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半導(dǎo)體生產(chǎn)流程：
半導(dǎo)體材料：半導(dǎo)體材料按應(yīng)用環(huán)節(jié)劃分，可分為前端晶圓制造材料和后端封裝材料兩大類。主要的晶圓制造材料包括：硅片、電子特氣、光刻膠及配套試劑、濕電子化學(xué)品、拋光材料、靶材、光掩膜版等；主要的封裝材料包括：引線框架、封裝基板、陶瓷材料、鍵合金絲、切割材料等。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年全球晶圓制造材料中，硅片占比最高，為35%；電子氣體排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻膠占比6%；光刻膠配套材料占比8% ；濕電子化學(xué)品占比7%；CMP拋光材料占比6%；靶材占比2%。封裝材料中，封裝基板占比最高，為48%；引線框架、鍵合絲、包封材料 、陶瓷基板、芯片粘接材料分列第2-6 名，占比分別為 15%、15%、10%、6%和3%。晶圓制造材料：半導(dǎo)體硅片：根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。
按照尺寸分類，半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計(jì)算）主要包括23mm、25mm、28mm、50mm（2 英寸）、75mm（3 英寸）、100mm（4 英寸）、125mm（5 英寸）、150mm（6 英寸）、200mm（8 英寸）與 300mm（12 英寸）等規(guī)格。當(dāng)硅片尺寸越大，單個(gè)硅片上的芯片數(shù)量就越多，從而能夠提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本。300mm硅片是200mm硅片面積的2.25倍，生產(chǎn)芯片數(shù)量方面，以1.5cm×1.5cm的芯片為例，300mm硅片芯片數(shù)量232顆，200mm硅片芯片數(shù)量 88 顆，300mm硅片是200mm硅片芯片數(shù)量的2.64倍。目前全球半導(dǎo)體硅片以12英寸為主，2020 年全球硅片12英寸占比69%，8英寸占比24%，6英寸及以下占比7%。根據(jù)頭豹研究院數(shù)據(jù)，12英寸對應(yīng)3-90nm制程，產(chǎn)品包括手機(jī)SoC、CPU、GPU、存儲(chǔ)、通信、FPGA、MCU、WiFi/藍(lán)牙等；8英寸對應(yīng)90nm-0.25μm制程，產(chǎn)品包括汽車MCU、射頻、指紋識別、電源管理、功率、LED驅(qū)動(dòng)等；6 英寸對應(yīng)0.35μm -1.2μm制程，產(chǎn)品包括MOSFET、IGBT、MEMS等。半導(dǎo)體硅片競爭格局：2020年，全球前五大半導(dǎo)體硅片企業(yè)信越化學(xué)、SUMCO、Siltronic、環(huán)球晶圓、SKSiltron合計(jì)銷售額109.16億美元，占全球半導(dǎo)體硅片行業(yè)銷售額比重高達(dá)89.45%。2020年，滬硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)市場份額上升至2.2%。
全球半導(dǎo)體硅片供給：根據(jù)SUMCO統(tǒng)計(jì)，全球8英寸硅片2022Q1出貨量約600萬片/月，12英寸硅片2022Q1出貨量接近800萬片/月。全球半導(dǎo)體需求預(yù)測：根據(jù)Sumco預(yù)測，12英寸硅片需求從2022年的800萬片/月增長到2026年的1150萬片，CAGR為9.4%。具體細(xì)分應(yīng)用中，智能手機(jī)和數(shù)據(jù)中心仍是占比最高的下游應(yīng)用，而汽車芯片是增速最快的細(xì)分應(yīng)用。國內(nèi)半導(dǎo)體硅片公司產(chǎn)能：現(xiàn)有產(chǎn)能：8英寸200萬片/月，12英寸90萬片/月。擴(kuò)產(chǎn)后：8英寸300萬片/月，12英寸270萬片/月。
半導(dǎo)體硅片上游：原料和設(shè)備設(shè)備：從設(shè)備的采購情況看，長晶設(shè)備約占設(shè)備總投資的25%，日本Ferrotec是全球半導(dǎo)體級別長晶爐的龍頭，在12英寸半導(dǎo)體硅片長晶爐領(lǐng)域市占率高達(dá)80%以上。國內(nèi)北方華創(chuàng)、連城精密和晶盛機(jī)電的12英寸單晶爐雖然與國際水平仍存在差距，但技術(shù)方面的差距已在不斷縮小。原料：上游半導(dǎo)體硅片原料電子級多晶硅主要依賴進(jìn)口，關(guān)鍵性的技術(shù)主要掌握在德國、日本和美國為首的企業(yè)手中，近年來，隨著國內(nèi)黃河水電（3300噸/年，國內(nèi)市占率20%）、鑫華半導(dǎo)體（年產(chǎn)5000噸）、云冶芯材、洛陽中硅、宜昌南玻等企業(yè)逐步推進(jìn)電子級多晶硅的研究與發(fā)展，電子級多晶硅對于海外進(jìn)口的依賴正在逐漸緩解。協(xié)鑫能源與TCL科技22年布局1萬噸電子級多晶硅產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2023年三季度投產(chǎn)，2024年三季度達(dá)產(chǎn)。電子特種氣體：主要包括硅族氣體、鹵化物或鹵化物氣體、含硼、磷、砷特種氣體作為集成電路制造的關(guān)鍵材料，伴隨著下游產(chǎn)業(yè)技術(shù)的快速迭代，特種氣體的精細(xì)化程度持續(xù)提高，特別是在純度和精度方面，對特氣的要求持續(xù)提高。比如在純度方面，普通工業(yè)氣體要求在99.99%左右，但是在先進(jìn)制程的集成電路制造過程中，氣體純度要求在6N（99.9999%）以上。等原子的氣體，以及氟碳?xì)怏w，種類繁多。衡量電子特種氣體質(zhì)量的指標(biāo)不僅是指氣體本身的純度，還包括影響制造過程的各種關(guān)鍵雜質(zhì)含量，如氧氣、水分、金屬、離子濃度、顆粒等，電子特氣中水汽、顆粒等雜質(zhì)會(huì)影響電子器件壽命，造成半導(dǎo)體線路損壞。雜質(zhì)含量通常為 ppm（百萬分之一，0.0001%）、ppb（十億分之一，十億分之一，0.0000001%）。
大宗氣體中的惰性氣體主要用作保護(hù)氣。氫氣和氧氣作為還原氣體和氧化氣體與其他物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。在離子注入工藝中，用到氫化物氣體作為磷源，硼源和砷源，形成P型和N型區(qū)域。在刻蝕工藝中，需要用氟化物氣體作為刻蝕氣體。在CVD工藝中，需要用硅烷和氯氣等等。在光刻過程中需要光刻氣，Kr/Ne/Ar等混合氣體作為光刻機(jī)的光源氣體，另外，在清洗，氧化爐，退火等等制造過程也需要不同電子氣體。電子氣體競爭格局：目前全球市場主要被美國空氣化工Air Products、德國林德Linde、法國液化空氣Air Liquide、以及日本大陽日酸TAIYO NIPPON SANSO四家公司占據(jù)。根據(jù)中國工業(yè)氣體工業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，集成電路生產(chǎn)用的特種氣體，中國僅能生產(chǎn)約20%的品種，其余均依賴進(jìn)口。目前中國國內(nèi)企業(yè)所能批量生產(chǎn)的特種氣體仍主要集中在集成電路的清洗、蝕刻、光刻等工藝環(huán)節(jié)，對摻雜、沉積等工藝的特種氣體僅有少部分品種取得突破。
電子氣體上游：原料，設(shè)備，容器氣體原料（例如氟化物和硅烷等）及化工原料（液氧、液氮等）是電子特氣的主要生產(chǎn)原料，氣體原來主要來源于上游空氣氣體企業(yè)、金屬冶煉企業(yè)、化工生產(chǎn)企業(yè)以及粗氣體產(chǎn)品企業(yè)。氣體設(shè)備是電子特氣的重要生產(chǎn)設(shè)備，主要包括分離、純化、壓力檢測等設(shè)備。目前空分設(shè)備、基礎(chǔ)化學(xué)原料供求普遍較為穩(wěn)定，變動(dòng)較小。隨著國家對環(huán)境保護(hù)以及工業(yè)尾氣排放目標(biāo)的進(jìn)一步明確，原材料中的工業(yè)尾氣的供應(yīng)也將更加充足。光刻膠：光刻膠本質(zhì)是一種感光材料，也稱光致抗蝕劑，主要用于微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工。在紫外光、電子束、離子束、X 射線等照射或輻射下，光刻膠溶解度會(huì)發(fā)生變化，再經(jīng)適當(dāng)溶劑溶去可溶性部分，便可實(shí)現(xiàn)圖形從掩模版到待加工基片上的轉(zhuǎn)移。進(jìn)一步，未溶解部分光刻膠作為保護(hù)層，在刻蝕步驟中保護(hù)其下方材料不被刻蝕，從而完成電路制作。按照下游應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可分為IC光刻膠、PCB光刻膠、LCD光刻膠。IC光刻膠根據(jù)曝光波長又可分g線光刻膠(436nm)、i線光刻膠(365nm)、KrF光刻膠(248nm)、ArF光刻膠(193nm)、EUV光刻膠(13.5nm)等。
光刻膠競爭格局：目前，IC光刻膠領(lǐng)域前五大廠商占據(jù)全球87%的市場份額，其中日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、美國杜邦、信越化學(xué)、富士電子市占率分別為28%、21%、15%、13%、10%。中國大陸半導(dǎo)體光刻膠高度依賴進(jìn)口，本土企業(yè)在低端產(chǎn)品上有所突破。2020年中國大陸光刻膠市場外資企業(yè)供給占比超過70%，內(nèi)資企業(yè)主要在低端g/i線光刻膠產(chǎn)品上有些突破，6英寸硅片自產(chǎn)占比約20%，KrF、ArF、EuV光刻膠國產(chǎn)替代任重道遠(yuǎn)。截至2021年年初，北京科華（彤程新材）可量產(chǎn)g/i線光刻膠、KrF光刻膠，晶瑞電材可量產(chǎn)g/i線光刻膠。
光刻膠原材料：光刻膠主要原材料占比從大到小分別是溶劑（50%-90%）、樹脂（10%-40%）、光引發(fā)劑（1%-6%）以及添加劑（<1%）。
溶劑：目前光刻膠溶劑主要為PGMEA（丙二醇甲醚酸醋酯，簡稱PMA），大陸自給率較高。根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心數(shù)據(jù)，我國是全球最大的PGMEA生產(chǎn)國家，產(chǎn)能占據(jù)全球總產(chǎn)量的35%左右。生產(chǎn)企業(yè)有百川股份、瑞佳化學(xué)、怡達(dá)化學(xué)、華倫、德納國際等。樹脂：光刻膠樹脂方面，日本、美國企業(yè)目前占據(jù)主要市場。國內(nèi)方面，圣泉集團(tuán)、彤程新材、強(qiáng)力新材等目前開始逐步布局。單體：單體方面，微芯新材、徐州博康、萬潤股份、瑞聯(lián)新材具備量產(chǎn)能力。光引發(fā)劑：目前被德國巴斯夫壟斷，國內(nèi)強(qiáng)力新材、久日新材能夠量產(chǎn)，強(qiáng)力新材是國內(nèi)少數(shù)專營光刻膠原料生產(chǎn)的企業(yè)，兼具半導(dǎo)體光引發(fā)劑、LCD光引發(fā)劑和PCB光引發(fā)劑，2020年產(chǎn)能分別達(dá)到 80t/a、100t/a 和1400t/a。光掩模板：光掩膜，即光刻掩膜版，又稱光罩、掩膜版等，是集成電路光刻工藝中的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版。光掩膜的功能類似于傳統(tǒng)相機(jī)的“底片”，在光刻機(jī)、光刻膠的配合下，將光掩膜上已設(shè)計(jì)好的圖案，通過曝光和顯影等工序轉(zhuǎn)移到襯底的光刻膠上，進(jìn)行圖像復(fù)制，從而實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。光掩模板競爭格局：光掩膜主要供應(yīng)商以美日大廠為主，其中日本凸版印刷、大日本印刷、美國 Photronics 三家就占了80%以上的市占率，其他還有日本豪雅HOYA、日本SK電子、中國臺(tái)灣光罩等。目前我國芯片制造能力與國際先進(jìn)水平仍有差距，半導(dǎo)體領(lǐng)域用掩膜版行業(yè)的中高端市場仍主要由國外掩膜版廠商占據(jù)，國內(nèi)的掩膜版廠商的技術(shù)能力主要集中在芯片封測用掩膜版以及100nm節(jié)點(diǎn)以上的晶圓制造用掩膜版，與國際領(lǐng)先企業(yè)有著較為明顯的差距。光掩模版原材料：在光掩模制造成本中，直接材料占比達(dá) 67%，包括掩膜版基板、保護(hù)膜和其他輔助材料，而掩膜版基板又占直接材料的比重超過 90%，是最重要的生產(chǎn)材料，會(huì)直接影響最終產(chǎn)品質(zhì)量。
被用來制作光掩?；娴牟ＡОê铣墒?、硼硅玻璃和蘇打玻璃，其中合成石英最為化學(xué)穩(wěn)定，具有高硬度、低膨脹系數(shù)和透光性強(qiáng)等優(yōu)勢，適用于較高精度要求的產(chǎn)品生產(chǎn)，廣泛應(yīng)用于 LSI 用光掩模、FPD 用大型掩膜的制造。目前，光掩模版上游原材料廠商主要集中在日本和韓國，主要被日本信越化學(xué)、尼康、東曹和韓國KTG、Samsung C&T等壟斷，遮光材料主要依賴日本信越化學(xué)、旭化成等。國內(nèi)有數(shù)家企業(yè)有能力生產(chǎn)，但主要集中在中小尺寸，產(chǎn)品應(yīng)用行業(yè)也多在 TP、PCB 等低端行業(yè)，對于半導(dǎo)體用高精度及高世代面板用基材，基本被日韓壟斷。石英掩模版基材國內(nèi)公司：菲力華CMP拋光液：CMP拋光液是研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物，可使晶圓表面產(chǎn)生一層氧化膜，再由拋光液中的磨粒去除，達(dá)到拋光的目的。CMP拋光液競爭格局：拋光液當(dāng)前的全球主流供應(yīng)商為卡博特(Cabot)、日立(Hitachi)、FUJIMI、慧瞻材料(Versum)等，壟斷全球近65%的市場份額，根據(jù)Cabot數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2020年龍頭企業(yè)Cabot拋光液全球市場占有率達(dá)36%，在中國市場內(nèi)占比達(dá)39%，國內(nèi)代表企業(yè)安集科技在國內(nèi)市場中占13%份額，其余48%為其他海外企業(yè)占據(jù)。而當(dāng)前的國內(nèi)晶圓廠需求除了安集科技以外，主要依賴進(jìn)口。安集科技目前化學(xué)機(jī)械拋光液已在130-28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)規(guī)模化銷售，14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段，10-7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品正在研發(fā)中。安集科技年產(chǎn)16000噸。
鼎龍股份年產(chǎn)5000噸，原材料自主可控。拋光液原材料：拋光液組分復(fù)雜，由氧化劑、磨粒、絡(luò)合劑、表面活性劑、緩蝕劑、pH調(diào)節(jié)劑及pH緩沖劑按照一定比例配置而成。磨粒在拋光液原材料中成本占比最高。根據(jù)安集科技招股說明書，磨粒約占拋光液原材料成本的50%-70%。目前卡博特、Versum、Entegris、安集科技等拋光液企業(yè)主要向第三方采購核心磨粒材料，其中安集科技磨粒主要來自日本廠商。二氧化硅磨粒是當(dāng)前市場使用最廣泛的產(chǎn)品，核心技術(shù)被日產(chǎn)化學(xué)、阿克蘇諾貝爾公司等海外巨頭壟斷。國內(nèi)企業(yè)上海新安納具備IC拋光液磨粒生產(chǎn)能力，擁有IC硅溶膠產(chǎn)能6300噸，中芯國際認(rèn)證該磨粒制成的拋光液可滿足12英寸40納米相變存儲(chǔ)器GST拋光需求，客戶包括扶桑化工、安集科技等拋光液企業(yè)。鼎龍股份目前實(shí)現(xiàn)了超純硅溶膠，水玻璃硅溶膠、氧化鋁三類研磨粒子的自主制備。CMP拋光墊：拋光墊是一種具有一定彈性且疏松多孔的材料，在CMP過程中直接與晶片接觸產(chǎn)生摩擦，以機(jī)械方式去除拋光層。拋光墊的性質(zhì)直接影響晶圓的表面質(zhì)量，是關(guān)系到平坦化效果的直接因素之一，目前使用最多的是由緩沖層和拋光層組成的復(fù)合型拋光墊。
拋光墊競爭格局：陶氏化學(xué)占據(jù)了全球拋光墊市79%的市場份額，陶氏的20英寸拋光墊占據(jù)了85%的市場份額，30英寸的市占率則更高。此外Cabot、ThomasWest、FOJIBO分別占居5%、4%、2%，日本廠商JSR占據(jù)1%。國內(nèi)方面，鼎龍股份掌握了拋光墊全流程核心研發(fā)和制造技術(shù)，已通過下游部分客戶認(rèn)證。以中芯國際等公司公告來計(jì)算，目前國內(nèi)12寸硅片需要的拋光墊的量大約為40萬片。目前鼎龍?jiān)趪鴥?nèi)進(jìn)展迅速，月產(chǎn)能約2萬片/月，市占率約為50%。
拋光墊上游原材料：拋光墊上游材料為聚氨酯、無紡布等基礎(chǔ)化工產(chǎn)品，其中高質(zhì)量聚氨酯是生產(chǎn)拋光墊的技術(shù)難點(diǎn)，拋光墊廠商通常外購聚氨酯彈性體原材料。濕電子化學(xué)品：濕電子化學(xué)品，指主體成分純度大于99.99%的化學(xué)試劑，一般要求控制化學(xué)試劑中顆粒粒徑低于0.5μm，雜質(zhì)含量低于ppm級，其純度和潔凈度將直接影響電子元器件的成品率、電性能和可靠性。電子濕化學(xué)品伴隨集成電路的整個(gè)制作過程，涉及到多個(gè)制造工藝環(huán)節(jié)。濕電子化學(xué)品主要應(yīng)用于半導(dǎo)體市場、光伏市場和平板顯示器市場。
2021年國內(nèi)濕電子化學(xué)品產(chǎn)量達(dá)64.35萬噸，同比增長17.68%。2021年國內(nèi)濕電子化學(xué)品需求超102.41萬噸，同比增長23.6%。濕電子化學(xué)品競爭格局：目前歐美傳統(tǒng)老牌企業(yè)市場份額約為31%，日本企業(yè)市場份額約為29%，韓國、中國大陸及中國臺(tái)灣地區(qū)的市場份額合計(jì)約為39%。目前，國內(nèi)電子濕化學(xué)品產(chǎn)業(yè)整體呈現(xiàn)出結(jié)構(gòu)性的發(fā)展不均衡，高端產(chǎn)品仍存在不足。集成電路領(lǐng)域，2020年集成電路工藝用電子濕化學(xué)品整體國產(chǎn)化率23%，8英寸及以上晶圓制造用電子濕化學(xué)品國產(chǎn)化率不足20%，國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品供應(yīng)主要集中在6英寸及以下晶圓制造及封裝領(lǐng)域。中國大陸市場集中度較低，濕電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)共有40余家，具有規(guī)?；钠髽I(yè)有30余家，各公司產(chǎn)量較小。國內(nèi)濕電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)主要有3類：（1）濕電子化學(xué)品專業(yè)供應(yīng)商，產(chǎn)品種類豐富且毛利率高，主要企業(yè)代表為江化微、格林達(dá)等；（2）電子材料平臺(tái)型企業(yè)，以泛半導(dǎo)體業(yè)務(wù)為主，具有客戶優(yōu)勢，主要代表企業(yè)包括晶瑞電材和飛凱材料等；（3）大化工企業(yè)，濕電子化學(xué)品種類較少，具有產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同優(yōu)勢，原料成本方面占優(yōu)。主要代表企業(yè)包括巨化股份和濱化股份。
靶材：靶材在半導(dǎo)體生產(chǎn)中主要應(yīng)用于晶圓制造和芯片封裝環(huán)節(jié)。靶材在晶圓制造環(huán)節(jié)主要被用作金屬濺鍍，常采用 PVD 工藝進(jìn)行鍍膜，通常使用純度在 99.9995%（5N5）及以上的銅靶、鋁靶、鉭靶、鈦靶以及部分合金靶等；靶材在芯片封裝環(huán)節(jié)常用作貼片焊線的鍍膜，常采用高純及超高純金屬銅靶、鋁靶、鉭靶等。
靶材競爭格局：日礦金屬、東曹公司以及美國的霍尼韋爾、普萊克斯公司，四家靶材制造國際巨頭，占據(jù)了全球半導(dǎo)體芯片用靶材市場約90%的份額。我國半導(dǎo)體用銅、鋁、鈦等靶材已實(shí)現(xiàn)定點(diǎn)突破，江豐電子（鋁靶、鈦靶、鉭靶）、有研新材（銅靶、鈷靶）是國內(nèi)半導(dǎo)體用濺射靶材的龍頭企業(yè)。江豐電子現(xiàn)有產(chǎn)能：目前擁有半導(dǎo)體或平板顯示用高純鋁靶材 36920 塊、高純鈦靶材11895塊、高純銅靶材1000塊、高純鎢靶材500塊、高純鈷靶材1000塊，高純鉭靶材4614塊。有研新材現(xiàn)有產(chǎn)能：目前擁有約 2 萬噸半導(dǎo)體產(chǎn)能。
靶材原材料：目前國內(nèi)濺射靶材的高純金屬原料多數(shù)依靠日美進(jìn)口。但部分企業(yè)在部分金屬提純方面已取得了重大突破。
封裝基板：封裝基板不僅為芯片提供支撐、散熱和保護(hù)作用，同時(shí)為芯片與PCB母板之間提供電子連接，起著“承上啟下”的作用；甚至可埋入無源、有源器件以實(shí)現(xiàn)一定系統(tǒng)功能。封裝基板在HDI板的基礎(chǔ)上發(fā)展而來，是適應(yīng)電子封裝技術(shù)快速發(fā)展而向高端技術(shù)的延伸，作為一種高端的PCB，封裝基板具有高密度、高精度、高性能、小型化及薄型化等特點(diǎn)。
封裝基板細(xì)分工藝對應(yīng)不同的產(chǎn)品，主要可分為三個(gè)等級。入門級產(chǎn)品包括CSP、PBGA，用于芯片組、DRAM、Flash產(chǎn)品；一般類包括一般 FCCSP和FCBGA(非 CPU類)，可用于通信芯片組、SiP封裝模組；高端類包括復(fù)雜FCBGA(CPU類)產(chǎn)品，可用于CPU、GPU等產(chǎn)品。CSP與FCCSP采用BT樹脂材料，產(chǎn)品層數(shù)較低，主要應(yīng)用于手機(jī)及可穿戴設(shè)備的應(yīng)用處理器、存儲(chǔ)等領(lǐng)域；FCBGA封裝基板保留玻纖布預(yù)浸BT樹脂(主要由日本三菱瓦斯與日立化成供應(yīng))作為核心，每層用疊構(gòu)的方式增加層數(shù)，加上ABF樹脂(主要由日本味之素供應(yīng))作為積層介質(zhì)薄膜導(dǎo)入構(gòu)裝制程。封裝基板競爭格局：目前全球封裝基板廠商主要分布在日本、韓國和中國臺(tái)灣。深南電路、興森科技、珠海越亞等內(nèi)資廠商第一梯隊(duì)已初具雛形。深南電路在產(chǎn)能規(guī)模及營收體量上位居第一，產(chǎn)品制程能力可達(dá)到一般類封裝基板的水平(即包括一般類 FCCSP、CSP等)。深南電路以MEMS模組類產(chǎn)品向存儲(chǔ)類延伸，產(chǎn)能規(guī)模處于國內(nèi)第一:珠海越亞產(chǎn)品以射頻類為主，產(chǎn)品均價(jià)相對較高而產(chǎn)能規(guī)模與興森科技相當(dāng)。產(chǎn)品類型來看，深南電路與興森科技均是國內(nèi)可量產(chǎn)存儲(chǔ)類封裝基板的廠商。封裝基板上游原材料：在基板成本結(jié)構(gòu)中，覆銅板占比最高，占比約35%。
引線框架：引線框架是一種集成電路芯片載體，并借助于鍵合絲使芯片內(nèi)部電路引出端（鍵合點(diǎn)）通過內(nèi)引線實(shí)現(xiàn)與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件。根據(jù)生產(chǎn)工藝不同，引線框架分為沖壓型和蝕刻型兩種。按照國際生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，100 腳位以上主要采用蝕刻型生產(chǎn)工藝，100腳位以下主要采用沖壓型生產(chǎn)工藝。
引線框架競爭格局目前由日本和中國臺(tái)灣廠商占據(jù)主導(dǎo)地位，日本三井高排名第1，占比12%；中國臺(tái)灣長華科技排名第2，占比11%；日本新光電氣排名第3，占比9%；韓國HDS、中國臺(tái)灣順德工業(yè)、新加坡ASM、中國臺(tái)灣界霖科技分列第4-7位，占比分別為8%/7%/7%/4%；中國大陸康強(qiáng)電子排名第8，占比4%。中國大部分廠商以生產(chǎn)沖壓引線框架為主，在更為高端的蝕刻引線框架方面，僅有康強(qiáng)電子、華洋科技、新恒匯、立德半導(dǎo)體、芯恒創(chuàng)半導(dǎo)體等少數(shù)廠商可以生產(chǎn)，與外資廠商相比產(chǎn)能也有所不足，目前中國蝕刻引線框架主要從日韓等進(jìn)口，自給率較低。康強(qiáng)電子蝕刻引線框架月產(chǎn)能300萬條，引線框架21年生產(chǎn)量1700億只，鍵和絲1900千克。引線框架上游原材料：引線框架上游原材料成本占比中，銅帶占46%，化學(xué)材料占27%，白銀占2%，銅帶是引線框架最重要的上游原材料。強(qiáng)度大于600MPa、硬度HV大于130、電導(dǎo)率（IACS）大于80%，可被認(rèn)為是較為理想的引線框架材料。目前國內(nèi)廠商正努力解決高端銅合金材料國產(chǎn)化難題。在Cu-Fe-P系（銅鐵磷）和Cu-Ni-Si系（銅鎳硅）中，國內(nèi)博威合金、寧波興業(yè)等廠商實(shí)現(xiàn)了C19400、C70250牌號的量產(chǎn)能力，在高端Cu-Cr-Zr系（鉻鋯銅）方面，博威合金已擁有boway 18150/18160/19010/19005型號產(chǎn)品。
鍵合絲：鍵合絲是芯片內(nèi)電路輸入輸出連接點(diǎn)與引線框架的內(nèi)接觸點(diǎn)之間實(shí)現(xiàn)電氣連接的微細(xì)金屬絲，直徑為十幾微米到幾十微米。上游原料主要為黃金、白銀、銅、鋁等金屬。根據(jù)材質(zhì)不同，分為非合金絲和合金絲，非合金絲包括金絲、銀絲、銅絲、鋁絲；合金絲包括鍍金銀線、鍍銅鍵合絲。黃金化學(xué)性能穩(wěn)定、抗氧化、不與酸堿反應(yīng)，由黃金制成的鍵合金絲延展性好、導(dǎo)電性能佳、可靠性高， 因此是使用最早、用量最大的一類。但由于黃金價(jià)格成本較高，鍵合銅絲市占率持續(xù)提升。鍵合絲競爭格局：中國鍵合絲市場仍主要被德國、韓國、日本廠商占據(jù)，本土廠商產(chǎn)品相對單一或低端 。根據(jù)CEPEM數(shù)據(jù)，德國賀利氏占比21%，韓國銘凱益（MKE）占比20%，日本日鐵和田中占比分別為13%和10%。中國廠商一諾電子是本土產(chǎn)能最大的廠商，占比11%，萬生合金、達(dá)博有色和銘灃科技占比分別為6%、5%和2%，此外康強(qiáng)電子在鍵合金絲、鍵合銅絲 上也有所布局。
陶瓷基板：陶瓷基板作為新興的散熱材料，具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，導(dǎo)熱性與絕緣性都優(yōu)于金屬基板，更適合功率電子產(chǎn)品封裝，已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料，廣泛應(yīng)用于LED、汽車電子、航天航空及軍用電子組件、激光等工業(yè)電子領(lǐng)域。根據(jù)陶瓷基板的三維結(jié)構(gòu)，可以分為平面陶瓷基板和多層陶瓷基板，LTCC、HTCC屬于是多層陶瓷基板。平面陶瓷基板又可以進(jìn)一步分為薄膜基板、厚膜基板、陶瓷覆銅基板等，其中陶瓷覆銅基板又可以分為DPC（直接鍍銅）、DBC（直接覆銅）、AMB（活性金屬釬焊）和LAM（激光活化金屬）。AMB工藝的陶瓷基板熱性能更好、可靠性更高。AMB是在800℃左右的高溫下，含有活性元素 Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)陶瓷與金屬異質(zhì)鍵合，是DBC技術(shù)的進(jìn)化。AMB基板市場規(guī)模增長較快，逐漸成為主流。陶瓷基板競爭格局：目前AMB陶瓷基板仍主要依賴進(jìn)口，國內(nèi)AMB陶瓷基板產(chǎn)能相對較小。國外主要廠商有賀利氏、日本Ferrotec、日本DOWA、日本NGK、日本京瓷、羅杰斯，國內(nèi)廠商AMB產(chǎn)能較大的有富樂華（日本Ferrotec控股）、博敏電子、威斯派爾等。博敏電子AMB陶瓷襯板目前具備產(chǎn)能8萬張/月，處于國內(nèi)前列，后續(xù)隨著設(shè)備不斷投入及配合相關(guān)客戶進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)2023年有望達(dá)到15-20萬張/月的產(chǎn)能規(guī)模。
芯片粘接材料：芯片粘結(jié)材料是采用粘結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片與底座或封裝基板連接的材料，在物理化學(xué)性能上要滿足機(jī)械強(qiáng)度高、化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)電導(dǎo)熱、低固化溫度和可操作性強(qiáng)的要求。主要包括芯片粘接膠水（DAP）、非導(dǎo)電芯片粘接薄膜（DAF）以及導(dǎo)電芯片粘接薄膜（CDAF) 等，其中DAP技術(shù)門檻相對較低，DAF技術(shù)門檻相對較高，CDAF技術(shù)門檻要求最高。芯片粘接材料競爭格局：2019年全球芯片粘接材料市場規(guī)模約8.7億美元，德國日本廠商占據(jù)主導(dǎo)地位。根據(jù)CEPEM數(shù)據(jù)，2019年中國半導(dǎo)體芯片粘接材料主要供應(yīng)商同樣以德國日本廠商為主。德邦科技的芯片固晶導(dǎo)電膠等芯片固晶材料產(chǎn)品，覆蓋 MOS、QFN、QFP、BGA 和存儲(chǔ)器等多種封裝形式，已通過通富微電、華天科技、長電科技等國內(nèi)多家知名集成電路封測企業(yè)驗(yàn)證測試，并實(shí)現(xiàn)批量供貨。除公司外，國內(nèi)供應(yīng)商僅有長春永固實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品供貨。
半導(dǎo)體材料：半導(dǎo)體材料按應(yīng)用環(huán)節(jié)劃分，可分為前端晶圓制造材料和后端封裝材料兩大類。主要的晶圓制造材料包括：硅片、電子特氣、光刻膠及配套試劑、濕電子化學(xué)品、拋光材料、靶材、光掩膜版等；主要的封裝材料包括：引線框架、封裝基板、陶瓷材料、鍵合金絲、切割材料等。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年全球晶圓制造材料中，硅片占比最高，為35%；電子氣體排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻膠占比6%；光刻膠配套材料占比8% ；濕電子化學(xué)品占比7%；CMP拋光材料占比6%；靶材占比2%。封裝材料中，封裝基板占比最高，為48%；引線框架、鍵合絲、包封材料 、陶瓷基板、芯片粘接材料分列第2-6 名，占比分別為 15%、15%、10%、6%和3%。晶圓制造材料：半導(dǎo)體硅片：根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。按照尺寸分類，半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計(jì)算）主要包括23mm、25mm、28mm、50mm（2 英寸）、75mm（3 英寸）、100mm（4 英寸）、125mm（5 英寸）、150mm（6 英寸）、200mm（8 英寸）與 300mm（12 英寸）等規(guī)格。當(dāng)硅片尺寸越大，單個(gè)硅片上的芯片數(shù)量就越多，從而能夠提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本。300mm硅片是200mm硅片面積的2.25倍，生產(chǎn)芯片數(shù)量方面，以1.5cm×1.5cm的芯片為例，300mm硅片芯片數(shù)量232顆，200mm硅片芯片數(shù)量 88 顆，300mm硅片是200mm硅片芯片數(shù)量的2.64倍。目前全球半導(dǎo)體硅片以12英寸為主，2020 年全球硅片12英寸占比69%，8英寸占比24%，6英寸及以下占比7%。根據(jù)頭豹研究院數(shù)據(jù)，12英寸對應(yīng)3-90nm制程，產(chǎn)品包括手機(jī)SoC、CPU、GPU、存儲(chǔ)、通信、FPGA、MCU、WiFi/藍(lán)牙等；8英寸對應(yīng)90nm-0.25μm制程，產(chǎn)品包括汽車MCU、射頻、指紋識別、電源管理、功率、LED驅(qū)動(dòng)等；6 英寸對應(yīng)0.35μm -1.2μm制程，產(chǎn)品包括MOSFET、IGBT、MEMS等。半導(dǎo)體硅片競爭格局：2020年，全球前五大半導(dǎo)體硅片企業(yè)信越化學(xué)、SUMCO、Siltronic、環(huán)球晶圓、SKSiltron合計(jì)銷售額109.16億美元，占全球半導(dǎo)體硅片行業(yè)銷售額比重高達(dá)89.45%。2020年，滬硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)市場份額上升至2.2%。全球半導(dǎo)體硅片供給：根據(jù)SUMCO統(tǒng)計(jì)，全球8英寸硅片2022Q1出貨量約600萬片/月，12英寸硅片2022Q1出貨量接近800萬片/月。全球半導(dǎo)體需求預(yù)測：根據(jù)Sumco預(yù)測，12英寸硅片需求從2022年的800萬片/月增長到2026年的1150萬片，CAGR為9.4%。具體細(xì)分應(yīng)用中，智能手機(jī)和數(shù)據(jù)中心仍是占比最高的下游應(yīng)用，而汽車芯片是增速最快的細(xì)分應(yīng)用。國內(nèi)半導(dǎo)體硅片公司產(chǎn)能：現(xiàn)有產(chǎn)能：8英寸200萬片/月，12英寸90萬片/月。擴(kuò)產(chǎn)后：8英寸300萬片/月，12英寸270萬片/月。半導(dǎo)體硅片上游：原料和設(shè)備設(shè)備：從設(shè)備的采購情況看，長晶設(shè)備約占設(shè)備總投資的25%，日本Ferrotec是全球半導(dǎo)體級別長晶爐的龍頭，在12英寸半導(dǎo)體硅片長晶爐領(lǐng)域市占率高達(dá)80%以上。國內(nèi)北方華創(chuàng)、連城精密和晶盛機(jī)電的12英寸單晶爐雖然與國際水平仍存在差距，但技術(shù)方面的差距已在不斷縮小。原料：上游半導(dǎo)體硅片原料電子級多晶硅主要依賴進(jìn)口，關(guān)鍵性的技術(shù)主要掌握在德國、日本和美國為首的企業(yè)手中，近年來，隨著國內(nèi)黃河水電（3300噸/年，國內(nèi)市占率20%）、鑫華半導(dǎo)體（年產(chǎn)5000噸）、云冶芯材、洛陽中硅、宜昌南玻等企業(yè)逐步推進(jìn)電子級多晶硅的研究與發(fā)展，電子級多晶硅對于海外進(jìn)口的依賴正在逐漸緩解。協(xié)鑫能源與TCL科技22年布局1萬噸電子級多晶硅產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2023年三季度投產(chǎn)，2024年三季度達(dá)產(chǎn)。電子特種氣體：主要包括硅族氣體、鹵化物或鹵化物氣體、含硼、磷、砷特種氣體作為集成電路制造的關(guān)鍵材料，伴隨著下游產(chǎn)業(yè)技術(shù)的快速迭代，特種氣體的精細(xì)化程度持續(xù)提高，特別是在純度和精度方面，對特氣的要求持續(xù)提高。比如在純度方面，普通工業(yè)氣體要求在99.99%左右，但是在先進(jìn)制程的集成電路制造過程中，氣體純度要求在6N（99.9999%）以上。等原子的氣體，以及氟碳?xì)怏w，種類繁多。衡量電子特種氣體質(zhì)量的指標(biāo)不僅是指氣體本身的純度，還包括影響制造過程的各種關(guān)鍵雜質(zhì)含量，如氧氣、水分、金屬、離子濃度、顆粒等，電子特氣中水汽、顆粒等雜質(zhì)會(huì)影響電子器件壽命，造成半導(dǎo)體線路損壞。雜質(zhì)含量通常為 ppm（百萬分之一，0.0001%）、ppb（十億分之一，十億分之一，0.0000001%）。大宗氣體中的惰性氣體主要用作保護(hù)氣。氫氣和氧氣作為還原氣體和氧化氣體與其他物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。在離子注入工藝中，用到氫化物氣體作為磷源，硼源和砷源，形成P型和N型區(qū)域。在刻蝕工藝中，需要用氟化物氣體作為刻蝕氣體。在CVD工藝中，需要用硅烷和氯氣等等。在光刻過程中需要光刻氣，Kr/Ne/Ar等混合氣體作為光刻機(jī)的光源氣體，另外，在清洗，氧化爐，退火等等制造過程也需要不同電子氣體。電子氣體競爭格局：目前全球市場主要被美國空氣化工Air Products、德國林德Linde、法國液化空氣Air Liquide、以及日本大陽日酸TAIYO NIPPON SANSO四家公司占據(jù)。根據(jù)中國工業(yè)氣體工業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，集成電路生產(chǎn)用的特種氣體，中國僅能生產(chǎn)約20%的品種，其余均依賴進(jìn)口。目前中國國內(nèi)企業(yè)所能批量生產(chǎn)的特種氣體仍主要集中在集成電路的清洗、蝕刻、光刻等工藝環(huán)節(jié)，對摻雜、沉積等工藝的特種氣體僅有少部分品種取得突破。電子氣體上游：原料，設(shè)備，容器氣體原料（例如氟化物和硅烷等）及化工原料（液氧、液氮等）是電子特氣的主要生產(chǎn)原料，氣體原來主要來源于上游空氣氣體企業(yè)、金屬冶煉企業(yè)、化工生產(chǎn)企業(yè)以及粗氣體產(chǎn)品企業(yè)。氣體設(shè)備是電子特氣的重要生產(chǎn)設(shè)備，主要包括分離、純化、壓力檢測等設(shè)備。目前空分設(shè)備、基礎(chǔ)化學(xué)原料供求普遍較為穩(wěn)定，變動(dòng)較小。隨著國家對環(huán)境保護(hù)以及工業(yè)尾氣排放目標(biāo)的進(jìn)一步明確，原材料中的工業(yè)尾氣的供應(yīng)也將更加充足。光刻膠：光刻膠本質(zhì)是一種感光材料，也稱光致抗蝕劑，主要用于微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工。在紫外光、電子束、離子束、X 射線等照射或輻射下，光刻膠溶解度會(huì)發(fā)生變化，再經(jīng)適當(dāng)溶劑溶去可溶性部分，便可實(shí)現(xiàn)圖形從掩模版到待加工基片上的轉(zhuǎn)移。進(jìn)一步，未溶解部分光刻膠作為保護(hù)層，在刻蝕步驟中保護(hù)其下方材料不被刻蝕，從而完成電路制作。按照下游應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可分為IC光刻膠、PCB光刻膠、LCD光刻膠。IC光刻膠根據(jù)曝光波長又可分g線光刻膠(436nm)、i線光刻膠(365nm)、KrF光刻膠(248nm)、ArF光刻膠(193nm)、EUV光刻膠(13.5nm)等。光刻膠競爭格局：目前，IC光刻膠領(lǐng)域前五大廠商占據(jù)全球87%的市場份額，其中日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、美國杜邦、信越化學(xué)、富士電子市占率分別為28%、21%、15%、13%、10%。中國大陸半導(dǎo)體光刻膠高度依賴進(jìn)口，本土企業(yè)在低端產(chǎn)品上有所突破。2020年中國大陸光刻膠市場外資企業(yè)供給占比超過70%，內(nèi)資企業(yè)主要在低端g/i線光刻膠產(chǎn)品上有些突破，6英寸硅片自產(chǎn)占比約20%，KrF、ArF、EuV光刻膠國產(chǎn)替代任重道遠(yuǎn)。截至2021年年初，北京科華（彤程新材）可量產(chǎn)g/i線光刻膠、KrF光刻膠，晶瑞電材可量產(chǎn)g/i線光刻膠。光刻膠原材料：光刻膠主要原材料占比從大到小分別是溶劑（50%-90%）、樹脂（10%-40%）、光引發(fā)劑（1%-6%）以及添加劑（<1%）。溶劑：目前光刻膠溶劑主要為PGMEA（丙二醇甲醚酸醋酯，簡稱PMA），大陸自給率較高。根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心數(shù)據(jù)，我國是全球最大的PGMEA生產(chǎn)國家，產(chǎn)能占據(jù)全球總產(chǎn)量的35%左右。生產(chǎn)企業(yè)有百川股份、瑞佳化學(xué)、怡達(dá)化學(xué)、華倫、德納國際等。樹脂：光刻膠樹脂方面，日本、美國企業(yè)目前占據(jù)主要市場。國內(nèi)方面，圣泉集團(tuán)、彤程新材、強(qiáng)力新材等目前開始逐步布局。單體：單體方面，微芯新材、徐州博康、萬潤股份、瑞聯(lián)新材具備量產(chǎn)能力。光引發(fā)劑：目前被德國巴斯夫壟斷，國內(nèi)強(qiáng)力新材、久日新材能夠量產(chǎn)，強(qiáng)力新材是國內(nèi)少數(shù)專營光刻膠原料生產(chǎn)的企業(yè)，兼具半導(dǎo)體光引發(fā)劑、LCD光引發(fā)劑和PCB光引發(fā)劑，2020年產(chǎn)能分別達(dá)到 80t/a、100t/a 和1400t/a。光掩模板：光掩膜，即光刻掩膜版，又稱光罩、掩膜版等，是集成電路光刻工藝中的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版。光掩膜的功能類似于傳統(tǒng)相機(jī)的“底片”，在光刻機(jī)、光刻膠的配合下，將光掩膜上已設(shè)計(jì)好的圖案，通過曝光和顯影等工序轉(zhuǎn)移到襯底的光刻膠上，進(jìn)行圖像復(fù)制，從而實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。光掩模板競爭格局：光掩膜主要供應(yīng)商以美日大廠為主，其中日本凸版印刷、大日本印刷、美國 Photronics 三家就占了80%以上的市占率，其他還有日本豪雅HOYA、日本SK電子、中國臺(tái)灣光罩等。目前我國芯片制造能力與國際先進(jìn)水平仍有差距，半導(dǎo)體領(lǐng)域用掩膜版行業(yè)的中高端市場仍主要由國外掩膜版廠商占據(jù)，國內(nèi)的掩膜版廠商的技術(shù)能力主要集中在芯片封測用掩膜版以及100nm節(jié)點(diǎn)以上的晶圓制造用掩膜版，與國際領(lǐng)先企業(yè)有著較為明顯的差距。光掩模版原材料：在光掩模制造成本中，直接材料占比達(dá) 67%，包括掩膜版基板、保護(hù)膜和其他輔助材料，而掩膜版基板又占直接材料的比重超過 90%，是最重要的生產(chǎn)材料，會(huì)直接影響最終產(chǎn)品質(zhì)量。被用來制作光掩?；娴牟ＡОê铣墒?、硼硅玻璃和蘇打玻璃，其中合成石英最為化學(xué)穩(wěn)定，具有高硬度、低膨脹系數(shù)和透光性強(qiáng)等優(yōu)勢，適用于較高精度要求的產(chǎn)品生產(chǎn)，廣泛應(yīng)用于 LSI 用光掩模、FPD 用大型掩膜的制造。目前，光掩模版上游原材料廠商主要集中在日本和韓國，主要被日本信越化學(xué)、尼康、東曹和韓國KTG、Samsung C&T等壟斷，遮光材料主要依賴日本信越化學(xué)、旭化成等。國內(nèi)有數(shù)家企業(yè)有能力生產(chǎn)，但主要集中在中小尺寸，產(chǎn)品應(yīng)用行業(yè)也多在 TP、PCB 等低端行業(yè)，對于半導(dǎo)體用高精度及高世代面板用基材，基本被日韓壟斷。石英掩模版基材國內(nèi)公司：菲力華CMP拋光液：CMP拋光液是研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物，可使晶圓表面產(chǎn)生一層氧化膜，再由拋光液中的磨粒去除，達(dá)到拋光的目的。CMP拋光液競爭格局：拋光液當(dāng)前的全球主流供應(yīng)商為卡博特(Cabot)、日立(Hitachi)、FUJIMI、慧瞻材料(Versum)等，壟斷全球近65%的市場份額，根據(jù)Cabot數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2020年龍頭企業(yè)Cabot拋光液全球市場占有率達(dá)36%，在中國市場內(nèi)占比達(dá)39%，國內(nèi)代表企業(yè)安集科技在國內(nèi)市場中占13%份額，其余48%為其他海外企業(yè)占據(jù)。而當(dāng)前的國內(nèi)晶圓廠需求除了安集科技以外，主要依賴進(jìn)口。安集科技目前化學(xué)機(jī)械拋光液已在130-28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)規(guī)模化銷售，14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段，10-7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品正在研發(fā)中。安集科技年產(chǎn)16000噸。鼎龍股份年產(chǎn)5000噸，原材料自主可控。拋光液原材料：拋光液組分復(fù)雜，由氧化劑、磨粒、絡(luò)合劑、表面活性劑、緩蝕劑、pH調(diào)節(jié)劑及pH緩沖劑按照一定比例配置而成。磨粒在拋光液原材料中成本占比最高。根據(jù)安集科技招股說明書，磨粒約占拋光液原材料成本的50%-70%。目前卡博特、Versum、Entegris、安集科技等拋光液企業(yè)主要向第三方采購核心磨粒材料，其中安集科技磨粒主要來自日本廠商。二氧化硅磨粒是當(dāng)前市場使用最廣泛的產(chǎn)品，核心技術(shù)被日產(chǎn)化學(xué)、阿克蘇諾貝爾公司等海外巨頭壟斷。國內(nèi)企業(yè)上海新安納具備IC拋光液磨粒生產(chǎn)能力，擁有IC硅溶膠產(chǎn)能6300噸，中芯國際認(rèn)證該磨粒制成的拋光液可滿足12英寸40納米相變存儲(chǔ)器GST拋光需求，客戶包括扶桑化工、安集科技等拋光液企業(yè)。鼎龍股份目前實(shí)現(xiàn)了超純硅溶膠，水玻璃硅溶膠、氧化鋁三類研磨粒子的自主制備。CMP拋光墊：拋光墊是一種具有一定彈性且疏松多孔的材料，在CMP過程中直接與晶片接觸產(chǎn)生摩擦，以機(jī)械方式去除拋光層。拋光墊的性質(zhì)直接影響晶圓的表面質(zhì)量，是關(guān)系到平坦化效果的直接因素之一，目前使用最多的是由緩沖層和拋光層組成的復(fù)合型拋光墊。拋光墊競爭格局：陶氏化學(xué)占據(jù)了全球拋光墊市79%的市場份額，陶氏的20英寸拋光墊占據(jù)了85%的市場份額，30英寸的市占率則更高。此外Cabot、ThomasWest、FOJIBO分別占居5%、4%、2%，日本廠商JSR占據(jù)1%。國內(nèi)方面，鼎龍股份掌握了拋光墊全流程核心研發(fā)和制造技術(shù)，已通過下游部分客戶認(rèn)證。以中芯國際等公司公告來計(jì)算，目前國內(nèi)12寸硅片需要的拋光墊的量大約為40萬片。目前鼎龍?jiān)趪鴥?nèi)進(jìn)展迅速，月產(chǎn)能約2萬片/月，市占率約為50%。拋光墊上游原材料：拋光墊上游材料為聚氨酯、無紡布等基礎(chǔ)化工產(chǎn)品，其中高質(zhì)量聚氨酯是生產(chǎn)拋光墊的技術(shù)難點(diǎn)，拋光墊廠商通常外購聚氨酯彈性體原材料。
濕電子化學(xué)品：濕電子化學(xué)品，指主體成分純度大于99.99%的化學(xué)試劑，一般要求控制化學(xué)試劑中顆粒粒徑低于0.5μm，雜質(zhì)含量低于ppm級，其純度和潔凈度將直接影響電子元器件的成品率、電性能和可靠性。電子濕化學(xué)品伴隨集成電路的整個(gè)制作過程，涉及到多個(gè)制造工藝環(huán)節(jié)。濕電子化學(xué)品主要應(yīng)用于半導(dǎo)體市場、光伏市場和平板顯示器市場。2021年國內(nèi)濕電子化學(xué)品產(chǎn)量達(dá)64.35萬噸，同比增長17.68%。2021年國內(nèi)濕電子化學(xué)品需求超102.41萬噸，同比增長23.6%。濕電子化學(xué)品競爭格局：目前歐美傳統(tǒng)老牌企業(yè)市場份額約為31%，日本企業(yè)市場份額約為29%，韓國、中國大陸及中國臺(tái)灣地區(qū)的市場份額合計(jì)約為39%。目前，國內(nèi)電子濕化學(xué)品產(chǎn)業(yè)整體呈現(xiàn)出結(jié)構(gòu)性的發(fā)展不均衡，高端產(chǎn)品仍存在不足。集成電路領(lǐng)域，2020年集成電路工藝用電子濕化學(xué)品整體國產(chǎn)化率23%，8英寸及以上晶圓制造用電子濕化學(xué)品國產(chǎn)化率不足20%，國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品供應(yīng)主要集中在6英寸及以下晶圓制造及封裝領(lǐng)域。中國大陸市場集中度較低，濕電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)共有40余家，具有規(guī)?；钠髽I(yè)有30余家，各公司產(chǎn)量較小。國內(nèi)濕電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)主要有3類：（1）濕電子化學(xué)品專業(yè)供應(yīng)商，產(chǎn)品種類豐富且毛利率高，主要企業(yè)代表為江化微、格林達(dá)等；（2）電子材料平臺(tái)型企業(yè)，以泛半導(dǎo)體業(yè)務(wù)為主，具有客戶優(yōu)勢，主要代表企業(yè)包括晶瑞電材和飛凱材料等；（3）大化工企業(yè)，濕電子化學(xué)品種類較少，具有產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同優(yōu)勢，原料成本方面占優(yōu)。主要代表企業(yè)包括巨化股份和濱化股份。靶材：靶材在半導(dǎo)體生產(chǎn)中主要應(yīng)用于晶圓制造和芯片封裝環(huán)節(jié)。靶材在晶圓制造環(huán)節(jié)主要被用作金屬濺鍍，常采用 PVD 工藝進(jìn)行鍍膜，通常使用純度在 99.9995%（5N5）及以上的銅靶、鋁靶、鉭靶、鈦靶以及部分合金靶等；靶材在芯片封裝環(huán)節(jié)常用作貼片焊線的鍍膜，常采用高純及超高純金屬銅靶、鋁靶、鉭靶等。
靶材競爭格局：日礦金屬、東曹公司以及美國的霍尼韋爾、普萊克斯公司，四家靶材制造國際巨頭，占據(jù)了全球半導(dǎo)體芯片用靶材市場約90%的份額。我國半導(dǎo)體用銅、鋁、鈦等靶材已實(shí)現(xiàn)定點(diǎn)突破，江豐電子（鋁靶、鈦靶、鉭靶）、有研新材（銅靶、鈷靶）是國內(nèi)半導(dǎo)體用濺射靶材的龍頭企業(yè)。江豐電子現(xiàn)有產(chǎn)能：目前擁有半導(dǎo)體或平板顯示用高純鋁靶材 36920 塊、高純鈦靶材11895塊、高純銅靶材1000塊、高純鎢靶材500塊、高純鈷靶材1000塊，高純鉭靶材4614塊。有研新材現(xiàn)有產(chǎn)能：目前擁有約 2 萬噸半導(dǎo)體產(chǎn)能。靶材原材料：目前國內(nèi)濺射靶材的高純金屬原料多數(shù)依靠日美進(jìn)口。但部分企業(yè)在部分金屬提純方面已取得了重大突破。封裝基板：封裝基板不僅為芯片提供支撐、散熱和保護(hù)作用，同時(shí)為芯片與PCB母板之間提供電子連接，起著“承上啟下”的作用；甚至可埋入無源、有源器件以實(shí)現(xiàn)一定系統(tǒng)功能。封裝基板在HDI板的基礎(chǔ)上發(fā)展而來，是適應(yīng)電子封裝技術(shù)快速發(fā)展而向高端技術(shù)的延伸，作為一種高端的PCB，封裝基板具有高密度、高精度、高性能、小型化及薄型化等特點(diǎn)。封裝基板細(xì)分工藝對應(yīng)不同的產(chǎn)品，主要可分為三個(gè)等級。入門級產(chǎn)品包括CSP、PBGA，用于芯片組、DRAM、Flash產(chǎn)品；一般類包括一般 FCCSP和FCBGA(非 CPU類)，可用于通信芯片組、SiP封裝模組；高端類包括復(fù)雜FCBGA(CPU類)產(chǎn)品，可用于CPU、GPU等產(chǎn)品。CSP與FCCSP采用BT樹脂材料，產(chǎn)品層數(shù)較低，主要應(yīng)用于手機(jī)及可穿戴設(shè)備的應(yīng)用處理器、存儲(chǔ)等領(lǐng)域；FCBGA封裝基板保留玻纖布預(yù)浸BT樹脂(主要由日本三菱瓦斯與日立化成供應(yīng))作為核心，每層用疊構(gòu)的方式增加層數(shù)，加上ABF樹脂(主要由日本味之素供應(yīng))作為積層介質(zhì)薄膜導(dǎo)入構(gòu)裝制程。封裝基板競爭格局：目前全球封裝基板廠商主要分布在日本、韓國和中國臺(tái)灣。深南電路、興森科技、珠海越亞等內(nèi)資廠商第一梯隊(duì)已初具雛形。深南電路在產(chǎn)能規(guī)模及營收體量上位居第一，產(chǎn)品制程能力可達(dá)到一般類封裝基板的水平(即包括一般類 FCCSP、CSP等)。深南電路以MEMS模組類產(chǎn)品向存儲(chǔ)類延伸，產(chǎn)能規(guī)模處于國內(nèi)第一:珠海越亞產(chǎn)品以射頻類為主，產(chǎn)品均價(jià)相對較高而產(chǎn)能規(guī)模與興森科技相當(dāng)。產(chǎn)品類型來看，深南電路與興森科技均是國內(nèi)可量產(chǎn)存儲(chǔ)類封裝基板的廠商。封裝基板上游原材料：在基板成本結(jié)構(gòu)中，覆銅板占比最高，占比約35%。引線框架：引線框架是一種集成電路芯片載體，并借助于鍵合絲使芯片內(nèi)部電路引出端（鍵合點(diǎn)）通過內(nèi)引線實(shí)現(xiàn)與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件。根據(jù)生產(chǎn)工藝不同，引線框架分為沖壓型和蝕刻型兩種。按照國際生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，100 腳位以上主要采用蝕刻型生產(chǎn)工藝，100腳位以下主要采用沖壓型生產(chǎn)工藝。引線框架競爭格局目前由日本和中國臺(tái)灣廠商占據(jù)主導(dǎo)地位，日本三井高排名第1，占比12%；中國臺(tái)灣長華科技排名第2，占比11%；日本新光電氣排名第3，占比9%；韓國HDS、中國臺(tái)灣順德工業(yè)、新加坡ASM、中國臺(tái)灣界霖科技分列第4-7位，占比分別為8%/7%/7%/4%；中國大陸康強(qiáng)電子排名第8，占比4%。中國大部分廠商以生產(chǎn)沖壓引線框架為主，在更為高端的蝕刻引線框架方面，僅有康強(qiáng)電子、華洋科技、新恒匯、立德半導(dǎo)體、芯恒創(chuàng)半導(dǎo)體等少數(shù)廠商可以生產(chǎn)，與外資廠商相比產(chǎn)能也有所不足，目前中國蝕刻引線框架主要從日韓等進(jìn)口，自給率較低。康強(qiáng)電子蝕刻引線框架月產(chǎn)能300萬條，引線框架21年生產(chǎn)量1700億只，鍵和絲1900千克。引線框架上游原材料：引線框架上游原材料成本占比中，銅帶占46%，化學(xué)材料占27%，白銀占2%，銅帶是引線框架最重要的上游原材料。強(qiáng)度大于600MPa、硬度HV大于130、電導(dǎo)率（IACS）大于80%，可被認(rèn)為是較為理想的引線框架材料。目前國內(nèi)廠商正努力解決高端銅合金材料國產(chǎn)化難題。在Cu-Fe-P系（銅鐵磷）和Cu-Ni-Si系（銅鎳硅）中，國內(nèi)博威合金、寧波興業(yè)等廠商實(shí)現(xiàn)了C19400、C70250牌號的量產(chǎn)能力，在高端Cu-Cr-Zr系（鉻鋯銅）方面，博威合金已擁有boway 18150/18160/19010/19005型號產(chǎn)品。鍵合絲：鍵合絲是芯片內(nèi)電路輸入輸出連接點(diǎn)與引線框架的內(nèi)接觸點(diǎn)之間實(shí)現(xiàn)電氣連接的微細(xì)金屬絲，直徑為十幾微米到幾十微米。上游原料主要為黃金、白銀、銅、鋁等金屬。根據(jù)材質(zhì)不同，分為非合金絲和合金絲，非合金絲包括金絲、銀絲、銅絲、鋁絲；合金絲包括鍍金銀線、鍍銅鍵合絲。黃金化學(xué)性能穩(wěn)定、抗氧化、不與酸堿反應(yīng)，由黃金制成的鍵合金絲延展性好、導(dǎo)電性能佳、可靠性高， 因此是使用最早、用量最大的一類。但由于黃金價(jià)格成本較高，鍵合銅絲市占率持續(xù)提升。
鍵合絲競爭格局：中國鍵合絲市場仍主要被德國、韓國、日本廠商占據(jù)，本土廠商產(chǎn)品相對單一或低端 。根據(jù)CEPEM數(shù)據(jù)，德國賀利氏占比21%，韓國銘凱益（MKE）占比20%，日本日鐵和田中占比分別為13%和10%。中國廠商一諾電子是本土產(chǎn)能最大的廠商，占比11%，萬生合金、達(dá)博有色和銘灃科技占比分別為6%、5%和2%，此外康強(qiáng)電子在鍵合金絲、鍵合銅絲 上也有所布局。陶瓷基板：陶瓷基板作為新興的散熱材料，具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，導(dǎo)熱性與絕緣性都優(yōu)于金屬基板，更適合功率電子產(chǎn)品封裝，已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料，廣泛應(yīng)用于LED、汽車電子、航天航空及軍用電子組件、激光等工業(yè)電子領(lǐng)域。根據(jù)陶瓷基板的三維結(jié)構(gòu)，可以分為平面陶瓷基板和多層陶瓷基板，LTCC、HTCC屬于是多層陶瓷基板。平面陶瓷基板又可以進(jìn)一步分為薄膜基板、厚膜基板、陶瓷覆銅基板等，其中陶瓷覆銅基板又可以分為DPC（直接鍍銅）、DBC（直接覆銅）、AMB（活性金屬釬焊）和LAM（激光活化金屬）。AMB工藝的陶瓷基板熱性能更好、可靠性更高。AMB是在800℃左右的高溫下，含有活性元素 Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)陶瓷與金屬異質(zhì)鍵合，是DBC技術(shù)的進(jìn)化。AMB基板市場規(guī)模增長較快，逐漸成為主流。陶瓷基板競爭格局：目前AMB陶瓷基板仍主要依賴進(jìn)口，國內(nèi)AMB陶瓷基板產(chǎn)能相對較小。國外主要廠商有賀利氏、日本Ferrotec、日本DOWA、日本NGK、日本京瓷、羅杰斯，國內(nèi)廠商AMB產(chǎn)能較大的有富樂華（日本Ferrotec控股）、博敏電子、威斯派爾等。博敏電子AMB陶瓷襯板目前具備產(chǎn)能8萬張/月，處于國內(nèi)前列，后續(xù)隨著設(shè)備不斷投入及配合相關(guān)客戶進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)2023年有望達(dá)到15-20萬張/月的產(chǎn)能規(guī)模。芯片粘接材料：芯片粘結(jié)材料是采用粘結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片與底座或封裝基板連接的材料，在物理化學(xué)性能上要滿足機(jī)械強(qiáng)度高、化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)電導(dǎo)熱、低固化溫度和可操作性強(qiáng)的要求。主要包括芯片粘接膠水（DAP）、非導(dǎo)電芯片粘接薄膜（DAF）以及導(dǎo)電芯片粘接薄膜（CDAF) 等，其中DAP技術(shù)門檻相對較低，DAF技術(shù)門檻相對較高，CDAF技術(shù)門檻要求最高。芯片粘接材料競爭格局：2019年全球芯片粘接材料市場規(guī)模約8.7億美元，德國日本廠商占據(jù)主導(dǎo)地位。根據(jù)CEPEM數(shù)據(jù)，2019年中國半導(dǎo)體芯片粘接材料主要供應(yīng)商同樣以德國日本廠商為主。德邦科技的芯片固晶導(dǎo)電膠等芯片固晶材料產(chǎn)品，覆蓋 MOS、QFN、QFP、BGA 和存儲(chǔ)器等多種封裝形式，已通過通富微電、華天科技、長電科技等國內(nèi)多家知名集成電路封測企業(yè)驗(yàn)證測試，并實(shí)現(xiàn)批量供貨。除公司外，國內(nèi)供應(yīng)商僅有長春永固實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品供貨。
