(jià)值量也會(huì)更高;(2)采用多 SOC 模式,對(duì)芯片進(jìn)行分工。 雖然一芯多屏是可以實(shí)現(xiàn)的,但大量數(shù)據(jù)堆積在一起,需要配合較為復(fù)雜的算法。 比如目前的理想 ONE 就是采用了這種多顆智能座艙芯片的方式,理想 ONE 搭載 了一顆驍龍 820A 芯片+一顆德州儀器的 Jacinto6 芯片。其中驍龍 820A 芯片負(fù)責(zé) 驅(qū)動(dòng) 16.2 英寸的中央大屏和 12.3 英寸的副駕駛娛樂(lè)屏使用的 Android Automotive 的底層系統(tǒng),Jacinto6 芯片負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)液晶儀表盤和輔助駕駛顯示服務(wù)使用的 Linux 系統(tǒng)。單智能座艙 SOC 芯片價(jià)格:低端座艙芯片,比如 20 萬(wàn)以上售價(jià)的熱銷車型 比亞迪漢搭載老款高通 625 芯片(高通驍龍 625 是一款消費(fèi)級(jí)芯片,曾主要 搭載于紅米 Note4、堅(jiān)果 Pro、小米 5X 等手機(jī)設(shè)備),成本價(jià)約 15 美元/顆(折 合人民幣 100 元)。雖然高通驍龍 625 是一款老芯片,但勝在成本低,性能較 為穩(wěn)定。高通 820A 的價(jià)格為 60 美元;高端高通驍龍 8155P SOC 的價(jià)格約為 250 美元(折合人民幣約 1688 元)。測(cè)算 2025 年中國(guó)智能座艙 SOC 市場(chǎng)規(guī)模為 112 億元:根據(jù)中國(guó)汽車工業(yè)協(xié) 會(huì)數(shù)據(jù),2021年中國(guó)乘用車銷量2148.2萬(wàn)輛,假設(shè)未來(lái)按照CAGR=3%增長(zhǎng); 假設(shè)單 SOC 價(jià)格 750 元測(cè)算,那么預(yù)計(jì) 2025 年國(guó)內(nèi)座艙 SOC 市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 112 億元,CAGR 為 24%。車載 CIS: CMOS Image Sensor (CIS):互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器是一個(gè)高度集成的 圖像系統(tǒng)芯片。光電效應(yīng)使得傳感器中感光單元陣列產(chǎn)生對(duì)應(yīng)外界色彩和亮度的 電荷信號(hào),而后會(huì)被模數(shù)轉(zhuǎn)換電路轉(zhuǎn)換成數(shù)字圖像信號(hào),從而還原出現(xiàn)實(shí)的影像。
受益于汽車智能化趨勢(shì),智能汽車望成為 CIS 行業(yè)下一增長(zhǎng)點(diǎn)。目前汽車 ADAS 高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)裝車率正在快速增長(zhǎng),為了實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛功能,單車感知系統(tǒng) 中,攝像頭的使用量正在不斷增加,根據(jù) Yole,當(dāng)前 L2++的智能駕駛攝像頭裝載 量在 8-15 個(gè)左右,覆蓋整車的 360 度視覺(jué),以及觸及艙內(nèi)乘員監(jiān)控。未來(lái) L3 級(jí) 別自動(dòng)駕駛則需要 20 個(gè)左右的車載攝像頭。汽車智能化驅(qū)動(dòng)車載 CIS 量?jī)r(jià)齊升。伴隨汽車智能化進(jìn)程,根據(jù) Frost&Sullivan 預(yù)測(cè),2020-2025 年全球汽車 CIS 出貨量將從 4.0 億顆增長(zhǎng)至 9.5 億顆,CAGR 達(dá) 到 18.89%;全球汽車 CIS 市場(chǎng)規(guī)模將從 20.2 億美元增長(zhǎng)至 53.3 億美元,CAGR 達(dá)到 21.42%。中國(guó)車載 CIS 市場(chǎng)規(guī)模增速預(yù)計(jì)將領(lǐng)先全球。隨著自動(dòng)駕駛、云計(jì)算、智能網(wǎng)聯(lián) 技術(shù)的發(fā)展,及中國(guó)智能電動(dòng)汽車的產(chǎn)銷量大幅增長(zhǎng),中國(guó)車載 CIS 市場(chǎng)規(guī)模增 速預(yù)計(jì)將領(lǐng)先全球。根據(jù) Frost&Sullivan 預(yù)測(cè),2021 年到 2025 年中國(guó)車載攝像頭 的市場(chǎng)規(guī)模將從 76.3 億元增長(zhǎng)到 231.6 億元,年均復(fù)合增長(zhǎng)率約為 32.0%。2.2 AR/VR 拐點(diǎn)已至,交互體驗(yàn)驅(qū)動(dòng)硬件方案優(yōu)化2021 年 VR 頭顯出貨破千萬(wàn),Quest2 銷量拉動(dòng)行業(yè)整體銷量高增,生態(tài)硬件進(jìn)入 良性循環(huán)期,行業(yè)迎來(lái)奇點(diǎn)。展望未來(lái),根據(jù) Wellsenn XR 預(yù)測(cè),2021-2024 年全 球 VR 出貨量將從 1029 萬(wàn)臺(tái)提升至 2570 萬(wàn)臺(tái),全球 AR 出貨量將從 28 萬(wàn)臺(tái)提升 至 400 萬(wàn)臺(tái)。在 AR/VR 產(chǎn)品的核心模組中,芯片作為算力的核心載體,對(duì) VR 的沉浸感有著全 方位的影響;而攝像頭作為定位、VST 等功能的硬件底座,也對(duì)使用體驗(yàn)的提升 有著重大意義。將近期發(fā)布的 Pico4 作為樣本對(duì) VR 頭顯成本進(jìn)行拆解。根據(jù) Wellsenn 數(shù)據(jù),硬件綜合成本中屏幕、SoC、光學(xué)、攝像頭、RAM/ROM 合計(jì)核 心成本達(dá) 253 美元,合計(jì)占比 69%,其中 SoC 芯片成本約為 60 美元,占比為 16%; 攝像頭成本約為 26 美元,占比為 7%。兩者成本占比排名分別為第二、第四。
2.2.1 AR/VR SoC:芯片全面影響體驗(yàn),算力升級(jí)趨勢(shì)明顯作為 XR 設(shè)備的核心器件之一,系統(tǒng)級(jí)芯片 SoC 實(shí)現(xiàn)了在一塊芯片上集成整個(gè)信 息處理系統(tǒng),在中央處理器 CPU 的基礎(chǔ)上擴(kuò)展了音視頻功能和專用接口的超大規(guī) 模集成電路,是 XR 設(shè)備的計(jì)算平臺(tái)。當(dāng)前,SoC 已成為功能最豐富的硬件,集 成了 CPU、GPU、RAM、ADC、DAC、Modem、高速 DSP 等各個(gè)功能模塊,部 分還集成了電源管理模塊或其他外部設(shè)備的控制模塊等。畫質(zhì)提升+多維度交互催生大算力趨勢(shì)。當(dāng)前 VR 一體機(jī)物理分辨率雖已達(dá) 4K, 但為保證應(yīng)用的流暢性,實(shí)際渲染分辨率會(huì)下調(diào),造成模糊感,本質(zhì)上是芯片算 力不足的妥協(xié)方案。PPD 的理想狀態(tài)是 60,在 100 度 FOV 下單眼分辨率要達(dá)到 4K(當(dāng)前 2K)以上才會(huì)接近視網(wǎng)膜級(jí)別的清晰度,分辨率的上升會(huì)導(dǎo)致需渲染 的像素?cái)?shù)成倍增加,給 GPU 帶來(lái)巨大壓力。另外,目前 VR 設(shè)備中,交互越來(lái)越 多地使用手部追蹤和眼部追蹤等先進(jìn)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)自然的交互,而這些追蹤都需要 使用人工智能模型,而且隨著追蹤精度的增加和數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣忍嵘?,模型需?的算力也在上升。畫質(zhì)提升+多維度交互推動(dòng)高算力成為 SoC 的主要發(fā)展趨勢(shì)之 一,例如以高通驍龍 865 為基礎(chǔ)的驍龍 XR2 整體 AI 算力達(dá)到 15TOPS,是驍龍 XR1 的 8 倍。市面上的頭顯設(shè)備幾乎都采用單主控芯片方案,因此全球 AR/VR SoC 市場(chǎng)規(guī)模預(yù) 計(jì)將伴隨整體頭顯設(shè)備的出貨量增長(zhǎng)而成比例提升。而觀全球 VR 頭顯主控 SoC 市場(chǎng),高配憑借在手機(jī)終端積累的技術(shù)優(yōu)勢(shì),目前在 AR/VR SoC 市場(chǎng)占據(jù)絕大多 數(shù)份額,未來(lái)在細(xì)分領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代空間巨大。2.2.2 AR/VR CIS:?jiǎn)螜C(jī)多顆攝像頭實(shí)現(xiàn)全方位交互在 XR 中,更多的攝像頭可以更好實(shí)現(xiàn)深度識(shí)別、眼動(dòng)跟蹤、頭動(dòng)跟蹤等功能。 目前 AR/VR 中應(yīng)用較多的攝像頭主要有彩色拍照、黑白拍照、結(jié)構(gòu)光、ToF、空 間定位、眼球追蹤攝像頭等。 meta 于 22Q4 發(fā)布的 Quest Pro 中共用到 16 個(gè)攝像頭(眼鏡 10+手柄 3×2),其中15 個(gè)來(lái)自豪威,1 個(gè)來(lái)自 SONY。
依據(jù) Wellsenn XR 預(yù)測(cè),2024 全球 AR/VR 出貨量合計(jì)將達(dá)到 2970 萬(wàn)臺(tái),假設(shè)平 均單臺(tái)搭載 8 顆攝像頭計(jì)算,未來(lái) VR 眼鏡帶動(dòng)的攝像頭需求規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到 2 億顆級(jí)別,XR 或?qū)⒊蔀?CIS 企業(yè)重要的成長(zhǎng)曲線。2.3 DDR5 世代更迭引領(lǐng)新興內(nèi)存接口及配套芯片需求內(nèi)存代數(shù)常見(jiàn)的有 DDR DDR2 DDR3 DDR4,且每一代都不兼容,目前最新代數(shù) DDR5 正在加速滲透。在 DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下,最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣饶苓_(dá)到 6.4Gbps, 是 DDR4 最高傳輸速率的兩倍。此外,DDR5 也改善了 DIMM 的工作電壓,將電 壓從 DDR4 的 1.2V 降至 1.1V,向著更低功耗方向演進(jìn)。根據(jù) JEDEC 定義,在 DDR5 世代,服務(wù)器內(nèi)存模組 RDIMM/LRDIMM 搭配一顆 寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)、一顆串行檢測(cè)芯片(SPD)、一顆電源管理芯片(PMIC) 及兩顆溫度傳感器(TS),此外 LRDIMM 還需要配置 10 顆數(shù)據(jù)緩沖器(DB)。 其中相較于 DDR4,SPD、PMIC 和 TS 為 DDR5 新增配套芯片,相關(guān)芯片市場(chǎng)規(guī) 模有望實(shí)現(xiàn)大幅度增長(zhǎng)。
內(nèi)存接口芯片向著更高的傳輸速率和支持更大的內(nèi)存容量趨勢(shì)發(fā)展,價(jià)值量有望 顯著提升。DDR5 升級(jí)帶來(lái)的內(nèi)存容量從 16 Gbit 提升至 64 Gbit、內(nèi)存密度提高 一倍、速率翻倍以及性能的大幅度增長(zhǎng),使得對(duì) DDR5 內(nèi)存接口芯片性能需求進(jìn) 一步提升。DDR5 第一子代內(nèi)存接口芯片支持的最高傳輸速率可達(dá) 4800MT/s,相 比 DDR4 最后一個(gè)子代產(chǎn)品提升幅度達(dá) 50%,同時(shí),JEDEC 組織已經(jīng)明確規(guī)劃了 DDR5 第二子代、第三子代的產(chǎn)品,其最高傳輸速率分別可達(dá) 5600MT/s 和 6400MT/S。在未來(lái),更高的傳輸速率和支持更大的內(nèi)存容量將是內(nèi)存接口芯片行 業(yè)發(fā)展的趨勢(shì)和動(dòng)力,每一代產(chǎn)品的升級(jí)將有望助推價(jià)值量以及價(jià)格持續(xù)增長(zhǎng)。DDR5 新增串行檢測(cè)集線器(SPD)、電源管理芯片(PMIC)、溫度傳感器(TS) 配套芯片帶來(lái)增量需求。其中 SPD 內(nèi)部集成EEPROM、I2C/I3C 總線集線器(Hub) 和溫度傳感器,用以增強(qiáng)系統(tǒng)管理能力;PMIC 包含直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器,線性 穩(wěn)壓器等器件,主要為內(nèi)存模組上的其他芯片提供電源支持;TS 則主要實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi) 存模組的溫度管理。PC 市場(chǎng) DDR5 升級(jí)帶來(lái)接口芯片新增量。在 DDR5 時(shí)代,普通臺(tái)式機(jī)及筆記本 電腦常用的內(nèi)存模組 UDIMM/SODIMM 需要新增搭配一顆 SPD 及一顆 PMIC,相 關(guān)芯片的市場(chǎng)規(guī)模有望實(shí)現(xiàn)大幅度增長(zhǎng)。另外,到 DDR5 中期,PC 端內(nèi)存模組還 將新增一顆時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD 芯片)對(duì)內(nèi)存模組的時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行緩沖再驅(qū)動(dòng)。
3 重點(diǎn)公司分析
3.1 汽車電動(dòng)、智能化重點(diǎn)公司3.1.1圣邦股份圣邦微電子股份有限公司成立于 2007 年,并于 2017 年在深交所科創(chuàng)板上市,是 一家專注于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)模擬集成電路研究、開(kāi)發(fā)與銷售的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。公 司產(chǎn)品類型豐富,涉及下游領(lǐng)域廣泛,包括 25 類 4000 多款可售產(chǎn)品型號(hào),涵蓋 信號(hào)鏈和電源管理兩大領(lǐng)域。 公司致力于研究高性能、高品質(zhì)的模擬集成電路產(chǎn)品,注重研發(fā)投入,開(kāi)發(fā)并積 累了全球先進(jìn)水平的技術(shù)與產(chǎn)品,包括高精度運(yùn)放、高速比較器、高精度 ADC、 大動(dòng)態(tài)背光 LED 驅(qū)動(dòng)、高效低功耗電源管理芯片等。公司的模擬芯片產(chǎn)品可廣泛 用于于消費(fèi)類電子、通訊設(shè)備、工業(yè)控制、醫(yī)療儀器、汽車電子等領(lǐng)域,以及物 聯(lián)網(wǎng)、新能源、智能穿戴、人工智能、智能家居、智能制造、5G 通訊等各類新興 電子產(chǎn)品領(lǐng)域。在汽車領(lǐng)域,公司的高效鋰電池充電器、超低功耗的升壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品廣受汽車廠商好評(píng)。同時(shí),公司開(kāi)展針對(duì)汽車領(lǐng)域的新產(chǎn)品 研發(fā),于 2021 年正式啟動(dòng)了對(duì)公司電壓基準(zhǔn)芯片的 AEC-Q100 車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)升級(jí), 并于今年推出了首款支持 AEC-Q100 車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的電壓基準(zhǔn)芯片 LM431BQ,目前 已經(jīng)正式規(guī)模量產(chǎn)并交付用戶使用。LM431BQ 支持 AEC-Q100 Grade 1 的溫度 要求,可在-40℃~125℃下穩(wěn)定工作,可調(diào)整電壓 VREF to 36V,常溫下參考電壓精 度達(dá)到 0.5%,保證低噪聲輸出;憑借內(nèi)部電路的獨(dú)特設(shè)計(jì),芯片對(duì)于輸出電容的 大小沒(méi)有限制,大大便利了終端客戶的應(yīng)用。公司 2022 年前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 24.12 億元,同比上升 57.13%,歸母凈利潤(rùn) 7.51 億元,同比上升 66.52%。2022 年前三季度公司毛利率達(dá)到 60.10%,同比上升 5.35pcts,凈利率達(dá)到 30.72%,同比上升 1.67pcts。3.1.2 納芯微納芯微電子有限公司成立于 2013 年,主營(yíng)業(yè)務(wù)為高性能、高可靠性模擬集成電路 的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)與銷售,是一家半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。公司于 2022 年在上交所上 市,技術(shù)領(lǐng)域覆蓋模擬和混合信號(hào)芯片,產(chǎn)品目錄豐富,目前可提供 1000 余款可 供銷售的型號(hào)。公司主要發(fā)力信號(hào)感知、系統(tǒng)互聯(lián)、功率驅(qū)動(dòng)三大方向,并專注于圍繞各個(gè)應(yīng)用 場(chǎng)景進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā),由傳感器信號(hào)調(diào)理 ASIC 芯片出發(fā),向前后端拓展并推出了 集成式傳感器芯片、隔離與接口芯片以及驅(qū)動(dòng)與采樣芯片,形成了信號(hào)感知、系 統(tǒng)互聯(lián)與功率驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)品布局,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控 制和信息通信行業(yè)。 公司積極布局汽車電子領(lǐng)域,擁有過(guò)硬的車規(guī)級(jí)芯片開(kāi)發(fā)能力、豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn) 和優(yōu)秀的品控能力。目前公司可應(yīng)用于汽車電子的產(chǎn)品包括集成式壓力傳感器芯 片、數(shù)字隔離芯片、隔離接口芯片、驅(qū)動(dòng)芯片、采樣芯片,并且正在對(duì)以上產(chǎn)品 進(jìn)行車規(guī)級(jí)優(yōu)化。其中,公司推出的 NSA9260 系列是滿足 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的高集 成度的汽車級(jí)壓力傳感器信號(hào)調(diào)理專用芯片,支持過(guò)壓及反壓保護(hù),支持 0-5V 模 擬電壓輸出和 PWM 輸出,并支持豐富的傳感器診斷功能,目前已經(jīng)在汽車前裝 市場(chǎng)批量出貨。公司 2022 年前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 12.76 億元,同比上升 120.38%,歸母凈利潤(rùn) 2.42 億元,同比上升 57.14%。2022 年前三季度公司毛利率達(dá)到 51.18%,同比下降 2.88pcts,凈利率達(dá)到 18.97%,同比下降 7.63pcts。
3.1.3 思瑞浦信號(hào)鏈與電源雙輪驅(qū)動(dòng),融合發(fā)展嵌入式處理器。思瑞浦是一家專注于模擬集成 電路產(chǎn)品研發(fā)和銷售的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)。公司自成立以來(lái),始終堅(jiān)持研發(fā)高性 能、高質(zhì)量和高可靠性的集成電路產(chǎn)品,包括信號(hào)鏈、電源模擬芯片和數(shù)模混合模 擬前端,并逐漸融合嵌入式處理器,為客戶提供全方面的解決方案。 目前,公司的產(chǎn)品主要涵蓋信號(hào)鏈模擬芯片和電源管理模擬芯片兩大類產(chǎn)品,包 括運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換芯片、LDO、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電源監(jiān)控電路、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)及 電池管理芯片等。產(chǎn)品已進(jìn)入眾多知名客戶的供應(yīng)鏈體系,應(yīng)用范圍涵蓋信息通 訊、工業(yè)控制、監(jiān)控安防、醫(yī)療健康、儀器儀表、新能源汽車等眾多領(lǐng)域。公司 在 2021 年成立嵌入式處理器事業(yè)部,進(jìn)行 MCU 相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā),針對(duì)同時(shí)需要 模擬產(chǎn)品和數(shù)字處理能力的特定應(yīng)用推出各類產(chǎn)品,進(jìn)一步豐富產(chǎn)品類別,為客 戶提供更加全面的解決方案。2022 年第四季度,公司首款 MCU 產(chǎn)品已完成流片。持續(xù)推進(jìn)平臺(tái)化發(fā)展,加強(qiáng)車規(guī)級(jí)產(chǎn)品業(yè)務(wù)建設(shè)。公司致力于成為一家模擬與嵌 入式處理器的平臺(tái)型芯片公司,在信號(hào)鏈和電源管理芯片的基礎(chǔ)上,逐漸融合嵌 入式處理器,為客戶提供更加全面的芯片解決方案。2022 年,公司圍繞上述發(fā)展 戰(zhàn)略,堅(jiān)定推進(jìn)平臺(tái)化業(yè)務(wù)布局,不斷加大在車規(guī)技術(shù)與產(chǎn)品方面的投入,積極 參與汽車芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè),加強(qiáng)車規(guī)功能安全體系建設(shè),推進(jìn)全車規(guī)流程的產(chǎn) 品研發(fā)。2022 年,公司作為研究工作單位之一,積極參與汽車芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè), 助力集成電路產(chǎn)業(yè)和汽車產(chǎn)業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展。同時(shí),公司進(jìn)一步加強(qiáng)車規(guī)功能 安全體系建設(shè),并持續(xù)推進(jìn)車規(guī)級(jí)產(chǎn)品研發(fā),首顆汽車級(jí)放大器銷售規(guī)模逐步提 升,首顆車規(guī)級(jí)低壓差線性穩(wěn)壓器實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。目前已能為新能源汽車部分重要組 件提供全套應(yīng)用方案。3.1.4 中穎電子中穎電子成立于 1994 年,2012 年在創(chuàng)業(yè)板上市。公司早期產(chǎn)品以 8 位單片機(jī)為 主,主要應(yīng)用于家電、消費(fèi)等領(lǐng)域。2022Q1-3 公司實(shí)現(xiàn)銷售收入 12.56 億元,同 比+ 14.87%;歸母凈利潤(rùn) 3.11 億元,同比+ 15.88%;毛利率達(dá)到 46.43%,同比減 少 0.23pcts,凈利率達(dá)到 24.34%,同比減少 0.25pcts。
在 BMS 領(lǐng)域公司布局較早,下游以筆記本電腦、平板電腦、電動(dòng)工具為主。2008 年公司節(jié)能應(yīng)用類相關(guān)產(chǎn)品即實(shí)現(xiàn)收入 0.16 億元,2022Q1-3 公司鋰電池管理芯片 占公司收入比重近三成。公司是國(guó)內(nèi)手機(jī)品牌大廠主要的鋰電池管理芯片供應(yīng)商之一,技術(shù)積累達(dá)到國(guó)際一流水平,相關(guān)產(chǎn)品種類齊全。同時(shí),公司將進(jìn)一步完 善產(chǎn)品線布局,發(fā)揮 BMS+優(yōu)勢(shì),有序擴(kuò)充充電管理、電源管理產(chǎn)品品類,由工 控級(jí)鋰電池管理芯片延伸到車規(guī)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域。3.1.5 賽微微電賽微微電成立于 2009 年,是國(guó)內(nèi)電池管理芯片行業(yè)的主要供應(yīng)商之一。公司的 主營(yíng)業(yè)務(wù)為模擬芯片的研發(fā)和銷售,主營(yíng)產(chǎn)品以電池管理芯片為核心,并延展至 更多種類的電源管理芯片,具體包括電池安全芯片、電池計(jì)量芯片和充電管理等 其他芯片。2022Q1-3 公司實(shí)現(xiàn)收入 1.44 億元,同比-41.29%;歸母凈利潤(rùn) 0.25 億 元,同比-58.72%;毛利率達(dá)到 57.90%,同比減少 5.15pcts,凈利率達(dá)到 17.70%, 同比減少 7.47pcts。公司收入下滑主要受到消費(fèi)需求不景氣影響。目前公司 BMIC 下游主要面向手機(jī)、可穿戴、PC、平板、電動(dòng)工具、兩輪電動(dòng)車 等應(yīng)用場(chǎng)景。此外公司亦憑借自身在 BMIC 領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累,投入汽車 BMIC 芯片研發(fā),有望在未來(lái)實(shí)現(xiàn)突破。公司于 2022 年 3 月 4 日獲準(zhǔn)向社會(huì)公開(kāi)發(fā)行人民幣普通股 2,000.00 萬(wàn)股,每股發(fā) 行價(jià)格為人民幣 74.55 元,募集資金總額為 149,100.00 萬(wàn)元,扣除發(fā)行費(fèi)用 13,560.78 萬(wàn)元后,募集資金凈額為 135,539.22 萬(wàn)元,募集資金均投入研發(fā)項(xiàng)目及 用作營(yíng)運(yùn)資金補(bǔ)充。3.1.6 斯達(dá)半導(dǎo)IGBT龍頭企業(yè),產(chǎn)品應(yīng)用于眾多新興領(lǐng)域。斯達(dá)半導(dǎo)于 2005 年成立,是國(guó)內(nèi) IGBT 模塊龍頭企業(yè),主營(yíng)業(yè)務(wù)包括 IGBT、快恢復(fù)二極管等功率芯片的設(shè)計(jì)以及 IGBT、MOSFET、SiC 等功率模塊的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工控與電機(jī)節(jié) 能、新能源、變頻白色家電等領(lǐng)域。目前,國(guó)內(nèi)新能源汽車、光伏及風(fēng)電逆變器、 頭部變頻企業(yè)均為公司 IGBT 模塊的主要客戶。2021 年,根據(jù) Omdia 數(shù)據(jù),公司 在全球 IGBT 模塊市場(chǎng)排名第六,是唯一一家進(jìn)入全球前十的中國(guó)企業(yè)。公司收入、利潤(rùn)持續(xù)快速增長(zhǎng)。受益于行業(yè)芯片短缺,公司在工控、新能源領(lǐng)域 市占率快速提升,公司營(yíng)收從 2017 年的 4.38 億元增長(zhǎng)到 2021 年的 17.07 億元, CAGR 達(dá) 40.5%,2022Q1-3 實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 18.7419 億元,同比增長(zhǎng) 60.53%;歸母凈利 潤(rùn)規(guī)模整體保持較快的增長(zhǎng),從 2017 年的 0.53 億增長(zhǎng)至 2021 年的 3.98 億元, CAGR 達(dá) 65.8%。2022Q1-3 實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 5.90 億元,同比增長(zhǎng) 121.43%;毛利 率達(dá)到 41.07%,同比增加 6.09pcts,凈利率達(dá)到 31.60%,同比增加 9.24pcts。
公司早已涉足 SiC 領(lǐng)域,推出涉及不同應(yīng)用領(lǐng)域的 SiC 模塊產(chǎn)品。2019 年 公司在機(jī)車牽引輔助供電系統(tǒng)推出低電感 SiC 模塊,在新能源汽車行業(yè)推出 低損耗車用 SiC 模塊。公司新增多個(gè)使用全 SiCMOSFET 模塊的 800V 系統(tǒng) 的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn),車規(guī)級(jí) SiC 模塊也已獲得國(guó)內(nèi)外多家車企和 Tier1 的項(xiàng)目定點(diǎn),公司 SiC 模塊進(jìn)入小鵬 800V 高壓平臺(tái),應(yīng)用于國(guó)內(nèi)首款基于 800V 高壓 SiC 平臺(tái)量產(chǎn)車小鵬 G9 上。2022 年上半年,公司應(yīng)用于乘用車主 控制器的車規(guī)級(jí) SiC MOSFET 模塊開(kāi)始大批量裝車應(yīng)用,同時(shí)公司新增多個(gè) 使用車規(guī)級(jí) SiC MOSFET 模塊的 800V 系統(tǒng)的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn),將對(duì) 公司 2024-2030 年主控制器用車規(guī)級(jí) SiC MOSFET 模塊銷售增長(zhǎng)提供持續(xù)推 動(dòng)力。公司募投項(xiàng)目更是加碼 SiC 芯片,向產(chǎn)業(yè)鏈上游芯片領(lǐng)域延伸。2020 年 12 月,公司發(fā)布公告,計(jì)劃投資建設(shè)全 SiC 功率模組產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,總投資 2.29 億元,建設(shè)年產(chǎn) 8 萬(wàn)顆車規(guī)級(jí)全 SiC 功率模組生產(chǎn)線和研發(fā)測(cè)試中心,項(xiàng)目 將按照市場(chǎng)需求逐步投入。2021 年 11 月,公司通過(guò)非公開(kāi)發(fā)行股票的方式 擬募資 35 億,其中 5 億用于 SiC 芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,擬通過(guò)新建廠房、 購(gòu)置設(shè)備等配套設(shè)施,開(kāi)展 SiC 芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,本項(xiàng)目計(jì)劃建設(shè)周期 為 3 年,預(yù)計(jì)項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn) 6 萬(wàn)片 6 英寸 SiC 芯片生產(chǎn)能力。3.1.7 時(shí)代電氣時(shí)代電氣(中國(guó)中車旗下股份制企業(yè))的前身中車株洲電力研究所成立于 1959 年, 專注電力機(jī)車及相關(guān)產(chǎn)品的研究開(kāi)發(fā),是我國(guó)軌道交通行業(yè)具有領(lǐng)導(dǎo)地位的牽引 變流系統(tǒng)供應(yīng)商。公司于 2006 年在香港聯(lián)交所主板上市,2021 年科創(chuàng)板上市, 實(shí)現(xiàn) A+H 股兩地上市。不斷向產(chǎn)業(yè)鏈上下游延伸。公司主要從事軌道交通裝備產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、 銷售并提供相關(guān)服務(wù),具有“器件+系統(tǒng)+整機(jī)”的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu),產(chǎn)品主要包括軌道交 通電氣裝備、軌道工程機(jī)械、通信信號(hào)系統(tǒng)等。同時(shí),公司還積極在功率半導(dǎo)體 器件、工業(yè)變流產(chǎn)品、新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、傳感器件、海工裝備等領(lǐng)域開(kāi)展業(yè) 務(wù)。其中,公司功率半導(dǎo)體器件覆蓋 IGBT/FRD 模塊、SiC 芯片及器件、整流管 及晶閘管等產(chǎn)品,公司 IGBT 在軌交、電網(wǎng)領(lǐng)域批量交付,2021 年市占率為全國(guó) 第一。 目前公司是全球?yàn)閿?shù)不多的同時(shí)掌握 IGBT、SiC、大功率晶閘管及 IGCT 器件及 其組件技術(shù),并且集器件開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)與應(yīng)用于一體的 IDM 模式企業(yè)。 隨著海外需求復(fù)蘇,以及復(fù)工復(fù)產(chǎn)后帶來(lái)的行業(yè)需求釋放,2022 年軌道交通業(yè)務(wù) 企穩(wěn)回升,新興裝備業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)了翻倍增長(zhǎng),前三季度公司總營(yíng)業(yè)收入達(dá) 108.76 億 元,同比+27.56%,歸母凈利潤(rùn)達(dá) 15.63 億元,同比+29.97%,同比增速均創(chuàng)下 2015 年以來(lái)的新高;毛利率達(dá)到 33.26%,同比減少 4.61pcts,凈利率達(dá)到 14.47%,同 比增加 0.26pcts。公司積極布局新興裝備業(yè)務(wù)。從營(yíng)收構(gòu)成來(lái)看,新興裝備業(yè)務(wù)增長(zhǎng)迅速,2020 年 時(shí)收入占比僅 12.04%,到 2022 年前三季度占比上升至 32.45%,其中 22Q3 單季 度占比上升至 39.11%。雖然新冠疫情反復(fù),但新能源汽車、新能源發(fā)電等領(lǐng)域的 市場(chǎng)需求旺盛,將持續(xù)拉動(dòng)公司功率半導(dǎo)體、新能源車電驅(qū)、工業(yè)變流器、傳感 器等新興業(yè)務(wù)增長(zhǎng)。前瞻性布局 SiC 領(lǐng)域。公司 2011 年與中科院微電子所合作成立研發(fā)中心,正式開(kāi) 始 SiC 半導(dǎo)體布局,2018 年完成了國(guó)內(nèi)首條 6 英寸 SiC 生產(chǎn)線。目前已掌握了具 有核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的 MOSFET 芯片及 SBD 芯片的設(shè)計(jì)與制造技術(shù),構(gòu)建了全 套特色先進(jìn)碳化硅工藝技術(shù)的 4 英寸及 6 英寸兼容的專業(yè)碳化硅芯片制造平臺(tái), 全電壓等級(jí) MOSFET 及 SBD 芯片產(chǎn)品可應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、工業(yè)傳 動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。 產(chǎn)品在地鐵領(lǐng)域已應(yīng)用落地。公司與深圳地鐵集團(tuán)聯(lián)合自主研發(fā)的,國(guó)內(nèi)首臺(tái)地 鐵列車全 SiC 牽引逆變器,該逆變器采用了 3300VSiCMOSFET,截止 2021 年 6 月,牽引逆變器已在深圳地鐵 1 號(hào)線車輛上無(wú)故障運(yùn)行 5 個(gè)月,6.5 萬(wàn)公里,相比 傳統(tǒng)硅技術(shù)節(jié)能 10%以上。2021 年 12 月公司 C-Car 平臺(tái)孵化了全新一代產(chǎn)品C-Power220s,該產(chǎn)品是國(guó)內(nèi)首款基于自主碳化硅大功率電驅(qū)產(chǎn)品,系統(tǒng)效率最高 可達(dá) 94%。2022 年 4 月 12 日,公司公告擬投資 4.62 億元進(jìn)行 SiC 芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升 建設(shè)項(xiàng)目,建設(shè)周期 24 個(gè)月,項(xiàng)目建成后:將現(xiàn)有平面柵 SiC MOSFET 芯片技 術(shù)能力提升到滿足溝槽柵 SiC MOSFET 芯片研發(fā)能力;將現(xiàn)有 4 英寸 SiC 芯片線 提升到 6 英寸;將現(xiàn)有 4 英寸 SiC 芯片線年 1 萬(wàn)片/年的能力提升到 6 英寸 SiC 芯 片線 2.5 萬(wàn)片/年,主要面向新能源汽車和軌交領(lǐng)域。 2022 年 8 月公司投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表披露,公司目前有 2.5 萬(wàn)片/年的 SiC 芯片 的產(chǎn)能,根據(jù)公司測(cè)算,可以滿足 10-12 萬(wàn)臺(tái)車的需求。公司對(duì) SiC 產(chǎn)線從技術(shù) 上和產(chǎn)能上做提升改進(jìn),先在原來(lái)產(chǎn)線的基礎(chǔ)上與車企做驗(yàn)證工作,下一步會(huì)基 于改造后的情況推進(jìn)產(chǎn)品驗(yàn)證。3.1.8 中瓷電子立足于電子陶瓷系列產(chǎn)品,依靠收購(gòu)進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。中瓷電子于 2009 年成立,是一家專業(yè)從事無(wú)線通信、激光、消費(fèi)電子、汽車電子等領(lǐng)域電子產(chǎn)品 研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司于 2021 年 1 月宣布在深圳交易所中小盤 上市,2022 年 1 月公司宣布,計(jì)劃收購(gòu)控股股東中電科十三所氮化鎵/碳化硅資產(chǎn), 正式進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。
以電子陶瓷為主,產(chǎn)品高端化帶動(dòng)公司業(yè)務(wù)持續(xù)快速增長(zhǎng)。公司產(chǎn)品包括光通信 器件外殼、無(wú)線功率器件外殼、5G 通信終端模塊外殼、氮化鋁陶瓷基板、陶瓷元 件、集成加熱器等。公司的主要產(chǎn)品通信器件用電子陶瓷外殼,市場(chǎng)需求旺盛。 公司整體營(yíng)業(yè)收入呈持續(xù)增長(zhǎng)趨勢(shì),從 2017 年的 3.43 億元增加到 2021 年的 10.14 億元,復(fù)合增長(zhǎng)率為 34.38%,國(guó)內(nèi)銷售收入的占比逐年提高。2022Q1-3,公司營(yíng) 收將達(dá)到 9.99 億元,同比增長(zhǎng) 22.79%。2017-2021 年,公司歸屬于母公司的凈利 潤(rùn) CAGR 為 35.2%。2022Q1-3,歸屬于母公司的凈利潤(rùn)為 1.23 億元,同比增長(zhǎng) 22.79%;毛利率達(dá)到 27.68%,同比減少 1.39pcts,凈利率達(dá)到 12.28%,同比減少 0.27pcts。依靠收購(gòu)切入三代半導(dǎo)體優(yōu)質(zhì)賽道。2022 年 1 月,公司公告計(jì)劃收購(gòu)中國(guó)電科十 三所氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)、博威公司及北國(guó)萬(wàn)眾的股權(quán),進(jìn)軍三代半導(dǎo) 體行業(yè)。2022年8月28日公司調(diào)整并購(gòu)方案,擬以每股46.06元的價(jià)格發(fā)行8317.38 萬(wàn)股,籌資約 38.31 億元,用于收購(gòu)博威公司 73%股權(quán)、中國(guó)電科十三所氮化鎵 通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾 94.6029%的股權(quán)。同時(shí),公司以詢 價(jià)形式非公開(kāi)發(fā)行股份,籌集不超過(guò) 25 億元資金。在支付重組相關(guān)費(fèi)用后,計(jì)劃 用于目標(biāo)公司“氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”和“通信功率放大器” 項(xiàng)目,以及微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”、“第三代半導(dǎo)體工藝及封裝測(cè)試平 臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目”、“碳化硅高壓電源模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”以及上市公司或標(biāo)的公 司營(yíng)運(yùn)資金的補(bǔ)充。公司收購(gòu)標(biāo)的國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾涉及 SiC 業(yè)務(wù),占公司營(yíng)業(yè)收入比重較小,未來(lái)有望持續(xù) 提升。國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾的碳化硅業(yè)務(wù)包括碳化硅功率模塊的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售。國(guó)聯(lián)萬(wàn) 眾負(fù)責(zé)碳化硅電源模塊及其芯片的設(shè)計(jì)、制造和檢測(cè),模塊封裝委托給相關(guān)廠商。 碳化硅電源模塊主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域。目前 已與比亞迪、智旋等重要客戶簽訂供貨協(xié)議并進(jìn)行供貨。2021 年,公司 SiC 相關(guān) 業(yè)務(wù)占公司總營(yíng)收規(guī)模的 5.27%,未來(lái)隨著公司投入增多產(chǎn)能提升,營(yíng)收占比有 望進(jìn)一步提升。3.1.9 瑞芯微瑞芯微成立于 2001 年,20 余年深耕智能應(yīng)用處理器芯片,并于 2020 年在上交所 主板上市。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)為大規(guī)模集成電路及應(yīng)用方案的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和銷售,為 客戶提供芯片產(chǎn)品及技術(shù)服務(wù)。公司主要產(chǎn)品為智能應(yīng)用處理器芯片、電源管理 芯片及其他芯片,同時(shí)提供專業(yè)技術(shù)服務(wù)。 公司旗艦產(chǎn)品的通用性決定了其具有豐富的下游應(yīng)用場(chǎng)景,在消費(fèi)電子、智能物 聯(lián)包括汽車電子等眾多細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域的下游廠商可根據(jù)需求搭建生態(tài)。公司目前 產(chǎn)品覆蓋高、中、低端,全方位布局通用、專用型領(lǐng)域。 在車載處理器領(lǐng)域公司于 2021 年 1 月首次推出符合 AEC-Q100 的芯片 RK3358M, 目前已經(jīng)應(yīng)用于多個(gè)車型的液晶儀表等產(chǎn)品中。瑞芯微最新發(fā)布的 RK3588M 芯 片解決方案主要應(yīng)用于智能汽車領(lǐng)域的智能座艙及 ADAS 產(chǎn)品領(lǐng)域,采用 8nm 先 進(jìn)架構(gòu),四核 A76+四核 A55 八核 CPU,大核主頻 2.1GHz,小核主頻 1.7GHz。 具備 8K 顯示/視頻、原生七屏顯示、6TopsNPU、QNXHypervisor、原生 2 路 TypeC、 雙 16MISP+至少 12 路攝像頭特性。公司 RK3568M 和 RK3588M 目前已被知名車 廠采用,整車預(yù)計(jì)在 2023 年陸續(xù)上市。
公司 2022 年前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 15.7 億元,同比下降 23.68%,歸母凈利潤(rùn) 2.76 億 元,同比下降32.35%。2022年前三季度公司毛利率達(dá)到38.47%,同比下降2.27pcts, 凈利率達(dá)到 17.58%,同比下降 2.25pcts。3.1.10 晶晨股份晶晨股份自 2003 年成立以來(lái),專注于泛音視頻 SoC 研發(fā),并于 2019 年在上交所 科創(chuàng)板上市。晶晨主營(yíng)業(yè)務(wù)為多媒體智能終端 SoC 芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)與銷售。 公司在過(guò)去的近 20 年間,不斷拓展產(chǎn)品邊界,發(fā)力家庭智能物聯(lián)網(wǎng)大賽道,布局 汽車芯片領(lǐng)域,形成了豐富的產(chǎn)品矩陣。另外公司積極開(kāi)拓海外市場(chǎng),擁有豐富 的海內(nèi)外優(yōu)質(zhì)客戶資源。公司在汽車電子領(lǐng)域基于原有業(yè)務(wù)在音視頻領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì),切入車載娛樂(lè) SoC 賽道。 公司推出的 V901D 車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)芯片采用業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 12 納米制程工藝,內(nèi) 置神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器、支持圖形、視頻、影像處理和遠(yuǎn)場(chǎng)語(yǔ)音功能,支持 AV1 解碼, 符合車規(guī)級(jí)要求。目前公司產(chǎn)品已進(jìn)入多個(gè)全球知名車企。公司 2022 年前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 44 億元,同比增長(zhǎng) 36.1%,歸母凈利潤(rùn) 5.85 億元, 同比增長(zhǎng) 35.46%。2022 年前三季度公司毛利率達(dá)到 37.45%,同比下降 4.41pcts, 凈利率達(dá)到 15.45%,同比下降 0.51pcts。3.1.11 韋爾股份上海韋爾半導(dǎo)體有限公司成立于 2007 年,是一家以自主研發(fā)、銷售服務(wù)為主體的 半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)和銷售公司。公司于 2017 年在上海證券交易所上市,主營(yíng)產(chǎn)品包 括保護(hù)器件、功率器件、電源管理器件、模擬開(kāi)關(guān)等四條產(chǎn)品線,700 多個(gè)產(chǎn)品 型號(hào)產(chǎn)品在多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。 公司半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)主要由圖像傳感器解決方案、觸控與顯示解決方案和模 擬解決方案三大業(yè)務(wù)體系構(gòu)成,作為全球知名的提供先進(jìn)數(shù)字成像解決方案的芯 片設(shè)計(jì)公司,公司產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,包括智能手機(jī)、 平板電腦、筆記本電腦、網(wǎng)絡(luò)攝像頭、安全監(jiān)控設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、汽車和醫(yī)療成 像等領(lǐng)域。公司 CMOS 圖像傳感器在分辨率和像素尺寸方面達(dá)到了世界領(lǐng)先水平。公司的 OVB0B 智能手機(jī) CIS 具有 2 億像素的分辨率,像素尺寸達(dá) 0.61 微米,這使公司 在開(kāi)發(fā)汽車解決方案(如 ADAS 和駕駛室內(nèi)監(jiān)控應(yīng)用)方面競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)顯著。在汽 車解決方案中,公司推出升級(jí)版 300 萬(wàn)像素 1/2.7 英寸 CIS 產(chǎn)品 OS03B10?;?公司先進(jìn)的 2.5 微米 OmniPixel?3-HS 技術(shù),OS03B10 提供可編程模式以及全方 位的圖像控制功能,并且具有高靈敏度的正面照明,使真實(shí)的色彩在明亮和黑暗 條件下均可實(shí)現(xiàn),可應(yīng)用于行車記錄儀及其他視頻應(yīng)用。OS03B10 還表現(xiàn)出卓越 的低光靈敏度、信噪比、全井容量、量子效率和低功耗。
公司 2022 年前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 153.83 億元,同比下降 19.05%,歸母凈利潤(rùn) 21.49 億元,同比下降 10.49%。2022 年前三季度公司毛利率達(dá)到 32.65%,同比下降 1.21pcts,凈利率達(dá)到 13.85%,同比下降 5.70pcts。3.2 AR/VR 重點(diǎn)公司分析3.2.1 瑞芯微在虛擬現(xiàn)實(shí)領(lǐng)域,瑞芯微基于自研芯片提供 VR 解決方案,可供客戶用于 VR 類 產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。公司旗下有兩款主流芯片:RK3288 和 RK3399,均滿足“低于 20ms 延 時(shí),75Hz 以上屏刷新率,1K 陀螺儀刷新率”的三大 VR 行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)。 瑞芯微于 2014 年推出 RK3288 芯片,主要針對(duì)較低端的入門級(jí)市場(chǎng)。該芯片采用 28nmHKMG 工藝;CPU 采用超強(qiáng)四核 Cortex-A17,主頻最高達(dá) 1.8GHz;GPU 采 用 Mali-T764,支持 AFBC,并內(nèi)置高性能 2D 加速硬件,支持 OpenGLES1.1/2.0/3.1, OpenCL,DirectX9.3。2016 年底,富士通聯(lián)合瑞芯微發(fā)布了搭載 RK3288 芯片的 FV200 一體機(jī),是首款智能語(yǔ)音控制、實(shí)現(xiàn)人機(jī)交互的 VR 一體機(jī)。從國(guó)內(nèi)下游 VR 設(shè)備廠商來(lái)看,RK3288 芯片受到大批中端一體機(jī)廠商喜愛(ài):Highglass 嗨鏡搭 載 RK3288 芯片,具有 2D/3D 視頻播放、4K 全高清、全格式視頻解碼等特點(diǎn); Nibiru 一體機(jī)通過(guò)搭載 RK3288 芯片提升游戲性能及體驗(yàn)。瑞芯微于 2016 年正式發(fā)布 RK3399 芯片,面向中高端 VR 設(shè)備市場(chǎng)。該芯片 CPU 采用 big.LITTLE 核心架構(gòu),即雙 Cortex-A72 大核+四 Cortex-A53 小核結(jié)構(gòu),頻率 最高1.8GHz;GPU采用Mali-T860,支持AFBC,OpenGLES1.1/2.0/3.0/3.1,OpenCL, 并具有高性能和可擴(kuò)展性的特點(diǎn)。2017 年,大聯(lián)大控股旗下的世平集團(tuán)推出基于 RK3399芯片為核心的VR一體機(jī)解決方案。2017年2月24日,瑞芯微宣布RK3399 對(duì)應(yīng)的 Linux 系統(tǒng)正式開(kāi)源,為開(kāi)發(fā)者提供源代碼下載、技術(shù)文檔、硬件設(shè)計(jì)參 考與開(kāi)發(fā)板等支持服務(wù)。2021 年推出的 RK3588 芯片,是瑞芯微新一代高性能旗艦 Soc 芯片。該芯片采用 8nm 先進(jìn)制程,CPU 采用八核 64 位大小核架構(gòu),即四核 A76+四核 A55 結(jié)構(gòu),具 有高性能和低功耗的特點(diǎn);GPU 采用 ARMMali-G610MP4,專用 2D 圖形加速模塊; 內(nèi)置 6TOPs 算力 NPU,賦能各類 AI 場(chǎng)景。瑞芯微同時(shí)發(fā)布的 RK3588AR/VR 顯 示模組及整機(jī)解決方案,具有高畫質(zhì)、高刷新率、快速響應(yīng)、低延遲等特點(diǎn),可 在影視、娛樂(lè)、主題公園以及博物館等藝術(shù)展館等場(chǎng)景中為消費(fèi)者提供沉浸互動(dòng) 式體驗(yàn)。3.2.2 晶晨股份在 AR/VR 領(lǐng)域,AmlogicS905D3 芯片被應(yīng)用于 2020 年發(fā)布的新一代 AR 眼鏡 RokidGlass2。該芯片采用 12nm 制程工藝,CPU 采用四核 ARMCortex-A55,GPU 采用 ARMMali-G31MP2,支持 OpenGLES3.2,Vulkan1.1 和 OpenCL2.0,內(nèi)置 1.2TOPS 算力 NPU。此外,公司于 2022 年發(fā)布 Wi-Fi62*2,該產(chǎn)品是 Wi-Fi+藍(lán)牙 的二合一集成芯片,可應(yīng)用于 AR/VR、4k/8k 等場(chǎng)景。
3.2.3 韋爾股份公司半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)主要由圖像傳感器解決方案、觸控與顯示解決方案和模 擬解決方案三大業(yè)務(wù)體系構(gòu)成,作為全球知名的提供先進(jìn)數(shù)字成像解決方案的芯 片設(shè)計(jì)公司,公司產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,包括智能手機(jī)、 平板電腦、筆記本電腦、網(wǎng)絡(luò)攝像頭、安全監(jiān)控設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、汽車和醫(yī)療成像等領(lǐng)域。 今年 8 月,公司宣布了業(yè)內(nèi)首款三層堆疊背照式(BSI)全局快門圖像傳感器。據(jù) 悉,OG0TB 具有極其緊湊的外形尺寸、優(yōu)異的圖像質(zhì)量、超低的功耗、以及眼球 與面部追蹤等特性,是市面上應(yīng)用于 AR/VR/MR 和消費(fèi)級(jí)元宇宙市場(chǎng)等應(yīng)用場(chǎng)景 的圖形傳感器中最緊湊的,其封裝尺寸僅 1.64×1.64mm,且在 1/14.46 英寸的光學(xué) 器件中具有 2.2μm 的像素尺寸。CMOS 圖像傳感器本身具有 400×400 分辨率和超 低功耗,而 OG0TBBSIGS 圖像傳感器,可在 30fps 的幀率下達(dá)成低于 7.2mW 的 能耗。3.3 DDR5 升級(jí)重點(diǎn)公司分析3.3.1 瀾起科技公司是一家國(guó)際領(lǐng)先的數(shù)據(jù)處理及互連芯片設(shè)計(jì)公司,致力于為云計(jì)算和人工智 能領(lǐng)域提供高性能、低功耗的芯片解決方案,目前公司擁有兩大產(chǎn)品線,互連類 芯片產(chǎn)品線和津逮服務(wù)器平臺(tái)產(chǎn)品線,采取“Fabless”運(yùn)營(yíng)模式。 互連類芯片產(chǎn)品分為內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。內(nèi)存接口芯片是服務(wù)器 內(nèi)存模組(又稱“內(nèi)存條”)的核心邏輯器件,是服務(wù)器 CPU 存取內(nèi)存數(shù)據(jù)的必 由通路,其主要作用是提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問(wèn)的速度及穩(wěn)定性?,F(xiàn)階段,DDR4 及 DDR5 下內(nèi)存接口芯片按功能可分為寄存緩沖器(RCD)與數(shù)據(jù)緩沖器(DB)。內(nèi)存模 組配套芯片是內(nèi)存模組上除了內(nèi)存顆粒及內(nèi)存接口芯片外的配套芯片,DDR5 標(biāo) 準(zhǔn)下,分別是串行檢測(cè)集線器(SPD)、溫度傳感器(TS)以及電源管理芯片(PMIC)。公司可為 DDR5 系列內(nèi)存模組提供完整的內(nèi)存接口及模組配套芯片解決方案,是 目前全球可提供全套解決方案的兩家公司之一。 津逮服務(wù)器平臺(tái)由公司的津逮 CPU 和混合安全內(nèi)存模組(HSDIMM)組成。該平 臺(tái)具備芯片級(jí)實(shí)時(shí)安全監(jiān)控功能,可在信息安全領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,為云計(jì)算數(shù) 據(jù)中心提供更為安全、可靠的運(yùn)算平臺(tái)。該產(chǎn)品主要服務(wù)中國(guó)本土市場(chǎng),截至目 前,已有多家服務(wù)器廠商采用津逮服務(wù)器平臺(tái)相關(guān)產(chǎn)品,開(kāi)發(fā)出了系列高性能且 具有獨(dú)特安全功能的服務(wù)器機(jī)型,涉及政務(wù)、 交通等領(lǐng)域及高科技企業(yè)。 其中,津逮 CPU 是公司推出的一系列具有預(yù)檢測(cè)、動(dòng)態(tài)安全監(jiān)控功能的 x86 架構(gòu) 處理器(HPC),適用于津逮或其他通用的服務(wù)器平臺(tái)。目前產(chǎn)品為津逮 CPU 三 代,采用先進(jìn)的 10nm 制程工藝,支持 64 通道 PCIe 4.0,最高支持 8 通道 DDR4-3200 內(nèi)存,單插槽最大容量 6TB。其最高核心數(shù)為 28 核,最高基頻為 3.1GHz,最大共享緩存為 42MB,實(shí)現(xiàn)了較大幅度的性能提升。旨在滿足服務(wù)器 市場(chǎng)對(duì) CPU 性能和安全性日益提升的需求,適用于金融、交通、政務(wù)、能源等對(duì) 硬件安全要求較高的行業(yè)。 經(jīng)過(guò)多年的市場(chǎng)拓展,津逮服務(wù)器平臺(tái)已具備一定的客戶基礎(chǔ)及市場(chǎng)份額,持續(xù) 的更新迭代 提高了津逮 CPU 的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力,堅(jiān)持不懈的客戶導(dǎo)入和及時(shí)的本地 服務(wù)也逐步獲得客戶與市場(chǎng)的認(rèn)可。津逮服務(wù)器平臺(tái)產(chǎn)品線 2022 年上半年實(shí)現(xiàn) 銷售 6.90 億元,較上年同期增長(zhǎng) 17.3 倍。
DDR5 產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)度領(lǐng)跑,將受益于行業(yè)更新?lián)Q代。2021Q4,公司研發(fā)的 DDR5 第一子代內(nèi)存接口芯片成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。2022 年 5 月,公司在業(yè)界率先試產(chǎn) DDR5 第二子代 RCD 芯片,目前正在開(kāi)展產(chǎn)品的質(zhì)量及客戶認(rèn)證等工作,預(yù)計(jì)下半年 完成量產(chǎn)版本的研發(fā)。同時(shí),公司正在進(jìn)行 DDR5 第三子代內(nèi)存接口芯片的研 發(fā)。2021 Q4,內(nèi)存接口芯片行業(yè)正式從 DDR4 向 DDR5 世代切換。在 DDR5 世 代,因行業(yè)新增相關(guān)配套芯片的需求,同時(shí)疊加內(nèi)存接口芯片價(jià)值量提升的影響, DDR5 相關(guān)芯片的市場(chǎng)規(guī)模較 DDR4 世代將實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)。公司作為行業(yè)領(lǐng)跑 者,憑借自身的技術(shù)領(lǐng)先地位及市場(chǎng)優(yōu)勢(shì),逐步開(kāi)始受益于世代升級(jí)帶來(lái)的成長(zhǎng) 紅利。2022 年 Q1-3,公司的 DDR5 內(nèi)存接口芯片及內(nèi)存模組配套芯片滲透率穩(wěn) 步提升,助推公司營(yíng)業(yè)收入和歸母凈利潤(rùn)實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)。 公司業(yè)績(jī)持續(xù)穩(wěn)定增長(zhǎng)。隨著 DDR5 內(nèi)存接口芯片及內(nèi)存模組配套芯片持續(xù)出貨, 以及津逮CPU業(yè)務(wù)穩(wěn)健發(fā)展,2022Q1-3實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入28.81億元,同比增長(zhǎng)80.88%, 實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn) 9.99 億元,同比增長(zhǎng) 94.94%;毛利率達(dá)到 43.70%, 同比減少 5.43pcts,凈利率達(dá)到 34.68%,同比增長(zhǎng) 2.50pcts。3.3.2 聚辰股份公司是一家全球化的集成電路設(shè)計(jì)高新技術(shù)企業(yè),專門從事高性能、高品質(zhì)集成 電路產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)和銷售,并提供應(yīng)用解決方案和技術(shù)支持服務(wù)。公司目前擁 有非易失性存儲(chǔ)芯片、音圈馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片和智能卡芯片三條主要產(chǎn)品線,產(chǎn)品廣 泛應(yīng)用于智能手機(jī)、液晶面板、計(jì)算機(jī)及周邊、汽車電子、工業(yè)控制、通訊、藍(lán) 牙模塊、白色家電、醫(yī)療儀器等眾多領(lǐng)域。其中,非易失性存儲(chǔ)芯片 2022H1 銷 售占整體比重達(dá) 86.05%,為公司主要營(yíng)收來(lái)源。內(nèi)存模組世代轉(zhuǎn)換,SPDEEP ROM 成業(yè)務(wù)增長(zhǎng)來(lái)源。2021Q4,內(nèi)存模組正式由 DDR4 向 DDR5 轉(zhuǎn)換,針對(duì)最新的 DDR5 內(nèi)存技術(shù),公司與瀾起科技合作開(kāi)發(fā)配 套新一代 DDR5 內(nèi)存條的 SPD 產(chǎn)品,該產(chǎn)品系列內(nèi)置 SPDEEP ROM,用于存儲(chǔ) 內(nèi)存模組的相關(guān)信息以及模組上內(nèi)存顆粒和相關(guān)器件的所有配置參數(shù),并集成了 I2C/I3C 總線集線器(Hub)和高精度溫度傳感器(TS),主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的 UDIMM、SODIMM 內(nèi)存模組和服務(wù)器領(lǐng)域的 RDIMM、LRDIMM 內(nèi)存模組, 為 DDR5 內(nèi)存模組不可或缺的組件,也是內(nèi)存管理系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分。 2022 年上半年,在 DDR5 內(nèi)存技術(shù)商用的驅(qū)動(dòng)下,應(yīng)用于 DDR5 內(nèi)存模組的 SPD 產(chǎn)品需求量迅速增長(zhǎng)。作為業(yè)內(nèi)少數(shù)擁有完整的SPD產(chǎn)品組合和技術(shù)儲(chǔ)備的企業(yè), 公司抓住 SPD 市場(chǎng)發(fā)展的機(jī)遇,SPD 產(chǎn)品的銷量及收入快速增長(zhǎng),成為業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng) 的重要驅(qū)動(dòng)力。 2022Q1-3,受益于 SPD 及汽車級(jí) EEPROM 等高附加值產(chǎn)品大批量供貨,公司實(shí) 現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 7.1763 億元,較上年同期增長(zhǎng) 82.89 %;歸屬于上市公司股東的凈利 潤(rùn) 2.5838 億元,同比增長(zhǎng) 212.82 %;毛利率達(dá)到 65.20%,同比增加 30.20pcts, 凈利率達(dá)到 35.30%,同比增加 14.98pcts。(本文僅供參考,不代表我們的任何投資建議。如需使用相關(guān)信息,請(qǐng)參閱報(bào)告原文。)精選報(bào)告來(lái)源:【未來(lái)智庫(kù)】?!告溄印?/strong>