5月9-11日，基本半導(dǎo)體再度亮相全球最大功率半導(dǎo)體展會——PCIM Europe 2023，在德國紐倫堡正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代產(chǎn)品性能大幅提升，產(chǎn)品類型進(jìn)一步豐富，助力新能源汽車、直流快充、光伏儲能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進(jìn)行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上，基本半導(dǎo)體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。

新品亮點

更低比導(dǎo)通電阻

第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升。

更低器件開關(guān)損耗

第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險。

更高可靠性

第二代碳化硅MOSFET通過更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。

更高工作結(jié)溫

第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C，提高器件高溫工作能力。

新品應(yīng)用

新能源汽車電機(jī)控制器

車載電源

太陽能逆變器

光儲一體機(jī)

充電樁

UPS、PFC電源

新品列表

展會直擊

PCIM Europe是全球電力電子行業(yè)最具影響力的年度展會之一，全球從業(yè)者齊聚一堂，共同展示、交流并發(fā)布最新的研究成果和新產(chǎn)品，內(nèi)容涵蓋從器件、封裝技術(shù)、驅(qū)動控制到最終系統(tǒng)的整個生態(tài)鏈。

基本半導(dǎo)體此次攜第二代碳化硅MOSFET系列新品，以及全系汽車級碳化硅功率模塊、碳化硅二極管、驅(qū)動IC、功率器件驅(qū)動器等產(chǎn)品亮相，受到了海內(nèi)外眾多行業(yè)人士的關(guān)注和認(rèn)可，更收獲了不少客戶的樣品需求與合作意向。

作為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)，基本半導(dǎo)體始終堅持技術(shù)創(chuàng)新，不斷致力于加速產(chǎn)品的研發(fā)制造和市場拓展，并建立了完備的國內(nèi)國外雙循環(huán)供應(yīng)鏈體系。公司汽車級碳化硅功率模塊產(chǎn)線已實現(xiàn)全面量產(chǎn)，目前年產(chǎn)能達(dá)25萬只模塊；車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線已通線，達(dá)產(chǎn)后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關(guān)芯片需求。

未來，基本半導(dǎo)體將持續(xù)加強(qiáng)自主創(chuàng)新，加速產(chǎn)品迭代升級，開發(fā)更多符合市場需求的產(chǎn)品，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù)。

來源：基本半導(dǎo)體