5月28日下午，中關(guān)村論壇北京（國際）第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展論壇舉辦。來自國內(nèi)外知名企業(yè)、研究機構(gòu)的院士專家、業(yè)內(nèi)重點企業(yè)代表等共約500人出席論壇。

科學技術(shù)部黨組成員、副部長相里斌致辭

科學技術(shù)部黨組成員、副部長相里斌在開幕致辭中表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體具有優(yōu)異性能，在新能源汽車、信息通訊、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有巨大的市場?？萍疾恳恢备叨戎匾暤谌雽w的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，從“十五”期間開始給予了長期持續(xù)支持，建立了從材料、器件到應用的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力。下一步還將與各地方溝通協(xié)作，加強統(tǒng)籌謀劃和技術(shù)布局，加強人才培養(yǎng)，加強國際合作，推動產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)有機銜接，強化以企業(yè)為主體、產(chǎn)學研用協(xié)同的創(chuàng)新生態(tài)。

北京市委常委、副市長靳偉在致辭中指出，北京市委市政府高度重視第三代半導體科技與產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在前期成果基礎(chǔ)上，北京市將進一步圍繞建設(shè)國際科技創(chuàng)新中心戰(zhàn)略定位，以打造世界領(lǐng)先科技園區(qū)為指引，面向國家發(fā)展戰(zhàn)略需求，加強第三代半導體核心關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)、產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)、應用場景拓展，推動在京形成第三代半導體技術(shù)高地與高水平產(chǎn)業(yè)集群。

諾貝爾獎獲得者中村修二教授視頻致辭

諾貝爾獎獲得者中村修二教授在致辭中表示，中國在開發(fā)寬禁帶半導體材料和技術(shù)方面做出了巨大努力，并致力于節(jié)約能源滿足廣泛的社會需求。寬禁帶半導體是一個全球性的機會，但仍然存在許多創(chuàng)造性挑戰(zhàn)。衷心希望中國能繼續(xù)與世界其他國家緊密合作，進一步發(fā)展寬禁帶半導體，以實現(xiàn)綠色低碳和可持續(xù)發(fā)展。

科學技術(shù)部原副部長、國際半導體照明聯(lián)盟主席曹健林在致辭中提到，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產(chǎn)業(yè)進入下行周期。但在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下，國際第三代半導體產(chǎn)業(yè)增長超預期，整個產(chǎn)業(yè)進入高速成長期?？v觀全球科技發(fā)展大勢，科學研究范式正在發(fā)生深刻變革，協(xié)同創(chuàng)新、合作創(chuàng)新、開放創(chuàng)新已成為不可阻擋的大勢所趨。

中國工程院院士、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任干勇在致辭中指出，以化合物半導體材料，特別是第三代半導體材料為代表的半導體新材料快速崛起，未來10年將對國際半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生至關(guān)重要的影響。半導體產(chǎn)業(yè)的全球化屬性是不可改變的，創(chuàng)新對半導體行業(yè)尤為重要，加強技術(shù)研究和原始創(chuàng)新，實現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)突破，以創(chuàng)新驅(qū)動產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，同時要堅持加強全球產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈的協(xié)作，仍是半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要路徑。

會上，北京市順義區(qū)委副書記、區(qū)長崔小浩做了《北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展推介》，提出要立足北京順義領(lǐng)先的區(qū)位優(yōu)勢，進一步夯實基礎(chǔ)、創(chuàng)新模式、優(yōu)化政策、完善生態(tài)、提升配套，加快建設(shè)北京第三代半導體核心承載地。

《推動第三代半導體應用，踐行“雙碳”戰(zhàn)略倡議》簽字現(xiàn)場

為促進第三代半導體器件應用，助力“雙碳”戰(zhàn)略實施，發(fā)揮我國大市場優(yōu)勢，以應用促發(fā)展，加快迭代研發(fā)，促進技術(shù)、標準、人才、專利全生態(tài)系統(tǒng)的完善，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合中關(guān)村科技園區(qū)順義園、武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)面向產(chǎn)業(yè)界及各地方政府共同發(fā)布了《推動第三代半導體應用，踐行“雙碳”戰(zhàn)略倡議》。第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會主任、北京市順義區(qū)經(jīng)濟和信息化局局長蘭雄景，武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會原一級巡視員夏亞民代表業(yè)界及地方園區(qū)上臺為倡議簽字。

會上還舉行了項目簽約儀式。北京市順義區(qū)人民政府與北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司、北京特思迪半導體設(shè)備有限公司、清控華創(chuàng)（北京）能源互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研究院有限公司、北京晶格領(lǐng)域半導體有限公司、北京銘鎵半導體有限公司、北京漠石科技有限公司等在會上進行一系列項目簽約，總投資額近18億元，標志著順義區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)已瞄準從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應用的產(chǎn)業(yè)鏈布局，產(chǎn)業(yè)集群效應初步顯現(xiàn)，將為北京推進國際科技創(chuàng)新中心建設(shè)提供有力支撐。

此外，甘子釗院士、周濟院士、吳玲理事長、李晉閩主任、封松林研究員與工信部中小企業(yè)發(fā)展中心人力資源發(fā)展研究所所長嵇峰，中國教育發(fā)展戰(zhàn)略學會產(chǎn)教融合專委會理事長、清華大學繼續(xù)教育學院黨委書記刁慶軍，北京師范大學教授、北京師范大學職業(yè)與成人教育研究所原所長趙志群共同啟動了先進半導體產(chǎn)業(yè)教育發(fā)展研究院，吹響我國半導體人力資源水平提升的號角。

開幕式之后，北京大學理學部副主任沈波主持了特邀報告。第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲，IEEE國際寬禁帶半導體技術(shù)路線圖委員會(ITRW) 主席、美國北卡羅萊納州立大學教授、國際電氣和電子工程師協(xié)會會士Victor Veliadis，美國國家工程院院士、加州大學教授Umesh Mishra，中科院北京納米能源與系統(tǒng)研究所所長、中國科學院外籍院士、歐洲科學院院士王中林，博世汽車電子事業(yè)部中國區(qū)總裁 Georges Andary，安世半導體副總裁 Carlos Castro等國內(nèi)外專家通過線上線下方式做了精彩的特邀報告，分析了第三代半導體技術(shù)及產(chǎn)業(yè)國內(nèi)外最新進展及未來發(fā)展趨勢。

文/北京青年報記者 溫婧

編輯/田野