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日常生活中常常聽到半導體、芯片、集成電路，但是你一定不清楚它們到底有什么區(qū)別和聯(lián)系。
半導體：顧名思義，在常溫下導電性既不像導體那樣導電性很好，也不像絕緣體那樣導電性那么差，就是介于二者之間。常見的有硅、鍺、砷化鎵。半導體主要由四個組成部分組成：集成電路、光電器件、分立器件、傳感器。同時形成了三代產(chǎn)品。第一代：以硅、鍺為代表從1954年5月第一顆硅晶體管到今天的微處理器，已有近70年的歷史。硅引領了半導體行業(yè)的迅速發(fā)展，其技術成熟、性價比高，被廣泛地應用在集成電路領域。我國在2000年后，才開始大力發(fā)展半導體行業(yè)。中興、華為事件之后，徹底轉(zhuǎn)變了思路，開始走上自主研發(fā)之路。第二代：以砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（InP）為主砷化鎵具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。銻化銦制造的晶體管具有相對較高的電子遷移率，運算速度將提升50%，消耗功率也將明顯下降。磷化銦具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度高等諸多優(yōu)點。砷化鎵磷化銦可以制作集成電路襯底、紅外探測器、光通信的關鍵器件等。而磷化銦比砷化鎵優(yōu)勢更強，可以開展光纖及移動通信的新產(chǎn)業(yè)，同時可以推動衛(wèi)星通信業(yè)向更高頻段發(fā)展。第三代：以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅(ZnO)、金剛石為代表
第三代半導體普遍擁有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。這個特點，使其可以用在5G、光伏、新能源汽車、快充等多個領域。第三代半導體興起于本世紀，各國的研究水平相差不遠，我國處于相對領先地位，如果持續(xù)地加大研發(fā)投入，或可彎道超車。集成電路就是把電路小型化的方式，英文名字是integrated circuit，簡稱IC。這種方式主要應用在半導體設備上，也包括一小部分被動組件。其主要是利用光刻、刻蝕技術將晶體管、微型電容、電阻、電感及線路布局在一小塊晶圓上，最后進行封裝。集成電路按產(chǎn)品種類分為四大類：微處理器，存儲器，邏輯器件，模擬器件。按照電路屬性分：模擬集成電路、數(shù)字集成電路和混合信號集成電路。芯片：又稱微電路、微芯片、集成電路，是指內(nèi)含集成電路的硅片，體積很小，常常是手機、電腦等電子設備的一部分。可以說芯片是集成電路的載體，也是集成電路的主要表現(xiàn)方式。在談起CPU、GPU、存儲器時，我們常把集成電路稱作芯片。
集成電路側重于電子電路，是底層布局，而且范圍更加廣泛。我們將幾個二極管、三極管、電容、電阻混連在一起，就是集成電路。這個電路可以是模擬信號轉(zhuǎn)換，或者具有放大器功能，也或者是邏輯電路。芯片更為直觀，就是我們看到的指甲塊大小的、長著幾個小腳、正方形或者長方形的物體。芯片更側重功能，比如：CPU用來信息處理、程序運行；GPU主要是圖片渲染；存儲器顧名思義，就是用來存儲數(shù)據(jù)的。2、制作方式不同芯片制造的原材料是晶圓（硅、砷化鎵），然后光刻、摻雜、封裝、測試，才能完成芯片的制作。芯片制造必須要使用到光刻機、刻蝕機等先進的設備。集成電路所使用的原材料和工藝更加廣泛，它只要將完整的電路（包含晶體管、電阻、電容和電感等元件）微縮，通過布線連在一起，制作在半導體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)。對于集成電路來說，光刻機、刻蝕機并不是必需品。3、封裝不同
芯片的封裝最常見的是DIP封裝，也叫雙列直插式封裝技術，雙入線封裝。這種封裝的引腳數(shù)量一般不超過100，間距為2.54毫米。集成電路被放入保護性封裝中，以便于處理和組裝到印刷電路板上，并保護設備免受損壞，存在大量不同類型的包。簡單來說，芯片的封裝更加規(guī)則，方式也更加集中。而集成電路封裝大小、形狀不同，方式方法也更多。4、作用不同
芯片是為了封裝更多的電路，這樣可以增加單位面積晶體管的數(shù)量，從而增強性能，增大功能。集成電路中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。二者都適用摩爾定律。即：價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。這一定律揭示了信息技術進步的速度。
我是科技銘程，歡迎共同討論！
定義
半導體：顧名思義，在常溫下導電性既不像導體那樣導電性很好，也不像絕緣體那樣導電性那么差，就是介于二者之間。常見的有硅、鍺、砷化鎵。半導體主要由四個組成部分組成：集成電路、光電器件、分立器件、傳感器。同時形成了三代產(chǎn)品。第一代：以硅、鍺為代表從1954年5月第一顆硅晶體管到今天的微處理器，已有近70年的歷史。硅引領了半導體行業(yè)的迅速發(fā)展，其技術成熟、性價比高，被廣泛地應用在集成電路領域。我國在2000年后，才開始大力發(fā)展半導體行業(yè)。中興、華為事件之后，徹底轉(zhuǎn)變了思路，開始走上自主研發(fā)之路。第二代：以砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（InP）為主砷化鎵具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。銻化銦制造的晶體管具有相對較高的電子遷移率，運算速度將提升50%，消耗功率也將明顯下降。磷化銦具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度高等諸多優(yōu)點。砷化鎵磷化銦可以制作集成電路襯底、紅外探測器、光通信的關鍵器件等。而磷化銦比砷化鎵優(yōu)勢更強，可以開展光纖及移動通信的新產(chǎn)業(yè)，同時可以推動衛(wèi)星通信業(yè)向更高頻段發(fā)展。第三代：以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅(ZnO)、金剛石為代表第三代半導體普遍擁有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。這個特點，使其可以用在5G、光伏、新能源汽車、快充等多個領域。第三代半導體興起于本世紀，各國的研究水平相差不遠，我國處于相對領先地位，如果持續(xù)地加大研發(fā)投入，或可彎道超車。集成電路就是把電路小型化的方式，英文名字是integrated circuit，簡稱IC。這種方式主要應用在半導體設備上，也包括一小部分被動組件。其主要是利用光刻、刻蝕技術將晶體管、微型電容、電阻、電感及線路布局在一小塊晶圓上，最后進行封裝。集成電路按產(chǎn)品種類分為四大類：微處理器，存儲器，邏輯器件，模擬器件。按照電路屬性分：模擬集成電路、數(shù)字集成電路和混合信號集成電路。芯片：又稱微電路、微芯片、集成電路，是指內(nèi)含集成電路的硅片，體積很小，常常是手機、電腦等電子設備的一部分。可以說芯片是集成電路的載體，也是集成電路的主要表現(xiàn)方式。在談起CPU、GPU、存儲器時，我們常把集成電路稱作芯片。集成電路和芯片的區(qū)別
1、二者表達側重點不同。集成電路側重于電子電路，是底層布局，而且范圍更加廣泛。我們將幾個二極管、三極管、電容、電阻混連在一起，就是集成電路。這個電路可以是模擬信號轉(zhuǎn)換，或者具有放大器功能，也或者是邏輯電路。芯片更為直觀，就是我們看到的指甲塊大小的、長著幾個小腳、正方形或者長方形的物體。芯片更側重功能，比如：CPU用來信息處理、程序運行；GPU主要是圖片渲染；存儲器顧名思義，就是用來存儲數(shù)據(jù)的。2、制作方式不同芯片制造的原材料是晶圓（硅、砷化鎵），然后光刻、摻雜、封裝、測試，才能完成芯片的制作。芯片制造必須要使用到光刻機、刻蝕機等先進的設備。集成電路所使用的原材料和工藝更加廣泛，它只要將完整的電路（包含晶體管、電阻、電容和電感等元件）微縮，通過布線連在一起，制作在半導體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)。對于集成電路來說，光刻機、刻蝕機并不是必需品。3、封裝不同芯片的封裝最常見的是DIP封裝，也叫雙列直插式封裝技術，雙入線封裝。這種封裝的引腳數(shù)量一般不超過100，間距為2.54毫米。集成電路被放入保護性封裝中，以便于處理和組裝到印刷電路板上，并保護設備免受損壞，存在大量不同類型的包。簡單來說，芯片的封裝更加規(guī)則，方式也更加集中。而集成電路封裝大小、形狀不同，方式方法也更多。4、作用不同
芯片是為了封裝更多的電路，這樣可以增加單位面積晶體管的數(shù)量，從而增強性能，增大功能。集成電路中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。二者都適用摩爾定律。即：價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。這一定律揭示了信息技術進步的速度。寫到最后
半導體的范圍十分龐大，它不僅包含了集成電路、芯片，也包含所有的二極管、三極管、晶體管等。集成電路的范圍要大于芯片。盡管很多時候我們把集成電路稱作芯片。總的來說：半導體>集成電路>芯片。我是科技銘程，歡迎共同討論！
