在“芯片規(guī)則”實(shí)施后，中企全速啟動(dòng)自主化產(chǎn)業(yè)體系的搭建，巔峰時(shí)期全球每新增20家芯片企業(yè)，其中就有19家來自國內(nèi)，然而2022年“倒閉”的相關(guān)企業(yè)，卻突破了5746家，

風(fēng)風(fēng)火火的背后，同樣也隱藏著諸多“隱患”，一切還要?dú)w結(jié)于芯片的全球化屬性，且基于硅基材料打造的電子芯片，真正算起來是美國人發(fā)明的，因此在一些基礎(chǔ)技術(shù)、核心專利上，大部分源自于美企。

即便是壟斷全球市場的臺(tái)積電、ASML、三星等等企業(yè)，也無法擺脫含美的技術(shù)，才一步步淪為了拜登團(tuán)隊(duì)的“棋子”，而老美主導(dǎo)成立的“芯片四方聯(lián)盟”、“半導(dǎo)體設(shè)備三方協(xié)議”等等，皆在針對(duì)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，試圖將工藝鎖死在14nm上。

因此中國半導(dǎo)體要想突出重圍，就必須尋找彎道超車的途徑，目前中企各方面的技術(shù)均有涉及，唯有高端的EUV光刻機(jī)沒有一點(diǎn)頭緒，作為造芯的核心設(shè)備，是能否突破14nm以下工藝量產(chǎn)的關(guān)鍵。

就在近日應(yīng)用材料公司推出了“電子束測量設(shè)備”，可用于光刻技術(shù)對(duì)芯片的高精度檢測，實(shí)現(xiàn)對(duì)于光刻工藝成本的降低，且多家企業(yè)開始涉足，目前已經(jīng)被證實(shí)有望替代EUV，是否意味著中國的機(jī)會(huì)來了呢？

EUV將被電子束替代？

在光刻機(jī)自由出貨還沒被限制之前，所有的半導(dǎo)體廠商對(duì)ASML是沒有想法的，對(duì)其的重要性也忽略不計(jì)，直到“瓦森納條約”的制定，這才讓各大企業(yè)開始“慌神”，隨后就逐步演變成了涵蓋DUV光刻機(jī)的“三方協(xié)議”，日本、荷蘭妥協(xié)了跟進(jìn)老美的新規(guī)。

這也直接引發(fā)了全球的不滿，而ASML也因此飽受牽連，各個(gè)國家和地區(qū)紛紛啟動(dòng)芯片自主化產(chǎn)業(yè)搭建，而首先要突破的就是對(duì)于光刻機(jī)的依賴，而電子束技術(shù)，就在這樣的“危機(jī)感”之下加速搭建，就連光學(xué)鏡頭蔡司、ASML本身也推出了相關(guān)產(chǎn)品。

在芯片制造層面，電子束硅片直寫（EBL）技術(shù)，已經(jīng)被證實(shí)可用于先進(jìn)制程制造，且有望替代EUV光刻技術(shù)，同樣對(duì)光學(xué)鏡頭的牽制，也將起到重要的作用。

根據(jù)業(yè)內(nèi)專家莫大康的介紹，目前采用光學(xué)鏡頭的EUV光刻機(jī)極限波長為13.5nm，而采用100KeV電子束之后，波長可以縮減到0.004nm，這樣一對(duì)比起來，就知道優(yōu)勢有多明顯了，是有望打破硅基芯片摩爾定律極限的。

蔡司公司是EUV光刻機(jī)唯一的光學(xué)鏡頭供應(yīng)商，多項(xiàng)頂尖且復(fù)雜的技術(shù)需求，才導(dǎo)致EUV光刻機(jī)產(chǎn)量的不足，而電子束采用的是電子刻蝕，并非采用光源，因此是不需要光學(xué)鏡頭的。

因此整體而言，搭載電子束技術(shù)的測量設(shè)備及檢測設(shè)備，不僅能夠有效的控制成本，還能有效的保證芯片的良品率，同時(shí)在精準(zhǔn)度上也將大大提升，而詳細(xì)的內(nèi)容在《中國電子報(bào)》上就可以獲取。

根據(jù)東方晶源首席技術(shù)官俞宗強(qiáng)介紹，傳統(tǒng)的電子芯片制造，需要電路圖提前進(jìn)行“掩膜”，然后通過設(shè)備光刻成型，若該款電路圖出現(xiàn)問題，整個(gè)批次就都廢了，而電子束則利用的是“點(diǎn)掃描”技術(shù)，可以在同一個(gè)硅片上刻錄不同的芯片，具備有靈活且低成本的優(yōu)勢。

中國能否利用電子束技術(shù)反超？

根據(jù)檢驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，光學(xué)檢測的波長，一般維持在200nm-400nm之間，換算下來只能檢測20nm以上的芯片缺陷，相當(dāng)于如今的5nm、3nm芯片，基本就算是“盲檢”了，這才導(dǎo)致在性能提升上極其有限。

而電子束是可以支持20nm以下容易的，能夠精確的捕捉到細(xì)小的缺陷，多位業(yè)內(nèi)專家也表態(tài)，要想打破摩爾定律極限對(duì)性能的影響，后續(xù)無論是DUV還是EUV光刻機(jī)，都將搭配電子光束設(shè)備。

最新的電子光束測量工具，已經(jīng)被證實(shí)可用于10nm及更低的節(jié)點(diǎn)的缺陷檢測，下一代的技術(shù)升級(jí)，將能夠滿足5nm以下的芯片生產(chǎn)需求，但電子束在芯片制造中，同樣也存在致命的缺陷，那就是曝光速度太“慢”，這也是沒能大規(guī)模采用的原因。

速度對(duì)比起來，EUV曝光至少是電子束的20倍，因此電子束刻蝕技術(shù)，目前只能用于實(shí)驗(yàn)室小范圍量產(chǎn)，雖然應(yīng)用材料公司最新發(fā)布的設(shè)備，在電子束數(shù)量上突破了51束，但相比于EUV光刻機(jī)還是相差甚遠(yuǎn)。

因此如果中國半導(dǎo)體想要利用這項(xiàng)技術(shù)趕超歐美，還是需要下點(diǎn)苦功夫的，但對(duì)于小范圍的需求，或許是可以擺脫EUV光刻設(shè)備依賴的，就看后續(xù)技術(shù)的走向如何了。

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