中國航展上，第三代半導(dǎo)體是中國電科展示的重點(diǎn)內(nèi)容，從材料、裝備、芯片、器件到應(yīng)用的體系化布局，展現(xiàn)了中國電科不斷增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈韌性和競爭力。

不斷突破，發(fā)展“有料”

電科展臺(tái)上，可以看到碳化硅、砷化鎵徹底材料，碳化硅晶片……

目前，碳化硅作為全球最先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體材料，已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的爭奪前沿和戰(zhàn)略制高點(diǎn)。中國電科以發(fā)展碳化硅技術(shù)為推進(jìn)第三代半導(dǎo)體的抓手之一，打造國家電子信息材料原創(chuàng)技術(shù)策源地，建設(shè)了國內(nèi)最大的碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地。目前，中國電科碳化硅襯底技術(shù)水平和產(chǎn)能達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平，產(chǎn)品市場占有率顯著提升，硅外延材料市場占有率穩(wěn)居國內(nèi)榜首。

同時(shí)，中國電科攻關(guān)形成第三代半導(dǎo)體核心裝備研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化和整線解決方案，基于自主研發(fā)的全自動(dòng)碳化硅單晶生長設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量碳化硅單晶生產(chǎn)。目前，掌握了碳化硅生長裝備制造，高純碳化硅粉料制備工藝，N型碳化硅單晶襯底和高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成碳化硅粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。

規(guī)模應(yīng)用，產(chǎn)業(yè)“強(qiáng)芯”

展臺(tái)上，中國電科通過微波功率模塊、微波組件等固態(tài)微波器件，展示了第三代半導(dǎo)體功率器件在雷達(dá)探測及通信領(lǐng)域的國際先進(jìn)總體水平。

多年來，中國電科瞄準(zhǔn)“強(qiáng)芯健體”持續(xù)發(fā)力，碩果頻結(jié)。

產(chǎn)品發(fā)展，標(biāo)準(zhǔn)先行。中國電科牽頭制定多項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，統(tǒng)一氮化鎵和碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)品研制及評價(jià)體系，提升氮化鎵和碳化硅外延片產(chǎn)品自主保障能力。

6英寸碳化硅工藝線持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行，滿足碳化硅二極管、MOSFET訂單數(shù)量和客戶數(shù)量快速增長需要。碳化硅MOSFET在新能源汽車、新能源發(fā)電、服務(wù)器電源、電網(wǎng)輸變電等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模應(yīng)用，數(shù)千萬只產(chǎn)品有力保障了產(chǎn)業(yè)發(fā)展。碳化硅MOSFET入選國資委2021年十大國有企業(yè)數(shù)字技術(shù)成果。

中國電科還構(gòu)建了成套標(biāo)準(zhǔn)三代半導(dǎo)體氮化鎵工藝技術(shù)體系，成功研發(fā)5G毫米波氮化鎵器件系列產(chǎn)品，性能及可靠性達(dá)到國際先進(jìn)水平，氮化鎵射頻芯片等產(chǎn)品市場占有率顯著提升，首次實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)氮化鎵功率器件在星載相控陣大批量應(yīng)用。氮化鎵微波功率器件等產(chǎn)品入選國家“十三五”科技創(chuàng)新成就展。