科學(xué)技術(shù)是第一生產(chǎn)力，科技決定國(guó)力，科技改變國(guó)運(yùn)。因此，擁有更多高科技技術(shù)就可以掌握話語(yǔ)權(quán)，決定國(guó)家在全球的影響力和地位。

當(dāng)下來(lái)看，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是高新科技的“制高點(diǎn)”，也是國(guó)產(chǎn)企業(yè)的重要突破口。畢竟西方一直對(duì)我們采取限制措施：一方面禁止ASML出口EUV光刻機(jī)，扼殺華為制造旗艦芯片的能力；另一方面禁止臺(tái)積電幫助代工海思麒麟芯片，讓華為任正非徹底無(wú)路可走。

看到這里相信大家都會(huì)有一個(gè)疑問(wèn)，那就是「為什么EUV光刻機(jī)難造？」ASML高層就曾明確表示：“就算公開(kāi)設(shè)計(jì)圖紙，也沒(méi)有一家企業(yè)能造出EUV光刻機(jī)出來(lái)”。

事實(shí)上，光刻機(jī)原理跟單反類(lèi)似，最核心的技術(shù)就是鏡頭，將光罩上設(shè)計(jì)好的集成電路圖形通過(guò)光線的曝光印到光感材料上，形成圖形。

其次，分辨率、套刻精度也是重要技術(shù)指標(biāo)，它們分別決定了光刻機(jī)能夠被應(yīng)用的工藝節(jié)點(diǎn)水平以及兩道光刻工序之間彼此圖形的偏差。

正因如此，中科院院士表態(tài)：國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)技術(shù)至少落后ASML15年，短時(shí)間內(nèi)還無(wú)法突破。

當(dāng)然，即便擁有EUV光刻機(jī)，并不意味著能量產(chǎn)高端芯片。這中間牽涉的方面太多了，比如高純度硅、光刻膠、靶材什么的，還有刻蝕機(jī)等設(shè)備。

慶幸的是，在光刻機(jī)領(lǐng)域遇到瓶頸后，華為開(kāi)始另辟蹊徑，在芯片制造方面下了一番功夫。

根據(jù)相關(guān)報(bào)道：華為目前已經(jīng)擁有多項(xiàng)芯片3D堆疊方面的技術(shù)，并且已經(jīng)能夠?qū)蓧K14nm芯片通過(guò)堆疊來(lái)實(shí)現(xiàn)7nm芯片的性能了。

當(dāng)然，目前華為自研的3D堆疊技術(shù)還存在部分缺陷，譬如成本、能耗等問(wèn)題還有待克服，一旦徹底解決后，就能馬上投入使用，改變中芯國(guó)際等芯片企業(yè)無(wú)法量產(chǎn)7nm旗艦芯片的現(xiàn)狀。

從某種程度上來(lái)說(shuō)，華為推動(dòng)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈走出了至暗時(shí)刻，并為2025年實(shí)現(xiàn)芯片自給率70%奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

毋庸置疑，中國(guó)是全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要角色。面對(duì)西方的技術(shù)壁壘，華為、OPPO、vivo等國(guó)產(chǎn)企業(yè)們正積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，并且已經(jīng)投入大量資金以及人才用于科研制造。

可以說(shuō)，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的發(fā)展前景依舊樂(lè)觀，而西方遏制我們的想法注定不會(huì)實(shí)現(xiàn)。