·日本半導(dǎo)體曾經(jīng)歷“失去的10年”。20世紀(jì)70年代，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由國(guó)家主導(dǎo)，上世紀(jì)80年代后半期日本企業(yè)占據(jù)50％的世界份額。但由于日美貿(mào)易摩擦導(dǎo)致出口受限等原因，日本企業(yè)盈利能力下降，韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)的實(shí)力迅速提升。同時(shí)，失去了開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)尖端產(chǎn)品不可缺少的投資余力后，日本未能跟上2010年代白熱化的電路線寬微細(xì)化投資競(jìng)爭(zhēng)，出現(xiàn)了近10年的技術(shù)空白。

·日本正尋求振興國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，公布半導(dǎo)體振興三步走戰(zhàn)略，提升在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)供應(yīng)鏈中的地位，拉攏海外企業(yè)在日投資，組建本土新公司2027年量產(chǎn)2納米芯片，成立尖端半導(dǎo)體技術(shù)中心開(kāi)發(fā)下一代半導(dǎo)體量產(chǎn)技術(shù)。

日本半導(dǎo)體從占據(jù)全球50％的市場(chǎng)份額跌至一成左右。

上世紀(jì)80年代后半期，日本半導(dǎo)體企業(yè)占據(jù)全球50％的市場(chǎng)份額。但經(jīng)歷了一段“10年技術(shù)空白”，日本半導(dǎo)體地位下降，近年來(lái)全球市場(chǎng)份額跌至一成左右。如今，日本正尋求振興國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，提升在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)供應(yīng)鏈中的地位，拉攏海外企業(yè)在日投資，組建本土新公司2027年量產(chǎn)2納米芯片，成立尖端半導(dǎo)體技術(shù)中心開(kāi)發(fā)下一代半導(dǎo)體量產(chǎn)技術(shù)。

但是，日本一方面計(jì)劃斥巨資采購(gòu)芯片設(shè)備、加強(qiáng)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈國(guó)際合作，另一方面卻限制制造芯片所需的關(guān)鍵設(shè)備出口。

拉攏海外投資，組建本土新公司2027年量產(chǎn)2納米芯片

5月18日，日本首相岸田文雄會(huì)見(jiàn)了7家半導(dǎo)體企業(yè)高管，呼吁擴(kuò)大對(duì)日投資。

目前美歐韓半導(dǎo)體企業(yè)正加大在日本的半導(dǎo)體投資。美國(guó)美光科技將在今后數(shù)年內(nèi)對(duì)日最多投資5000億日元（約合人民幣253億元），包括在日本廣島工廠引進(jìn)生產(chǎn)最尖端半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的設(shè)備等。美國(guó)應(yīng)用材料未來(lái)數(shù)年將在日本招聘800名工程師，將人員增至目前的1.6倍。英特爾表示將加強(qiáng)與日本材料廠商和半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商的合作。韓國(guó)三星電子將投資超300億日元（約合人民幣15億元），在神奈川縣成立新的半導(dǎo)體研發(fā)基地。被稱為世界級(jí)半導(dǎo)體研究開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)的比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）計(jì)劃在北海道設(shè)立研究基地，以支援日本芯片初創(chuàng)企業(yè)Rapidus。

“Rapidus”在拉丁語(yǔ)里意為“迅速”，成立于2022年8月的Rapidus被視為日本半導(dǎo)體振興的“最后機(jī)會(huì)”。豐田、索尼、NTT（日本電報(bào)電話公司）等8家企業(yè)出資，力爭(zhēng)量產(chǎn)2納米邏輯（運(yùn)算用）半導(dǎo)體，計(jì)劃用于人工智能、自動(dòng)駕駛、超級(jí)計(jì)算機(jī)等。

Rapidus在北海道千歲市興建工廠，其社長(zhǎng)小池淳義表示，預(yù)計(jì)2027年啟動(dòng)量產(chǎn)，到2030年代銷售額將達(dá)1萬(wàn)億日元（約合人民幣506億元）規(guī)模。建設(shè)2納米半導(dǎo)體試產(chǎn)線需2萬(wàn)億日元，建立量產(chǎn)線進(jìn)一步需要3萬(wàn)億日元，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省將累計(jì)向Rapidus援助3300億日元（約合人民幣167億元）。

目前日本邏輯半導(dǎo)體的工廠停留在40納米左右的水平。小池淳義說(shuō)，日本在尖端邏輯芯片領(lǐng)域落后10年-20年，挽回劣勢(shì)并非易事，合作伙伴成為填補(bǔ)空白的關(guān)鍵。

日本半導(dǎo)體曾經(jīng)歷“失去的10年”。據(jù)“日經(jīng)中文網(wǎng)”報(bào)道，20世紀(jì)70年代，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由國(guó)家主導(dǎo)，上世紀(jì)80年代后半期，日本企業(yè)占據(jù)了50％的世界份額，日本產(chǎn)品曾席卷全球市場(chǎng)。但由于日美貿(mào)易摩擦導(dǎo)致出口受限等原因，日本企業(yè)盈利能力下降，韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)的實(shí)力迅速提升，同時(shí)日本也失去了開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)尖端產(chǎn)品不可缺少的投資余力。由于未能跟上2010年代白熱化的電路線寬微細(xì)化投資競(jìng)爭(zhēng)，日本出現(xiàn)了近10年的技術(shù)空白。三星和臺(tái)積電在經(jīng)濟(jì)不景氣時(shí)期也堅(jiān)持進(jìn)行巨額投資，甩開(kāi)了日本制造廠商等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，建立了高收益商業(yè)模式。

據(jù)日本共同網(wǎng)報(bào)道，日本半導(dǎo)體地位下降后，近年來(lái)全球市場(chǎng)份額跌至一成左右。但由于日本在半導(dǎo)體制造設(shè)備和材料方面有優(yōu)勢(shì)，政府希望通過(guò)與海外廠商合作，搞活日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

日本政府還吸引海外廠商赴日，除韓國(guó)三星電子等公司，“日經(jīng)中文網(wǎng)”報(bào)道稱，臺(tái)積電正在熊本縣建設(shè)工廠，還計(jì)劃建設(shè)第二工廠。另?yè)?jù)日本共同網(wǎng)報(bào)道，迄今日本已決定為臺(tái)積電在熊本縣建設(shè)的工廠提供最多4760億日元（約合人民幣241億元）補(bǔ)貼。

半導(dǎo)體振興三步走，成立尖端半導(dǎo)體技術(shù)中心

到2030年，日本計(jì)劃使半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品銷售額達(dá)到15萬(wàn)億日元，增至目前（5萬(wàn)億日元）的三倍。為振興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，提升尖端半導(dǎo)體技術(shù)能力，日本已陸續(xù)推出一系列舉措。

根據(jù)日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省發(fā)布的日本半導(dǎo)體振興戰(zhàn)略，第一步是提高物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)生產(chǎn)能力，到2030年，工業(yè)設(shè)備、個(gè)人計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)等市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1萬(wàn)億美元；第二步是通過(guò)美日合作實(shí)現(xiàn)下一代半導(dǎo)體技術(shù)；第三步是通過(guò)全球合作，研發(fā)光電融合技術(shù)、量子計(jì)算等未來(lái)技術(shù)。

2021年6月，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省發(fā)布了“半導(dǎo)體和數(shù)字產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略”，與國(guó)際先進(jìn)制造商共同研發(fā)尖端半導(dǎo)體技術(shù)，確保尖端半導(dǎo)體的研發(fā)和生產(chǎn)能力，研發(fā)一批創(chuàng)新材料，如SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等。

去年5月，日美工商伙伴關(guān)系（JUCIP）首次部長(zhǎng)級(jí)會(huì)議達(dá)成了《半導(dǎo)體合作基本原則》?；谠搮f(xié)議，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省去年7月決定成立一個(gè)新的研發(fā)機(jī)構(gòu)，兩國(guó)共同研究下一代半導(dǎo)體。這一機(jī)構(gòu)就是“尖端半導(dǎo)體技術(shù)中心”（LSTC）。LSTC是開(kāi)發(fā)下一代半導(dǎo)體量產(chǎn)技術(shù)的研發(fā)基地，將與美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)中心等海外相關(guān)機(jī)構(gòu)合作，建立面向日本及海外的開(kāi)放式研發(fā)平臺(tái)，布局2納米甚至更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)的技術(shù)開(kāi)發(fā)項(xiàng)目。去年11月，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布，將在21世紀(jì)20年代后半期建設(shè)新一代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)及制造基地，除了介紹LSTC的概況，還提到Rapidus被選為研發(fā)項(xiàng)目，以建立未來(lái)的半導(dǎo)體制造基地。

日本也正在尋求提升其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)供應(yīng)鏈中的地位。據(jù)彭博社今年4月報(bào)道，日本2024年將斥資70億美元購(gòu)買(mǎi)芯片設(shè)備，增幅高達(dá)82%。5月7日，岸田文雄訪問(wèn)韓國(guó)，與韓國(guó)總統(tǒng)尹錫悅會(huì)談，確認(rèn)將為構(gòu)建半導(dǎo)體供應(yīng)鏈而加強(qiáng)合作。上周，英國(guó)與日本在日本廣島承諾建立半導(dǎo)體合作伙伴關(guān)系，由英國(guó)科學(xué)、創(chuàng)新和技術(shù)部與日本經(jīng)濟(jì)、貿(mào)易和工業(yè)部牽頭，旨在為兩國(guó)提供新的研發(fā)合作、技術(shù)交流，并提高半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的彈性。

一方面是巨額采購(gòu)、加強(qiáng)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈國(guó)際合作，另一方面是限制制造芯片所需的關(guān)鍵設(shè)備出口。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省5月23日公布將尖端半導(dǎo)體制造設(shè)備等23個(gè)品類列入出口管理限制對(duì)象名單，預(yù)計(jì)7月23日施行。23個(gè)品類包括極紫外（EUV）相關(guān)產(chǎn)品的制造設(shè)備，以及可立體堆疊存儲(chǔ)元件的蝕刻設(shè)備等。中國(guó)商務(wù)部新聞發(fā)言人對(duì)此回應(yīng)，日方公布的措施將嚴(yán)重?fù)p害中日兩國(guó)企業(yè)利益，嚴(yán)重?fù)p害中日經(jīng)貿(mào)合作關(guān)系，破壞全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局，沖擊產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全和穩(wěn)定。日方應(yīng)從維護(hù)國(guó)際經(jīng)貿(mào)規(guī)則及中日經(jīng)貿(mào)合作出發(fā)，立即糾正錯(cuò)誤做法，避免有關(guān)舉措阻礙兩國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)正常合作和發(fā)展，切實(shí)維護(hù)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定。