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前言
1月28日據(jù)彭博社、《華爾街日?qǐng)?bào)》等媒體報(bào)道，美國(guó)、荷蘭和日本三國(guó)針對(duì)限制芯片對(duì)中國(guó)出口達(dá)成協(xié)議，細(xì)則將于4月公開(kāi)。韓國(guó)SK 海力士拒絕就美日荷協(xié)議發(fā)表評(píng)論，三星電子未回復(fù)置評(píng)請(qǐng)求的電子郵件。
美日荷目前作為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游，它們?cè)诎雽?dǎo)體領(lǐng)域所能夠呈現(xiàn)的競(jìng)爭(zhēng)性優(yōu)勢(shì)如何？
01 美國(guó)
眾所周知，一塊芯片的誕生需要幾十億個(gè)晶體管，因此必須依賴EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）軟件來(lái)排布芯片里的各種電路結(jié)構(gòu)和區(qū)塊。
EDA領(lǐng)域，美國(guó)的Synopsys、Cadence、Siemens EDA三家合起來(lái)占了全球78%的市場(chǎng)。
設(shè)計(jì)方面，全球10大芯片設(shè)計(jì)公司，美國(guó)6家上榜，如高通、英偉達(dá)等市場(chǎng)份額共占比高達(dá)78%。
制造方面，美國(guó)大約擁有46%前端半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)能的份額，同時(shí)在研發(fā)、設(shè)計(jì)、IP及半導(dǎo)體設(shè)備等方面都保持著領(lǐng)先地位。美國(guó)應(yīng)用材料、泛林、科壘依次名列全球半導(dǎo)體設(shè)備商前五強(qiáng)，全球市場(chǎng)占有率達(dá)45%以上。
02 日本
在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)上，日本企業(yè)主要活躍在硅片、光刻膠領(lǐng)域。
如信越化學(xué)和SUMCO兩家企業(yè)占了近50%的市場(chǎng)份額，而中國(guó)大陸所有相關(guān)企業(yè)加起來(lái)不到5%。
如日本JSR、信越化學(xué)、東京應(yīng)化、住友化學(xué)四家企業(yè)共占比達(dá)到82%的份額，而世界前五大光刻膠廠商總共僅拿下87%的市場(chǎng)份額。
半導(dǎo)體設(shè)備，日本企業(yè)10種設(shè)備所占的市場(chǎng)份額超過(guò)50%，在涂布/顯影設(shè)備、清洗設(shè)備等前端半導(dǎo)體設(shè)備幾乎壟斷市場(chǎng)。在后端半導(dǎo)體設(shè)備，日本的劃片機(jī)和成型器也是世界第一，此外日本還是三款重要后端檢測(cè)設(shè)備的霸主。
總體而言，目前日本仍為全球提供超過(guò)50%的重要半導(dǎo)體材料和40%以上的半導(dǎo)體制造設(shè)備的國(guó)家。
03 荷蘭
目前，光刻機(jī)領(lǐng)域由荷蘭的ASML、日本的佳能及尼康，控制著全球九成以上的市場(chǎng)份額，其中荷蘭ASML占據(jù)大約60%的市場(chǎng)份額。它憑尖端的光刻機(jī)技術(shù)，也是唯一一家能提供EUV高端光刻機(jī)技術(shù)的設(shè)備商。
04 中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)如何應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)？半導(dǎo)體材料 ：本土企業(yè)下游晶圓產(chǎn)線加速擴(kuò)產(chǎn)
據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2021年中國(guó)半導(dǎo)體晶圓制造材料的整體國(guó)產(chǎn)化率為20%-30%，其中電子特氣、靶材國(guó)產(chǎn)化率約為30-40%；硅片、濕電子化學(xué)品、CMP耗材總體國(guó)產(chǎn)化率約在20-30%。隨著產(chǎn)能利用率不斷提高，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料開(kāi)始逐步放量。
硅片領(lǐng)域：滬硅產(chǎn)業(yè)率先打破僵局滬硅產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)品涵蓋300mm拋光片及外延片、200mm及以下拋光片、外延片以及200mm及以下的SOI硅片；
立昂微，目前12英寸硅片月產(chǎn)6萬(wàn)片/月，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)15萬(wàn)片/月。技術(shù)能力已覆蓋14nm以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)邏輯電路；中晶科技，主要產(chǎn)能集中在3~6英寸硅片，8英寸拋光片項(xiàng)目已投產(chǎn)。
電子氣體：低端向高端逐步邁進(jìn)
華特氣體，光刻氣（Ar/Ne/Xe、Kr/Ne、F2/Kr/Ne、F2/Ar/Ne）通過(guò)了ASML和GIGAPHOTON的認(rèn)證，部分產(chǎn)品已批量供應(yīng)14nm、7nm等產(chǎn)線，并且部分氟碳類產(chǎn)品已進(jìn)入到5nm工藝中使用；
中巨芯，目前已實(shí)現(xiàn)6N純度的高純氯氣和高純氯化氫量產(chǎn)，產(chǎn)品已在中芯國(guó)際、華潤(rùn)微電子等多家主流客戶通過(guò)認(rèn)證并批量供貨，打破國(guó)際壟斷；
凱美特氣，公司正在積極推進(jìn)激光混配氣在ASML認(rèn)證的進(jìn)度，目前已建成并投入12套電子特種氣體生產(chǎn)及輔助裝置。
光刻膠：由中低端逐步突破
飛凱材料，i-line光刻膠于今年形成銷售，KrF光刻膠已有一定的技術(shù)儲(chǔ)備，正在開(kāi)發(fā)過(guò)程中；
彤程新材，第一款國(guó)產(chǎn)化KrF負(fù)性光刻膠2021年在中芯國(guó)際、合肥長(zhǎng)鑫等用戶形成銷售；
南大光電，目前公司產(chǎn)品已在下游客戶存儲(chǔ)芯片50nm和邏輯芯片55nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品上通過(guò)認(rèn)證，同時(shí)多款產(chǎn)品正在多家客戶進(jìn)行認(rèn)證。
掩膜版：國(guó)產(chǎn)替代加速突圍
路維光電，公司已掌握180nm/150nm IC掩膜版制造核心技術(shù)，已實(shí)現(xiàn)250nm IC掩膜版量產(chǎn)；
清溢光電，清溢光電 250nm 半導(dǎo)體芯片用掩膜版技術(shù)的 CD 精度為 50nm，位置精度為 70nm，達(dá)到國(guó)際主流水平，目前已量產(chǎn) 250nm 工藝節(jié)點(diǎn)的 6 英寸和 8 英寸半導(dǎo)體芯片用掩膜版；
石英股份，目前已推出從 G4 代到 G8 代的系列產(chǎn)品，打破國(guó)外公司的技術(shù)壟斷。具體廠家名錄：（排名不分先后）
半導(dǎo)體設(shè)備：國(guó)產(chǎn)產(chǎn)線設(shè)備用量從“1”到“N”
美國(guó)、日本和荷蘭，均為半導(dǎo)體技術(shù)強(qiáng)國(guó)，在先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域處領(lǐng)先地位。
但隨著國(guó)產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，2022年上半年國(guó)產(chǎn)化率高于30%的有去膠、清洗、刻蝕、 CMP等設(shè)備；國(guó)產(chǎn)化率在10%—30%的有涂膠顯影、薄膜沉積、熱處理、量測(cè)等設(shè)備。未來(lái)中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望在國(guó)內(nèi)多條產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)從“1”到“N”，實(shí)現(xiàn)設(shè)備品類的拓展和份額的提升。
刻蝕設(shè)備環(huán)節(jié)，國(guó)內(nèi)主要參與者包括中微公司、北方華創(chuàng)和屹唐股份等。其中，中微公司的刻蝕設(shè)備包含CCP與ICP，目前CCP已突破7-5nm，在5nm以下也進(jìn)展順利。
光刻環(huán)節(jié)，上海微電子在90nm、110nm、280nm等制程上已全面實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。2022年2月，上海微電子交付了首臺(tái)2.5D3D先進(jìn)封裝光刻機(jī)。按照之前的計(jì)劃，28nm的光刻機(jī)將在近兩年內(nèi)完成交付。
CMP設(shè)備領(lǐng)域，華海清科是國(guó)內(nèi)唯一一家實(shí)現(xiàn)12英寸CMP設(shè)備量產(chǎn)的企業(yè)，公司12英寸系列CMP設(shè)備產(chǎn)品已經(jīng)完成批量化應(yīng)用，制程上也開(kāi)始向14nm推進(jìn)，目前已進(jìn)入驗(yàn)證階段。具體廠家名錄：（排名不分先后）
EDA:多以美廠商為主，國(guó)內(nèi)追趕步伐迅速
據(jù)ESD Alliance統(tǒng)計(jì) ，美國(guó)的Synopsys、Cadence、Siemens EDA三家合起來(lái)占了全球78%的市場(chǎng)。
雖然國(guó)內(nèi)的EDA設(shè)計(jì)軟件行業(yè)市場(chǎng)集中度較低，占比不足15%。但是在部分單點(diǎn)仿真工具或者綜合工具方面本土廠商已經(jīng)具備一定競(jìng)爭(zhēng)力，后續(xù)伴隨著技術(shù)和產(chǎn)品的延伸布局，預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)會(huì)在不久的將來(lái)涌現(xiàn)一批具備全球競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力的EDA軟件廠商。
華大九天，目前已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化產(chǎn)品20余種，占主流EDA工具一半以上，服務(wù)全球近400家客戶；
芯愿景，EDA軟件目前已在超40,000多個(gè)實(shí)際集成電路項(xiàng)目中得到應(yīng)用，全球客戶數(shù)量超過(guò)1500家；
芯華章，目前已發(fā)布了4款極具技術(shù)門(mén)檻的驗(yàn)證EDA產(chǎn)品，以及統(tǒng)一底層構(gòu)架的智V驗(yàn)證平臺(tái)。
具體廠家名錄：（排名不分先后）
IP（專利）：高速連接未來(lái)
芯動(dòng)科技，從0.13um、65nm、55nm、40nm、28nm到先進(jìn)Finfet 14/12/8/7/5納米等工藝不斷跨越，提供了覆蓋面和成熟度領(lǐng)先的一站式高速接口IP，量產(chǎn)芯片數(shù)量高達(dá)數(shù)十億顆；芯來(lái)科技，相繼推出了N100、N200、N300、N/NX/UX600、N/NX/UX900等系列產(chǎn)品覆蓋了從低功耗到高性能的各種場(chǎng)景需求；
銳成芯微，近年來(lái)銳成芯微在40nm等工藝節(jié)點(diǎn)推出藍(lán)牙IP解決方案，并已進(jìn)入量產(chǎn)，目前宣布在22nm工藝上推出雙模藍(lán)牙射頻IP。
IC制造代工：產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移深入顯現(xiàn)
中芯國(guó)際，從2015年的28nm開(kāi)始，14nm、N+1、N+2、到如今的7nm工藝，6年時(shí)間跨越了5個(gè)時(shí)代；
華虹半導(dǎo)體，華虹12英寸生產(chǎn)線建成投片，正式完成“8英寸+12英寸”工藝產(chǎn)線布局，已將制程能力提升到55nm；
華潤(rùn)微，12月29日，華潤(rùn)微電子重慶12英寸晶圓制造生產(chǎn)線以及先進(jìn)功率封測(cè)基地實(shí)現(xiàn)通線。
封裝測(cè)試：逐漸縮小技術(shù)差距
近年來(lái)，國(guó)內(nèi)封測(cè)龍頭企業(yè)通過(guò)自主研發(fā)和并購(gòu)重組，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域正逐漸縮小同國(guó)際先進(jìn)企業(yè)的技術(shù)差距，同時(shí)在國(guó)際市場(chǎng)分工中已有了較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。目前全球營(yíng)收前十大封測(cè)廠商，長(zhǎng)電科技、通富微電和華天科技三家約市占率達(dá)到20.1%。
長(zhǎng)電科技，2022年7 月公告在進(jìn)封測(cè)技術(shù)領(lǐng)域取得新的突破，實(shí)現(xiàn) 4nm 工藝制程手機(jī)芯片的封裝，以及 CPU、GPU 和射頻芯片的集成封裝。4nm 芯片作為先進(jìn)硅節(jié)點(diǎn)技術(shù)，也是導(dǎo)入 Chiplet 封裝的一部分；
通富微電，已覆蓋功率模塊封裝、高密度FCBGA封裝、FOPoS/VISionS (2.5D/3D）、12”超細(xì)間距Gold Bump及AMOLED COP封裝、超薄芯片多層堆疊封裝。2021年，在先進(jìn)封裝方面公司已大規(guī)模生產(chǎn)Chiplet產(chǎn)品，7nm產(chǎn)品已大規(guī)模量產(chǎn)，5nm產(chǎn)品已完成研發(fā)即將量產(chǎn)；
華天科技，已具備2.5D Interpose FCBGA、FO FCBGA、3D FO SiP 等先進(jìn)封裝技術(shù)，以及基于TCB工藝的3D Memory封裝技術(shù)，Double Side molding射頻封裝技術(shù)、車載激光雷達(dá)及車規(guī)級(jí)12吋晶圓級(jí)封裝等技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)。
具體廠家名錄：（排名不分先后）
光刻機(jī)：正在被國(guó)產(chǎn)逐步替代
在當(dāng)前光刻機(jī)幾乎被完全壟斷的局勢(shì)下，實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)替代勢(shì)在必行。
去年11月，華為公布消息已突破EUV先進(jìn)光刻機(jī)的相關(guān)專利；
據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道，我國(guó)哈工大近日成功突破關(guān)鍵技術(shù)，研發(fā)出了高速超精密激光干涉儀，目前可用于350nm到28nm工藝的光刻機(jī)樣機(jī)集成研制和性能測(cè)試；
中芯國(guó)際等企業(yè)就已經(jīng)獲得28nm芯片自研技術(shù)的突破，大力投建工廠，擴(kuò)大產(chǎn)能，成功補(bǔ)足840億顆進(jìn)口芯片缺口；
上海微電子，官方公布的消息是已經(jīng)實(shí)現(xiàn)90nm前道光刻機(jī)的量產(chǎn)，并持續(xù)研發(fā)中。
綜合來(lái)看，隨著國(guó)產(chǎn)科技企業(yè)加快在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的發(fā)展以后，國(guó)內(nèi)對(duì)光刻機(jī)的需求也開(kāi)始逐漸變大，現(xiàn)如今中國(guó)也已逐漸成為全球最大的光刻機(jī)市場(chǎng)。
具體廠家名錄：（排名不分先后）
總 結(jié)
如今，中國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈慢慢雄起，將迎來(lái)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大洗牌，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于創(chuàng)新爆發(fā)的前夜。未來(lái)中國(guó)將維持最低內(nèi)循環(huán)在成熟工藝上進(jìn)行底層技術(shù)（設(shè)備、材料、EDA/IP )的自主創(chuàng)新，國(guó)產(chǎn)替代化空間巨大，讓我們拭目以待！
1月28日據(jù)彭博社、《華爾街日?qǐng)?bào)》等媒體報(bào)道，美國(guó)、荷蘭和日本三國(guó)針對(duì)限制芯片對(duì)中國(guó)出口達(dá)成協(xié)議，細(xì)則將于4月公開(kāi)。韓國(guó)SK 海力士拒絕就美日荷協(xié)議發(fā)表評(píng)論，三星電子未回復(fù)置評(píng)請(qǐng)求的電子郵件。
美日荷目前作為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游，它們?cè)诎雽?dǎo)體領(lǐng)域所能夠呈現(xiàn)的競(jìng)爭(zhēng)性優(yōu)勢(shì)如何？
01 美國(guó)
眾所周知，一塊芯片的誕生需要幾十億個(gè)晶體管，因此必須依賴EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）軟件來(lái)排布芯片里的各種電路結(jié)構(gòu)和區(qū)塊。
EDA領(lǐng)域，美國(guó)的Synopsys、Cadence、Siemens EDA三家合起來(lái)占了全球78%的市場(chǎng)。
設(shè)計(jì)方面，全球10大芯片設(shè)計(jì)公司，美國(guó)6家上榜，如高通、英偉達(dá)等市場(chǎng)份額共占比高達(dá)78%。
制造方面，美國(guó)大約擁有46%前端半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)能的份額，同時(shí)在研發(fā)、設(shè)計(jì)、IP及半導(dǎo)體設(shè)備等方面都保持著領(lǐng)先地位。美國(guó)應(yīng)用材料、泛林、科壘依次名列全球半導(dǎo)體設(shè)備商前五強(qiáng)，全球市場(chǎng)占有率達(dá)45%以上。
02 日本
在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)上，日本企業(yè)主要活躍在硅片、光刻膠領(lǐng)域。
如信越化學(xué)和SUMCO兩家企業(yè)占了近50%的市場(chǎng)份額，而中國(guó)大陸所有相關(guān)企業(yè)加起來(lái)不到5%。
如日本JSR、信越化學(xué)、東京應(yīng)化、住友化學(xué)四家企業(yè)共占比達(dá)到82%的份額，而世界前五大光刻膠廠商總共僅拿下87%的市場(chǎng)份額。
半導(dǎo)體設(shè)備，日本企業(yè)10種設(shè)備所占的市場(chǎng)份額超過(guò)50%，在涂布/顯影設(shè)備、清洗設(shè)備等前端半導(dǎo)體設(shè)備幾乎壟斷市場(chǎng)。在后端半導(dǎo)體設(shè)備，日本的劃片機(jī)和成型器也是世界第一，此外日本還是三款重要后端檢測(cè)設(shè)備的霸主。
總體而言，目前日本仍為全球提供超過(guò)50%的重要半導(dǎo)體材料和40%以上的半導(dǎo)體制造設(shè)備的國(guó)家。
03 荷蘭
目前，光刻機(jī)領(lǐng)域由荷蘭的ASML、日本的佳能及尼康，控制著全球九成以上的市場(chǎng)份額，其中荷蘭ASML占據(jù)大約60%的市場(chǎng)份額。它憑尖端的光刻機(jī)技術(shù)，也是唯一一家能提供EUV高端光刻機(jī)技術(shù)的設(shè)備商。
04 中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)如何應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)？半導(dǎo)體材料 ：本土企業(yè)下游晶圓產(chǎn)線加速擴(kuò)產(chǎn)
據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2021年中國(guó)半導(dǎo)體晶圓制造材料的整體國(guó)產(chǎn)化率為20%-30%，其中電子特氣、靶材國(guó)產(chǎn)化率約為30-40%；硅片、濕電子化學(xué)品、CMP耗材總體國(guó)產(chǎn)化率約在20-30%。隨著產(chǎn)能利用率不斷提高，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料開(kāi)始逐步放量。
硅片領(lǐng)域：滬硅產(chǎn)業(yè)率先打破僵局滬硅產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)品涵蓋300mm拋光片及外延片、200mm及以下拋光片、外延片以及200mm及以下的SOI硅片；
立昂微，目前12英寸硅片月產(chǎn)6萬(wàn)片/月，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)15萬(wàn)片/月。技術(shù)能力已覆蓋14nm以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)邏輯電路；中晶科技，主要產(chǎn)能集中在3~6英寸硅片，8英寸拋光片項(xiàng)目已投產(chǎn)。
電子氣體：低端向高端逐步邁進(jìn)
華特氣體，光刻氣（Ar/Ne/Xe、Kr/Ne、F2/Kr/Ne、F2/Ar/Ne）通過(guò)了ASML和GIGAPHOTON的認(rèn)證，部分產(chǎn)品已批量供應(yīng)14nm、7nm等產(chǎn)線，并且部分氟碳類產(chǎn)品已進(jìn)入到5nm工藝中使用；
中巨芯，目前已實(shí)現(xiàn)6N純度的高純氯氣和高純氯化氫量產(chǎn)，產(chǎn)品已在中芯國(guó)際、華潤(rùn)微電子等多家主流客戶通過(guò)認(rèn)證并批量供貨，打破國(guó)際壟斷；
凱美特氣，公司正在積極推進(jìn)激光混配氣在ASML認(rèn)證的進(jìn)度，目前已建成并投入12套電子特種氣體生產(chǎn)及輔助裝置。
光刻膠：由中低端逐步突破
飛凱材料，i-line光刻膠于今年形成銷售，KrF光刻膠已有一定的技術(shù)儲(chǔ)備，正在開(kāi)發(fā)過(guò)程中；
彤程新材，第一款國(guó)產(chǎn)化KrF負(fù)性光刻膠2021年在中芯國(guó)際、合肥長(zhǎng)鑫等用戶形成銷售；
南大光電，目前公司產(chǎn)品已在下游客戶存儲(chǔ)芯片50nm和邏輯芯片55nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品上通過(guò)認(rèn)證，同時(shí)多款產(chǎn)品正在多家客戶進(jìn)行認(rèn)證。
掩膜版：國(guó)產(chǎn)替代加速突圍
路維光電，公司已掌握180nm/150nm IC掩膜版制造核心技術(shù)，已實(shí)現(xiàn)250nm IC掩膜版量產(chǎn)；
清溢光電，清溢光電 250nm 半導(dǎo)體芯片用掩膜版技術(shù)的 CD 精度為 50nm，位置精度為 70nm，達(dá)到國(guó)際主流水平，目前已量產(chǎn) 250nm 工藝節(jié)點(diǎn)的 6 英寸和 8 英寸半導(dǎo)體芯片用掩膜版；
石英股份，目前已推出從 G4 代到 G8 代的系列產(chǎn)品，打破國(guó)外公司的技術(shù)壟斷。具體廠家名錄：（排名不分先后）
半導(dǎo)體設(shè)備：國(guó)產(chǎn)產(chǎn)線設(shè)備用量從“1”到“N”美國(guó)、日本和荷蘭，均為半導(dǎo)體技術(shù)強(qiáng)國(guó)，在先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域處領(lǐng)先地位。
但隨著國(guó)產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，2022年上半年國(guó)產(chǎn)化率高于30%的有去膠、清洗、刻蝕、 CMP等設(shè)備；國(guó)產(chǎn)化率在10%—30%的有涂膠顯影、薄膜沉積、熱處理、量測(cè)等設(shè)備。未來(lái)中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望在國(guó)內(nèi)多條產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)從“1”到“N”，實(shí)現(xiàn)設(shè)備品類的拓展和份額的提升。
刻蝕設(shè)備環(huán)節(jié)，國(guó)內(nèi)主要參與者包括中微公司、北方華創(chuàng)和屹唐股份等。其中，中微公司的刻蝕設(shè)備包含CCP與ICP，目前CCP已突破7-5nm，在5nm以下也進(jìn)展順利。
光刻環(huán)節(jié)，上海微電子在90nm、110nm、280nm等制程上已全面實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。2022年2月，上海微電子交付了首臺(tái)2.5D3D先進(jìn)封裝光刻機(jī)。按照之前的計(jì)劃，28nm的光刻機(jī)將在近兩年內(nèi)完成交付。
CMP設(shè)備領(lǐng)域，華海清科是國(guó)內(nèi)唯一一家實(shí)現(xiàn)12英寸CMP設(shè)備量產(chǎn)的企業(yè)，公司12英寸系列CMP設(shè)備產(chǎn)品已經(jīng)完成批量化應(yīng)用，制程上也開(kāi)始向14nm推進(jìn)，目前已進(jìn)入驗(yàn)證階段。具體廠家名錄：（排名不分先后）
EDA:多以美廠商為主，國(guó)內(nèi)追趕步伐迅速
據(jù)ESD Alliance統(tǒng)計(jì) ，美國(guó)的Synopsys、Cadence、Siemens EDA三家合起來(lái)占了全球78%的市場(chǎng)。
雖然國(guó)內(nèi)的EDA設(shè)計(jì)軟件行業(yè)市場(chǎng)集中度較低，占比不足15%。但是在部分單點(diǎn)仿真工具或者綜合工具方面本土廠商已經(jīng)具備一定競(jìng)爭(zhēng)力，后續(xù)伴隨著技術(shù)和產(chǎn)品的延伸布局，預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)會(huì)在不久的將來(lái)涌現(xiàn)一批具備全球競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力的EDA軟件廠商。
華大九天，目前已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化產(chǎn)品20余種，占主流EDA工具一半以上，服務(wù)全球近400家客戶；
芯愿景，EDA軟件目前已在超40,000多個(gè)實(shí)際集成電路項(xiàng)目中得到應(yīng)用，全球客戶數(shù)量超過(guò)1500家；
芯華章，目前已發(fā)布了4款極具技術(shù)門(mén)檻的驗(yàn)證EDA產(chǎn)品，以及統(tǒng)一底層構(gòu)架的智V驗(yàn)證平臺(tái)。
具體廠家名錄：（排名不分先后）
IP（專利）：高速連接未來(lái)芯動(dòng)科技，從0.13um、65nm、55nm、40nm、28nm到先進(jìn)Finfet 14/12/8/7/5納米等工藝不斷跨越，提供了覆蓋面和成熟度領(lǐng)先的一站式高速接口IP，量產(chǎn)芯片數(shù)量高達(dá)數(shù)十億顆；芯來(lái)科技，相繼推出了N100、N200、N300、N/NX/UX600、N/NX/UX900等系列產(chǎn)品覆蓋了從低功耗到高性能的各種場(chǎng)景需求；
銳成芯微，近年來(lái)銳成芯微在40nm等工藝節(jié)點(diǎn)推出藍(lán)牙IP解決方案，并已進(jìn)入量產(chǎn)，目前宣布在22nm工藝上推出雙模藍(lán)牙射頻IP。
IC制造代工：產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移深入顯現(xiàn)
中芯國(guó)際，從2015年的28nm開(kāi)始，14nm、N+1、N+2、到如今的7nm工藝，6年時(shí)間跨越了5個(gè)時(shí)代；
華虹半導(dǎo)體，華虹12英寸生產(chǎn)線建成投片，正式完成“8英寸+12英寸”工藝產(chǎn)線布局，已將制程能力提升到55nm；
華潤(rùn)微，12月29日，華潤(rùn)微電子重慶12英寸晶圓制造生產(chǎn)線以及先進(jìn)功率封測(cè)基地實(shí)現(xiàn)通線。
封裝測(cè)試：逐漸縮小技術(shù)差距
近年來(lái)，國(guó)內(nèi)封測(cè)龍頭企業(yè)通過(guò)自主研發(fā)和并購(gòu)重組，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域正逐漸縮小同國(guó)際先進(jìn)企業(yè)的技術(shù)差距，同時(shí)在國(guó)際市場(chǎng)分工中已有了較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。目前全球營(yíng)收前十大封測(cè)廠商，長(zhǎng)電科技、通富微電和華天科技三家約市占率達(dá)到20.1%。
長(zhǎng)電科技，2022年7 月公告在進(jìn)封測(cè)技術(shù)領(lǐng)域取得新的突破，實(shí)現(xiàn) 4nm 工藝制程手機(jī)芯片的封裝，以及 CPU、GPU 和射頻芯片的集成封裝。4nm 芯片作為先進(jìn)硅節(jié)點(diǎn)技術(shù)，也是導(dǎo)入 Chiplet 封裝的一部分；
通富微電，已覆蓋功率模塊封裝、高密度FCBGA封裝、FOPoS/VISionS (2.5D/3D）、12”超細(xì)間距Gold Bump及AMOLED COP封裝、超薄芯片多層堆疊封裝。2021年，在先進(jìn)封裝方面公司已大規(guī)模生產(chǎn)Chiplet產(chǎn)品，7nm產(chǎn)品已大規(guī)模量產(chǎn)，5nm產(chǎn)品已完成研發(fā)即將量產(chǎn)；
華天科技，已具備2.5D Interpose FCBGA、FO FCBGA、3D FO SiP 等先進(jìn)封裝技術(shù)，以及基于TCB工藝的3D Memory封裝技術(shù)，Double Side molding射頻封裝技術(shù)、車載激光雷達(dá)及車規(guī)級(jí)12吋晶圓級(jí)封裝等技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)。
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光刻機(jī)：正在被國(guó)產(chǎn)逐步替代
在當(dāng)前光刻機(jī)幾乎被完全壟斷的局勢(shì)下，實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)替代勢(shì)在必行。
去年11月，華為公布消息已突破EUV先進(jìn)光刻機(jī)的相關(guān)專利；
據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道，我國(guó)哈工大近日成功突破關(guān)鍵技術(shù)，研發(fā)出了高速超精密激光干涉儀，目前可用于350nm到28nm工藝的光刻機(jī)樣機(jī)集成研制和性能測(cè)試；
中芯國(guó)際等企業(yè)就已經(jīng)獲得28nm芯片自研技術(shù)的突破，大力投建工廠，擴(kuò)大產(chǎn)能，成功補(bǔ)足840億顆進(jìn)口芯片缺口；
上海微電子，官方公布的消息是已經(jīng)實(shí)現(xiàn)90nm前道光刻機(jī)的量產(chǎn)，并持續(xù)研發(fā)中。
綜合來(lái)看，隨著國(guó)產(chǎn)科技企業(yè)加快在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的發(fā)展以后，國(guó)內(nèi)對(duì)光刻機(jī)的需求也開(kāi)始逐漸變大，現(xiàn)如今中國(guó)也已逐漸成為全球最大的光刻機(jī)市場(chǎng)。
具體廠家名錄：（排名不分先后）
總 結(jié)
如今，中國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈慢慢雄起，將迎來(lái)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大洗牌，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于創(chuàng)新爆發(fā)的前夜。未來(lái)中國(guó)將維持最低內(nèi)循環(huán)在成熟工藝上進(jìn)行底層技術(shù)（設(shè)備、材料、EDA/IP )的自主創(chuàng)新，國(guó)產(chǎn)替代化空間巨大，讓我們拭目以待！
