近年來，人工智能算法迅速發(fā)展，算力需求按每年11.5倍的倍率增長。然而芯片算力的提升僅能維持每年1.1~1.5倍的發(fā)展速度，與應(yīng)用需求間存在數(shù)量級差距。目前，產(chǎn)業(yè)正在極力縮小差距：一方面，可以通過存算一體、CGRA等先進(jìn)架構(gòu)進(jìn)行現(xiàn)有制程工藝節(jié)點下的算力優(yōu)化；另一方面，我國正全力部署先進(jìn)制程研發(fā)。先進(jìn)節(jié)點的半導(dǎo)體制造離不開復(fù)雜精密的半導(dǎo)體制造設(shè)備，然而出口管制政策對于先進(jìn)設(shè)備的禁運，倒逼我國自研設(shè)備進(jìn)行國產(chǎn)替代。

據(jù)統(tǒng)計，2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模高達(dá)1085億美金，同比增長5.9%。其中，中國大陸地區(qū)為全球最大的設(shè)備市場，2022年市場規(guī)模已達(dá)到320億美元。放眼國內(nèi)主制程設(shè)備、零部件以及量測設(shè)備公司，高鵠資本通過深入的產(chǎn)業(yè)鏈分析，提出創(chuàng)業(yè)公司核心壁壘與關(guān)鍵指標(biāo)的判斷標(biāo)準(zhǔn)，希望與行業(yè)內(nèi)的投資人、企業(yè)家們共同交流、探討。

一、主制程設(shè)備及零部件的國產(chǎn)化機會詳解

IC工藝對應(yīng)流程主要分為硅片制造、前道與后道芯片制造環(huán)節(jié)。其中，前道芯片制造是被卡脖子最嚴(yán)重的環(huán)節(jié)，設(shè)備種類最多、復(fù)雜度最高，其流程主要包含薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、氧化擴散、CMP以及金屬化。

半導(dǎo)體集成電路制造前道工藝可以分為前半段器件形成工藝（包括在硅基板內(nèi)做成三極管等元器件），后半段布線工藝（包括在硅基板上進(jìn)行金屬布線）。通過下圖可以發(fā)現(xiàn)，鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入及熱處理設(shè)備的技術(shù)壁壘高，在主制程中使用頻次較高。

中國大陸地區(qū)已能實現(xiàn)28nm芯片量產(chǎn)以及14nm芯片小規(guī)模量產(chǎn)，但與臺積電、三星等可以制備的3nm節(jié)點仍有較大差距。目前，半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域已開始補全中低制程，但由于前道設(shè)備的技術(shù)積累薄弱，鍍膜機、光刻機、離子注入機等設(shè)備的國產(chǎn)化率仍較低。

接下來，高鵠團隊將對各主制程設(shè)備及零部件的國產(chǎn)化機會進(jìn)行系統(tǒng)性地拆解。

（一）鍍膜設(shè)備：CVD需求成倍增長

在硅片上沉積薄膜有多種技術(shù)，按工藝主要分為化學(xué)工藝和物理工藝：化學(xué)工藝包括化學(xué)氣相沉積（CVD）和電化學(xué)沉積（ECD）；物理工藝即物理氣相沉積（PVD）。CVD是利用等離子體激勵、加熱等方法，使反應(yīng)物質(zhì)在一定溫度和氣態(tài)條件下，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并沉積在襯底表面，進(jìn)而制得薄膜的工藝。PVD是一種利用濺射或蒸發(fā)等物理方法，團簇在真空環(huán)境中的襯底上凝聚，形成涂層的過程。由于化學(xué)活性基團比物理團簇活性更高、鉆孔性更強，CVD鍍膜的保型性比PVD更好。

隨著技術(shù)節(jié)點不斷微縮，無法通過光刻一步完成細(xì)線條制備時，可使用側(cè)墻轉(zhuǎn)移法有效減小線寬，而側(cè)墻轉(zhuǎn)移法帶來多次鍍膜的需求。另外，隨著器件結(jié)構(gòu)由平面結(jié)構(gòu)過渡到FinFET以及GAA立體結(jié)構(gòu)，對鍍膜的臺階覆蓋度要求進(jìn)一步提高。CVD相較于PVD，鍍膜保型性更好，因此，CVD占鍍膜設(shè)備80%的價值量。

如下圖所示，不同種類的CVD滿足了不同技術(shù)節(jié)點半導(dǎo)體工藝的技術(shù)需求。隨著邏輯器件技術(shù)節(jié)點進(jìn)入到5nm及以下，單片三維集成通過將不同功能模塊重新分層排布后進(jìn)行垂直堆疊，并使用垂直互連實現(xiàn)層間的數(shù)據(jù)交換，大幅縮短了互連長度、提高了互連密度、優(yōu)化了互連結(jié)構(gòu)，進(jìn)而提升了系統(tǒng)的集成度、帶寬和能效。但單片三維集成面臨一個嚴(yán)峻挑戰(zhàn)——上層器件的熱預(yù)算受制于下層器件的退化行為。因此，能夠滿足襯底低溫鍍膜的熱絲CVD或可成為單片三維集成的上層器件主流鍍膜設(shè)備。

在傳統(tǒng)CVD領(lǐng)域，我國設(shè)備大廠奮起直追。其中，北方華創(chuàng)：布局APCVD、LPCVD、PECVD、ALD；沈陽拓荊：布局PECVD、SACVD、ALD，產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于國內(nèi)14nm及更寬節(jié)點的晶圓制造產(chǎn)線；中微公司：2022年針對Mini LED市場的MOCVD實現(xiàn)0-1放量；盛美：SiN LPCVD客戶端進(jìn)行量產(chǎn)認(rèn)證，未來有望放量。

在未來5nm及以下節(jié)點器件中，大廠尚不具備熱絲CVD的研發(fā)能力，具備熱絲CVD自研能力的創(chuàng)業(yè)公司值得關(guān)注。

（二）光刻機：上游零部件國產(chǎn)創(chuàng)業(yè)公司值得重點關(guān)注

光刻機決定了半導(dǎo)體加工的最細(xì)線寬，是所有半導(dǎo)體制造設(shè)備中技術(shù)含量最高的設(shè)備，也是從底層光學(xué)原理到頂層機械自動化、OPA技術(shù)的集大成者。

從全球市場來看，ASML獨占鰲頭，成為唯一的一線供應(yīng)商，旗下產(chǎn)品覆蓋全部級別光刻機。IC前道光刻機出貨量占64%。而Nikon雖然高開低走，但其憑借多年的技術(shù)積累，勉強保住二線供應(yīng)商地位。Canon則完全屈居三線。

反觀國內(nèi)的后起之秀——上海微電子，則暫時只能提供低端光刻設(shè)備，由于光刻設(shè)備對知識產(chǎn)權(quán)和供應(yīng)鏈要求極高，短期很難達(dá)到國際領(lǐng)先水平。在光刻領(lǐng)域，高鵠團隊建議關(guān)注相應(yīng)的零部件公司和配套涂膠顯影設(shè)備公司。

熱涂膠顯影設(shè)備包括涂膠機、噴膠機、顯影機，是光刻工序中與光刻機配套使用的設(shè)備。全齊前道涂膠顯影設(shè)備銷售額由2013年的14.07億美金增長至2018年的23.26億美金，年復(fù)合增長率達(dá)到10.58%，預(yù)計23年市場規(guī)模約24.76億美金。

全球涂膠顯影設(shè)備被日本東京電子高度壟斷，其全球市占率約90%，亟待國產(chǎn)替代。而涂膠機主要技術(shù)壁壘在于轉(zhuǎn)軸的制備，高鵠團隊建議關(guān)注具備轉(zhuǎn)軸自研能力的相應(yīng)國產(chǎn)創(chuàng)業(yè)公司。

在02專項光刻機項目中，我國欲對標(biāo)ASML現(xiàn)階段最強DUV光刻機-NXT：2000i。以NXT：2000i為例，各個子系統(tǒng)拆分為：上海微電子負(fù)責(zé)光刻機設(shè)計和總體集成，科益虹源提供光源系統(tǒng)，國望光學(xué)提供物鏡系統(tǒng)，國科精密提供曝光光學(xué)系統(tǒng)，華卓精科提供雙工作臺，啟爾機電提供浸沒系統(tǒng)。該等上游零部件創(chuàng)業(yè)公司都值得重點關(guān)注。

（三）刻蝕：日美廠商頭部集中、國內(nèi)頭部公司地位形成

刻蝕是指通過移除晶圓表面材料，在晶圓上根據(jù)光刻團進(jìn)行微觀雕刻，將圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面的工藝。

刻蝕機技術(shù)發(fā)展趨勢：

? 隨著線寬尺寸不斷縮小，片內(nèi)刻蝕均勻性及工藝負(fù)載控制能力成為關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。

? 隨著三維堆疊技術(shù)不斷應(yīng)用，對刻蝕形貌、粗糙度、深寬比和準(zhǔn)直度有苛刻要求。

? 根據(jù)IRDS預(yù)測，5nm及以下節(jié)點有可能引入Ge、SiGe等新材料，相應(yīng)的，對于Ge/SiGe器件的刻蝕提出要求。

? 而先進(jìn)節(jié)點器件的柵介質(zhì)層厚度往往在5nm以下，則對刻蝕機提出了原子層級的控制要求。

刻蝕機技術(shù)壁壘顯著，全球刻蝕機市場的集中度高，長期被泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材三大巨頭占據(jù)（占比90%）。在細(xì)分介質(zhì)刻蝕機市場中，東京電子處于領(lǐng)先地位，市占率達(dá)52%，國內(nèi)中微公司的市占率僅達(dá)到3%。

同時，國內(nèi)刻蝕機市場，頭部公司地位也已形成，留給創(chuàng)業(yè)公司的機會有限。中微公司占據(jù)20%的份額，僅次于國外的泛林半導(dǎo)體，北方華創(chuàng)占據(jù)6%市場份額。中微領(lǐng)軍國內(nèi)介質(zhì)刻蝕，北方華創(chuàng)則領(lǐng)軍國內(nèi)硅刻蝕。

（四）離子注入機：低能大束流成為終極目標(biāo)

離子注入機主要有兩大技術(shù)參數(shù)指標(biāo)：

? 劑量：離子劑量是單位面積硅片表面注入的離子數(shù)。當(dāng)離子注入機中正雜質(zhì)離子形成離子束，它的流量被稱為離子束電流，單位是mA。離子束電流越大，單位時間內(nèi)注入的粒子數(shù)越多。大束流有助于提升產(chǎn)量，但高均勻性很難達(dá)成。

? 射程：離子射程是離子注入過程中串通硅片的總深度。離子注入機的能量越高，雜質(zhì)原子打入硅片越深，射程越大。

根據(jù)ITRS的要求，當(dāng)器件節(jié)點

低能大束流離子注入機設(shè)備壁壘較高，國際IC注入機巨頭美國應(yīng)用材料公司也是通過收購Varian，才補全低能大束流離子注入機的版圖，構(gòu)成最全注入機產(chǎn)品矩陣。而我國設(shè)備類大廠在低能大束流注入機領(lǐng)域的市場占有率幾乎為0。

高鵠團隊建議關(guān)注國內(nèi)具備低能大束流注入機自研能力的創(chuàng)業(yè)企業(yè)。

（五）熱處理工藝：激光退火或為終極退火解決方案

熱處理工藝主要用在氧化、擴散、退火、合金幾個半導(dǎo)體加工步驟中，其中退火工藝隨著技術(shù)節(jié)點的減小，對于設(shè)備的要求變化最大。

退火工藝經(jīng)過近60年的發(fā)展，針對于不同技術(shù)節(jié)點、不同應(yīng)用，已有5類退火設(shè)備。

傳統(tǒng)的爐退火工藝的退火時長在小時量級，常用于材料改性、應(yīng)力釋放等環(huán)節(jié)。但對于雜質(zhì)離子，在小時量級時長的退火中，擴散距離過長，無法保證界面處激活雜質(zhì)離子濃度及隔離區(qū)域的電學(xué)穩(wěn)定性。RTP（快速熱退火設(shè)備）應(yīng)運而生，可以實現(xiàn)全片秒級退火，滿足28nm及以上節(jié)點制程需求。但是對于更先進(jìn)制成的邏輯器件，源漏接觸電阻率要低于10-9甚至10-10量級，此時需要退火設(shè)備的退火時間更短，并且不破壞源漏區(qū)域外其他部分摻雜離子的雜質(zhì)分布。雖然閃光退火可達(dá)到毫秒級別，但仍然無法滿足定域退火的需求。而目前最先進(jìn)的激光退火方式可以達(dá)到納秒級別的定域退火，或為終極退火解決方案。

全球熱處理設(shè)備市場呈寡頭壟斷格局，美國應(yīng)用材料、東京電子、日立國際電氣三大國際巨頭廠商壟斷了超80%的市場份額。國內(nèi)廠商中，非激光退火類設(shè)備屹唐半導(dǎo)體市占率5%，北方華創(chuàng)市占率0.2%。激光退火類設(shè)備為新興領(lǐng)域，具備自研技術(shù)實力、工藝?yán)斫饽芰σ约傲慨a(chǎn)能力的創(chuàng)業(yè)公司值得期待。

（六） CMP：先進(jìn)制程+SiC拋光或為創(chuàng)業(yè)公司破局之道

化學(xué)機械拋光（CMP）是半導(dǎo)體集成電路制造前道工序和先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的必備環(huán)節(jié)，指用化學(xué)腐蝕及機械力對加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進(jìn)行平坦化處理。CMP市場主要分為設(shè)備和耗材（拋光液、拋光墊），其中CMP耗材占接近68%，CMP設(shè)備為32%。

據(jù)Business Wire預(yù)測，2020年至2027年，全球CMP設(shè)備市場規(guī)模將從20億美元增長至29億美元，CAGR達(dá)5.8%。但全球CMP設(shè)備市場呈現(xiàn)高度壟斷格局，美國應(yīng)用材料一家獨大，2019年市占率達(dá)到70%，而位居第二的日本荏原機械僅為25%。

CMP設(shè)備的國產(chǎn)化率約18%，目前主要以中低端產(chǎn)品為主，大部分高端CMP設(shè)備仍依賴進(jìn)口。美國應(yīng)用材料公司和荏原的CMP設(shè)備均已達(dá)到5nm制程工藝，華海清科的CMP設(shè)備則主要應(yīng)用于28nm及以上制程生產(chǎn)線，14nm制程工藝仍在驗證中，技術(shù)水平與兩家巨頭仍存在一定差距。

另外，由于第三代半導(dǎo)體碳化硅相較于硅禁帶寬度和擊穿場強更大，適用于功率器件。經(jīng)預(yù)測，2027年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達(dá)62.97億美元，2021-2027年CAGR達(dá)34%；其中汽車市場碳化硅功率器件規(guī)模有望達(dá)49.86億美元，占比達(dá)79.2%。但是，由于碳化硅材料硬度大，針對傳統(tǒng)硅基的CMP設(shè)備無法滿足碳化硅器件制備過程中的拋光要求。美國應(yīng)用材料公司的碳化硅CMP設(shè)備也還在預(yù)研階段。我國或許具備在碳化硅CMP領(lǐng)域換道超車的機會。

（七）從通用性及國產(chǎn)化率看零部件國產(chǎn)化替代機會

高鵠團隊整理了CVD、刻蝕設(shè)備、離子注入設(shè)備、熱處理設(shè)備的具體構(gòu)造以及零部件的國產(chǎn)化率，從零部件通用性以及國產(chǎn)化率角度出發(fā)，分析了2023年值得關(guān)注的零部件種類為：真空泵、真空閥、ESC、結(jié)構(gòu)件。

真空子系統(tǒng)包含用于真空獲得、真空測量、真空檢漏的零部件，用于半導(dǎo)體產(chǎn)品制造領(lǐng)域的代表性產(chǎn)品為干式真空泵。真空子系統(tǒng)市場規(guī)模約27億美元，60%份額由歐洲生產(chǎn)商貢獻(xiàn)。其中，前三大歐洲生產(chǎn)商——Edwards、Pfeiffer和VAT，貢獻(xiàn)了全球55%的市場份額。

ESC可通過靜電吸附作用來固定晶圓，確保晶圓不會發(fā)生翹曲變形，保證加工精度和潔凈程度。目前普遍的靜電吸盤技術(shù)主要是以氧化鋁陶瓷或氮化鋁陶瓷作為主體材料。ESC市場具有高度壟斷性，主要由日本和美國等企業(yè)主導(dǎo)，包括美國應(yīng)用材料、美國LAM、日本新光電氣、日本TOTO等公司。前四大企業(yè)占據(jù)90%以上的全球市場份額。

超高純陶瓷/碳化硅結(jié)構(gòu)件是用于半導(dǎo)體氧化擴散設(shè)備中的爐管、立式舟、底座和擋板的重要零部件。要求在1000℃以上高溫環(huán)境下仍能保持高硬度，并可將熱量快速、均勻傳導(dǎo)。目前90%的市場被日本特殊陶業(yè)、京瓷基團壟斷。

二、量檢測設(shè)備的國產(chǎn)化機會詳解

從技術(shù)路線原理上看，檢測和量測主要包括光學(xué)檢測技術(shù)、電子束檢測技術(shù)和X光量測技術(shù)。三種技術(shù)的差異主要體現(xiàn)在檢測精度、檢測速度及應(yīng)用場景上。結(jié)合三類技術(shù)路線的特點，應(yīng)用光學(xué)檢測技術(shù)的設(shè)備可以相對較好實現(xiàn)高精度和高速度的均衡，并且能夠滿足其他技術(shù)所不能實現(xiàn)的功能，如三維形貌測量、光刻套刻測量和多層膜厚測量等應(yīng)用。根據(jù)VLSI Research和QY Research的報告，在2020年全球半導(dǎo)體檢測和量測設(shè)備市場中，應(yīng)用光學(xué)檢測技術(shù)、電子束檢測技術(shù)及X光量測技術(shù)的設(shè)備市場份額占比分別為75.2%、18.7%及2.2%，可以看出應(yīng)用光學(xué)檢測技術(shù)設(shè)備具有領(lǐng)先的市占率優(yōu)勢。

未來檢測和量測設(shè)備的技術(shù)提升主要體現(xiàn)在三個方面：提高檢測技術(shù)分辨率、加強大數(shù)據(jù)檢測算法和軟件的自主研發(fā)、提升設(shè)備檢測速度和吞吐量。

? 分辨率：隨著 DUV、EUV光刻技術(shù)的不斷發(fā)展，集成電路工藝節(jié)點的不斷升級，市場對檢測技術(shù)的空間分辨精度也提出了更高的要求。未來設(shè)備制造廠商必須使用更短波長的光源以及更大數(shù)值孔徑的光學(xué)系統(tǒng)，才能進(jìn)一步提高光學(xué)分辨率。

? 軟件與算法：在達(dá)到或接近光學(xué)系統(tǒng)極限分辨率的情況下，光學(xué)檢測技術(shù)在依靠解析晶圓圖像來捕捉其缺陷的基礎(chǔ)之上，還需要結(jié)合深度的圖像信號處理軟件和算法，在有限的信噪比圖像中尋找微弱的異常信號。然而目前市場上并沒有可以直接使用的軟件，因此，業(yè)內(nèi)企業(yè)均需在自己的檢測和量測設(shè)備上，自行研制、開發(fā)算法和軟件。

? 吞吐量：半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備是晶圓廠的主要投資支出之一，因此設(shè)備的性價比是其選購時的重要考慮因素。質(zhì)量控制設(shè)備檢測速度和吞吐量的提升將有效降低晶圓檢測成本，從而實現(xiàn)降本增效。

受益于晶圓廠擴張擴產(chǎn)，前道量測設(shè)備市場空間廣闊。根據(jù)集微咨詢統(tǒng)計，中國大陸共有23座12英寸晶圓廠正在投入生產(chǎn)，總計月產(chǎn)能約為104.2萬片，與總規(guī)劃月產(chǎn)能156.5萬片相比，仍有較大擴產(chǎn)空間。據(jù)預(yù)測，中國大陸2023年、2024年每年將新增5座12英寸晶圓廠。

同時，晶圓面積增大的趨勢下，對良率要求越來越嚴(yán)格，也增加了對量測及檢測設(shè)備的需求。2016年至今，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備和檢測與量測設(shè)備市場快速發(fā)展，VLSI Research數(shù)據(jù)顯示，中國大陸2020年市場規(guī)模超過21億美元，五年CAGR為31.6%，再次成為全球最大的檢測與量測設(shè)備市場。

經(jīng)過多年潛心研究和技術(shù)經(jīng)驗積累，我國檢測與量測設(shè)備行業(yè)實現(xiàn)較大突破，以中科飛測、上海睿勵、上海精測為代表的的國產(chǎn)廠商開始發(fā)力，部分產(chǎn)品已經(jīng)出現(xiàn)在中芯國際、長江存儲、長電科技、華天科技、通富微電等國內(nèi)主流集成電路制造產(chǎn)線，打破了在質(zhì)量控制設(shè)備領(lǐng)域國際設(shè)備廠商對國內(nèi)市場的長期壟斷局面。

三、高鵠的賽道投資建議

（一）半導(dǎo)體設(shè)備及零部件

鍍膜：線寬微縮化和結(jié)構(gòu)3D化的趨勢催生了成倍的鍍膜設(shè)備需求

熱絲CVD具備鍍膜襯底溫度低的特點，滿足單片三維集成頂層器件鍍膜的溫度要求，或可顛覆現(xiàn)有其他鍍膜設(shè)備。隨著集成電路技術(shù)節(jié)點進(jìn)入原子時代，ALD在鍍膜設(shè)備中的占比逐漸提高，具備ALD設(shè)備自研能力及產(chǎn)品拓展能力的創(chuàng)業(yè)企業(yè)值得關(guān)注。

光刻：半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠，光刻機關(guān)鍵零部件、材料值得關(guān)注

我國上海微電子光刻機整機同ASML差距較大，建議關(guān)注具備配套涂膠顯影設(shè)備、DUV/EUV光刻膠、光源/物鏡/浸沒系統(tǒng)自研能力的創(chuàng)業(yè)企業(yè)。

刻蝕：國產(chǎn)化率高、大廠壟斷性嚴(yán)重

國產(chǎn)市場被北方華創(chuàng)、中微公司壟斷，該領(lǐng)域暫無市場/技術(shù)路線變動，創(chuàng)業(yè)公司機會較小。

注入及熱處理：先進(jìn)制程對接觸電阻率的要求倒逼低能大束流注入機、激光退火加速國產(chǎn)化替代

根據(jù)ITRS規(guī)定，先進(jìn)制程工藝的接觸電阻率對源漏區(qū)域高摻雜、超淺結(jié)要求極高。因此，具備低能大束流離子注入機技術(shù)能力的創(chuàng)業(yè)公司及nS級激光退火原創(chuàng)技術(shù)的公司極具競爭力。

CMP：成熟制程設(shè)備已被大廠壟斷

具備先進(jìn)制程/SiC拋光研發(fā)能力的CMP整機/零部件廠商或?qū)⑼怀鲋貒?/p>零部件：擁有低國產(chǎn)化率、高通用性零部件自研能力的廠商或?qū)⒆兩韺＞匦隆靶【奕恕?/p>真空泵、真空閥、靜電卡盤等零部件國產(chǎn)化率

（二）半導(dǎo)體量檢測設(shè)備：中國維持全球半導(dǎo)體量檢測設(shè)備第一大市場，相關(guān)公司生正逢時

東方晶源在等創(chuàng)業(yè)公司檢測領(lǐng)域能夠互補中科飛測、上海精測、睿勵的能力不足，外加擁有大客戶驗證的公司，未來可期。

2023年是半導(dǎo)體設(shè)備挑戰(zhàn)與機遇并行的一年：一方面，受美國出口管制的影響，2022 年中國半導(dǎo)體制造設(shè)備進(jìn)口額同比下滑42.63%，直接影響了fab廠的擴產(chǎn)計劃；但另一方面，中國大陸地區(qū)已成為全球最大的設(shè)備市場，目前各類設(shè)備的平均國產(chǎn)化率僅為13%，仍有極大的國產(chǎn)替代空間。高鵠半導(dǎo)體團隊堅定看好半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，將持續(xù)深耕產(chǎn)業(yè)鏈上下游，助力優(yōu)質(zhì)企業(yè)的投融資工作，致力于為中國半導(dǎo)體的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。