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·日本半導體曾經歷“失去的10年”。20世紀70年代，日本半導體產業(yè)由國家主導，上世紀80年代后半期日本企業(yè)占據50％的世界份額。但由于日美貿易摩擦導致出口受限等原因，日本企業(yè)盈利能力下降，韓國和中國臺灣企業(yè)的實力迅速提升。同時，失去了開發(fā)和量產尖端產品不可缺少的投資余力后，日本未能跟上2010年代白熱化的電路線寬微細化投資競爭，出現(xiàn)了近10年的技術空白。·日本正尋求振興國內半導體產業(yè)，公布半導體振興三步走戰(zhàn)略，提升在全球半導體市場供應鏈中的地位，拉攏海外企業(yè)在日投資，組建本土新公司2027年量產2納米芯片，成立尖端半導體技術中心開發(fā)下一代半導體量產技術。
日本半導體從占據全球50％的市場份額跌至一成左右。上世紀80年代后半期，日本半導體企業(yè)占據全球50％的市場份額。但經歷了一段“10年技術空白”，日本半導體地位下降，近年來全球市場份額跌至一成左右。如今，日本正尋求振興國內半導體產業(yè)，提升在全球半導體市場供應鏈中的地位，拉攏海外企業(yè)在日投資，組建本土新公司2027年量產2納米芯片，成立尖端半導體技術中心開發(fā)下一代半導體量產技術。但是，日本一方面計劃斥巨資采購芯片設備、加強半導體供應鏈國際合作，另一方面卻限制制造芯片所需的關鍵設備出口。拉攏海外投資，組建本土新公司2027年量產2納米芯片5月18日，日本首相岸田文雄會見了7家半導體企業(yè)高管，呼吁擴大對日投資。目前美歐韓半導體企業(yè)正加大在日本的半導體投資。美國美光科技將在今后數(shù)年內對日最多投資5000億日元（約合人民幣253億元），包括在日本廣島工廠引進生產最尖端半導體存儲芯片的設備等。美國應用材料未來數(shù)年將在日本招聘800名工程師，將人員增至目前的1.6倍。英特爾表示將加強與日本材料廠商和半導體制造設備廠商的合作。韓國三星電子將投資超300億日元（約合人民幣15億元），在神奈川縣成立新的半導體研發(fā)基地。被稱為世界級半導體研究開發(fā)機構的比利時微電子研究中心（IMEC）計劃在北海道設立研究基地，以支援日本芯片初創(chuàng)企業(yè)Rapidus。“Rapidus”在拉丁語里意為“迅速”，成立于2022年8月的Rapidus被視為日本半導體振興的“最后機會”。豐田、索尼、NTT（日本電報電話公司）等8家企業(yè)出資，力爭量產2納米邏輯（運算用）半導體，計劃用于人工智能、自動駕駛、超級計算機等。Rapidus在北海道千歲市興建工廠，其社長小池淳義表示，預計2027年啟動量產，到2030年代銷售額將達1萬億日元（約合人民幣506億元）規(guī)模。建設2納米半導體試產線需2萬億日元，建立量產線進一步需要3萬億日元，日本經濟產業(yè)省將累計向Rapidus援助3300億日元（約合人民幣167億元）。目前日本邏輯半導體的工廠停留在40納米左右的水平。小池淳義說，日本在尖端邏輯芯片領域落后10年-20年，挽回劣勢并非易事，合作伙伴成為填補空白的關鍵。日本半導體曾經歷“失去的10年”。據“日經中文網”報道，20世紀70年代，日本半導體產業(yè)由國家主導，上世紀80年代后半期，日本企業(yè)占據了50％的世界份額，日本產品曾席卷全球市場。但由于日美貿易摩擦導致出口受限等原因，日本企業(yè)盈利能力下降，韓國和中國臺灣企業(yè)的實力迅速提升，同時日本也失去了開發(fā)和量產尖端產品不可缺少的投資余力。由于未能跟上2010年代白熱化的電路線寬微細化投資競爭，日本出現(xiàn)了近10年的技術空白。三星和臺積電在經濟不景氣時期也堅持進行巨額投資，甩開了日本制造廠商等競爭對手，建立了高收益商業(yè)模式。據日本共同網報道，日本半導體地位下降后，近年來全球市場份額跌至一成左右。但由于日本在半導體制造設備和材料方面有優(yōu)勢，政府希望通過與海外廠商合作，搞活日本半導體產業(yè)。日本政府還吸引海外廠商赴日，除韓國三星電子等公司，“日經中文網”報道稱，臺積電正在熊本縣建設工廠，還計劃建設第二工廠。另據日本共同網報道，迄今日本已決定為臺積電在熊本縣建設的工廠提供最多4760億日元（約合人民幣241億元）補貼。半導體振興三步走，成立尖端半導體技術中心到2030年，日本計劃使半導體相關產品銷售額達到15萬億日元，增至目前（5萬億日元）的三倍。為振興半導體產業(yè)，提升尖端半導體技術能力，日本已陸續(xù)推出一系列舉措。根據日本經濟產業(yè)省發(fā)布的日本半導體振興戰(zhàn)略，第一步是提高物聯(lián)網基礎生產能力，到2030年，工業(yè)設備、個人計算機、智能手機、數(shù)據中心、汽車等市場規(guī)模達到1萬億美元；第二步是通過美日合作實現(xiàn)下一代半導體技術；第三步是通過全球合作，研發(fā)光電融合技術、量子計算等未來技術。2021年6月，日本經濟產業(yè)省發(fā)布了“半導體和數(shù)字產業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略”，與國際先進制造商共同研發(fā)尖端半導體技術，確保尖端半導體的研發(fā)和生產能力，研發(fā)一批創(chuàng)新材料，如SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等。去年5月，日美工商伙伴關系（JUCIP）首次部長級會議達成了《半導體合作基本原則》?；谠搮f(xié)議，日本經濟產業(yè)省去年7月決定成立一個新的研發(fā)機構，兩國共同研究下一代半導體。這一機構就是“尖端半導體技術中心”（LSTC）。LSTC是開發(fā)下一代半導體量產技術的研發(fā)基地，將與美國國家半導體技術中心等海外相關機構合作，建立面向日本及海外的開放式研發(fā)平臺，布局2納米甚至更先進的工藝節(jié)點的技術開發(fā)項目。去年11月，日本經濟產業(yè)省宣布，將在21世紀20年代后半期建設新一代半導體設計及制造基地，除了介紹LSTC的概況，還提到Rapidus被選為研發(fā)項目，以建立未來的半導體制造基地。日本也正在尋求提升其在全球半導體市場供應鏈中的地位。據彭博社今年4月報道，日本2024年將斥資70億美元購買芯片設備，增幅高達82%。5月7日，岸田文雄訪問韓國，與韓國總統(tǒng)尹錫悅會談，確認將為構建半導體供應鏈而加強合作。上周，英國與日本在日本廣島承諾建立半導體合作伙伴關系，由英國科學、創(chuàng)新和技術部與日本經濟、貿易和工業(yè)部牽頭，旨在為兩國提供新的研發(fā)合作、技術交流，并提高半導體供應鏈的彈性。一方面是巨額采購、加強半導體供應鏈國際合作，另一方面是限制制造芯片所需的關鍵設備出口。日本經濟產業(yè)省5月23日公布將尖端半導體制造設備等23個品類列入出口管理限制對象名單，預計7月23日施行。23個品類包括極紫外（EUV）相關產品的制造設備，以及可立體堆疊存儲元件的蝕刻設備等。中國商務部新聞發(fā)言人對此回應，日方公布的措施將嚴重損害中日兩國企業(yè)利益，嚴重損害中日經貿合作關系，破壞全球半導體產業(yè)格局，沖擊產業(yè)鏈供應鏈安全和穩(wěn)定。日方應從維護國際經貿規(guī)則及中日經貿合作出發(fā)，立即糾正錯誤做法，避免有關舉措阻礙兩國半導體行業(yè)正常合作和發(fā)展，切實維護全球半導體產業(yè)鏈供應鏈穩(wěn)定。
日本半導體從占據全球50％的市場份額跌至一成左右。上世紀80年代后半期，日本半導體企業(yè)占據全球50％的市場份額。但經歷了一段“10年技術空白”，日本半導體地位下降，近年來全球市場份額跌至一成左右。如今，日本正尋求振興國內半導體產業(yè)，提升在全球半導體市場供應鏈中的地位，拉攏海外企業(yè)在日投資，組建本土新公司2027年量產2納米芯片，成立尖端半導體技術中心開發(fā)下一代半導體量產技術。但是，日本一方面計劃斥巨資采購芯片設備、加強半導體供應鏈國際合作，另一方面卻限制制造芯片所需的關鍵設備出口。拉攏海外投資，組建本土新公司2027年量產2納米芯片5月18日，日本首相岸田文雄會見了7家半導體企業(yè)高管，呼吁擴大對日投資。目前美歐韓半導體企業(yè)正加大在日本的半導體投資。美國美光科技將在今后數(shù)年內對日最多投資5000億日元（約合人民幣253億元），包括在日本廣島工廠引進生產最尖端半導體存儲芯片的設備等。美國應用材料未來數(shù)年將在日本招聘800名工程師，將人員增至目前的1.6倍。英特爾表示將加強與日本材料廠商和半導體制造設備廠商的合作。韓國三星電子將投資超300億日元（約合人民幣15億元），在神奈川縣成立新的半導體研發(fā)基地。被稱為世界級半導體研究開發(fā)機構的比利時微電子研究中心（IMEC）計劃在北海道設立研究基地，以支援日本芯片初創(chuàng)企業(yè)Rapidus。“Rapidus”在拉丁語里意為“迅速”，成立于2022年8月的Rapidus被視為日本半導體振興的“最后機會”。豐田、索尼、NTT（日本電報電話公司）等8家企業(yè)出資，力爭量產2納米邏輯（運算用）半導體，計劃用于人工智能、自動駕駛、超級計算機等。Rapidus在北海道千歲市興建工廠，其社長小池淳義表示，預計2027年啟動量產，到2030年代銷售額將達1萬億日元（約合人民幣506億元）規(guī)模。建設2納米半導體試產線需2萬億日元，建立量產線進一步需要3萬億日元，日本經濟產業(yè)省將累計向Rapidus援助3300億日元（約合人民幣167億元）。目前日本邏輯半導體的工廠停留在40納米左右的水平。小池淳義說，日本在尖端邏輯芯片領域落后10年-20年，挽回劣勢并非易事，合作伙伴成為填補空白的關鍵。日本半導體曾經歷“失去的10年”。據“日經中文網”報道，20世紀70年代，日本半導體產業(yè)由國家主導，上世紀80年代后半期，日本企業(yè)占據了50％的世界份額，日本產品曾席卷全球市場。但由于日美貿易摩擦導致出口受限等原因，日本企業(yè)盈利能力下降，韓國和中國臺灣企業(yè)的實力迅速提升，同時日本也失去了開發(fā)和量產尖端產品不可缺少的投資余力。由于未能跟上2010年代白熱化的電路線寬微細化投資競爭，日本出現(xiàn)了近10年的技術空白。三星和臺積電在經濟不景氣時期也堅持進行巨額投資，甩開了日本制造廠商等競爭對手，建立了高收益商業(yè)模式。據日本共同網報道，日本半導體地位下降后，近年來全球市場份額跌至一成左右。但由于日本在半導體制造設備和材料方面有優(yōu)勢，政府希望通過與海外廠商合作，搞活日本半導體產業(yè)。日本政府還吸引海外廠商赴日，除韓國三星電子等公司，“日經中文網”報道稱，臺積電正在熊本縣建設工廠，還計劃建設第二工廠。另據日本共同網報道，迄今日本已決定為臺積電在熊本縣建設的工廠提供最多4760億日元（約合人民幣241億元）補貼。半導體振興三步走，成立尖端半導體技術中心到2030年，日本計劃使半導體相關產品銷售額達到15萬億日元，增至目前（5萬億日元）的三倍。為振興半導體產業(yè)，提升尖端半導體技術能力，日本已陸續(xù)推出一系列舉措。根據日本經濟產業(yè)省發(fā)布的日本半導體振興戰(zhàn)略，第一步是提高物聯(lián)網基礎生產能力，到2030年，工業(yè)設備、個人計算機、智能手機、數(shù)據中心、汽車等市場規(guī)模達到1萬億美元；第二步是通過美日合作實現(xiàn)下一代半導體技術；第三步是通過全球合作，研發(fā)光電融合技術、量子計算等未來技術。2021年6月，日本經濟產業(yè)省發(fā)布了“半導體和數(shù)字產業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略”，與國際先進制造商共同研發(fā)尖端半導體技術，確保尖端半導體的研發(fā)和生產能力，研發(fā)一批創(chuàng)新材料，如SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等。去年5月，日美工商伙伴關系（JUCIP）首次部長級會議達成了《半導體合作基本原則》?；谠搮f(xié)議，日本經濟產業(yè)省去年7月決定成立一個新的研發(fā)機構，兩國共同研究下一代半導體。這一機構就是“尖端半導體技術中心”（LSTC）。LSTC是開發(fā)下一代半導體量產技術的研發(fā)基地，將與美國國家半導體技術中心等海外相關機構合作，建立面向日本及海外的開放式研發(fā)平臺，布局2納米甚至更先進的工藝節(jié)點的技術開發(fā)項目。去年11月，日本經濟產業(yè)省宣布，將在21世紀20年代后半期建設新一代半導體設計及制造基地，除了介紹LSTC的概況，還提到Rapidus被選為研發(fā)項目，以建立未來的半導體制造基地。日本也正在尋求提升其在全球半導體市場供應鏈中的地位。據彭博社今年4月報道，日本2024年將斥資70億美元購買芯片設備，增幅高達82%。5月7日，岸田文雄訪問韓國，與韓國總統(tǒng)尹錫悅會談，確認將為構建半導體供應鏈而加強合作。上周，英國與日本在日本廣島承諾建立半導體合作伙伴關系，由英國科學、創(chuàng)新和技術部與日本經濟、貿易和工業(yè)部牽頭，旨在為兩國提供新的研發(fā)合作、技術交流，并提高半導體供應鏈的彈性。一方面是巨額采購、加強半導體供應鏈國際合作，另一方面是限制制造芯片所需的關鍵設備出口。日本經濟產業(yè)省5月23日公布將尖端半導體制造設備等23個品類列入出口管理限制對象名單，預計7月23日施行。23個品類包括極紫外（EUV）相關產品的制造設備，以及可立體堆疊存儲元件的蝕刻設備等。中國商務部新聞發(fā)言人對此回應，日方公布的措施將嚴重損害中日兩國企業(yè)利益，嚴重損害中日經貿合作關系，破壞全球半導體產業(yè)格局，沖擊產業(yè)鏈供應鏈安全和穩(wěn)定。日方應從維護國際經貿規(guī)則及中日經貿合作出發(fā)，立即糾正錯誤做法，避免有關舉措阻礙兩國半導體行業(yè)正常合作和發(fā)展，切實維護全球半導體產業(yè)鏈供應鏈穩(wěn)定。
