據(jù)新華社消息，5月23日，日本政府正式出臺一項半導(dǎo)體制造設(shè)備出口管制措施，將于7月23日起實施。包括光刻、刻蝕、熱處理、清洗、檢測等6大類23種半導(dǎo)體制造設(shè)備（或物項），主要針對高端半導(dǎo)體制造設(shè)備，在清單內(nèi)的受管制物品在向中國大陸、俄羅斯等地區(qū)出口時，需要獲得日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的許可證。5月25日，商務(wù)部新聞發(fā)言人表示，日方應(yīng)從維護國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則及中日經(jīng)貿(mào)合作出發(fā)，立即糾正錯誤做法，避免有關(guān)舉措阻礙兩國半導(dǎo)體行業(yè)正常合作和發(fā)展，切實維護全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈穩(wěn)定。中方將保留采取措施的權(quán)利，堅決維護自身合法權(quán)益。

很多國人都比較關(guān)心日方這次的半導(dǎo)體設(shè)備材料限制政策對中國大陸影響有多大？我們應(yīng)該如何應(yīng)對？

這里，我無法表態(tài)或定性發(fā)言，就讓我們一起通過公開資料和事例來透視一下這個問題，您自己得出結(jié)論吧！

半導(dǎo)體制造設(shè)備可以形容為是窮盡人類物理知識極限開發(fā)的幾十種精密加工設(shè)備總稱。在這個領(lǐng)域，我們國家這么多年來一直是在封鎖和限制中艱難發(fā)展著，并不是說一片空白，毫無基礎(chǔ)。應(yīng)該看到，半導(dǎo)體加工設(shè)備的基本物理原理都是已知的，很多都在其他領(lǐng)域得到過長期應(yīng)用驗證（比如，金屬加工領(lǐng)域的真空等離子噴鍍工藝和半導(dǎo)體領(lǐng)域的離子注入工藝）。我們國家由于半導(dǎo)體工業(yè)起步晚，發(fā)展環(huán)境一直受發(fā)達國家抑制，因此早期半導(dǎo)體制造設(shè)備行業(yè)舉步維艱。進入21世紀以后，隨著我國產(chǎn)業(yè)水平的進步，政府對高科技投入的重視，截止到目前，我國在太陽能面板、顯示器件、光電子器件、新能源、集成電路封裝等領(lǐng)域都取得了突破，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備已能夠掌握主動，不懼技術(shù)封鎖。

這次日本限制出口我國的設(shè)備和物項屬于芯片制造領(lǐng)域的前端制程工藝，尤其限制的是14納米以上先進制程。我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)總體還比較弱小，產(chǎn)品品種不夠豐富，直接面對國際壟斷巨頭競爭，可以說是夾縫中生存，在此情況下，美、日等國不斷加強設(shè)備技術(shù)限制措施，給我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)帶來的機遇卻遠大于挑戰(zhàn)。例如盛美半導(dǎo)體董事長王暉就認為“國際政治摩擦，造就了中國半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)迎來黃金期，現(xiàn)在的現(xiàn)象是客戶去推著國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商向前，這也預(yù)示著中國半導(dǎo)體設(shè)備在未來幾年又迎來一個更高速發(fā)展的機會?！?/p>現(xiàn)在的中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)，可以說是具備了資金追捧、市場推動、企業(yè)家精神、政策鼓勵等等一系列有利條件，未來前景光明可期。

那么我們在戰(zhàn)略上可以藐視對手的同時，也要在戰(zhàn)術(shù)上高度重視對手。具體到日本限制的領(lǐng)域，國產(chǎn)設(shè)備能否勇挑重擔(dān)呢？

這是日本出口限制的23類設(shè)備清單，包括：

3項清洗設(shè)備

11項薄膜沉積設(shè)備

1項熱處理設(shè)備、

4項光刻/曝光設(shè)備、

3項刻蝕設(shè)備、

1項測試設(shè)備

從中我們可以發(fā)現(xiàn)，除了光刻設(shè)備以外，日本限制最多的是沉積和刻蝕設(shè)備。原因是中國在存儲芯片領(lǐng)域已經(jīng)追上國際主流水平，具備了一定國際競爭力，正處于規(guī)模迅速擴張階段，需要進口大量設(shè)備，這個時候日本出臺限制措施顯然是深入研究了中國半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀，目標之一就是要限制“極高深寬比刻蝕機”和“原子層沉積設(shè)備”，從而阻止像長鑫存儲、長江存儲等中國廠商進一步擴產(chǎn)搶占市場份額。

在芯片制造過程中，光刻——刻蝕——沉積——離子注入是最核心的加工手段。拿當(dāng)前最主流存儲芯片產(chǎn)品——動態(tài)隨機存儲器DRAM和非易失存儲器NAND FLASH來說，隨著容量不斷增大，存儲器里的元器件單元越來越小，器件開始主要向3D方向發(fā)展，例如長江存儲已經(jīng)向市場推出了232層存儲單元的NAND FLASH芯片，層數(shù)越來越多，就對沉積工藝提出了很高要求。所謂沉積，就是在一個襯底材料上涂覆一層薄膜材料，元器件層數(shù)越多，用到沉積工序就越頻繁?，F(xiàn)在沉積層數(shù)這么高的情況下，用以往的PVD、CVD沉積工藝已經(jīng)不夠了，因為他們沉積的薄膜厚度不均勻，當(dāng)層數(shù)多了以后就會產(chǎn)生很大形變偏差，這時就要用到原子層沉積ALD技術(shù)。如下圖所示

物理沉積 化學(xué)沉積 原子層沉積

大家可以對比紅色部分的差別，這里我們不做深入解釋，您只要知道原子層沉積技術(shù)憑借其獨特的表面沉積原理、亞納米膜厚的精確控制，以及適合復(fù)雜三維高深寬比表面沉積等特點，成為先進芯片加工領(lǐng)域的必備神器。

我國在沉積設(shè)備領(lǐng)域已經(jīng)有了不錯的基礎(chǔ)，像江蘇微導(dǎo)納米技術(shù)公司的28納米節(jié)點原子層沉積設(shè)備（ALD）據(jù)報道已量產(chǎn)。拓荊科技、北方華創(chuàng)等公司的物理化學(xué)沉積設(shè)備占據(jù)了一定市場份額，也都正在開發(fā)原子層沉積設(shè)備。因此，只要市場推動力足夠，稍加時日，我國在沉積設(shè)備領(lǐng)域?qū)[脫對外依賴局面。

再來談?wù)劇皹O高深寬比刻蝕機”。據(jù)5月31日消息，北方華創(chuàng)公司已經(jīng)宣布用于存儲器件制造的高深寬比刻蝕機已完成研發(fā)，進入工藝測試階段，各項技術(shù)指標已基本滿足客戶要求。上海中微公司是國際領(lǐng)先的刻蝕機廠商之一，據(jù)4月2日消息，該公司已經(jīng)完成60:1深寬比刻蝕機樣機的制造并已推進客戶驗證，正在研究90:1深寬比技術(shù)。國際上最好水平是美國泛林集團的100:1深寬比和東京電子的70:1深寬比產(chǎn)品。

上圖中褐色和藍色部分為高深寬比刻蝕結(jié)構(gòu)示意，在存儲器件中，極高深寬比刻蝕是最為關(guān)鍵和困難的工藝挑戰(zhàn)

從上面這些公開報道可以看出，國產(chǎn)設(shè)備廠商的相關(guān)產(chǎn)品已經(jīng)處于客戶驗證階段，快則半年、慢則一年便有結(jié)果，大體能夠趕上國內(nèi)存儲芯片廠的擴產(chǎn)步伐，實現(xiàn)自主可控。

半導(dǎo)體加工設(shè)備有好幾十種，受篇幅限制，我只能選擇比較關(guān)鍵的兩項進行分析?？傊毡具@次配合美國要求，對華限制23類半導(dǎo)體設(shè)備物項，恐怕只能稍稍減緩中方企業(yè)擴產(chǎn)速度，但會讓我國芯片制造企業(yè)產(chǎn)生強烈的“供應(yīng)鏈不可靠危機”意識，從而加大對國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的傾斜扶持，假以時日，中國半導(dǎo)體設(shè)備廠商將會依靠龐大的國內(nèi)市場支撐，成為日本相關(guān)企業(yè)的有力競爭對手。同時應(yīng)當(dāng)看到，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈非常長，如果美、日等國硬要搞脫鉤斷鏈，會造成產(chǎn)業(yè)分裂，催生不同的產(chǎn)業(yè)陣營，不利于半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展和效率提升。當(dāng)然，我國企業(yè)在科技創(chuàng)新上仍要奮發(fā)有為，爭取在關(guān)鍵設(shè)備、材料領(lǐng)域有自己的“殺手锏”，從而形成科技對抗能力，到那時，對手才真的不敢輕舉妄動了。您還有什么看法，歡迎在評論區(qū)發(fā)表出來共享。