（報(bào)告出品方/作者：國(guó)盛證券，鄭震湘、佘凌星）

一、“AI 革命”，服務(wù)器芯片量?jī)r(jià)齊升

1.1 算力：核心硬件 GPU，大模型帶動(dòng)需求激增

GPU 用途由圖形處理拓展至計(jì)算。GPU 是圖形處理器的簡(jiǎn)稱(chēng)，它是一種專(zhuān)門(mén)用于處理圖 形、視頻、游戲等高性能計(jì)算的硬件設(shè)備。GPU 相對(duì)于傳統(tǒng)的中央處理器（CPU）而言， 其擁有更多的計(jì)算核心和更快的內(nèi)存帶寬，能夠大幅度提高計(jì)算效率和圖形渲染速度。 現(xiàn)階段，隨著例如英偉達(dá) A100、H100 等型號(hào)產(chǎn)品的發(fā)布，GPU 在算力方面的優(yōu)勢(shì)相較 于其他硬件具有較大優(yōu)勢(shì)，GPU 的工作也從一開(kāi)始的圖形處理逐步轉(zhuǎn)化為計(jì)算。 根據(jù)用途和性能表現(xiàn)，GPU 可以分為專(zhuān)業(yè)卡和消費(fèi)級(jí)卡兩類(lèi)：專(zhuān)業(yè)卡通常用于工程、科 學(xué)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的高性能計(jì)算和大規(guī)模數(shù)據(jù)處理，主要廠商包括英偉達(dá)、AMD 等；消費(fèi) 級(jí)卡則主要用于普通家庭和游戲玩家，主要廠商包括英偉達(dá)、AMD、英特爾等。

目前 GPU 在硬件中擁有最高的算力，成為最適合支撐人工智能訓(xùn)練和學(xué)習(xí)的硬件，我們 認(rèn)為其原因主要在于： 更多處理單元：GPU 相比于 CPU 等其他硬件有更多的處理單元（核心數(shù)更多），因 此可以并行處理更多的數(shù)據(jù)。主要系 GPU 最初是為了圖形渲染而設(shè)計(jì)的，而圖形渲 染涉及的計(jì)算是高度并行化的。這種并行化的特性使 GPU 非常適合進(jìn)行機(jī)器學(xué)習(xí)和 深度學(xué)習(xí)這樣的大規(guī)模數(shù)據(jù)并行計(jì)算。 具有更高的內(nèi)存帶寬和更大的內(nèi)存容量：在進(jìn)行深度學(xué)習(xí)等計(jì)算時(shí)，需要大量的內(nèi) 存和高速的內(nèi)存帶寬來(lái)存儲(chǔ)和處理海量數(shù)據(jù)。GPU 相比于其他硬件（如 CPU），具 有更高的內(nèi)存帶寬和更大的內(nèi)存容量，可以更有效地存儲(chǔ)和處理數(shù)據(jù)，從而提高計(jì) 算速度。具有專(zhuān)門(mén)的計(jì)算單元：相較于其他硬件，GPU 具有例如張量核心和矩陣乘法等計(jì)算 單元，可以更快地執(zhí)行常見(jiàn)的機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)操作：如卷積和矩陣乘法。這些 計(jì)算單元與通用計(jì)算單元相比，具有更高的效率和更快的速度。

GPGPU——為計(jì)算而生。GPGPU 全稱(chēng)是“general-purpose computing on graphics processing units”，簡(jiǎn)稱(chēng)“通用圖形處理單元”，其主要利用 GPU 的功能來(lái)執(zhí)行 CPU 的 任務(wù)，雖然在設(shè)計(jì)初期是為了更好地圖形處理，但是多內(nèi)核多通道的設(shè)計(jì)使其非常適合 科學(xué)計(jì)算，發(fā)展至今 GPGPU 也成為了專(zhuān)為計(jì)算而設(shè)計(jì)的硬件。

多領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)，GPU 千億美金市場(chǎng)拉開(kāi)序幕。GPU 市場(chǎng)規(guī)模的大小取決于多種因素：其中 游戲和娛樂(lè)市場(chǎng)一直是 GPU 市場(chǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力，因?yàn)檫@些領(lǐng)域需要高性能的 GPU 來(lái)支 持更高質(zhì)量的游戲畫(huà)面和娛樂(lè)內(nèi)容。同時(shí)人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)的發(fā)展對(duì) GPU 市場(chǎng)也有著 巨大的影響，因?yàn)檫@些技術(shù)需要大量的計(jì)算能力，而 GPU 可以提供比 CPU 更高的效率。 此外，科學(xué)和研究領(lǐng)域的需求以及新興市場(chǎng)（如游戲機(jī)和數(shù)據(jù)中心）也對(duì) GPU 市場(chǎng)的規(guī) 模產(chǎn)生了影響。根據(jù) Verified Market Research 數(shù)據(jù)，2021 年全球 GPU 市場(chǎng)規(guī)模為 334.7 億美金，預(yù)計(jì)到 2030 年將達(dá)到 4473.7 億美金，期間 CAGR33.3%。

LLM 模型帶動(dòng)算力需求： 算力是指計(jì)算機(jī)系統(tǒng)能夠完成的計(jì)算任務(wù)量，通常用來(lái)描述計(jì)算機(jī)的處理能力。算力的 單位通常采用 FLOPS（Floating Point Operations Per Second）表示每秒鐘能夠完成的浮 點(diǎn)運(yùn)算或指令數(shù)，例如一臺(tái)計(jì)算機(jī)每秒鐘可以完成 10 億次浮點(diǎn)運(yùn)算，那么它的 FLOPS 值就是 10 GFLOPS（10 Giga FLOPS）。目前我們以全球龍頭英偉達(dá)在 2020 年發(fā)布的 A100 產(chǎn)品為例，根據(jù)英偉達(dá)官方介紹，A100 的理論浮點(diǎn)運(yùn)算性能可以達(dá)到 19.5 TFLOPS（19.5 Tera FLOPS），即每秒 195 萬(wàn)億次浮點(diǎn)運(yùn)算。

大型語(yǔ)言模型（Large Language Model，簡(jiǎn)稱(chēng) LLM）是一種使用深度學(xué)習(xí)算法處理、理 解自然語(yǔ)言的基礎(chǔ)學(xué)習(xí)模型。LLM 基于數(shù)億到數(shù)千億個(gè)參數(shù)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，通過(guò)訓(xùn)練數(shù)據(jù) 學(xué)習(xí)自然語(yǔ)言的規(guī)律和模式，并能夠生成高質(zhì)量的自然語(yǔ)言文本。這些模型的訓(xùn)練需要 大量的計(jì)算資源和海量的文本數(shù)據(jù)，因此需要使用分布式計(jì)算和大規(guī)模數(shù)據(jù)處理技術(shù)。 目前，LLM 模型能夠在例如語(yǔ)音識(shí)別、文本摘要、智能翻譯等領(lǐng)域中實(shí)際應(yīng)用，但是 LLM 模型大規(guī)模應(yīng)用目前仍然存在一些挑戰(zhàn)和限制：需要大量的訓(xùn)練數(shù)據(jù)和計(jì)算資源，很難 處理語(yǔ)言的多樣性和不確定性。

GPT-3 開(kāi)啟大模型時(shí)代。GPT-3 是由 OpenAI 研發(fā)的一種基于深度學(xué)習(xí)的自然語(yǔ)言處理 模型，其使用了大量的語(yǔ)料庫(kù)進(jìn)行預(yù)訓(xùn)練，使其能夠理解語(yǔ)言的規(guī)則和模式，并生成與 輸入文本相關(guān)的自然語(yǔ)言文本，GPT-3 的主要特點(diǎn)是它具有大規(guī)模的預(yù)訓(xùn)練模型，而同 時(shí)大規(guī)模的訓(xùn)練模型與之對(duì)應(yīng)的便是龐大的算力需求，根據(jù) OpenAI 團(tuán)隊(duì)成員 2020 年 發(fā)表的論文《Language Models are Few-Shot Learners》，GPT-3 模型擁有約 1750 億參 考量，這使得 GPT-3 擁有其他較少參考量模型來(lái)說(shuō)更高的準(zhǔn)確性。同時(shí)基于 1750 億參 數(shù)的模型僅需少量的樣本訓(xùn)練，就能夠接近于 BETR 模型使用大量樣本訓(xùn)練后的效果。 我們認(rèn)為，大模型無(wú)論在性能還是在學(xué)習(xí)能力上，相較于其他模型都具備明顯優(yōu)勢(shì)，未 來(lái)或?qū)⒊蔀樾袠I(yè)趨勢(shì)。

伴隨大模型的明顯優(yōu)勢(shì)，與之而來(lái)的則是對(duì)于算力要求的顯著提升。以 GPT-3 為例，其 1750 億的參數(shù)，如果以英偉達(dá)旗艦級(jí) GPU 產(chǎn)品 A100 對(duì) GPT-3 進(jìn)行訓(xùn)練，1024 塊 A100 卡需要耗費(fèi)超過(guò) 1 個(gè)月（大于 30 天），則我們可以按比例計(jì)算出，如果需要單日完成訓(xùn) 練，需要的 A100 數(shù)量將超過(guò) 30000 塊。

目前 AI 服務(wù)器通常選用 CPU 和加速芯片組來(lái)滿(mǎn)足其龐大算力需求，其中加速芯片包括 GPU、FPGA、ASIC 等邏輯芯片，其中 GPU 由于其具有最強(qiáng)的計(jì)算能力同時(shí)具備深度學(xué) 習(xí)等能力，目前成為服務(wù)器中加速芯片的首選。

根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2021 年全球服務(wù)器出貨量達(dá) 1315 萬(wàn)臺(tái)，同比增長(zhǎng) 7.8%， 對(duì)應(yīng)全球市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 995 億美元。根據(jù) Counterpoint 預(yù)計(jì)，2022 年全球服務(wù)器市場(chǎng)規(guī) 模有望達(dá)到 1117 億美元，同比增長(zhǎng) 17.0%。預(yù)計(jì)云服務(wù)提供商數(shù)據(jù)中心擴(kuò)張?jiān)鲩L(zhǎng)驅(qū)動(dòng) 力主要來(lái)自于汽車(chē)、5G、云游戲和高性能計(jì)算。

AI 服務(wù)器滲透率依舊較低，增長(zhǎng)空間巨大。根據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，截止 2022 年全球搭 載 GPGPU 的 AI 服務(wù)器（推理）出貨量占整體服務(wù)器比重約 1%，同時(shí) TrendForce 預(yù)測(cè) 2023 年伴隨 AI 相關(guān)應(yīng)用加持，年出貨量增速達(dá)到 8%，2022~2026 年 CAGR 為 10.8%。 根據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，2022 年全球 AI 服務(wù)器采購(gòu)中，Microsoft、Google、meta、AWS 為前四大采購(gòu)商，合計(jì)占比 66.2%。中國(guó)地區(qū) ByteDance（字節(jié)跳動(dòng)）采購(gòu)比例最高， 達(dá)到 6.2%。

GPU 在 AI 服務(wù)器中價(jià)值量占比接近 50%。我們以 Nvidia DGX A100 為例，其搭載了 8 張 Nvidia A100 Tensor GPU，根據(jù)新浪科技數(shù)據(jù)，Nvidia DGX A100 售價(jià)約為 19.9w 美 金；Nvidia A100 Tensor 價(jià)格為 1.00~1.20w 美金。我們按照 1.20w 美金售價(jià)計(jì)算可得 出 GPU 在 Nvidia DGX A100 價(jià)值量占比約為 48.24%。

我們從服務(wù)器的數(shù)量角度出發(fā)進(jìn)行 GPU 數(shù)量推算：根據(jù)上文 TrendForce 預(yù)計(jì) 2023 年預(yù) 計(jì)全球 AI 服務(wù)器（推理）出貨大約在 14.4 萬(wàn)臺(tái)，到 2026 年預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)出貨量 20.0w 臺(tái)。 我們假設(shè)訓(xùn)練 AI 服務(wù)器和推理 AI 服務(wù)器的比例為 1:4，則我們可以得到 2023/2026 年 訓(xùn)練服務(wù)器的數(shù)量大約為 3.60/5.00 萬(wàn)臺(tái)。由于兩種 AI 服務(wù)器對(duì)應(yīng)的模型訓(xùn)練階段不 同，我們假設(shè)推理 AI 服務(wù)器和訓(xùn)練 AI 服務(wù)器使用的 GPU 數(shù)量分別為 4 張和 8 張，則可 以計(jì)算出 2023 年和 2026 年全球 AI 服務(wù)器領(lǐng)域所需 GPU 數(shù)量約為 86.4 萬(wàn)張和 120 萬(wàn) 張，我們以 A100 約 1.20w 美金的價(jià)格作為參考計(jì)算出 2023 年和 2026 年 AI 服務(wù)器所 需 GPU 的價(jià)值分別為 103.7 億美元和 144.0 億美元。

1.2 存儲(chǔ)：AI 提振需求，有望加速困境修復(fù)

整體來(lái)看，ChatGPT 將從算力側(cè)和數(shù)據(jù)傳輸端全面帶動(dòng)顯卡及高算力芯片需求，由此將 從算力芯片、應(yīng)用端、存算一體、先進(jìn)封裝、封裝設(shè)備、IC 載板等多個(gè)領(lǐng)域帶動(dòng)硬件市 場(chǎng)增量需求。

人工智能已成為解決艱巨業(yè)務(wù)挑戰(zhàn)的首選解決方案。AI 正在為各行各業(yè)的企業(yè)組織開(kāi)辟 創(chuàng)新之路，從改善客戶(hù)服務(wù)、優(yōu)化供應(yīng)鏈、獲取商業(yè)智能，到設(shè)計(jì)新產(chǎn)品和服務(wù)等。NVIDIA 作為 AI 基礎(chǔ)架構(gòu)的先行者，NVIDIA DGX 系統(tǒng)可提供更強(qiáng)大、完整的 AI 平臺(tái)，將企業(yè) 組織的核心想法付諸實(shí)踐。目前 AI 大規(guī)模訓(xùn)練方面，NVIDIA 推出的最新 DGX 系統(tǒng)包括 A100、H100、basePOD、SuperPOD 四款產(chǎn)品，其中，DGX A100、DGX H100 為英偉達(dá) 當(dāng)前服務(wù)于 AI 領(lǐng)域的服務(wù)器產(chǎn)品。

H100 采用先進(jìn)工藝芯片采用臺(tái)積電 4N 工藝+臺(tái)積電 CoWoS 2.5D 封裝，有 800 億個(gè)晶 體管對(duì)比 A100 有 540 億個(gè)晶體管，同時(shí)搭載了 HBM3 顯存，可實(shí)現(xiàn)近 5TB/s 的外部互 聯(lián)帶寬。H100 是首款支持 PCIe 5.0 的 GPU，也是首款采用 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)的 GPU，單個(gè) H100 可支持 40Tb/s 的 IO 帶寬，實(shí)現(xiàn) 3TB/s 的顯存帶寬。

DGX H100 帶來(lái)性能的快速飛躍，通過(guò)全新張量處理格式 FP8 實(shí)現(xiàn)。其中 FP8 算力是 4PetaFLOPS，F(xiàn)P16 達(dá) 2PetaFLOPS，TF32 算力為 1PetaFLOPS，F(xiàn)P64 和 FP32 算力為 60TeraFLOPS。在 DGX H100 系統(tǒng)中，擁有 8 顆 H100 GPU，整體系統(tǒng)顯存帶寬達(dá) 24TB/s， 硬件上支持系統(tǒng)內(nèi)存 2TB，及支持 2 塊 1.9TB 的 NVMe M.2 硬盤(pán)作為操作系統(tǒng)及 8 塊 3.84TB NVMe M.2 硬盤(pán)作為內(nèi)部存儲(chǔ)。根據(jù)官網(wǎng)信息，NVIDIA DGX H100 對(duì)比上一代產(chǎn) 品具有 6 倍的性能及 2 倍的網(wǎng)絡(luò)速度和高速可擴(kuò)展性，同時(shí)英偉達(dá)表示目前新款 DGX H100 已經(jīng)全面投入生產(chǎn)。

國(guó)內(nèi)華為的昇騰 Atlas 800（型號(hào) 9010）訓(xùn)練服務(wù)器是基于昇騰 910+Intel Cascade Lake 的 AI 訓(xùn)練服務(wù)器，具有高計(jì)算密度、高能效比與高網(wǎng)絡(luò)帶寬易拓展、易管理等特點(diǎn)，該 服務(wù)器廣泛應(yīng)用于深度學(xué)習(xí)模型開(kāi)發(fā)和 AI 訓(xùn)練服務(wù)場(chǎng)景，適用于公有云、互聯(lián)網(wǎng)、運(yùn)營(yíng) 商等需要大算力的行業(yè)領(lǐng)域。AI 處理器昇騰 910 是一款具有超高算力的 AI 處理器，其 最大功耗為 310W，華為自研的達(dá)芬奇架構(gòu)大大提升了其能效比。八位整數(shù)精度（INT8） 下的性能達(dá)到 640TOPS，16 位浮點(diǎn)數(shù)（FP16）下的性能達(dá)到 320 TFLOPS。

Atlas 800（型號(hào) 9010）訓(xùn)練服務(wù)器從配置來(lái)看，擁有 8 個(gè)昇騰 910 模組，單模組支持HBM2e技術(shù)，且擁有32GB容量及1228GB/s傳輸速度，AI算力達(dá)2.24 PFLOPS FP16/1.76 PFLOPS FP16。本地存儲(chǔ)支持 2 個(gè) 2.5 SATA+8 個(gè) 2.5 SAS/SATA 或 2 個(gè) 2.5 SAS/SATA+6 個(gè) 2.5 NVMe。 AI 服務(wù)器帶來(lái)存力硬件需求快速擴(kuò)展。根據(jù)美光數(shù)據(jù)測(cè)算，人工智能服務(wù)器中 DRAM 容 量是普通服務(wù)器的 8 倍，NAND 容量將是普通服務(wù)器的 3 倍，而大容量及高速率存儲(chǔ)器 將是算力數(shù)據(jù)迭代運(yùn)算的重要基礎(chǔ)。我們認(rèn)為，人工智能計(jì)算量日益增加，對(duì)于 AI 服務(wù) 器硬件需求將進(jìn)一步提升。從服務(wù)器硬件配置角度，HBM 技術(shù)將快速在 AI 服務(wù)器中普 及，其價(jià)格遠(yuǎn)高于現(xiàn)有基礎(chǔ)服務(wù)器配置，未來(lái) AI 服務(wù)器需求將帶領(lǐng)存儲(chǔ)芯片出現(xiàn)量?jī)r(jià)齊 升的趨勢(shì)。

1.3 模擬：多相電源配套增長(zhǎng)，接口升級(jí)

多相電源為 CPU 供電核心。主板主要有兩種供電方式：線性電源和開(kāi)關(guān)電源，其中開(kāi)關(guān) 電源式為功耗相對(duì)較大的元器件，例如 CPU、內(nèi)存和芯片組等供電。其中，內(nèi)存和芯片 組皆采用單相供電，而 CPU 由于功耗巨大，須采用多相供電保證其穩(wěn)定工作。計(jì)算力作 為數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的核心生產(chǎn)力，推動(dòng)著經(jīng)濟(jì)蓬勃向前發(fā)展。作為計(jì)算應(yīng)用的代表領(lǐng)域， 云計(jì)算、人工智能、自動(dòng)駕駛等應(yīng)用，對(duì)核心處理器 XPU（CPU、GPU、DPU、AI 等）的 算力要求越來(lái)越高，使這些主芯片對(duì)供電的要求越來(lái)越嚴(yán)苛，特別是中高端的 XPU 處理 器，需要更多相數(shù)、多路輸出、多種協(xié)議的電源管理芯片。典型的單相開(kāi)關(guān)供電電路通 常由 PWM 控制器（（Pulse Width Modulation）控制器）、電感(L)、電容(C)、一對(duì)場(chǎng)效應(yīng) 管(MOSFET)以及 MOSFET 驅(qū)動(dòng)芯片(Driver Mos)組成。多個(gè)單相供電回路并聯(lián)在一起， 且工作時(shí)間交錯(cuò)，即組成多相供電。

CPU 電能基本來(lái)源于 12V 8PIN 接口。12V 輸入經(jīng)過(guò) MOSFET 上橋進(jìn)入電容與電感，在電感與電容填充電能并達(dá)到所需的電壓后，上橋中斷，下橋開(kāi) 啟。此時(shí)電容電感釋放能量，同時(shí)起到濾波穩(wěn)定功能，下橋控制電路。通過(guò) PWM 控制器 頻繁切換實(shí)現(xiàn)持續(xù)穩(wěn)定的電流與電壓供給。整體流程循環(huán)如下：（1）MOS 上橋開(kāi)啟，輸 入 12V 電壓；（2）電感電容儲(chǔ)電；（3）MOS 上橋關(guān)閉，MOS 下橋開(kāi)啟；（4）電感電容 放電，提供所需電壓與電能。

互聯(lián)接口升級(jí)： A100 的 NVlink3 代和 NVSwitch2 代升級(jí)到了 H100 的 NVlink4 代和 NVSwitch3 代。DGXA100 是 8 塊 A100 通過(guò) 12 個(gè) NVlink3 連接到 6 塊 NVSwitch2；DGXH100 是 8 塊 H100 通過(guò) 18 個(gè) NVlink4 連接到 4 塊 NVSwitch3。 第三代 NVSwitch 芯片（NVSwitch3），可以連接服務(wù)器內(nèi)部各 GPU 卡，同時(shí)還可以將 GPU 服務(wù)器擴(kuò)展外連來(lái)建立一個(gè)獨(dú)立完整的 GPU 高速集群。同時(shí)在 NVSwitch 芯片內(nèi)通過(guò)硬 件加速器來(lái)支持組播報(bào)文加速和引入 SHARP(Scalable Hierarchical Aggregation and Reduction Protocol)，主要用來(lái)加速和優(yōu)化 All-Reduce 的 AI 計(jì)算性能。通過(guò)第三代NVSwitch 芯片組成的物理交換機(jī)，可以建立一個(gè)最多 256 個(gè) H100 GPU 卡的集群，整網(wǎng) 提供 57.6TB/s 的 all-to-all 帶寬。NVlink4.0 技術(shù)規(guī)范可以大大優(yōu)化 GPU 的性能和擴(kuò)展 性。

NVlink 是為了解決服務(wù)器內(nèi)部 GPU 之間點(diǎn)到點(diǎn)通訊的一種協(xié)議。NVlink 對(duì)比傳統(tǒng)網(wǎng) 絡(luò)不會(huì)有例如端到端報(bào)文重傳，自適應(yīng)路由，報(bào)文重組等開(kāi)銷(xiāo)。極度簡(jiǎn)化的 NVlink 接口 可以為 CUDA 提供從會(huì)話層，表示層到應(yīng)用層的加速。NVlink 隨 GPU 架構(gòu)演進(jìn)而發(fā)展， 從第一代 P100 的 NVlink1 到現(xiàn)在 H100 的 NVlink4。NVlink3 可同時(shí)支持 50G NRZ 和 56G PAM4，NVlink4 首次引入 112G PAM4 Serdes，可以提供 900GB/s 的雙向帶寬，較 NVlink3 的 600GB/s 提升 1.5 倍。

網(wǎng)絡(luò)接口升級(jí)： DGX 服務(wù)器包括 4 個(gè)網(wǎng)絡(luò)：計(jì)算網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)、In-band 管理網(wǎng)絡(luò)和 Out-of-band 管 理網(wǎng)絡(luò)。

計(jì)算網(wǎng)絡(luò)接口：DGXA100 服務(wù)器計(jì)算網(wǎng)絡(luò)是 8 張單口 200Gbps 的 CX6 或者 CX7 的 IB 網(wǎng)卡。DGXH100 服務(wù)器 4 個(gè) 800G 的 OSFP 接口內(nèi)部是 8 個(gè) CX7 的網(wǎng)卡芯 片組成，可支持 IB 或者 Eth，每個(gè) OSFP 口可以通過(guò)分線來(lái)支持 2 個(gè) NDR 400G 的 IB 網(wǎng)絡(luò)或者 2 個(gè) 400G 以太網(wǎng)絡(luò)，并且這里已經(jīng)從 A100 的 56G PAM4 Serdes 升級(jí) 到了 112G PAM4 的 Serdes。

存儲(chǔ)&In-band 網(wǎng)絡(luò)接口：DGXA100 服務(wù)器存儲(chǔ)是兩張雙口 CX6 或者 CX7 的 IB 或者 Eth 網(wǎng)卡，每一塊雙口網(wǎng)卡上，一口作存儲(chǔ)用，另一個(gè)口做 in-band 管理。 DGXH100 服務(wù)器同樣是使用兩張雙口 400G 的 CX7 VPI 網(wǎng)卡，可支持 IB 或者 Eth,官方建議一個(gè) NDR400G 走 IB 存儲(chǔ)，另一個(gè)降速成 Eth200G 走 In-band 管理網(wǎng)。

Out-of-band：DGXA100 服務(wù)器是兩個(gè)千兆電口 Lan 和 BMC。DGXH100 服務(wù)器 Out-of-band 網(wǎng)絡(luò)還是推薦使用 BMC RJ45 千兆電口。

內(nèi)存接口升級(jí)： 內(nèi)存接口芯片，是用于服務(wù)器內(nèi)存模組（又稱(chēng)內(nèi)存條）的核心邏輯器件，是服務(wù)器 CPU 與內(nèi)存之間數(shù)據(jù)及指令傳輸?shù)臉蛄?。?nèi)存模組用于暫時(shí)存放 CPU 中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，是影響 服務(wù)器性能的重要因素，由于服務(wù)器 CPU 對(duì)內(nèi)存模組的高傳輸速率、大容量需求日益增 長(zhǎng)，因此為了服務(wù)器系統(tǒng)性能得到最佳發(fā)揮，服務(wù)器內(nèi)存模組往往需要配置內(nèi)存接口芯 片，用于提升訪問(wèn)速度和穩(wěn)定性。從數(shù)量上來(lái)講，服務(wù)器內(nèi)存模組與內(nèi)存接口芯片一一 對(duì)應(yīng)。

內(nèi)存模組根據(jù)其結(jié)構(gòu)，大致可分為 UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM 3 類(lèi)，僅考慮 DDR~DDR4， UDIMM 內(nèi)存模組無(wú)緩沖，價(jià)格低廉，但容量較小，不能滿(mǎn)足服務(wù)器的要求，多用于 桌面式 PC。 RDIMM 支持 Buffered 模式和高性能的 Registered 模式，較 UDIMM 更為穩(wěn)定，此 外，RDIMM 支持更高的容量和頻率，容量最大可支持 32GB，頻率最大支持 3200 MT/s。缺點(diǎn)在于由于寄存器的使用，其延遲較高，能耗也較大。 LRDIMM 作為 RDIMM 的替代品出現(xiàn)，其最大容量進(jìn)一步提升至 64GB。

我們判斷，海量數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)需求將持續(xù)推動(dòng)內(nèi)存接口芯片迎量?jī)r(jià)齊升和 市場(chǎng)高速擴(kuò)容。我們接下來(lái)將從量?jī)r(jià)兩個(gè)維度展開(kāi)分析：1）量的方面，受益于服務(wù)器出 貨量增長(zhǎng)和單臺(tái)服務(wù)器內(nèi)存模組用量不斷上升，2）價(jià)的方面，內(nèi)存接口技術(shù)升級(jí)及內(nèi)存 接口芯片結(jié)構(gòu)升級(jí)滲透帶來(lái)內(nèi)存接口芯片本身價(jià)值量提升。

內(nèi)存接口芯片伴隨內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展，當(dāng)前主流的 DDR4 內(nèi)存技術(shù)面世至今歷經(jīng)多 次迭代，已進(jìn)入成熟期。2020 年 7 月 DDR5 標(biāo)準(zhǔn)正式推出，內(nèi)存技術(shù)迭代大幕正式拉 起。我們判斷未來(lái)內(nèi)存技術(shù)升級(jí)將推動(dòng)內(nèi)存接口芯片市場(chǎng)加速擴(kuò)容：1）DDR5 突破處 理器性能瓶頸，處理器及存儲(chǔ)龍頭大力推進(jìn)，有望加速滲透替代 DDR4 市場(chǎng)份額；2） 新一代內(nèi)存接口芯片技術(shù)難度增大，ASP 有望大幅抬升；3）DDR5 時(shí)代內(nèi)存接口芯片 采用“1+10”架構(gòu)，價(jià)值量相較前代提升。

DDR5 內(nèi)存性能遠(yuǎn)超 DDR4 的規(guī)格上限，配套內(nèi)存接口芯片性能及技術(shù)難度隨之提升， 推高內(nèi)存接口芯片 ASP。DRR5 相較于 DDR4 單顆 DRAM 內(nèi)存密度提升 4 倍至 64Gbit， 最大數(shù)據(jù)傳輸速率提升一倍達(dá)到 6.4Gbps，工作電壓由 1.2V 壓低至 1.1V 使對(duì)應(yīng)功耗降 低超過(guò) 20％，故而 DDR5 內(nèi)存將對(duì)保證內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速率和穩(wěn)定性的內(nèi)存接口芯片提出 更高要求，進(jìn)而新一代內(nèi)存接口芯片在滿(mǎn)足更高性能要求的同時(shí)技術(shù)難度也相應(yīng)提升， 從而提高新一代內(nèi)存接口芯片價(jià)值量。

二、行業(yè)利好層出不窮，自主可控勢(shì)在必行

2.1 設(shè)備：供應(yīng)鏈限制延續(xù)，國(guó)產(chǎn)替代加速

全球設(shè)備五強(qiáng)占市場(chǎng)主導(dǎo)角色。全球設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局，主要前道工藝（刻蝕、沉積、涂膠、 熱處理、清洗等）整合成三強(qiáng) AMAT、LAM、TEL。另外，光刻機(jī)龍頭 ASML、過(guò)程控制 龍頭 KLA 市占率較高。根據(jù)彭博，ASML、AMAT、LAM Research、TEL、KLA 五大廠商 2021 財(cái)年收入合計(jì) 845 億美元，占全球市場(chǎng)約 82%。

中國(guó)大陸 12 寸晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)迅速，全球占比持續(xù)提升。根據(jù) SEMI，全球 300mm 晶圓產(chǎn) 能在 2022 年-2025 年復(fù)合增速有望達(dá)到接近 10%，至 2025 年達(dá)到 920 萬(wàn)片/月。其中， 中國(guó)大陸 300mm 晶圓廠產(chǎn)能在全球的占比將從 2021 年的 19%提升至 23%，有望在 2025 年成為全球產(chǎn)能第二的地區(qū)，僅次于屆時(shí)韓國(guó) 24%的占比。此外，中國(guó)臺(tái)灣省的 產(chǎn)能占比預(yù)計(jì)將在 2021 年-2025 年下降 1%，到 2025 年占比 21%，日本產(chǎn)能占比從 2021 年的 15%下降至 2025 年的 12%。

設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率較低，海外龍頭壟斷性較高。我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)仍非常依賴(lài)進(jìn)口，從市 場(chǎng)格局來(lái)看，細(xì)分市場(chǎng)均有較高集中度，主要參與廠商一般不超過(guò) 5 家，top3 份額往往 高于 90%，部分設(shè)備甚至出現(xiàn)一家獨(dú)大的情況，目前國(guó)內(nèi)廠商目標(biāo)市場(chǎng)主要是國(guó)內(nèi)晶圓 廠需求，尤其是內(nèi)資投建的需求。

設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率較低，國(guó)產(chǎn)廠商成長(zhǎng)空間巨大。我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)仍非常依賴(lài)進(jìn)口，目 前國(guó)內(nèi)廠商目標(biāo)市場(chǎng)主要是國(guó)內(nèi)晶圓廠需求，尤其是內(nèi)資投建的需求，潛在收入目標(biāo)空 間較大。 BIS 出臺(tái)新出口管制，國(guó)產(chǎn)替代需求迫切。2022 年 10 月 7 日，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全 局（BIS）公布了《對(duì)向中國(guó)出口的先進(jìn)計(jì)算和半導(dǎo)體制造物項(xiàng)實(shí)施新的出口管制》。根 據(jù)卓緯律師事務(wù)所，新規(guī)則主要集中在對(duì)某些高端計(jì)算半導(dǎo)體芯片、超級(jí)計(jì)算機(jī)最終用 途交易，涉及實(shí)體清單（Entity List）的交易以及某些半導(dǎo)體制造項(xiàng)目和某些集成電路（IC） 最終用途的交易。包括“將某些先進(jìn)、高性能的計(jì)算機(jī)芯片和含有此類(lèi)芯片的計(jì)算機(jī)商 品加入商業(yè)管制清單”、“擴(kuò)大《出口管制條例》（EAR）的適用范圍”等。

同時(shí)，BIS 將 31 家中國(guó)實(shí)體列入 Unverified List（UVL），被列入的 31 家中國(guó)實(shí)體包括 長(zhǎng)江存儲(chǔ)、北方華創(chuàng)等；藥明生物等并移除 9 家中國(guó)實(shí)體被移除。被列入 UVL 后，實(shí)體 將無(wú)法享受出口管制下的許可例外。此外，UVL 實(shí)體在進(jìn)行出口、再出口及轉(zhuǎn)讓受 EAR 管轄物項(xiàng)的交易時(shí)，需獲取 UVL 聲明，該聲明附帶許多調(diào)查義務(wù)；出口商在向 UVL 內(nèi)實(shí) 體出口商品時(shí)，需進(jìn)行電子出口信息申報(bào)。很大程度上增加了交易成本。 根據(jù)卓緯律師事務(wù)所，在公告中，BIS 將 31 家中國(guó)實(shí)體被列入 UVL 的理由為：由于這些 實(shí)體處于美國(guó)政府控制之外，BIS 無(wú)法對(duì)其進(jìn)行最終用途核查，因此無(wú)法確定這 31 家中 國(guó)實(shí)體是否為“善意誠(chéng)信的”（Bona fide），即 BIS 無(wú)法確定 31 家中國(guó)實(shí)體對(duì)于《出口 管制條例》（ERA）的物項(xiàng)的最終用途是否具有合法性和可靠性。同理，由于原 UVL 中的 9 家中國(guó)實(shí)體積極配合 BIS 并完成最終用途的核查，BIS 將這 9 家中國(guó)實(shí)體從 UVL 中移 除。

國(guó)內(nèi)國(guó)產(chǎn)化逐漸起航，從 0 到 1 的過(guò)程基本完成。北方華創(chuàng)產(chǎn)品布局廣泛，刻蝕機(jī)、 PVD、CVD、氧化/擴(kuò)散爐、退火爐、清洗機(jī)、ALD 等設(shè)備新產(chǎn)品市場(chǎng)導(dǎo)入節(jié)奏加快，產(chǎn) 品工藝覆蓋率及客戶(hù)滲透率進(jìn)一步提高，在集成電路領(lǐng)域主流生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)批量銷(xiāo)售，產(chǎn) 品加速迭代；第三代半導(dǎo)體、新型顯示、光伏設(shè)備產(chǎn)品線進(jìn)一步拓寬，出貨量實(shí)現(xiàn)較快 增長(zhǎng)。拓荊科技作為國(guó)內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用 PECVD 和 SACVD 設(shè)備的供應(yīng)商，設(shè)備廣 泛用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、廈門(mén)聯(lián)芯、燕東微電子等國(guó)內(nèi)主流 晶圓廠，PEALD 已實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售；中微公司介質(zhì)刻蝕機(jī)已經(jīng)打入 5nm 制程，新款用于高性能 Mini-LED 量產(chǎn)的 MOCVD 設(shè)備 UniMax 2022H1 訂單已達(dá)到 180 腔；芯源微前道涂膠顯 影設(shè)備在 28nm 及以上多項(xiàng)技術(shù)及高產(chǎn)能結(jié)構(gòu)方面取得進(jìn)展，公司前道物理清洗設(shè)備已 經(jīng)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平并成功實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，新簽訂單結(jié)構(gòu)中前道產(chǎn)品占比大幅提升；華 海清科 CMP 設(shè)備在邏輯芯片、3D NAND、DRAM 制造等領(lǐng)域的工藝技術(shù)水平已分別突破 至 14nm、128 層、1X/1Ynm，到 2021 年底，公司 CMP 設(shè)備累計(jì)出貨超過(guò) 140 臺(tái)，未 發(fā)出產(chǎn)品的在手訂單超 70 臺(tái)。盛美半導(dǎo)體主要設(shè)備產(chǎn)品包括兆聲波單片清洗設(shè)備、單片 槽式組合清洗設(shè)備及銅互連電鍍工藝設(shè)備，客戶(hù)涵蓋海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、中芯國(guó)際等。 精測(cè)電子、上海睿勵(lì)在測(cè)量領(lǐng)域突破國(guó)外壟斷。

2.2 材料：需求持續(xù)增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化邁入深水區(qū)

全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模有望在 2023 年超過(guò) 700 億美金。根據(jù) SEMI，2021-2023 年 的晶圓廠建設(shè)投資達(dá)到歷史新高，僅 2022 年的支出就增長(zhǎng)了 14%，達(dá)到近 260 億美元。 2022 年將有 28 個(gè)新量產(chǎn)晶圓廠開(kāi)始建設(shè)，其中包括 23 個(gè) 300mm 晶圓廠和 5 個(gè) 200mm 及以下晶圓廠。晶圓廠的投建，晶圓產(chǎn)能的擴(kuò)充帶來(lái)半導(dǎo)體材料需求持續(xù)增長(zhǎng)，繼 2021 年市場(chǎng)規(guī)模創(chuàng)新高后，SEMI 預(yù)計(jì) 2022 年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模將同比再增長(zhǎng) 7%， 其中晶圓制造材料 2022 年有望同比增長(zhǎng) 8.4%，封裝材料增長(zhǎng) 3.9%。

中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料市場(chǎng)全球占比逐步提升。根據(jù) EET Asia，強(qiáng)勁的下游需求及晶圓產(chǎn) 能的擴(kuò)張驅(qū)動(dòng) 2021 年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模同比增長(zhǎng) 15.9%達(dá)到 643 億美金新高。 其中晶圓制造材料和封裝材料市場(chǎng)規(guī)模分別為 404 億美金和 239 億美金，同比增長(zhǎng) 15.5% 和 16.5%。晶圓制造環(huán)節(jié)中的硅片、化學(xué)品、CMP 和光掩膜環(huán)節(jié)是增速最快的幾大領(lǐng)域。分地域來(lái)看，中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模近幾年在全球的占比持續(xù)提升，2021 年占全 球比重提升至 18.6%，已成為僅次于中國(guó)臺(tái)灣省的全球第二大區(qū)域。

半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化率仍待轉(zhuǎn)化。在國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策大力扶持和國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)穩(wěn)定增長(zhǎng)等 利好條件下，特別是國(guó)家“02 專(zhuān)項(xiàng)”等專(zhuān)業(yè)化科研項(xiàng)目的培育下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域 將涌現(xiàn)更多具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的公司和產(chǎn)品，在更多關(guān)鍵半導(dǎo)體材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)進(jìn)口替代， 打破國(guó)外廠商的壟斷。半導(dǎo)體芯片制造工藝半導(dǎo)體將原始半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)變成半導(dǎo)體芯片， 每個(gè)工藝制程都需要電子化學(xué)品，半導(dǎo)體芯片造過(guò)就是物理和化學(xué)的反應(yīng)過(guò)程，半導(dǎo)體 材料的應(yīng)用決定了摩爾定律的持續(xù)推進(jìn)，決定芯片是否將持續(xù)縮小線寬。目前我國(guó)不同 半導(dǎo)體制造材料的技術(shù)水平不等，但整體與國(guó)外差距較大，存在巨大的國(guó)產(chǎn)替代空間。 各類(lèi)材料持續(xù)持續(xù)突破，業(yè)績(jī)佐證國(guó)產(chǎn)替代正式開(kāi)幕。隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)晶圓代工的持續(xù) 擴(kuò)產(chǎn)，對(duì)于晶圓制造中不可缺失的基礎(chǔ)材料將會(huì)有著非常大的需求拉動(dòng)，而在此階段我 們可以看到隨著技術(shù)及工藝的推進(jìn)以及中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)鏈逐步的完善，在材料領(lǐng)域已經(jīng)開(kāi) 始涌現(xiàn)出各類(lèi)已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)及供應(yīng)的廠商。

2.3 零部件：供不應(yīng)求，市場(chǎng)空間超 500 億美金

2022 年全球半導(dǎo)體零部件市場(chǎng)規(guī)?；虺^(guò) 500 億美金。根據(jù)富創(chuàng)精密招股書(shū)及國(guó)內(nèi)外 半導(dǎo)體設(shè)備廠商公開(kāi)披露信息，設(shè)備成本構(gòu)成中通常原材料（不同類(lèi)型的精密零部件產(chǎn) 品）占比 90%以上為原材料，考慮國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備公司毛利率通常在 40%-45%左右， 則全部精密零部件市場(chǎng)約為全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模的 50%-55%。根據(jù) SEMI，2021 年 全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 1025 億美金，預(yù)計(jì) 2022 年進(jìn)一步提升 14.7%至 1175 億 美金。若按零部件占設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模的 50%測(cè)算，則 2022 年全球半導(dǎo)體零部件市場(chǎng)規(guī)模 或超過(guò) 500 億美金。 根據(jù) SEMI，2019-2021 年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額占全球的平均比重為 25.9%，若 以此作為大陸零部件市場(chǎng)占全球的比重進(jìn)行測(cè)算，則 2022 年中國(guó)大陸零部件市場(chǎng)規(guī)模 為 152 億美金。

富創(chuàng)精密在招股書(shū)中采用了成本占比法測(cè)算精密零部件市場(chǎng)空間，公司根據(jù)不同類(lèi)型設(shè) 備 2020 年公布的市場(chǎng)規(guī)模，以及國(guó)內(nèi)代表性公司披露的原材料成本，和精密零部件在 成本中的占比，并考慮設(shè)備廠商毛利率水平，累加得到公司主要產(chǎn)品的全球市場(chǎng)規(guī)模約 160 億美金。

歐洲企業(yè)引領(lǐng)真空系統(tǒng)行業(yè)。根據(jù) SEMI，2020 年半導(dǎo)體全球真空子系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模為 27 億美金，約占關(guān)鍵子系統(tǒng)的 22.1%。真空子系統(tǒng)主要包括真空泵、壓力表和真空閥。目 前市場(chǎng)被歐洲及日本企業(yè)占據(jù)，歐洲廠商份額超過(guò) 60%且有持續(xù)提升的趨勢(shì)，其中 Edwards，Pfeiffer，VAT Valve 三家占全球份額的 55%，日本廠商份額約 22%。

刻蝕、沉積需求驅(qū)動(dòng)電源系統(tǒng)高增速。SEMI 測(cè)算電源系統(tǒng)占半導(dǎo)體關(guān)鍵子系統(tǒng)的從 2016 年的 9.8%提升至 2021 年的 13%，從量?jī)r(jià)角度來(lái)看，平均每個(gè)反應(yīng)腔需要的射頻電源 系統(tǒng)數(shù)量持續(xù)增加，同時(shí)下游對(duì)以高頻為代表的高端電源子系統(tǒng)需求增加帶來(lái)平均價(jià)質(zhì) 量的增加。多重曝光及 3D NAND 層數(shù)不斷增加，帶來(lái)了對(duì)刻蝕、沉積步驟的需求提升， 以 3D NAND 為例，時(shí)間更長(zhǎng)、更復(fù)雜的刻蝕步驟對(duì)電源系統(tǒng)解決方案的需求也在不斷 提升。從下游應(yīng)用來(lái)看，電源系統(tǒng)中 71%的需求來(lái)源于刻蝕設(shè)備。

2020 年中國(guó)晶圓廠前道設(shè)備零部件采購(gòu)額超過(guò) 10 億美金。根據(jù)芯謀研究，2020 年中 國(guó)大陸晶圓廠 8 英寸和 12 英寸前道設(shè)備零部件采購(gòu)金額超過(guò) 10 億美金。其中不含海外 廠商在國(guó)內(nèi)的產(chǎn)線，中國(guó)內(nèi)資晶圓廠采購(gòu)金額約 4.3 億美金。中國(guó)晶圓廠采購(gòu)的設(shè)備零 部件主要包括石英（Quartz）、射頻發(fā)生器（RF Generator）、各種泵（Pump）等，分別 占零部件采購(gòu)金額的比重≥10%。此外各種閥門(mén)（Valve）、吸盤(pán)（Chuck）、反應(yīng)腔噴淋 頭（Shower Head）、邊緣環(huán)（Edge Ring）等零部件的采購(gòu)占比也較高。 如果以 2020 年全球 192 億美金的市場(chǎng)規(guī)模為基礎(chǔ)，中國(guó)的 10 億美金采購(gòu)額占全球的不 到 5%，我們認(rèn)為主要是因?yàn)閲?guó)內(nèi)設(shè)備廠商正處于持續(xù)研發(fā)突破，產(chǎn)品初步起量階段， 也因此隨著國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商的放量，未來(lái)國(guó)內(nèi)零部件需求預(yù)計(jì)會(huì)快速增長(zhǎng)。

全球前十大關(guān)鍵子系統(tǒng)供應(yīng)商市占率自 2010 年起始終維持在約 50%。2000-2010 年 伴隨收購(gòu)并購(gòu)，行業(yè)持續(xù)整合，全球關(guān)鍵子系統(tǒng)前十大廠商的合計(jì)份額逐步提升，2010 年以來(lái)前十大家的份額始終維持在 50%左右的水平。2020 年，蔡司仍占據(jù)第一位置， 受益于對(duì)射頻電源子系統(tǒng)的強(qiáng)勁需求，MKS 超過(guò) Edwards 躍居第二。

三、邊際改善，拐點(diǎn)已至

3.1 存儲(chǔ)：供需改善，價(jià)格觸底

3.1.1 DRAM：周期輪動(dòng)，價(jià)格底部

2022 年供需位元差加大，供大于求困局未破。根據(jù) TrendForce，2023 年 DRAM 市場(chǎng)需 求位元成長(zhǎng)率為 8.3%，系近年來(lái)首次低于 10%，遠(yuǎn)低于供給位元成長(zhǎng)的 14.1%。因此 2023 年的 DRAM 市場(chǎng)在供過(guò)于求的情勢(shì)或愈演愈烈，供大于求仍是當(dāng)前困局。

下游需求疲軟，DRAM 市場(chǎng)規(guī)模連續(xù)多季度萎縮。2022 年疲弱的經(jīng)濟(jì)狀況和高通脹率 降低了全球范圍內(nèi)個(gè)人電腦、智能手機(jī)和其他消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求，DRAM 需求也因此 下降。預(yù)計(jì) 2022 年下半年 DRAM 銷(xiāo)售額將下降 40%至 293 億美元，而 2022 年上半年 銷(xiāo)售額達(dá) 490 億美元。同時(shí)，根據(jù) CFM 閃存市場(chǎng)，三季度存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比大跌 29.72% 至 177.64 億美元，創(chuàng) 10 個(gè)季度新低，預(yù)計(jì) 2022 年 Q4 市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步環(huán)比下跌。

2022 年 Q4 多廠商業(yè)績(jī)下行，行業(yè)平均下跌達(dá) 30%。三星：2022 年 Q4，DRAM 銷(xiāo)售收入達(dá) 54.05 億美元，環(huán)比減少 23.6%，市場(chǎng)份額為 44.5%。DRAM Bit 出貨量環(huán)比高個(gè)位數(shù)增長(zhǎng)，ASP 環(huán)比下跌超 30%。 SK 海力士：2022 年 Q4，DRAM 收入達(dá) 34.07 億美元，環(huán)比減少 35.3%，DRAM 出貨量 環(huán)比持平，ASP 下跌超 30%。 美光：2022 年 Q4，DRAM 收入為 28.29 億美元，環(huán)比下跌 41.2%，DRAM Bit 出貨量環(huán) 比下降約 25%，DRAM ASP 環(huán)比減少 20%以上。 南亞科技：2022 年 Q4，DRAM 收入環(huán)比減少 30.3%至 2.53 億美元。 華邦電子:2022 年 Q4，DRAM 收入環(huán)比減少 29.8%至 1.06 億美元。

庫(kù)存端，以美光各季庫(kù)存進(jìn)行追蹤，自 2021 年 Q1 開(kāi)始，公司庫(kù)存逐步進(jìn)入下降通道， 至 2021 年 Q4 達(dá)到底部。自此開(kāi)始，受下游需求疲軟影響，公司庫(kù)存水位逐步增加，至 2023Q1，公司庫(kù)存水位已達(dá)近三年最高點(diǎn)，為 81.29 億美元，環(huán)比 2022 年 Q4 增幅超 22%。高庫(kù)存水位下，各廠商去庫(kù)存壓力迫在眉睫，同時(shí)疊加需求疲軟，直接導(dǎo)致 DRAM 市場(chǎng)產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌。

供需對(duì)峙下，存儲(chǔ)廠商唯有降價(jià)。根據(jù) Trendforce，2023 年 Q1 下游各領(lǐng)域產(chǎn)品價(jià)格均 有超過(guò) 10%的下降。目前來(lái)看，PC 制造商仍有 9 至 13 周的 DRAM 庫(kù)存等待消化，但移 動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的庫(kù)存水平相對(duì)健康，不過(guò)定價(jià)仍預(yù)計(jì)要下降 10-15%。由于消費(fèi)者對(duì) DRAM 的需求低迷，供應(yīng)商將銷(xiāo)售的目光投向了服務(wù)器方面，然而這卻導(dǎo)致服務(wù)器 DRAM 庫(kù)存 的大量堆積。

考慮到 DRAM 主流產(chǎn)品和利基產(chǎn)品的定位、單價(jià)和格局等不盡相同，我們對(duì) DRAM 價(jià)格 分主流產(chǎn)品和利基產(chǎn)品兩大類(lèi)進(jìn)行跟蹤。 主流產(chǎn)品：現(xiàn)貨和合約價(jià)均下跌。 合約價(jià)：以 DDR4 8Gb 1Gx8 2133Mbps(基于 8G 存儲(chǔ))為例，在經(jīng)歷 2022 年 10 月 份合約平均價(jià)穩(wěn)定后，至 2023 年 1 月價(jià)格進(jìn)一步下跌至 1.81 美元，月度環(huán)比跌幅 約 22%。 現(xiàn)貨價(jià)：以 DDR4 16G (2G*8) 2666 Mbps 和 DDR4 8G (1G*8) 2666 Mbps 為例， 整體下跌趨勢(shì)延續(xù)已久，進(jìn)入 2023 年主流現(xiàn)貨平均價(jià)跌幅趨緩，但仍未見(jiàn)反彈。截 至 2023 年 4 月 6 日，以上所述的 16GB 和 8GB 產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)格分別為 3.21 美元和 1.65 美元。

現(xiàn)貨價(jià)：我們以 DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz 產(chǎn)品為例，現(xiàn)貨價(jià)格已至上一輪周期底部， 利基市場(chǎng)主要面向存儲(chǔ)速度性能不太高的市場(chǎng)，上一輪 DDR3 周期價(jià)格上行系三星、海 力士等龍頭廠商為準(zhǔn)備利潤(rùn)更高的 DDR5 生產(chǎn)，逐步淘汰 DDR3 產(chǎn)能，導(dǎo)致 DDR3 短期 內(nèi)供需失衡所致。同樣，在本輪的 DDR3 價(jià)格下行周期中，三星放緩 line13 的 DDR3 產(chǎn) 能轉(zhuǎn)換至 CIS，也給供給端帶來(lái)更多壓力。本輪底部區(qū)間，在行業(yè)面臨寒冬，下游需求疲 軟，供給過(guò)剩的背景下，價(jià)格反彈壓力較大。

3.1.2 NAND Flash：供需修復(fù)，價(jià)格有望逐步企穩(wěn)

NAND Flash 寡頭地位逐步增強(qiáng)，根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)顯示，CR6 包括三星、鎧俠、西部 數(shù)據(jù)、美光、英特爾、海力士總體市場(chǎng)規(guī)模占比約 99%，其中三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)三 家行業(yè)龍頭，約占比 70%的市場(chǎng)份額，在市場(chǎng)上有較大的影響力。

根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)的預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)受益于下游新增需求的快速發(fā)展，NAND Flash 的需 求量也會(huì)有增長(zhǎng)趨勢(shì)。從行業(yè)供給格局來(lái)看，三星依舊占領(lǐng)較大的市場(chǎng)份額，但還未形 成絕對(duì)的寡頭地位，且國(guó)內(nèi)公司長(zhǎng)江儲(chǔ)存也將持續(xù)發(fā)展，有望進(jìn)一步提升市場(chǎng)份額。

2022 年 10 月 26 日，存儲(chǔ)芯片大廠鎧俠(Kioxia)和西部數(shù)據(jù)(Western Digital)在日本慶祝 位于四日市最先進(jìn)制程晶圓廠 Fab7 完工。此 Fab7 晶圓廠第一期的總投資約為 1 萬(wàn)億日 元(約合人民幣 487.97 億元)，具備生產(chǎn)第六代 162 層 NAND Flash 閃存和未來(lái)更先進(jìn) 3D NAND Flash 閃存的能力，計(jì)劃于 2023 年初開(kāi)始出貨 162 層 NAND Flash 閃存。頭部廠 商已正逐步覆蓋 3D NAND 236 及 256 層甚至更高疊層工藝制程，持續(xù)技術(shù)迭代更新。

NAND Flash 需求端受到全球人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)對(duì)海量數(shù)據(jù)處理，其市場(chǎng)規(guī)模正快速增 長(zhǎng)。而 NAND Flash 主要覆蓋的下游應(yīng)用設(shè)備為手機(jī)、服務(wù)器、PC 及車(chē)載工控等，我們 認(rèn)為，手機(jī)及 3C 產(chǎn)品的儲(chǔ)存容量和硬盤(pán)搭載率提升將推動(dòng) NAND Flash 需求量持續(xù)增 高。對(duì)于服務(wù)器設(shè)備，云端儲(chǔ)存及處理數(shù)據(jù)場(chǎng)景越發(fā)增長(zhǎng)，服務(wù)器需求量及單設(shè)備搭載 量同樣推動(dòng) NAND Flash 市場(chǎng)的需求量提升。除此傳統(tǒng)需求領(lǐng)域外，隨著車(chē)載智能化的 逐步提升，車(chē)載 NAND Flash 市場(chǎng)也有望迎來(lái)高速增長(zhǎng)。

1)手機(jī)及傳統(tǒng) 3C 產(chǎn)品，NAND 單機(jī)搭載量提升

近十年，智能手機(jī)作為成熟市場(chǎng)，每年全球手機(jī)出貨維持在 11 至 13 億部左右，保持穩(wěn) 定波動(dòng)。而隨手機(jī)智能化水平越發(fā)提升，其攝影攝像功能、高清顯示功能及各類(lèi)多功能 軟件所消耗的儲(chǔ)存空間持續(xù)增長(zhǎng)，用戶(hù)對(duì)于手機(jī)的儲(chǔ)存空間越發(fā)增加。智能手機(jī)市場(chǎng)對(duì) 應(yīng) Flash 市場(chǎng)的增長(zhǎng)邏輯，主要來(lái)源于單機(jī)搭載量的持續(xù)提升。

根據(jù) Counterpoint 數(shù)據(jù)顯示，2020 年智能手機(jī) NAND 閃存平均容量首次突破 100GB 大 關(guān)。在 iOS 和 Android 手機(jī)中有所不同。在 iOS 手機(jī)中，2020 年第四季度的平均 NAND 容量達(dá)到 140.9GB，而同期 Android 手機(jī)的平均容量為 95.7GB。Android 手機(jī)的平均容 量在過(guò)去幾年中一直在快速增長(zhǎng)。2020 年 iOS 和 Android 手機(jī)的平均容量分別增長(zhǎng)了 5.6%和 20.5%。同時(shí)根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)顯示，預(yù)估 2023 年智能手機(jī) NAND Flash 單 機(jī)搭載容量年成長(zhǎng)仍能維持 22.1%。我們認(rèn)為，IPhone 產(chǎn)品組合仍全線往更高容量 1TB 靠攏；Android 高端機(jī)種也跟進(jìn)將 512GB 做為標(biāo)準(zhǔn)配備，中低端機(jī)儲(chǔ)存空間則隨硬件規(guī) 格持續(xù)升級(jí)而提高，因此整體平均容量仍有增長(zhǎng)空間。

全球 PC 市場(chǎng)（包括筆電、桌面 PC、工作站等）在 2020-2021 年期間迎來(lái)強(qiáng)換機(jī)周期且 居家辦公刺激需求端提前消費(fèi)，根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2021 年全球 PC 出貨量達(dá) 3.46 億臺(tái)。2022 年需求迎來(lái)疲軟態(tài)勢(shì)，根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2022 年整體出貨量將下滑至 2.93 億臺(tái)，同比降低 15.2%。 另外，由于消費(fèi)市場(chǎng)需求減緩，教育市場(chǎng)也獲基本滿(mǎn)足，及因經(jīng)濟(jì)狀況弱化同樣使商用 市場(chǎng)需求遭到擠壓。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì) 2023 年全球 PC 市場(chǎng)將進(jìn)一步萎縮。PC 加上平板電腦的整體市場(chǎng)預(yù)估 2023 年下降 2.6%，預(yù)計(jì)在 2024 年恢復(fù)成長(zhǎng)。

根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，由于 2020-2021 年受到居家辦公的提前消費(fèi)影響，平板電腦（包括二合 一的可拆卸式平板在內(nèi)）市場(chǎng)在 2020/2021 年出貨量達(dá)到 1.65/1.69 億部，同比增長(zhǎng) 13.8%/2.4%。但隨 2022 年消費(fèi)逐步疲軟，根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，2022 年全球出貨量同比下 滑 3.6%至 1.63 億臺(tái)。

PC 及移動(dòng)平板電腦作為存量市場(chǎng)，整體年度出貨量波動(dòng)不大，基本維持億部的出貨量。 近些年隨電腦固態(tài)硬盤(pán)替代傳統(tǒng)硬盤(pán)趨勢(shì)及單機(jī)儲(chǔ)存量提升，其中SSD搭載率有所提升。 據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng) ChinaFlashMarket 數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到 2018 年 SSD 240GB 價(jià)格與 1TB HDD 同價(jià)的，在筆記本電腦上的搭載率將達(dá)到 52%。到 2019 年 SSD 480GB 價(jià)格與 1TB HDD 同價(jià)的時(shí)候，在筆記本電腦上的搭載率將達(dá)到 65%以上。另外，消費(fèi)類(lèi) SSD 在零售渠道 市場(chǎng)每個(gè)月也有 200 萬(wàn)片硬盤(pán)升級(jí) SSD 的出貨量。

2)AI 帶動(dòng)服務(wù)器及云端數(shù)據(jù)儲(chǔ)存有望快速放量，進(jìn)一步推動(dòng) NAND Flash 需求

云計(jì)算時(shí)代市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，云儲(chǔ)存、云計(jì)算的數(shù)據(jù)量不斷提高。在數(shù)字化時(shí)代的發(fā)展 下，隨工作量的云上遷移和云本地應(yīng)用的加速開(kāi)發(fā)，在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)不斷迭代升級(jí)的 背景下，全球數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)顯示，全球數(shù)據(jù)儲(chǔ)量由 2016 年的 16ZB 增長(zhǎng)至 2021 年的 54ZB，復(fù)合年均增長(zhǎng)率為 27.5%，隨著數(shù)字經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展， 預(yù)計(jì) 2022 年全球數(shù)據(jù)儲(chǔ)量將達(dá) 61ZB。

根據(jù) Omdia 數(shù)據(jù)，云數(shù)據(jù)及企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存需求將在 2026 年達(dá)到 5255 億每 GB 當(dāng)量， 2021 年至 2026 年，CAGR 將達(dá)到 33.0%。

3)車(chē)載 NAND Flash 有望受汽車(chē)智能化持續(xù)增長(zhǎng)

2022 年全球新能源汽車(chē)銷(xiāo)量突破千萬(wàn)。根據(jù) Clean Technica 數(shù)據(jù)，2022 年全球新能源 汽車(chē)銷(xiāo)量突破千萬(wàn)達(dá) 1009.12 萬(wàn)輛，占整體汽車(chē)市場(chǎng) 14%份額，其中比亞迪以 184.77 萬(wàn)輛的全年銷(xiāo)售數(shù)據(jù)獲得全球銷(xiāo)量冠軍。根據(jù)中國(guó)汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2023 年 1 月和 2 月我國(guó)新能源汽車(chē)月度銷(xiāo)量分別為 40.78 萬(wàn)輛和 52.49 萬(wàn)輛，由于 1-2 月為汽車(chē)銷(xiāo)量傳 統(tǒng)淡季，2023 年 1 月與 2 月銷(xiāo)量與 2022 年 12 月 81.38 萬(wàn)輛的月銷(xiāo)量相比仍有差距。 后續(xù)隨著汽車(chē)電動(dòng)化進(jìn)程不斷深化，我們認(rèn)為全球范圍內(nèi)新能源汽車(chē)銷(xiāo)量將會(huì)維持高速 增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

根據(jù) IDC 及 IHS 數(shù)據(jù)顯示，車(chē)用 DRAM 和 NAND 市場(chǎng)規(guī)模將從 2020 年的 20.4 億和 12.6 億，增長(zhǎng)到 2025 年的 85 億美元和 61 億美元，預(yù)計(jì)年復(fù)合增長(zhǎng)率為 33%和 37%。 車(chē)規(guī)級(jí) NAND Flash 需要符合 AEC-Q100 等車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，隨著汽車(chē)行業(yè)智能化、網(wǎng)聯(lián)化的 演進(jìn)，與 SOTA（軟件在線升級(jí)），MaaS（出行即服務(wù)）得以實(shí)現(xiàn)，市場(chǎng)對(duì)車(chē)載存儲(chǔ)的程 序和處理的數(shù)據(jù)量提出更多的新需求。 車(chē)用存儲(chǔ)芯片規(guī)模成長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)因素，主要為三個(gè)方面，首先為智能座艙產(chǎn)生巨量數(shù)據(jù)交 互，其次是 ADAS 系統(tǒng)及車(chē)載娛樂(lè)系統(tǒng)。隨著自動(dòng)駕駛的普及及自動(dòng)駕駛等級(jí)的提升 （L2~L5），會(huì)產(chǎn)生大量的道路和環(huán)境數(shù)據(jù)，用于收集車(chē)輛運(yùn)行和周邊環(huán)境數(shù)據(jù)的各類(lèi)傳 感器也會(huì)越來(lái)越多，包括攝像頭、毫米波雷達(dá)、激光雷達(dá)等，根據(jù)安全和功能需要對(duì)數(shù) 據(jù)進(jìn)行處理和保存，從而產(chǎn)生了大容量 NAND 存儲(chǔ)的需求。英特爾估計(jì)，自動(dòng)駕駛汽車(chē) 每天將產(chǎn)生 4000GB 的數(shù)據(jù)量，即再低等級(jí)的自動(dòng)駕駛車(chē)輛也需要大量車(chē)載數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。 根據(jù) Semico Research 數(shù)據(jù)顯示，L1/L2 級(jí)別的自動(dòng)駕駛需要 8GB 的 NAND 容量，而 L3 為 256GB，到 L5 的時(shí)候需要 1TB，自動(dòng)駕駛技術(shù)升級(jí)對(duì) NAND 需求呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的增長(zhǎng)。

價(jià)格端：環(huán)比下降收窄，價(jià)格將逐步企穩(wěn)

考慮到 NAND Flash 主流產(chǎn)品和利基產(chǎn)品的定位、單價(jià)和格局等不盡相同，我們對(duì) NAND Flash 價(jià)格分主流產(chǎn)品和利基產(chǎn)品兩大類(lèi)進(jìn)行跟蹤。 主流價(jià)格：現(xiàn)貨價(jià)增長(zhǎng)后企穩(wěn)，合約價(jià)自 2022 年 6 月開(kāi)始下跌。 現(xiàn)貨價(jià)：以 MLC NAND Flash 64Gb（8Gx8）及 MLC NAND Flash 32Gb（4Gx8）為例， 經(jīng)歷 2022 年 4 月漲價(jià)后，價(jià)格逐步企穩(wěn)跌幅趨緩。截至 2023 年 4 月 7 日，以上兩款 64Gb 和 32Gb 價(jià)格分別為 3.85 美金和 2.14 美金。

合約價(jià)：以 MLC NAND Flash 128Gb（16Gx8）、MLC NAND Flash 64Gb（8Gx8）及 MLC NAND Flash 32Gb（4Gx8）三款為例，從 2021 年 7 月價(jià)格穩(wěn)定后，在 2022 年 6 月開(kāi)始 出現(xiàn)價(jià)格下降，截至 2023 年 2 月 24 日，以上三款合約價(jià)分別為 4.14/2.98/2.59 美金。

3.2 模擬：庫(kù)存修復(fù)，價(jià)格止跌

模擬行業(yè)邊際改善。模擬料號(hào)整體 3 月跌幅收窄，部分料號(hào)價(jià)格回暖。預(yù)計(jì) Q2 價(jià)格進(jìn) 一步趨于穩(wěn)定。行業(yè)庫(kù)存持續(xù)去化，國(guó)內(nèi)產(chǎn)品在原廠及經(jīng)銷(xiāo)商庫(kù)存基本修復(fù)至正常水位。 大空間+高增速+低波動(dòng)優(yōu)質(zhì)賽道。IC insights 預(yù)測(cè) 2021~2026F 模擬 IC CAGR 為半導(dǎo) 體各品類(lèi)中最高，達(dá) 11.8%。WSTS 數(shù)據(jù)顯示，2012-2020 年模擬電路需求同比增速波 動(dòng)相較數(shù)字電路更小，成長(zhǎng)更具穩(wěn)定性。

分應(yīng)用領(lǐng)域：通訊設(shè)備占比巨大，汽車(chē)領(lǐng)域?yàn)榈诙髴?yīng)用領(lǐng)域。通訊設(shè)備占比最大，預(yù) 計(jì) 2022 年占比 37.5%，較 2018 年+0.9pct；汽車(chē)領(lǐng)域市場(chǎng)為第二大應(yīng)用領(lǐng)域，預(yù)計(jì) 2022 年占比 24.7%，較 2018 年+1.7pct；工業(yè)/電腦領(lǐng)域市場(chǎng)份額占比小幅降低，預(yù)計(jì) 2022 年較 2018 年分別變動(dòng)-1.1pct/-1.0pct 至 19.5%/6.5%；消費(fèi)電子/政府及軍用領(lǐng)域相對(duì) 穩(wěn)定，預(yù)計(jì) 2022 年較 2018 年分別變動(dòng)-0.2pct/-0.3pct 至 10.8%/1.0%。 分地區(qū)：亞太地區(qū)模擬芯片需求較大，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)最為突出。2020 年，中國(guó)大陸為全球最 大模擬芯片市場(chǎng)，占比 36%。

消費(fèi)需求中高端市場(chǎng)仍然堅(jiān)挺，需求反彈國(guó)內(nèi)模擬 IC 公司更為受益。恩智浦 2022Q3 法 說(shuō)會(huì)表示需求下滑主要影響中低端安卓機(jī)型，高端需求仍然堅(jiān)挺，超寬帶、移動(dòng)支付等 新興功能仍在增長(zhǎng)。由于本土模擬 IC 公司的客戶(hù)結(jié)構(gòu)中安卓機(jī)型占比更高，因此本次周 期下行受到?jīng)_擊更大。未來(lái)若消費(fèi)需求反彈，國(guó)內(nèi)模擬 IC 公司將由量?jī)r(jià)齊跌轉(zhuǎn)向量?jī)r(jià)齊 升，營(yíng)收、業(yè)績(jī)和利潤(rùn)率都將迎來(lái)拐點(diǎn)，下游消費(fèi)占比較高的模擬 IC 公司將貢獻(xiàn)較大的 業(yè)績(jī)彈性。

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