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存儲(chǔ)芯片迎爆發(fā)風(fēng)口!半導(dǎo)體核心環(huán)節(jié),龍頭強(qiáng)者恒強(qiáng)

作者:樂晴行業(yè)觀察 來源: 頭條號(hào) 35604/27

當(dāng)前新一輪人工智能浪潮爆發(fā),由AI服務(wù)器帶來存儲(chǔ)芯片新的增量需求,行業(yè)正迎來爆發(fā)風(fēng)口。全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)空間大,為集成電路第二大細(xì)分市場(chǎng)。存儲(chǔ)芯片屬于通用型集成電路,在各類電子系統(tǒng)中發(fā)揮著重要的信息存儲(chǔ)功能,市場(chǎng)規(guī)模占整個(gè)行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模比重達(dá)3

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當(dāng)前新一輪人工智能浪潮爆發(fā),由AI服務(wù)器帶來存儲(chǔ)芯片新的增量需求,行業(yè)正迎來爆發(fā)風(fēng)口。

全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)空間大,為集成電路第二大細(xì)分市場(chǎng)。存儲(chǔ)芯片屬于通用型集成電路,在各類電子系統(tǒng)中發(fā)揮著重要的信息存儲(chǔ)功能,市場(chǎng)規(guī)模占整個(gè)行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模比重達(dá)35.05%。

隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、智能制造、數(shù)字經(jīng)濟(jì)等新領(lǐng)域發(fā)展,存儲(chǔ)芯片的需求也在穩(wěn)步增長(zhǎng),市場(chǎng)空間持續(xù)擴(kuò)容。

隨著下游應(yīng)用領(lǐng)域的復(fù)蘇及芯片漲價(jià)因素影響,ICInsights預(yù)測(cè),2023年全球存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2196億美元。#半導(dǎo)體#

存儲(chǔ)芯片行業(yè)概覽

存儲(chǔ)芯片,又稱為存儲(chǔ)器,是指利用磁性材料或半導(dǎo)體等材料作為介質(zhì)進(jìn)行信息存儲(chǔ)的器件。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器利用半導(dǎo)體介質(zhì)貯存電荷以實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ),存儲(chǔ)與讀取過程體現(xiàn)為電荷的貯存或釋放。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)是集成電路的重要分支,被廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲(chǔ)硬盤等領(lǐng)域,是應(yīng)用面最廣、市場(chǎng)比例最高的集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一。#芯片#

存儲(chǔ)芯片的種類繁多,不同技術(shù)原理下催生出不同的產(chǎn)品,具有各自的特點(diǎn)和適用領(lǐng)域。

按照信息保存的角度來分類,可以分為易失性存儲(chǔ)器(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory)。

易失性存儲(chǔ)芯片常見的有DRAM和SRAM;非易失性存儲(chǔ)芯片包括Flash(閃存)和ROM(只讀存儲(chǔ)器),其中閃存芯片又分NAND Flash和NOR Flash兩種。

NAND Flash容量大,主要用于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ),NOR Flash則容量較小。

ChatGPT開啟了AI大浪潮時(shí)代,各大廠商相繼開發(fā)并推出大模型產(chǎn)品,大模型中大量的數(shù)據(jù)集傳輸和儲(chǔ)存對(duì)存力提出了更高的要求。

AI服務(wù)器對(duì)DRAM和NAND均有更高的需求,AI有望成為存儲(chǔ)需求長(zhǎng)期增長(zhǎng)的強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)力。

在AI服務(wù)器中應(yīng)用的存儲(chǔ)芯片主要包括:高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)、DRAM和SSD,針對(duì)AI服務(wù)器的工作場(chǎng)景需要提供更大的容量、更高的性能、更低的延遲和更高的響應(yīng)速度。根據(jù)美光測(cè)算,AI服務(wù)器中DRAM數(shù)量是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍,NAND是傳統(tǒng)的3倍。#4月財(cái)經(jīng)新勢(shì)力#


存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)格局

存儲(chǔ)芯片廠商的資本開支增速與市場(chǎng)規(guī)模增速有較強(qiáng)的相關(guān)性,并且當(dāng)資本開支大幅下降時(shí),存儲(chǔ)市場(chǎng)將逐漸恢復(fù)增長(zhǎng)。

從全球存儲(chǔ)芯片龍頭公司2023年的資本開支計(jì)劃來看,除三星保持逆周期投資的策略,與2022年的資本開支持平外,其他幾大家均宣布下調(diào)2023年資本開支計(jì)劃,且下降幅度較大,我們預(yù)計(jì)市場(chǎng)供需將逐漸修復(fù)。

除三星外各大存儲(chǔ)廠商紛紛下調(diào)2023資本開支計(jì)劃:

目前全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)基本被海外市場(chǎng)占據(jù),以NAND Flash為例,據(jù)TrendForce最新數(shù)據(jù),韓日美的五家頭部廠商合計(jì)市場(chǎng)份額高達(dá)94.4%。

存儲(chǔ)芯片細(xì)分市場(chǎng)市占率情況(2020年):競(jìng)爭(zhēng)格局相對(duì)穩(wěn)定(單位:%):

資料來源:trendforce

DRAM細(xì)分領(lǐng)域,市場(chǎng)供應(yīng)主要集中在三星、SK海力士和美光,三大廠商市場(chǎng)占有率分別為43%、29%和23%,合計(jì)占據(jù)約95%的市場(chǎng)。

國(guó)內(nèi)DRAM晶圓廠商主要為合肥長(zhǎng)鑫,目前尚處于起步階段。

NAND Flash細(xì)分領(lǐng)域,全球具備NAND Flash 晶圓生產(chǎn)能力的主要有三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK 海力士、英特爾等企業(yè),上述六大晶圓廠占據(jù)了99%的市場(chǎng)份額。

國(guó)產(chǎn)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)處于起步狀態(tài),正在市場(chǎng)份額與技術(shù)上奮起直追。

我國(guó)雖然是全球最主要的存儲(chǔ)芯片消費(fèi)市場(chǎng),但由于產(chǎn)業(yè)起步較晚,市場(chǎng)占有率仍相對(duì)較低。

全球NOR Flash領(lǐng)域海外壟斷程度最低,目前中小容量存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商主要為中國(guó)臺(tái)灣和大陸廠商包括華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新等企業(yè),市占率前三,合計(jì)占據(jù)63%份額,其中兆易創(chuàng)新位列NOR Flash市場(chǎng)前三。

近年來我國(guó)廠商在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,逐步縮小與國(guó)外原廠的差距,聚辰股份在EEPROM芯片領(lǐng)域市占率全球第三,北京君正主攻車載SRAM/DRAM、東芯股份(SCL NANDR/DRAM)、普冉股份(NOR/EEPROM)、恒爍股份(NOR)。

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模巨大,但整個(gè)市場(chǎng)呈現(xiàn)分化現(xiàn)象,三星電子、海力士、美光科技、鎧俠等企業(yè)提供全面的存儲(chǔ)產(chǎn)品,近年來專注研發(fā)大容量、高性能存儲(chǔ)芯片,不斷推進(jìn)先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)并憑借技術(shù)優(yōu)勢(shì)獲取較高市場(chǎng)份額。

行業(yè)其他企業(yè)由于各家處于的發(fā)展階段不同,在以領(lǐng)先企業(yè)為目標(biāo)進(jìn)行技術(shù)趕超的同時(shí),結(jié)合自身技術(shù)特點(diǎn)和市場(chǎng)需求,專注于成熟產(chǎn)品的細(xì)分市場(chǎng)并實(shí)現(xiàn)填補(bǔ)和替代效應(yīng),與行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)形成差異化競(jìng)爭(zhēng),迎來了新的發(fā)展機(jī)遇。

整體來看,存儲(chǔ)芯片全球頭部效應(yīng)顯著,中小容量細(xì)分市場(chǎng)帶來機(jī)遇。未來隨著國(guó)產(chǎn)化需求的不斷提高,國(guó)內(nèi)廠商有望迎來良好的發(fā)展契機(jī)。

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