（報告出品方：中信證券）

歷史復(fù)盤：政策持續(xù)扶持，促進(jìn)國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

政策梳理：站在國家戰(zhàn)略高度，多管齊下助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

2000 年以來，國家不斷提升半導(dǎo)體行業(yè)的戰(zhàn)略地位，通過各種政策持續(xù)大力扶持國 內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2000 年，國務(wù)院發(fā)布《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干 意見》，對國內(nèi)集成電路行業(yè)首次提出稅收優(yōu)惠；2006 年，國務(wù)院發(fā)布《國家中長期科學(xué) 和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020 年）》，正式提出 01 專項和 02 專項的概念；2013 年， 發(fā)改委發(fā)布《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》，將集成電路測試設(shè)備列入戰(zhàn)略 性新興產(chǎn)業(yè)重點產(chǎn)品目錄；2015 年，國務(wù)院發(fā)布《中國制造 2025》，將集成電路及專用裝 備作為“新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)”納入大力推動發(fā)展的重點領(lǐng)域；2020 年，發(fā)改委、國務(wù) 院發(fā)布《鼓勵外商投資產(chǎn)業(yè)目錄（2020 年版）》，鼓勵外資向半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域投資；2021 年，全國兩會發(fā)布《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和 2035 年遠(yuǎn) 景目標(biāo)綱要》，提出加強在人工智能、量子計算、集成電路前沿領(lǐng)域的前瞻性布局；2022 年，教育部、財政部、發(fā)改委聯(lián)合發(fā)布《關(guān)于深入推進(jìn)世界一流大學(xué)和一流學(xué)科建設(shè)的若 干意見》，提出加強集成電路、人工智能等領(lǐng)域人才的培養(yǎng)。綜合來看，國家持續(xù)對半導(dǎo) 體產(chǎn)業(yè)推出各項鼓勵政策，站在國家戰(zhàn)略高度對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提出頂層規(guī)劃，自上而下地進(jìn) 行多角度、全方位的扶持，加速產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，具體措施包括財稅政策、研發(fā)項目支持、產(chǎn) 業(yè)投資、人才補貼等。

1、財稅政策：集成電路各板塊均享受所得稅優(yōu)惠政策，其中 IC 設(shè)計類企 業(yè)優(yōu)惠力度最大

國家對集成電路產(chǎn)業(yè)的稅收優(yōu)惠始于 2000 年，近二十年來持續(xù)扶持，彰顯發(fā)展決心。 2000 年 6 月，國家經(jīng)貿(mào)委政策司與信息產(chǎn)業(yè)部組成聯(lián)合小組起草形成的《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè) 和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》，是我國首次針對集成電路提供稅收優(yōu)惠，俗稱“18 號 文”，覆蓋 IC 設(shè)計、軟件、及部分 IC 制造企業(yè)。2011 年，18 號文到期后，國務(wù)院再次發(fā) 布新政策（4 號文）將優(yōu)惠期延續(xù)至 2017 年底，并提高部分 IC 制造企業(yè)的優(yōu)惠力度。2015 年，政府將所得稅優(yōu)惠政策的受益范圍擴(kuò)大至“封測、關(guān)鍵材料、關(guān)鍵設(shè)備”。2018 年， 進(jìn)一步延長 IC 生產(chǎn)企業(yè)的政策優(yōu)惠年限，提高 2018 年后新成立 IC 設(shè)計企業(yè)的優(yōu)惠標(biāo)準(zhǔn)， 同時新設(shè)立項目也可以享受稅收優(yōu)惠。2019 年以來，我國針對集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)出臺多 項優(yōu)惠政策，包括設(shè)計、裝備、材料、封裝、測試企業(yè)和軟件等環(huán)節(jié)，彰顯政府對集成電 路產(chǎn)業(yè)的高度重視和發(fā)展決心。

目前集成電路各板塊均享受所得稅優(yōu)惠政策，其中重點 IC設(shè)計類企業(yè)優(yōu)惠力度最大。 根據(jù)歷年優(yōu)惠政策梳理，我們總結(jié)出當(dāng)前時點集成電路各板塊的所得稅優(yōu)惠情況，包括： 1）IC 設(shè)計：自 2020 年 1 月 1 日起，國家鼓勵的重點集成電路設(shè)計企業(yè)，自獲利年度起， 第一年至第五年免征企業(yè)所得稅，接續(xù)年度減按 10%的稅率征收企業(yè)所得稅；2）IC 制造： 新老企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)不同，以新企業(yè)為例，門檻較高的企業(yè)享受“五免五減半”，門檻較低的享 受“兩免三減半”等；3）封測、材料、設(shè)備：2020 年 1 月 1 日起，國家鼓勵的集成電路 設(shè)計、裝備、材料、封裝、測試企業(yè)，自獲利年度起，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅， 第三年至第五年按照 25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅（“兩免三減半”）。

多家上市公司多年來持續(xù)享受相關(guān)優(yōu)惠政策，半導(dǎo)體設(shè)計及軟件上市企業(yè)適用稅率最 為優(yōu)惠。我們統(tǒng)計了板塊部分上市公司歷年來的所得稅優(yōu)惠稅率情況，2019-2021 年間絕 大多數(shù)上市公司享受了所得稅優(yōu)惠政策。上市公司中，半導(dǎo)體設(shè)計公司多滿足國家規(guī)劃布 局內(nèi)重點企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，適用 10%的所得稅率，享受最優(yōu)惠稅率，部分子公司滿足“兩免三減 半”標(biāo)準(zhǔn)；較為先進(jìn)的半導(dǎo)體制造企業(yè)如中芯國際子公司適用“五免五減半”、“三免兩減 半”和“十年免稅”等標(biāo)準(zhǔn)，適用于 0%、10%、12.5%或 15%等優(yōu)惠稅率；半導(dǎo)體封測、 材料、設(shè)備公司主要適用于 15%的優(yōu)惠稅率。

2、重大專項：專注于核心技術(shù)突破和構(gòu)建，加速構(gòu)建集成電路自主產(chǎn)業(yè)鏈

國家科技重大專項為集成電路技術(shù)發(fā)展發(fā)揮了重要作用。2006 年，國家組織大批頂 尖專家，研究編制《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020）》，并通過規(guī)劃確 定了我國到 2020 年科技發(fā)展的 16 個重大專項，其中涉及集成電路的有 2 項，分別是“核 心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”（“01 專項”或“核高基專項”）和“極大規(guī) 模集成電路制造裝備與成套工藝”（“02 專項”）。

——01 專項的目標(biāo)：到 2020 年，我國在高端通用芯片、基礎(chǔ)軟件和核心電子器件領(lǐng) 域基本形成具有國際競爭力的高新技術(shù)研發(fā)與創(chuàng)新體系，并在全球電子信息技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā) 展中發(fā)揮重要作用；我國信息技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展環(huán)境得到大幅優(yōu)化，擁有一支國際化的、高 層次的人才隊伍，形成比較完善的自主創(chuàng)新體系，為我國進(jìn)入創(chuàng)新型國家行列做出重大貢 獻(xiàn)。根據(jù) 2017 年“核高基”國家科技重大專項成果發(fā)布會公布的數(shù)據(jù)，在重大專項支持 下，我國核心電子器件關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破，總體技術(shù)水平實現(xiàn)了跨越發(fā)展，核心電子 器件與國外差距由 15 年以上縮短到 5 年，成功構(gòu)建了系列高端技術(shù)平臺，核心電子器件 長期依賴進(jìn)口的“卡脖子”問題得到緩解，支撐裝備核心電子器件自主保障率從不足 30% 提升到 85%以上。

——02 專項的目標(biāo)：“十一五”期間（2006－2010 年），重點實現(xiàn) 90 納米制造裝備 產(chǎn)品化，若干關(guān)鍵技術(shù)和元部件國產(chǎn)化；研究開發(fā)出 65 納米制造裝備樣機；突破 45 納米 以下若干關(guān)鍵技術(shù)?！笆濉逼陂g（2011－2015 年），重點實施的內(nèi)容和目標(biāo)包括：重 點進(jìn)行 45-22 納米關(guān)鍵制造裝備攻關(guān)，開發(fā) 32-22 納米 CMOS 工藝、90-65 納米特色工藝， 開展 22-14 納米前瞻性研究，形成 65-45 納米裝備、材料、工藝配套能力及集成電路制造 產(chǎn)業(yè)鏈，進(jìn)一步縮小與世界先進(jìn)水平差距，裝備和材料占國內(nèi)市場的份額分別達(dá)到 10%和 20%，開拓國際市場。專項的實施周期為 2006-2021 年，歷時十五年，相關(guān)企業(yè)、科研單位承擔(dān)了眾多技術(shù)專項，完成了諸多技術(shù)環(huán)節(jié)的突破。不同于產(chǎn)業(yè)自發(fā)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè) 升級，02 專項系統(tǒng)地分析了集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的各個環(huán)節(jié)，明確了重要的薄弱環(huán)節(jié)，由相關(guān) 企業(yè)、單位集中進(jìn)行技術(shù)突破，通過科學(xué)審慎的統(tǒng)籌規(guī)劃，極大地加速了集成電路自主化 產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)，縮短了追趕周期，為集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步的發(fā)展提供了重要的技術(shù)基礎(chǔ)和 產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。我們統(tǒng)計了“02 專項”的重點投資領(lǐng)域，重點支持的對象為半 導(dǎo)體設(shè)備公司、半導(dǎo)體材料公司及半導(dǎo)體晶圓制造和封測公司。

3、融資支持：大基金直投+撬動地方資金，為產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵企業(yè)提供資金支 持

大基金直接投資集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵企業(yè)，提供資金支持，覆蓋芯片全產(chǎn)業(yè)鏈。國家大 基金是指國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，成立于 2014 年 9 月 24 日，目標(biāo)為推進(jìn)中國芯片產(chǎn) 業(yè)發(fā)展直接進(jìn)行產(chǎn)業(yè)投資。項目一期投資期限為 5 年，即 2014-2019 年，項目二期已于 2019 年 10 月注冊。大基金投資項目覆蓋了芯片全產(chǎn)業(yè)鏈，包括設(shè)計、晶圓、封測、裝備、 材料等。其中，大基金一期投資超千億，撬動資金超 6500 億，聚焦制造、設(shè)計環(huán)節(jié)；大 基金二期募資規(guī)模超 2000 億元，資金來源更加多樣化，增加材料、設(shè)備、下游應(yīng)用端投 資。

大基金一期投資超千億，撬動資金超 6,500 億，聚焦制造和設(shè)計環(huán)節(jié)。大基金一期初 期募資 987 億元，主要股東為國家財政部（36.47%）、國開金融有限責(zé)任公司（22.29%）、 中國煙草總公司（11.14%）、亦莊國投（10.13%）等，后續(xù)募資規(guī)模提升至 1,387 億元， 實際投資超千億元，主要投資于各產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中的龍頭企業(yè)和特色企業(yè)，總計約 60 家， 撬動超 6,500 億元資金進(jìn)入芯片產(chǎn)業(yè)。根據(jù)“芯思想”匯總，從投資分布上看，大基金一 期投向聚焦 IC 制造（63%）、IC 設(shè)計（20%）、封裝測試（10%）和設(shè)備材料（7%）等環(huán) 節(jié)。

大基金二期募資規(guī)模超 2,000 億元，資金來源更加多樣化，增加材料、設(shè)備、下游應(yīng) 用端投資。大基金二期于 2019 年 10 月成立，注冊資本達(dá) 2,041.5 億元，相比一期，股東 資金來源更為多樣化，多個國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)積極參與，主要股東包括財政部 （11.02%）、國開金融有限責(zé)任公司（10.78%）、重慶戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金合伙 企業(yè)（7.35%）、浙江富浙集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司（7.35%）、武漢光谷金融控股集團(tuán) 有限公司（7.35%）、上海國盛有限公司（7.35%）、成都天府國集投資有限公司（7.35%） 等。大基金二期會繼續(xù)承接一期的芯片產(chǎn)業(yè)鏈，提升設(shè)備與材料領(lǐng)域的投資比重，同時積 極響應(yīng)國家戰(zhàn)略和新興行業(yè)發(fā)展規(guī)劃，加大對下游應(yīng)用端的投資，比如智能汽車、智能電 網(wǎng)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G 等領(lǐng)域，以需求推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展，爭取實現(xiàn)國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè) 的技術(shù)創(chuàng)新。截至 2022 年 3 月 31 日，大基金二期已宣布投資 38 家公司，累計協(xié)議出資 790 億元，涵蓋芯片設(shè)計工具（EDA，電子設(shè)計自動化）、芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測 試、集成電路裝備、零部件、材料及應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈多個環(huán)節(jié)。

——其中制造領(lǐng)域投資晶圓制造（包括晶圓廠、IDM 垂直整合制造、存儲）環(huán)節(jié)依然 是大基金投資的重頭，占比達(dá) 75%，先后投資了長江存儲二期，中芯國際及公司旗下中芯 南方、中芯北方、中芯深圳、中芯東方，長鑫存儲母公司睿力集成，華潤微旗下潤西微電 子（重慶）有限公司，富芯半導(dǎo)體，士蘭微（旗下士蘭集科）等。

——大基金二期投資的第一家集成電路設(shè)備零部件公司為萬業(yè)企業(yè)旗下浙江鐠芯，投 資的第一家光掩模公司為廣州新銳光掩?？萍加邢薰荆顿Y的第一家光刻膠材料公司是 南大光電，投資的第一家電子特氣公司為中船（邯鄲）派瑞特種氣體股份有限公司（派瑞 特氣），投資的第一家 MES 軟件商為上揚軟件（上海）有限公司。

——在裝備及零部件、材料及軟件領(lǐng)域，大基金二期還投資了 EDA 軟件初創(chuàng)公司上 海合見工業(yè)軟件集團(tuán)有限公司、電子化學(xué)品公司興發(fā)集團(tuán)旗下興福電子、封裝載板公司深 南電路等。此外，在芯片設(shè)計領(lǐng)域，大基金二期還投資了紫光展銳、慧智微、思特威等公 司；在設(shè)備領(lǐng)域，大基金二期投資了至純科技（旗下至微半導(dǎo)體），繼續(xù)扶持了北方華創(chuàng)、 中微公司、長川科技等公司，并參與了格科微、翱捷科技等公司的 IPO 戰(zhàn)略配售。

4、其他配套政策：重點地區(qū)出臺相關(guān)政策，針對各環(huán)節(jié)出臺激勵措施

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點地區(qū)亦紛紛出臺相關(guān)補貼政策、成立地方專項基金，推進(jìn)各地區(qū)集成 電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。2022 年以來，為了扶持當(dāng)?shù)丶呻娐樊a(chǎn)業(yè)，各地方紛紛出臺相關(guān)文件， 對本地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（包括設(shè)計、制造、設(shè)備、零部件、材料等環(huán)節(jié)）提供政策、資金補 助、土地優(yōu)惠、項目獎勵和人才激勵等支持條件，強化在地化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群的競爭力。

——北京市：針對設(shè)計企業(yè)開展批量驗證流片及關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)進(jìn)行獎勵；針對集成電 路企業(yè)購買符合條件的 EDA 設(shè)計工具軟件進(jìn)行獎勵；針對相關(guān)公司進(jìn)行資金支持；針對 人才提供落戶服務(wù)、住房服務(wù)、子女入學(xué)、醫(yī)療服務(wù)等方面保障。

——上海市：給予集成電路設(shè)計、設(shè)備、材料和 EDA 研發(fā)團(tuán)隊獎勵。

——廣州市：加強組織領(lǐng)導(dǎo)，統(tǒng)籌安排集成電路行業(yè)的落地并解決問題；加大財稅支 持力度，財政專項資金向集成電路產(chǎn)業(yè)傾斜，積極落實國家高新技術(shù)企業(yè)所得稅優(yōu)惠政策； 加強人才培育引進(jìn)，引進(jìn)一批國內(nèi)外半導(dǎo)體與集成電路領(lǐng)域人才。

——深圳市：對半導(dǎo)體與集成電路重大項目投資獎勵；裝備、大力培育引進(jìn)半導(dǎo)體與 集成電路設(shè)備、材料企業(yè)，開展核心設(shè)備及零部件、關(guān)鍵材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；鼓勵企業(yè) 間驗證服務(wù)，提供首臺套裝備、首批次新材料提供驗證服務(wù)。

——遼寧?。汗膭钪攸c企業(yè)以商招商，積極引進(jìn)省外具有獨立法人資格的集成電路裝 備整機及關(guān)鍵零部件配套企業(yè)；對首次銷售自主研制的集成電路裝備整機或核心零部件產(chǎn) 品進(jìn)行獎勵；支持企業(yè)投資項目建設(shè)給予補助；支持企業(yè)研發(fā)投入，給予企業(yè)研發(fā)補助。

綜合來看，這些年從國家到地方先后出臺多項更有針對性、更有力度的扶持政策，推 進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。從宏觀層面上來看，在各級政府統(tǒng)一規(guī)劃和部署下，扶持政策聚焦 高端芯片、集成電路裝備和工藝技術(shù)、集成電路關(guān)鍵材料、集成電路設(shè)計工具、先進(jìn)存儲、 先進(jìn)計算、先進(jìn)制造、高端封裝測試、關(guān)鍵裝備材料、新一代半導(dǎo)體技術(shù)等關(guān)鍵“卡脖子” 領(lǐng)域，推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，全面提升產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)、加速突破基礎(chǔ)支撐環(huán)節(jié)、 聚力增強產(chǎn)業(yè)發(fā)展動能、構(gòu)建高質(zhì)量人才保障體系等內(nèi)容，以實現(xiàn)提高全要素生產(chǎn)率，提 升產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈韌性和安全水平。從微觀層面上來看，扶持政策深入財稅、融資、平臺、 對外開放、進(jìn)出口政策、產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)、產(chǎn)業(yè)鏈孵化器等諸多細(xì)化抓手，對同等條件下優(yōu) 先使用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的廠商給予補助和支持，推進(jìn)高質(zhì)量企業(yè)培育，按照孵化培育、成 長扶持、推動壯大不同階段，給予差別化、全生命周期政策支持。這些宏觀和微觀上的政 策為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供了可實際操作的行動指南。

產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀：中低端環(huán)節(jié)實現(xiàn)國產(chǎn)替代，部分高端核心 環(huán)節(jié)仍待突破

受益于國家在財稅優(yōu)惠、重大專項、融資支持及其他配套政策，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化進(jìn) 程加速推進(jìn)。在國內(nèi)全方位、多角度的產(chǎn)業(yè)支持下，國內(nèi)半導(dǎo)體國產(chǎn)化水平不斷提升，特 別是 2018 年以來美國縮緊對華半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制裁，國產(chǎn)替代持續(xù)加速。在制造端和設(shè)備端， 近 5 年來 IC 設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、設(shè)備材料等各環(huán)節(jié)中均有部分細(xì)分賽道的國產(chǎn) 化率實現(xiàn)快速提升，自主化產(chǎn)業(yè)鏈初具雛形。但也需要注意到，在關(guān)鍵芯片及設(shè)備領(lǐng)域，如芯片端的 CPU、GPU、DRAM、NAND Flash，設(shè)備端的光刻機、涂膠顯影設(shè)備等國產(chǎn) 化率仍處于較低水平，有待在新一輪的政策支持下，國產(chǎn)公司實現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)突破。 國內(nèi)先進(jìn)制程半導(dǎo)體領(lǐng)域在設(shè)計、設(shè)備、材料、晶圓制造和封測等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率均有 較大提升空間。高端環(huán)節(jié)國產(chǎn)替代是重點任務(wù)。

1）設(shè)計：多而不強，高端數(shù)字芯片待突破。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計 分會年會數(shù)據(jù)，2021 年（截至 12 月 1 日）我國擁有 2810 家芯片設(shè)計企業(yè)，較 2020 年 末增加了 592 家，同比+26.7%，較 2017 年末的 1380 家實現(xiàn)翻倍以上增長；2021 年我 國集成電路設(shè)計銷售額約 4326.9 億元，同比+17%，從地域分布上看，我國集成電路設(shè)計 公司產(chǎn)值規(guī)模主要集中在上海、北京、深圳三座城市，分別為 1200/839/697 億元，對應(yīng) 占比 28%/19%/16%，其余廣泛分布于杭州、無錫、南京、西安、成都、武漢、珠海等城 市；從產(chǎn)品分布上看，2021 年通信/智能卡/計算機/多媒體/導(dǎo)航/模擬/功率/消費類分別占比 21%/4%/14%/3%/3%/15%/9%/32%，整體集中在中低端領(lǐng)域，如傳統(tǒng)消費電子、普通工 控安防、智能設(shè)備周邊芯片等，但在先進(jìn) CPU、GPU、FPGA 及對應(yīng)的高端服務(wù)器、計 算機、算力設(shè)備等應(yīng)用仍較為薄弱。

2）設(shè)備：國產(chǎn)化加速，但高端仍任重道遠(yuǎn)。根據(jù)國內(nèi)部分晶圓廠設(shè)備招標(biāo)采購數(shù)據(jù) 測算，部分推進(jìn)國產(chǎn)化較快的典型晶圓廠（以長江存儲、華虹集團(tuán)為例）的設(shè)備國產(chǎn)化率 （設(shè)備數(shù)量口徑）已經(jīng)能夠從 2018 年的 10.34%提升到 2022 年上半年的 24.38%，其中 化學(xué)機械拋光、清洗、氧化擴(kuò)散/熱處理、測試、刻蝕、薄膜沉積設(shè)備 2022H1 國產(chǎn)化率分 別為 50.0%/48.0%/35.3%/33.3%/31.8%/23.8%。根據(jù)我們測算，2022 年中國大陸半導(dǎo)體 設(shè)備產(chǎn)值有望達(dá)到超過 200 億元，而中國大陸的內(nèi)資晶圓廠（去除外商投資廠房）半導(dǎo)體 設(shè)備需求在 1500 億元左右，對應(yīng)國產(chǎn)化率（金額口徑）在 13%左右，尚有較大提升空間。 然而，半導(dǎo)體設(shè)備市場全球前 15 名均為美日歐廠商，中國大陸廠商在全球市場占比僅約 2%。國產(chǎn)替代能力從高到低大致排序：化學(xué)機械拋光、爐管、清洗、離子注入、薄膜(PVD/CVD)、刻蝕、量測、光刻，其中量測和光刻環(huán)節(jié)國產(chǎn)化替代最為迫切。

其中核心設(shè)備光刻機國產(chǎn)化率僅為 1.1%，國產(chǎn)廠商快速追趕，28nm ArFi 光刻機正 在研發(fā)。根據(jù)中國國際招標(biāo)采購網(wǎng)站展示的 2015-2022 年長江存儲、華力集成、華虹無錫 等晶圓廠的公開招標(biāo)數(shù)據(jù)，共招標(biāo)光刻機 93 臺，國產(chǎn)廠商中上海微電子僅于 2021 年初于 長江存儲中標(biāo) 1 臺，國產(chǎn)化率約為 1.1%，尚處于較低水平。從技術(shù)實力上看，國產(chǎn)光刻 機尚與國際先進(jìn)水平存在較大差距，主要體現(xiàn)在制程覆蓋上，但處于快速追趕階段。目前 國內(nèi)僅有上海微電子可以量產(chǎn)光刻機，其最先進(jìn)的產(chǎn)品為 ArF Dry 光刻機，型號為 SSA600/20，采用 1:4 鏡頭倍率，采用自適應(yīng)調(diào)焦調(diào)平技術(shù)，可支持 90nm 制程；同時其 正在研究 28nm ArFi 光刻機。第五代 EUV 光刻機方面，國內(nèi)長春光機所有布局相關(guān)研發(fā)， 從上世紀(jì) 90 年代開始，長春光機所先后主導(dǎo)和參與了多項 EUV 相關(guān)科研項目，積累了大 量相關(guān)經(jīng)驗和優(yōu)秀人才。

3）材料：細(xì)分眾多，大硅片等積極推進(jìn)。集成電路制造材料包括硅晶圓、掩模、電 子氣體、工藝化學(xué)品、光刻膠、拋光材料、靶材、封裝材料等。高端材料方面我國綜合實 力不足。我們匯總了國內(nèi)主要晶圓廠的半導(dǎo)體材料供應(yīng)商，其中日本廠商約占 30%，美國 廠商約占 20%，國產(chǎn)化率在 20%~30%。部分核心材料如光刻膠，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)仍有較大差距。

4）制造：國內(nèi)代差逐步縮小，晶圓代工廠建設(shè)蓬勃發(fā)展。目前全球領(lǐng)先的芯片制造 廠商臺積電已具備 3nm 芯片量產(chǎn)能力，并逐步向 2nm/1.4nm 先進(jìn)制程研發(fā)突破，我國大 陸廠商近年來取得高速發(fā)展，和國際先進(jìn)水平的代差逐步縮短。根據(jù)公司公告，中芯國際 已具備 14nm FinFET 量產(chǎn)能力，并持續(xù)推進(jìn)研發(fā)。除中芯國際、華虹半導(dǎo)體、長江存儲 等第一梯隊廠商外，還有一批地方政府推進(jìn)項目，如合肥晶合、廣東粵芯和中芯紹興等。

5）封測：差距縮小，中國大陸進(jìn)入第一梯隊，高端待加強。目前 5G、物聯(lián)網(wǎng)、高性 能運算等先進(jìn)芯片依賴于先進(jìn)封裝，國內(nèi)封測廠商受益先進(jìn)封裝需求快速增加，有望實現(xiàn) 快速增長。國內(nèi)四大封測廠目前的先進(jìn)技術(shù)涵蓋 FC、SiP、晶圓級封裝、2.5D/3D，其中 晶圓級封裝、2.5D/3D 的技術(shù)與國際一線廠商相比仍然不足，長電科技為國內(nèi)先進(jìn)技術(shù)涵 蓋范圍最廣的廠商，同時也具有國內(nèi)領(lǐng)先實力；通富微電主打 CPU/GPU 的先進(jìn)封裝；華 天科技晶圓級產(chǎn)品以晶圓級 CIS 為主并涵括射頻 SiP；晶方科技以晶圓級 2.5D/3D 傳感器 為發(fā)展主軸。整體而言，中國的先進(jìn)封裝仍在快速發(fā)展期，長電科技領(lǐng)先，通富微電、華 天科技及晶方科技次之。

經(jīng)驗參考：全球多地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及國內(nèi)新能源汽車 產(chǎn)業(yè)，政策加速產(chǎn)業(yè)發(fā)展

為了進(jìn)一步對國內(nèi)半導(dǎo)體的政策進(jìn)行分析，我們復(fù)盤美日韓、中國臺灣省等對當(dāng)?shù)匕?導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的扶持政策及國內(nèi)新能源汽車行業(yè)的政策，從過往經(jīng)驗中學(xué)習(xí)?？梢钥偨Y(jié)出，政 府政策引導(dǎo)、優(yōu)秀人才培養(yǎng)、下游產(chǎn)業(yè)集群、持續(xù)資金投入是不可或缺的要素。從海外經(jīng) 驗觀察，中國大陸半導(dǎo)體處在奮起追趕的發(fā)展黃金窗口期，產(chǎn)業(yè)發(fā)展任重道遠(yuǎn)。

美國：試圖通過補貼政策及打擊挑戰(zhàn)者保持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的長期領(lǐng)先地位

從歷史發(fā)展來看，美國政府采取了較大力度的補貼措施，長期支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 美國半導(dǎo)體補貼政策可從全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展變化趨勢的角度，區(qū)分為支持技術(shù)起步和商 業(yè)化、進(jìn)行貿(mào)易競爭、強化生態(tài)建設(shè)、保護(hù)供應(yīng)鏈安全四個歷史階段。美國試圖通過半導(dǎo) 體補貼政策長期保持全球發(fā)達(dá)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)地位，并力圖在當(dāng)前各個環(huán)節(jié)占據(jù)半導(dǎo)體 市場領(lǐng)導(dǎo)地位。

第一階段（1950~1970 年）：美國通過國防研發(fā)支持和政府采購支持半導(dǎo)體技術(shù)起步 并實現(xiàn)領(lǐng)先。20 世紀(jì) 40~50 年代，晶體管和集成電路在美國誕生并在軍事領(lǐng)域應(yīng)用，美 國國防和航空航天的政府研發(fā)投入和采購早期占據(jù)約一半的市場份額。20 世紀(jì) 60~80 年 代，美國實施半導(dǎo)體稅收補貼政策促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)商業(yè)化。在此階段，美國政府實施了以 稅收優(yōu)惠為主的政策，并進(jìn)一步出臺相關(guān)措施完善產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，包括推動政府采購多元化，減少市場門檻，支持中小企業(yè)發(fā)展等。

第二階段（1980～1999 年）：美國與競爭對手簽訂貿(mào)易協(xié)議遏制半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移并促 進(jìn)本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展。20 世紀(jì) 80 年代，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展并超越美國。為扭轉(zhuǎn)競爭力 下降趨勢，美國成立美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA），協(xié)調(diào)制定半導(dǎo)體貿(mào)易管制政策的半導(dǎo)體 研究聯(lián)盟（SRC）組織半導(dǎo)體商業(yè)化研發(fā)。同時，美國打擊日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，美國政府于 1985 年對日本進(jìn)行 301 調(diào)查，指控日本公司傾銷 DRAM 等產(chǎn)品。經(jīng)談判，日本在 1986 年同美國簽署第一次《半導(dǎo)體協(xié)議》，規(guī)定日本停止在美國市場的傾銷，且要求日本企業(yè) 購買美國產(chǎn)品，美國企業(yè)在日本的市場份額達(dá)到 20%。1991 年，美國以美國企業(yè)在日本 的市場份額不足 20%為由與日本簽訂了第二次《半導(dǎo)體協(xié)議》。1996 年，美國在日本市場 份額超過 30%，在全球市場份額也達(dá)到 30%，超越日本重新成為世界半導(dǎo)體第一大國。

第三階段（2000～2018 年）：美國采取“軟硬結(jié)合”政策，強化半導(dǎo)體生態(tài)建設(shè)保持 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)先地位。美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在 20 世紀(jì) 90 年代再次取得全球領(lǐng)先后，積極 借助個人電腦、互聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展時機，因勢利導(dǎo)，充分發(fā)揮美國在軟件、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域優(yōu)勢， 通過產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)推動美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。一方面，充分發(fā)揮市場競爭機制，降低市場 障礙，鼓勵企業(yè)通過市場競爭提升競爭力；另一方面，把握移動互聯(lián)網(wǎng)、云計算等發(fā)展機 遇，并進(jìn)一步鞏固其在計算、通信等領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢?？傮w上，在這個階段，美國更多地 通過市場機制推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

第四階段（2018 年至今）：美國通過擴(kuò)大財政資助，吸引制造業(yè)回流保護(hù)半導(dǎo)體供應(yīng) 鏈安全。2018 年以來，亞洲半導(dǎo)體制造和封測產(chǎn)業(yè)崛起。美國政府為應(yīng)對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“空 心化”，在持續(xù)通過提供研發(fā)資金支持外，陸續(xù)出臺相關(guān)法令激勵制造業(yè)回流和遏制海外 競爭對手。在研發(fā)支持方面，美國國防部、能源部等多部門將半導(dǎo)體視為優(yōu)先發(fā)展領(lǐng)域； 在立法方面，2015 年，奧巴馬政府將“企業(yè)研發(fā)稅收抵免”由周期性變?yōu)橛谰眯砸怨膭?半導(dǎo)體企業(yè)加大對長期研發(fā)的投入。特朗普政府通過加大出口管制和提出制造業(yè)法案來鞏 固美國半導(dǎo)體的領(lǐng)先優(yōu)勢。2019 年以來，美國通過將華為列入實體管制清單、修改外國 直接產(chǎn)品規(guī)則限制華為供貨、加大半導(dǎo)體設(shè)備和高端芯片的出口管制等一系列措施對全球 供應(yīng)鏈造成沖擊。2022 年 8 月 9 日，美國總統(tǒng)拜登簽署《2022 年最高法院安全資金法案》 （又稱《2022 年芯片和科學(xué)法案》）使之正式生效，該項立法向美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供約 527 億美元巨額補貼，鼓勵半導(dǎo)體企業(yè)在美國建廠。

美國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)補貼具有以下幾個特點:

一是美國聯(lián)邦政府以研發(fā)補貼為主，側(cè)重于基礎(chǔ)性研究和部分應(yīng)用研究，開發(fā)及生產(chǎn) 性流程研發(fā)投入有限。從補貼形式看，美國聯(lián)邦政府對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的研發(fā)支持多數(shù)集中在 研發(fā)環(huán)節(jié)，側(cè)重于對基礎(chǔ)科學(xué)研究、基礎(chǔ)技術(shù)和部分應(yīng)用研究的政策支持。美國能源部、 國防部、國家科學(xué)基金等通過與企業(yè)合作設(shè)立研發(fā)項目，分?jǐn)傃邪l(fā)成本，加大助力先進(jìn)技 術(shù)的突破。

二是有效利用國防、政府采購服務(wù)等世界貿(mào)易組織規(guī)則例外空間的措施支持本國產(chǎn)業(yè) 發(fā)展。早期的美國國防部系列采購安排為美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降低產(chǎn)品進(jìn)入市場的風(fēng)險、擴(kuò)大 市場需求、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)迭代升級發(fā)揮了重要作用，相關(guān)采購行為由于可以援引國家安全例外， 能夠豁免于世界貿(mào)易組織規(guī)則。

三是美國州政府補貼形式豐富，側(cè)重于生產(chǎn)和制造環(huán)節(jié)。美國政府對企業(yè)的補貼方式 多數(shù)以稅收優(yōu)惠為主，主要集中在研究和制造環(huán)節(jié)。2022 年 5 月，美國政府通過法案， 將為美國本土的半導(dǎo)體制造項目提供約 520 億美元的財政援助，同時積極推進(jìn)為集成電路 制造項目提供最高 25%的減稅政策，鼓勵英特爾、三星等企業(yè)建廠。

四是美國采取貿(mào)易投資限制等變相支持措施，單邊主義和保護(hù)主義色彩較重。例如， 美國對日本、中國等發(fā)起 301 調(diào)查，通過關(guān)稅和貿(mào)易政策阻礙公平貿(mào)易；限制產(chǎn)品出口或 對相關(guān)企業(yè)實施懲罰，擴(kuò)大實體清單企業(yè)數(shù)量，包括限制服務(wù)器用的微處理器出口，對中 興通訊、晉華進(jìn)行禁運，把華為及其 70 個附屬公司以及中科曙光等中國企業(yè)列入出口管 制實體清單。

企業(yè)獲益：英特爾是全球半導(dǎo)體行業(yè)的龍頭企業(yè)，也是美國政府補貼以及州和地方政 府補貼的最大受益者之一，1989～2020 年共獲得補貼 235 億美元。據(jù)美國“goodjobsfirst” 網(wǎng)站統(tǒng)計，1989～2020 年英特爾獲得的 64 億美元補貼中，63 億美元來自各州政府，包 括俄勒岡州的 26.7 億美元、新墨西哥州的 26.6 億美元、亞利桑那州的 1 億美元。英特爾 接受的政府補貼總體上以稅收優(yōu)惠為主，具體形式包括“戰(zhàn)略投資計劃”、“工業(yè)稅收債券”、 “對外貿(mào)易區(qū)”等，部分措施較有代表性，通過隱蔽的政策設(shè)計，為英特爾的生產(chǎn)銷售、 參與國際競爭提供了重要支持。例如，英特爾廠區(qū)所在的俄勒岡州華盛頓郡希爾斯伯勒 （Hillsboro），提供英特爾房屋和地價稅優(yōu)惠減免，替英特爾節(jié)省逾 11 億美元。

其他國家/地區(qū)：政府引導(dǎo)+技術(shù)研發(fā)+市場化實現(xiàn)上世紀(jì) 80 年代迅速崛起

日本：政府引導(dǎo)集中資源重視研發(fā)，大規(guī)模投資生產(chǎn)參與全球競爭。（1）集中研發(fā)高投入，從國外引進(jìn)技術(shù)到產(chǎn)官學(xué)自主研發(fā)。（2）參與市場化競爭，成本質(zhì)量優(yōu)勢取勝。（3） 正值大型機時代及家電興起，下游需求潮流帶動產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。日制 DRAM 在質(zhì)量、價格和 交貨時間方面均獲得很高評價，使得 80 年代日制 DRAM 在全球市場中所占份額不斷上升， 1982 年超過美國，1987 年達(dá)到頂峰 80%。1985 年美國針對日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)起 301 調(diào) 查，于 1986 年達(dá)成第一次半導(dǎo)體協(xié)議，1987 年美國再次指責(zé)日本向第三國傾銷，于 1991 達(dá)成簽訂第二次半導(dǎo)體協(xié)議。兩次協(xié)議簽訂使得日本半導(dǎo)體廠商的價格優(yōu)勢喪失，份額逐 漸受到韓國及中國臺灣省新興廠商的侵蝕。目前日本半導(dǎo)體公司在設(shè)備、材料領(lǐng)域具有較 強優(yōu)勢。目前日本廠商主要針對 NAND Flash、CIS（CMOS 圖像傳感器）、汽車電子、功 率分立器件等細(xì)分品類，在高端數(shù)字電路方面涉足不多。而半導(dǎo)體設(shè)備材料廠商由于良好 的工業(yè)基礎(chǔ)和持續(xù)的技術(shù)積累，至今仍在全球市場占據(jù)非常重要的地位。

韓國：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有明顯的政府和財團(tuán)主導(dǎo)特點，政府扶持企業(yè)逆周期擴(kuò)產(chǎn)實 現(xiàn)趕超。20 世紀(jì) 80 年代，政府強力干預(yù)，韓國選擇 DRAM 作為發(fā)展重點，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛 速發(fā)展，三星、現(xiàn)代、LG 等財團(tuán)參與 DRAM 為主的大規(guī)模芯片生產(chǎn)。1999 年后三星成 為韓國第一大集團(tuán)，韓國 DRAM 市占率超過日本。其中，20 世紀(jì) 80 年代 DRAM 市場景 氣不佳，到 1986 年底，三星半導(dǎo)體累計虧損達(dá) 3 億美元，盡管美日多家公司縮減產(chǎn)能或 退出市場，三星仍依靠政府扶持逆周期投資。2000-2010 年，三星電子從韓國政府獲得稅 收減免共約 87 億美元。從三星的經(jīng)驗來看，集成電路產(chǎn)業(yè)需時以十年計，數(shù)以每年千億 計的高投入。

當(dāng)前產(chǎn)業(yè)逆全球化趨勢下，多地區(qū)頒布政策，保障本土供應(yīng)安全。如：歐盟委員會于 2022 年 2 月 8 日推出《歐洲芯片法案》，擬動員超過 430 億歐元（約 480 億美元）的公共 和私人投資強化歐洲的芯片研究、制造，目標(biāo)是到 2030 年將歐盟的芯片產(chǎn)能全球占比從 目前的 10%提高到 20%。日本于 2022 年 1 月初亦通過一項芯片補貼法案，總計 6000 億 日元（約 52 億美元）的預(yù)算將用于支持芯片制造商，其中向臺積電提供 4000 億日元（約 34.7 億美元）的補貼。2021 年 5 月，韓國發(fā)布“K 半導(dǎo)體戰(zhàn)略”，宣布未來十年將攜手三 星電子、SK 海力士等 153 家韓國企業(yè)，投資 510 萬億韓元（約 4510 億美元），目標(biāo)是將 韓國建設(shè)成全球最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，引領(lǐng)全球的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。2021 年 12 月，印度 政府批準(zhǔn)一項約 100 億美元的激勵計劃，旨在吸引全球芯片及顯示器制造商進(jìn)入印度。

國內(nèi)新能源汽車產(chǎn)業(yè)：政策+補貼+免稅推動高速發(fā)展，在全球汽車產(chǎn)業(yè)彎 道超車

近年來，國務(wù)院、財政部、工業(yè)和信息化部、科技部、發(fā)展改革委等多部門都陸續(xù)印 發(fā)了支持、規(guī)范新能源汽車行業(yè)的發(fā)展政策，內(nèi)容涉及新能源汽車的稅率減免、購車補貼、 產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)扶持等內(nèi)容，有力推動了國內(nèi)新能源汽車行業(yè)的進(jìn)步和發(fā)展。

我們總結(jié)新能源汽車行業(yè)的歷史政策，對于行業(yè)的補貼涉及多個產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，舉措包 括直接補貼及減免購置稅等，使消費者和生產(chǎn)企業(yè)直接受益。國家自 2001 年以來推行的 新能源汽車政策主要包括：1）生產(chǎn)端給予汽車制造企業(yè)補貼，2）消費端消費者購車免購 置稅、購買汽車給補貼，3）在配套環(huán)節(jié)方面，充電站執(zhí)行大工業(yè)電價、暫免收取基本電 費等多項措施。通過一系列產(chǎn)業(yè)扶持與財稅補貼政策，我國新能源汽車產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了從無到 有的飛躍式發(fā)展。2013-2019 年產(chǎn)銷量呈整體上升趨勢。2015 年我國超過美國成為全球 最大的新能源汽車生產(chǎn)國，2021 年銷量突破 350 萬輛。目前我國的新能源汽車產(chǎn)銷量占 據(jù)全球產(chǎn)銷量的半壁江山，所生產(chǎn)、銷售的新能源汽車車型有 70%以上都是純電動汽車， 其余多為插電混合汽車。

國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策展望與分析

1、頂層設(shè)計：統(tǒng)籌規(guī)劃，制定統(tǒng)一目標(biāo)，組織協(xié)調(diào)

強化頂層設(shè)計，統(tǒng)一規(guī)劃國內(nèi)技術(shù)發(fā)展路徑，強化部門協(xié)調(diào)，強化區(qū)域聯(lián)動，形成集 聚效應(yīng)。 1）強化頂層設(shè)計，可統(tǒng)一規(guī)劃技術(shù)發(fā)展路徑，設(shè)定技術(shù)目標(biāo)節(jié)點。強化攻關(guān)決策和 統(tǒng)籌協(xié)調(diào)，制定國家半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略。確定產(chǎn)業(yè)鏈短板環(huán)節(jié)，制定技術(shù)節(jié)點和商業(yè)化進(jìn)度 的目標(biāo)。 2）強化部門協(xié)調(diào)、區(qū)域聯(lián)動。在關(guān)鍵環(huán)節(jié)和核心技術(shù)領(lǐng)域，可推動加強共性技術(shù)研 發(fā)，聯(lián)合企業(yè)、科研機構(gòu)攻關(guān)協(xié)調(diào)?？梢钥绮块T協(xié)調(diào)人、財、物、政策等科技資源?？赏?過下設(shè)辦公室，負(fù)責(zé)聘用產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的科學(xué)家擔(dān)任項目經(jīng)理人，遴選關(guān)鍵核心技術(shù)和 領(lǐng)軍人才、攻關(guān)計劃監(jiān)督與落實、攻關(guān)目標(biāo)考核、制定支持政策等事項。 3）聚焦大平臺建設(shè)，有助于提升產(chǎn)業(yè)集聚力和協(xié)同創(chuàng)新效率。如上海、無錫和杭州 已建成國家集成電路產(chǎn)業(yè)化基地，南京、合肥與蘇州等城市也在優(yōu)勢區(qū)域規(guī)劃半導(dǎo)體集聚 區(qū)，謀劃區(qū)域整體發(fā)展。發(fā)揮長三角的輻射效應(yīng)：面對美國對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的肆意打壓 （華為、中興、中芯國際等企業(yè)被美國商務(wù)部列入實體清單），而長三角產(chǎn)業(yè)鏈上下游企 業(yè)應(yīng)積極圍繞關(guān)鍵環(huán)節(jié)與核心技術(shù)領(lǐng)域，加強共性技術(shù)研發(fā)、聯(lián)合攻關(guān)協(xié)調(diào)創(chuàng)新，提升產(chǎn) 業(yè)整體競爭力。

2、引導(dǎo)投資：引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)基金長期投資，進(jìn)一步完善半導(dǎo)體企業(yè)融資渠道， 優(yōu)化考核指標(biāo)

過去幾年科創(chuàng)板的設(shè)立和國家/地方產(chǎn)業(yè)基金對產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到了一定引導(dǎo)作用。未來可 在合理有效設(shè)定基金考核目標(biāo)（如長期技術(shù)目標(biāo)可能與投資回報相悖）、貸款信用擔(dān)保、 完善風(fēng)險投資體系等方面進(jìn)一步優(yōu)化。

1）合理設(shè)定考核指標(biāo)，有效發(fā)揮政府引導(dǎo)基金對行業(yè)發(fā)展的支持作用。有序推進(jìn)市 場化政策工具——政府產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)基金在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投入，建立與真正有潛力企業(yè)的長效 對接機制，主要體現(xiàn)在政府需繼續(xù)發(fā)揮帶頭作用，定期鼓勵民資、外資攜手加大對企業(yè)的 長期資本投入力度，結(jié)合投后管理讓潛力企業(yè)形成更為高效的長期成長機制。政府產(chǎn)業(yè)引 導(dǎo)基金一定要帶來“有效”的投資，即區(qū)分不同類型細(xì)分行業(yè)和項目的投資目的，且對于不同環(huán)節(jié)不同重要性的項目考核要盡量靈活。例如對于“卡脖子”環(huán)節(jié)相關(guān)項目的投資， 由于高科技“卡脖子”環(huán)節(jié)本身發(fā)展難度較大的主要原因就是前期投入較大、產(chǎn)出周期長、 失敗概率高，在市場機構(gòu)不愿意主動參與此類項目投資的情況下，需要財政資金積極作為。 而當(dāng)前產(chǎn)業(yè)基金（例如“大基金”和各地的集成電路產(chǎn)業(yè)基金）的考核中收益是非常重要 的內(nèi)容之一，但針對“卡脖子”重點項目的基金投資考核，不能以收益作為衡量標(biāo)準(zhǔn)，更 多靠考核項目的成果轉(zhuǎn)化、商業(yè)落地等情況。因此需要結(jié)合投資項目本身的特點，為政府 引導(dǎo)基金建立多維度和動態(tài)的評價體系，以實現(xiàn)精準(zhǔn)施策，并保持一定政策彈性，從而實 現(xiàn)對行業(yè)發(fā)展的有效支持。

2）完善半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)信用擔(dān)保政策。半導(dǎo)體行業(yè)屬于資金密集型行業(yè)，加之消費者對 于產(chǎn)品的性能要求越來越高，相關(guān)產(chǎn)品的更新迭代速度非?？欤髽I(yè)對于資金的需求量很 大。當(dāng)前半導(dǎo)體企業(yè)的資金來源渠道主要來自政府補貼與投資，以京東方為例，根據(jù)《置 身事內(nèi)》整理，政府補貼多次幫助京東方及時籌措到了產(chǎn)線建設(shè)必需的資金，幫助公司跨 過了面板行業(yè)的壁壘，助力京東方在多個主流液晶顯示領(lǐng)域出貨量穩(wěn)居全球第一（根據(jù) Omdia 數(shù)據(jù)）。而半導(dǎo)體的研發(fā)屬于風(fēng)險性較高的項目，因而半導(dǎo)體公司更容易出現(xiàn)壞賬， 于銀行貸款角度，信貸的風(fēng)險偏高，放貸審核相對較為慎重。因此，政府可完善相應(yīng)的產(chǎn) 業(yè)信用擔(dān)保政策，用財政資金補貼銀行的方式建立半導(dǎo)體公司資金貸款的擔(dān)保機制。

3）健全完善我國的風(fēng)險投資機制體系。從半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展過程來看，其資金的來源 是多元化的，僅是財政與銀行信貸還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，完善我國的風(fēng)險投資機制體系對于吸引更 多的民間資本、國外資本等大有裨益。此外，政府也可以帶頭參與風(fēng)險投資中，以安徽合 肥為例，合肥建投、合肥產(chǎn)投及其旗下的基金，通過設(shè)立母子基金等形式，吸引社會資本 共同發(fā)展，使高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的融資效應(yīng)有所增加。

3、人才支持：培養(yǎng)產(chǎn)業(yè)人才，給予國內(nèi)人才稅收優(yōu)惠，海外人才國民待遇

黨的二十大報告指出：“教育、科技、人才是全面建設(shè)社會主義現(xiàn)代化國家的基礎(chǔ)性、 戰(zhàn)略性支撐。”人才是高新技術(shù)的基石，教育是人才培養(yǎng)的關(guān)鍵，更要推動“產(chǎn)、學(xué)、研、 用”全鏈條體系的建立。

1）針對科研體系，加大基礎(chǔ)研究，完善科研、教育體系機制?？梢砸試野雽?dǎo)體產(chǎn) 業(yè)發(fā)展需求為導(dǎo)向，啟動國家大科學(xué)工程研究探索計劃；可以通過設(shè)置半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究經(jīng) 費（例如以國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)值的 10%為標(biāo)準(zhǔn)匹配），鼓勵各研究型高校成立半導(dǎo)體學(xué)院，為 半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究增設(shè)科研基金項目和創(chuàng)新研究群體等人才類項目；此外，可以在全國設(shè)立 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)科學(xué)研究中心，資助半導(dǎo)體創(chuàng)新群體和研究組，以人才團(tuán)隊效應(yīng)帶動基礎(chǔ) 研究向半導(dǎo)體領(lǐng)域回流。

2）吸引全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)優(yōu)秀人才，壯大半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究隊伍，便利入籍通道，給予 國民待遇。在集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進(jìn)程中，需要高度重視科學(xué)家的力量，加快科技人員的 培養(yǎng)，鼓勵企業(yè)建立科研院所，利用來自世界各地的人才，并吸引更多的優(yōu)質(zhì)人才?，F(xiàn)階 段，美國政府為了使本國所擁有的專利技術(shù)得到更多保護(hù)，半導(dǎo)體公司在聘用中國人時已 經(jīng)逐漸放緩了步伐，這也為中國吸納優(yōu)秀人才回國創(chuàng)造了機會。為此，可以引入對集成電 路產(chǎn)業(yè)高科技人才專項獎勵計劃，構(gòu)建出立體化的人才吸引機制。針對性設(shè)置相關(guān)人才項目科技項目，大力實施人才的“引留并舉”，革新人才應(yīng)用思維，建立健全芯片產(chǎn)業(yè)高層 次人才引進(jìn)機制，精準(zhǔn)施策，面向高層次人才要力爭做到“一人一策”。

3）考慮到半導(dǎo)體行業(yè)是高度的人才密集型行業(yè)，建議可以考慮實施個人所得稅優(yōu)惠 與企業(yè)所得稅優(yōu)惠相互結(jié)合的稅收政策。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的研發(fā)過程本質(zhì)上是高科技人才參與 企業(yè)的創(chuàng)新制造，尤其當(dāng)前國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的人才不僅需要國內(nèi)培養(yǎng)，也需要對外引進(jìn)優(yōu) 秀人才。因此可以對參與高新技術(shù)的研發(fā)的科研人員進(jìn)行一定的個稅減免優(yōu)惠，有利于國 內(nèi)人才團(tuán)隊的壯大且激勵個人創(chuàng)造創(chuàng)新。此外，對企業(yè)的高管也可以進(jìn)行一定的稅收優(yōu)惠， 以此作為激勵的一種手段。企業(yè)高管在半導(dǎo)體的商品市場化中起到關(guān)鍵的領(lǐng)導(dǎo)作用，對其 進(jìn)行一定程度的稅收激勵，有助于管理者更好服務(wù)于企業(yè)。具體操作來說，一方面通過個 人專利申報或重要的管理職能等等外部信息的公開透明評選，篩選國家半導(dǎo)體行業(yè)重要人 才，通過建立人才庫實現(xiàn)針對高精尖人才的全部個稅減免。另一方面可以鼓勵各城市建立 省一級的對應(yīng)人才庫，對于沒有入選國家高精尖人才庫的重要個人可評選省級人才庫，入 庫之后實現(xiàn)個人所得稅中地稅部分的減免，兩者作為補充和結(jié)合。同時，也可以進(jìn)一步細(xì) 化機制，例如如何建立評選制度，如何進(jìn)行人才庫的動態(tài)更新，以實現(xiàn)對人才的有效激勵。

4、攻關(guān)機制：成立國家級科研機構(gòu)，以企業(yè)為主體科研攻關(guān)

采用以企業(yè)為主體的攻關(guān)機制，完善“揭榜掛帥”等組織模式，可針對薄弱環(huán)節(jié)統(tǒng)一 制定攻關(guān)計劃，以企業(yè)為主體，有針對性支持，推動企業(yè)高效地實現(xiàn)技術(shù)攻關(guān)。

1）建立關(guān)鍵技術(shù)項目攻關(guān)機制，聯(lián)合開展核心技術(shù)攻關(guān)，拓展系統(tǒng)化應(yīng)用。半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)鏈長且廣，上游包括 EDA 軟件/IP 模塊、半導(dǎo)體設(shè)備和材料，中游是芯片設(shè)計、制造、 封裝和測試，下游是各類電子產(chǎn)品，涉及大量材料、設(shè)備和配件、軟件和 IP 模塊。王陽元 院士指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的任何一種材料、一種設(shè)備甚至一個配件都可能成為制約競 爭者的手段。建議梳理產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵技術(shù)、“卡脖子”技術(shù)，企業(yè)牽頭，委托高校院所或 企業(yè)高校聯(lián)合體，探索采取“揭榜掛帥”、“定向研發(fā)合作制”等方式，針對“卡脖子”環(huán) 節(jié)進(jìn)行專項補貼，推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體技術(shù)的進(jìn)步。貫通半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上下游，同時完 善創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化收益分配機制，建立以成果轉(zhuǎn)化為導(dǎo)向的科技創(chuàng)新評價體系，突破制約半 導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術(shù)瓶頸問題。

2）充分發(fā)揮半導(dǎo)體領(lǐng)域的國家級科研機構(gòu)、具有學(xué)科優(yōu)勢的高校以及科技創(chuàng)新型企 業(yè)的作用。進(jìn)一步加強高校集成電路和軟件專業(yè)建設(shè)，加快推進(jìn)集成電路一級學(xué)科設(shè)置工 作；鼓勵有條件的高校采取與集成電路企業(yè)合作的方式，加快推進(jìn)示范性微電子學(xué)院建設(shè)； 鼓勵地方按照國家有關(guān)規(guī)定表彰和獎勵在集成電路和軟件領(lǐng)域做出杰出貢獻(xiàn)的高端人才 以及高水平工程師和研發(fā)設(shè)計人員，完善股權(quán)激勵機制；加強行業(yè)自律，引導(dǎo)集成電路和 軟件人才合理有序流動，避免惡性競爭。集中優(yōu)勢力量加快研發(fā)和創(chuàng)新速度，實現(xiàn)我國在 半導(dǎo)體領(lǐng)域的科技自立自強。

5、財稅政策：加大優(yōu)惠力度，結(jié)合多種稅收優(yōu)惠實現(xiàn)補貼

目前針對集成電路產(chǎn)業(yè)已有“兩免三減半”、“五免五減半”、“十年免稅”、“設(shè)計公司 減按 10%征收”等所得稅優(yōu)惠政策，未來可以針對上游環(huán)節(jié)（如設(shè)備、材料、零部件等） 和卡脖子核心環(huán)節(jié)加大優(yōu)惠力度，結(jié)合多種稅收（例如增值稅等）優(yōu)惠方式鼓勵行業(yè)發(fā)展。

1）當(dāng)前的稅收優(yōu)惠政策主要集中在企業(yè)所得稅方面，后續(xù)還可以結(jié)合多種稅收優(yōu)惠 方式鼓勵行業(yè)發(fā)展。當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)惠稅收政策主要集中在企業(yè)所得稅的減免，如 2020 年 7 月，國務(wù)院頒布了《新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政 策》中提到對“國家鼓勵的集成電路設(shè)計、裝備、材料、封裝、測試企業(yè)和軟件企業(yè)，自 獲利年度起，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照 25%的法定稅率減半 征收企業(yè)所得稅?！贝撕筘斦康人牟课?2020 年、2021 年、2022 年發(fā)布了相應(yīng)的稅收 支持政策，明確根據(jù)國家鼓勵的不同類型的集成電路生產(chǎn)企業(yè)或項目制定相應(yīng)的稅收優(yōu)惠 政策。部分電子行業(yè)公司企業(yè)所得稅減稅對 2021 年的凈利潤影響彈性測算（詳見附錄表 16），可以看出降低一定的所得稅率（例如 3%），企業(yè)的凈利潤將增長相近比例（3%左右）， 長期來看對公司凈利潤帶來較大提升力度。

2）可以考慮通過增值稅的稅收優(yōu)惠帶動國內(nèi)全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。增值稅是我國第一大稅 種，尤其產(chǎn)品在不同環(huán)節(jié)流通的過程中都不可避免的伴隨著增值稅的繳納。為了鼓勵整體 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展，上下游的合作聯(lián)動，建議考慮對上下游相關(guān)行業(yè)或者符合條件的上 下游公司進(jìn)行所得稅的稅收進(jìn)一步減免，以調(diào)動上下游積極性，鼓勵產(chǎn)業(yè)鏈合作，共同發(fā) 展。因此，作為關(guān)鍵優(yōu)惠政策，我們認(rèn)為后續(xù)國內(nèi)可能會針對國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品采取增值稅 “退稅”，扶持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

6、國際合作：發(fā)揮龐大市場需求優(yōu)勢和成本優(yōu)勢，加強外部合作

加強國際關(guān)系協(xié)調(diào)，可積極引進(jìn)國際領(lǐng)先芯片制造企業(yè)來中國投資建廠，從規(guī)劃、土 地、金融、服務(wù)、補貼、稅收等環(huán)節(jié)推進(jìn)招商引資。團(tuán)結(jié)國內(nèi)外可團(tuán)結(jié)、符合正常商業(yè)邏 輯的力量。

1）發(fā)揮龐大的市場需求優(yōu)勢，加強外部合作。吸引其他國家和地區(qū)共建區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈， 支持國外企業(yè)來華生產(chǎn)。加強國際關(guān)系組織協(xié)調(diào)，積極引進(jìn)國際領(lǐng)先芯片制造企業(yè)來中國 投資建廠，從規(guī)劃、土地、金融、服務(wù)、補貼、稅收等環(huán)節(jié)全面創(chuàng)新招商引資政策，推動 外資芯片產(chǎn)線國產(chǎn)化項目快速落地和建設(shè)，通過與先進(jìn)生產(chǎn)力合作推動國內(nèi)行業(yè)發(fā)展進(jìn)步。

2）全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈復(fù)雜而難以切斷，應(yīng)繼續(xù)擴(kuò)大開放，擴(kuò)大商業(yè)合作。我們認(rèn)為 未來中美將在核心科技領(lǐng)域各自發(fā)展一套供應(yīng)鏈體系的背景之下，日、韓、歐等地的供應(yīng) 鏈企業(yè)或?qū)⒃趦商左w系內(nèi)各自做出選擇，甚至全部參與。例如日本村田是國際一線電子元 器件大廠中，首個公開推行“雙供應(yīng)鏈”策略的廠商，其總裁在接受日經(jīng)新聞采訪時表示 “我們將繼續(xù)打造兩套重復(fù)的供應(yīng)鏈體系，一個針對美國主導(dǎo)的經(jīng)濟(jì)集團(tuán)，一個針對中國 主導(dǎo)的集團(tuán)”。

7、專項補貼：針對卡脖子環(huán)節(jié)進(jìn)行專項補貼，加速推動技術(shù)進(jìn)步

1）集成電路產(chǎn)業(yè)要堅持長期主義，下行周期堅持逆周期擴(kuò)產(chǎn)。根據(jù)芯謀研究預(yù)測， 到 2030 年中國半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)樂觀的情況下（國產(chǎn)設(shè)備取得重大突破），與實際需求相差 170 萬片/月，悲觀的情況下缺口達(dá)到 230 萬片/月，因此中國半導(dǎo)體產(chǎn)能缺口將持續(xù)增加。中 國制造是全球制造的重要力量，在智能化和芯片化的趨勢下，芯片的用量將大幅增加，但 是國產(chǎn)芯片的供給卻落后于中國本土企業(yè)的需求。日本和韓國均在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下行周期時 逆周期擴(kuò)產(chǎn)，從而實現(xiàn)順周期時反超；此外在目前的美國對華限制的背景下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被美打壓或?qū)⒊掷m(xù)，甚至不排除擴(kuò)大化。在形勢特殊的當(dāng)下，中國芯片的產(chǎn)能建設(shè)和 技術(shù)進(jìn)步要考慮底線思維，因此可以通過專項補貼的形式在國內(nèi)積極擴(kuò)產(chǎn)以應(yīng)對未來需求， 同時可以針對“卡脖子”環(huán)節(jié)進(jìn)行專項補貼，推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體技術(shù)的進(jìn)步。

2）避免短視，重視技術(shù)節(jié)點商業(yè)化考量。參考新能源車產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線，政策大力推 動新能源汽車發(fā)展，無論是在提升產(chǎn)銷量方面還是在提升企業(yè)研發(fā)能力和競爭力方面，均 起到了顯著的積極作用。但也要清楚地看到，政策對新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展并非完全是正 向的，這期間會因財政補貼額較大而引發(fā)一些違法違規(guī)的行為，如“騙補”行為。因此未 來在完善半導(dǎo)體行業(yè)的政策時，除了要進(jìn)行精準(zhǔn)實施補貼，將補貼流向必要的環(huán)節(jié)，也需 要考慮實施補貼退坡機制，一方面是預(yù)防一系列違規(guī)行為，另一方面則是倒逼產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)企 業(yè)不斷提升自身的創(chuàng)新研發(fā)能力。

8、鼓勵國產(chǎn)：通過補貼政策，鼓勵采購國產(chǎn)設(shè)備/材料/EDA 等，積極打造 全國產(chǎn)化產(chǎn)業(yè)鏈

1）我國的戰(zhàn)略性優(yōu)勢是擁有龐大的芯片消費市場和豐富的應(yīng)用場景。針對技術(shù)先進(jìn)、 受制裁影響面臨實際困難的晶圓廠，可考慮給予專項補貼鼓勵替代性設(shè)備材料的采購和技 術(shù)驗證。后續(xù)可鼓勵終端企業(yè)采用國產(chǎn)芯片，鼓勵國內(nèi)芯片設(shè)計公司在國內(nèi)晶圓廠流片。 上下游產(chǎn)業(yè)鏈共同配合研發(fā)改進(jìn)，推動產(chǎn)業(yè)技術(shù)成熟。同時尊重商業(yè)競爭，避免過度扶持。

2）建議通過政府采購或者專項補貼采購等方式助力高技術(shù)企業(yè)的產(chǎn)品打造應(yīng)用場景， 從而進(jìn)一步促進(jìn)技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)品革新。部分高技術(shù)企業(yè)在發(fā)展初期面臨主要的問題是產(chǎn)品 不被市場認(rèn)可的情況下難有應(yīng)用場景，因此也缺少市場反饋從而改進(jìn)技術(shù)和產(chǎn)品。同時， 在難見產(chǎn)品落地的情況下，也比較不容易在資本市場取得資金認(rèn)可，出現(xiàn)募資困難。因此 建議通過鼓勵政府采購或提供專項補貼等方式鼓勵市場化機構(gòu)進(jìn)行采購，為高技術(shù)企業(yè)產(chǎn) 品打造應(yīng)用產(chǎn)經(jīng)，從而進(jìn)一步促進(jìn)技術(shù)更新和產(chǎn)品的改進(jìn)。同時可以參考新能源汽車行業(yè) 對于終端消費者進(jìn)行補貼，更好地進(jìn)行資源配置。

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精選報告來源：【未來智庫】。