全球晶圓廠前端設施設備支出預計將從 2022 年創(chuàng)紀錄的 980 億美元同比下降 22% 至 2023 年的 760 億美元。SEMI在其最新的季度世界晶圓廠預測報告中宣布,到 2024 年同比增長 21% 至 920 億美元。2023 年的下降將源于芯片需求疲軟以及消費和移動設備庫存增加。半導體制造業(yè)似乎在幾個月內(nèi)發(fā)生了翻天覆地的變化,多個晶圓廠的建設和擴張放緩或推遲。美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示:“我們大幅削減了資本支出,現(xiàn)在預計 2023 財年資本支出約為 80 億美元,同比下降 30% 以上。WFE 資本支出將同比下降近 50%,這反映出我們的 1-beta DRAM 和 232 層 NAND 的增長速度與之前的預期相比要慢得多?!?/p>其他內(nèi)存供應商也將效仿,三星和鎧俠宣布削減價格、晶圓開工或制造設備支出。值得注意的是,美光和其他公司將繼續(xù)建造晶圓廠設施,并保持現(xiàn)有的 EUV 訂單到位。他們將大大推遲在 DUV 和其他制造工具上的設備支出。NAND 與 DRAM 行業(yè)的支出概況和削減程度將有所不同。在英特爾方面,隨著業(yè)務大幅放緩,英特爾是否會削減產(chǎn)能擴張支出存在許多疑問。不過,供應鏈已經(jīng)傳出供應商被取消訂單。轉向臺積電這個行業(yè)巨頭,由于2023年第一季度 7nm 晶圓的產(chǎn)能過剩,他們正在放緩建設步伐。3nm 節(jié)點的擴展也非常緩慢。與之前的計劃相比,N3 的擴建計劃要溫和得多。三星也在大幅削減擴建。這不僅與存儲有關。這是由于移動領域的大幅放緩、代工和系統(tǒng) LSI 的份額損失。特別是,三星向平澤 P3晶圓廠設備的擴張正在放緩。值得注意的是,三星的 3nm 節(jié)點沒有真正的旗艦 Exynos 產(chǎn)品。即使是 2024 年的旗艦智能手機芯片 Exynos 2400,仍然基于其較舊的 4nm 級技術。奇怪的是,盡管封裝行業(yè)的放緩程度遠大于晶圓級制造行業(yè),但三星仍在越南新工廠接手晶圓級封裝設備的訂單。2024年的晶圓廠設備支出復蘇將在一定程度上受到 2023 年半導體庫存調(diào)整結束以及高性能計算 (HPC) 和汽車領域對半導體的需求增強的推動。SEMI的總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha 表示:“本季度的 SEMI 世界晶圓廠預測更新提供了我們對 2024 年的初步展望,強調(diào)了全球晶圓廠產(chǎn)能的穩(wěn)步擴張,以支持由汽車和計算領域以及一系列新興應用推動的未來半導體行業(yè)增長。”。報告指出,明年設備投資將健康增長 21%。
