重大突破！日前，國內西安郵電大學新型半導體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片，這一成果標志著該校在超寬禁帶半導體研究上取得重要進展。

第四代半導體是指以氧化鎵（Ga2O3)和銻化物等為代表的半導體材料，相比其他半導體材料，第四代半導體材料擁有體積更小，能耗更低，功能更強等優(yōu)勢，可以在苛刻的條件下能夠更好地運用在光電器件，電力電子器件中。

藍曉科技：公司為氧化鋁企業(yè)提供拜耳母液提鎵技術和運營服務，客戶使用公司吸附分離技術所提取鎵產(chǎn)品通常為4N（純度99.99%以上，雜質總含量小于100ppm），銷售給下游精鎵企業(yè)。

天準科技：公司的全資德國Muetec子公司產(chǎn)品在第三代半導體及第四代半導體領域有著非常強的競爭力。

新湖中寶：公司于2021年投資了杭州富加鎵業(yè)有限公司，目前持股比例22.22%。富加鎵業(yè)專注于寬禁帶半導體氧化鎵材料的研發(fā)，團隊的氧化鎵晶體材料及器件基礎研究成果，多篇科研論文已發(fā)表在國際頂級學術期刊上，與全球科研工作者共享最新研究成果，共同推動全球第四代半導體相關行業(yè)的發(fā)展。

航天電子：公司表示氧化鎵Ga203屬于第四代半導體材料，氧化鎵材料具有比第三代半導體材料更寬的禁帶寬度等技術優(yōu)勢，應用前景廣闊，子公司時代民芯公司正在該領域開展技術研究和布局。

中兵紅箭：公司研發(fā)的是金剛石半導體材料，具有超寬帶隙特性的第三代半導體材料性能更為優(yōu)越。其中金剛石集高硬度，超寬帶隙，出色的載流子遷移率和優(yōu)異的導熱性能于一身，被科學家們譽為“終極”半導體材料。

光智科技：公司于2021年成功研制出13N超高純鍺單晶，突破了國外長期對超高純鍺的壟斷?；衔锇雽w材料銻化鎵（GaSb），銻化銦（InSb），鍗鋅鎘（CdZnTe）初步產(chǎn)能建設完成，GaSb單晶實現(xiàn)低位錯大尺寸產(chǎn)品研發(fā)，已給部分客戶送樣驗證，并接到小批量訂單。

南大光電：公司是全球主要的MO源供應商，部分產(chǎn)品可以用于制備氧化鎵。

阿石創(chuàng)：可根據(jù)客戶需要為其定制化生產(chǎn)氧化鎵及氧化鎵混合物類的靶材產(chǎn)品。