失效分析 趙工 半導(dǎo)體工程師 2023-07-24 11:54 發(fā)表于北京

功率半導(dǎo)體，又稱(chēng)電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類(lèi)器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開(kāi)關(guān)、線(xiàn)路保護(hù)、逆變（直流轉(zhuǎn)交流）和整流（交流轉(zhuǎn)直流）等作用。

國(guó)產(chǎn)晶圓劃片機(jī)---博捷芯

功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。

據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，功率半導(dǎo)體分立器件中，以 MOSFET 和 IGBT 為代表的晶體管占比最大，約 28.8%。

從目前市場(chǎng)需求來(lái)看，硅基 MOSFET、硅基 IGBT 以及碳化硅為目前功率半導(dǎo)體分立器件的主力產(chǎn)品。本文也將重點(diǎn)圍繞硅基 MOSFET、IGBT 和碳化硅等功率分立器件（含模塊）展開(kāi)分析和研究。

?MOSFET，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單和輻射強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。MOSFET 按照不同的工藝可分為平面型Planar MOSFET、溝槽型 Trench MOSFET、屏蔽柵 SGT MOSFET 和超級(jí)結(jié)SJMOSFET。按照導(dǎo)電溝道可分為 N 溝道和 P 溝道，即 N-MOSFET 和 PMOSFET。按照柵極電壓幅值可分為耗盡型和增強(qiáng)型。

隨著 MOSFET 技術(shù)和工藝不斷成熟，成本將不斷下調(diào)。中高端產(chǎn)品也將逐漸向中低端產(chǎn)品下沉。比如 Trench MOSFET 將從中端下沉至中低端，替代部分平面MOSFET 的低端市場(chǎng)。SGT MOSFET 將部分替代 Trench MOSFET 的低壓應(yīng)用市場(chǎng)，從中高端下沉至中端。

SGT MOSFET、SJ MOSFET 和碳化硅 MOSFET 或是 MOSFET 未來(lái)三大主力產(chǎn)品。自上世紀(jì)70年代 MOSFET 誕生以來(lái)，從平面 MOSFET 發(fā)展到 Trench MOSFET，再到 SGT MOSFET 和 SJ MOSFET，再到當(dāng)下火熱的第三代寬禁帶MOSFET（碳化硅、氮化鎵），功率 MOSFET 的技術(shù)迭代方向主要圍繞制程、設(shè)計(jì)（結(jié)構(gòu)上變化）、工藝優(yōu)化以及材料變更，以實(shí)現(xiàn)器件的高性能——高頻率、高功率和低損耗等。

? IGBT 俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”，是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，?BJT 和 MOSFET 組合而成，是一種全控型、電壓驅(qū)動(dòng)的功率半導(dǎo)體器件。IGBT 沒(méi)有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線(xiàn)，斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。IGBT 同時(shí)具有 BJT和 MOSFET 的優(yōu)點(diǎn)，即高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低等，IGBT 與 BJT 或 MOS 管相比，其優(yōu)勢(shì)是它提供了一個(gè)比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的MOS 管輸入損耗。因此廣泛應(yīng)用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路和牽引傳動(dòng)等場(chǎng)景。

IGBT 相比 MOSFET，可在更高電壓下持續(xù)工作，同時(shí)需要兼顧高功率密度、低損耗、高可靠性、散熱好、低成本等因素。一顆高性能、高可靠性與低成本的IGBT芯片，不僅僅需要在設(shè)計(jì)端不斷優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，對(duì)晶圓制造和封裝也提高了更高的要求。

中國(guó)功率半導(dǎo)體發(fā)展現(xiàn)狀

產(chǎn)品由低端逐步走向中高端，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于起步階段，總體呈現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈完整、廠家多、發(fā)展迅速等特點(diǎn)。截止 2022 年 4 月，中國(guó)功率半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)已超 320 家。主要分布在廣東（130 家）和江蘇（56 家）等東南沿海地區(qū)。

國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用，特別是低端產(chǎn)品，如二極管、三極管、晶閘管、低壓 MOSFET（非車(chē)規(guī)）等，已初現(xiàn)“規(guī)?；?yīng)、國(guó)產(chǎn)化率相對(duì)較高”等特點(diǎn)。在中高端領(lǐng)域，如 SJ MOSFET、IGBT、碳化硅等，特別是車(chē)規(guī)產(chǎn)品，由于起步晚、工藝相對(duì)復(fù)雜以及缺乏車(chē)規(guī)驗(yàn)證機(jī)會(huì)等問(wèn)題，國(guó)內(nèi)廠家依然在追隨海外廠家技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)。但近年來(lái)，市場(chǎng)逐漸從依賴(lài)進(jìn)口向國(guó)內(nèi)自給自足轉(zhuǎn)變，國(guó)產(chǎn)替代潛力大。

芯片進(jìn)口金額持續(xù)處于高位，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)空間足夠大。據(jù)中國(guó)海關(guān)總署數(shù)據(jù)，2021年，中國(guó)進(jìn)口集成電路 6354.8 億個(gè)，同比增長(zhǎng) 16.92%。全年進(jìn)口金額累計(jì)為4325.54 億美元，同比增漲 23.59%。中國(guó)為功率半導(dǎo)體消費(fèi)大國(guó)，2021 年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約為183億美元，同比增長(zhǎng) 6.4%，預(yù)計(jì) 2022 年將進(jìn)一步增長(zhǎng)至 191億美元。

國(guó)家和地方政策支持，加速?lài)?guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。受益于國(guó)家和地方政府的鼓勵(lì)政策，國(guó)內(nèi)電動(dòng)汽車(chē)與充電樁、光伏與儲(chǔ)能等領(lǐng)域需求增長(zhǎng)，功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)格局有望被重塑——國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程有望加速。

圖表 8：截止 2022 年 3 月，國(guó)家層面有關(guān)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的部分重點(diǎn)政策規(guī)劃

功率半導(dǎo)體前景廣闊，

汽車(chē)、充電樁和光伏多輪驅(qū)動(dòng)

功率半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，幾乎涵蓋了所有電子產(chǎn)業(yè)鏈。以 MOSFET、IGBT以及SiC MOSFET 為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同，廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、充電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、消費(fèi)電子、軌道交通、工業(yè)電機(jī)、儲(chǔ)能、航空航天和軍工等眾多領(lǐng)域。

Yole 數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，至 2025 年，全球功率半導(dǎo)體分立器件和模塊的市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到 76 億美元和 113 億美元。據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，2023 年中國(guó)大陸地區(qū)IGBT 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到 290.8 億元，同比增長(zhǎng) 11.6%。據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體器件行業(yè)現(xiàn)狀深度分析與未來(lái)投資預(yù)測(cè)報(bào)告數(shù)據(jù)，2023 年中國(guó)大陸地區(qū) MOSFET 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 396.2 億元（56.6 億美元，人民幣兌美元匯率按照 7 計(jì)算），同比增長(zhǎng) 4.8%。

圖表 10：中國(guó)市場(chǎng) IGBT 和 MOSFET 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)（億元，2020-2023E）

以 MOSFET 為例，據(jù) Yole 預(yù)測(cè)，到 2026 年，全球 MOSFET（包括分立器件和模塊）市場(chǎng)總規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到 94.8 億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 3.8%（2020 年至 2026

年）。

MOSFET 汽車(chē)應(yīng)用（電動(dòng)汽車(chē)和汽車(chē)充電樁占比居首位，高達(dá)33%，其中電動(dòng)汽車(chē)和充電樁分別占比 25%和 8%。從耐壓范圍看，到 2026 年，低壓 MOSFET（0-40V）占總需求的 39%，中壓（41V-400V）占 26%，高壓（大于等于 600V）廣泛應(yīng)用在 220V 系統(tǒng)中，占總需求的 35%。同時(shí)，SiC MOSFET 和 GaN MOSFET市場(chǎng)滲透率在逐步提高。

2020 年以來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)、汽車(chē)充電樁和光伏逆變器可謂拉動(dòng)功率半導(dǎo)體增長(zhǎng)的三駕馬車(chē)。

? 電動(dòng)汽車(chē)：電動(dòng)汽車(chē)進(jìn)一步滲透終端消費(fèi)市場(chǎng)，帶動(dòng)功率器件和模塊需求快速增長(zhǎng)。特別是 MOSFET 和 IGBT（包括單管及模組）的增長(zhǎng)較為顯著。據(jù)貝殼投研數(shù)據(jù)，2021年中國(guó)車(chē)規(guī)級(jí)IGBT 市場(chǎng)規(guī)模為 47.8 億元，預(yù)計(jì)到 2025 年，其將達(dá)到 151.6 億元。據(jù)芯謀研究數(shù)據(jù)，2021 年和 2025 年中國(guó)車(chē)規(guī) MOSFET 的市場(chǎng)規(guī)模分別為 73.5 億元（10.5 億美元，匯率按7計(jì)算）和 122.5 億元（預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，17.5 億美元，匯率按7計(jì)算）。

圖表 12：中國(guó)車(chē)規(guī)級(jí) IGBT 市場(chǎng)規(guī)模及增速

圖表 13：中國(guó)車(chē)規(guī)級(jí) MOSFET 市場(chǎng)規(guī)模及增速

? 充電樁：受益于新能源汽車(chē)快速增長(zhǎng)，與之配套的充電樁市場(chǎng)亦呈現(xiàn)快速發(fā)展態(tài)勢(shì)。據(jù)億渡數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，至 2026 年，中國(guó)充電設(shè)施市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 2870.2億元，2022 年到 2026 年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá) 37.83%。從直流充電樁相關(guān)零部件分解可以看出，充電機(jī)是充電樁的最核心部件，成本占充電樁的 50%以上，而功率半導(dǎo)體是充電機(jī)的最核心組成部分，成本占充電機(jī)的一半以上。

? 光伏：據(jù)中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，至 2025 年，中國(guó)新增光伏裝機(jī)保守預(yù)測(cè)為90GW，同比增長(zhǎng)10%。據(jù)未來(lái)智庫(kù)數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2025 年中國(guó)光伏逆變器市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 196 億元。

逆變器是光伏系統(tǒng)的心臟，中高壓 MOSFET、IGBT 及碳化硅等功率器件是光伏逆變器的核心，其決定著光伏逆變器的性能高低，進(jìn)而直接影響光伏系統(tǒng)的穩(wěn)定性、發(fā)電效率以及使用壽命。據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，光伏逆變器主要由機(jī)械件、電感和半導(dǎo)體器件構(gòu)成，分別占比 27.6%、14.2%、11.8%。

表 16：中國(guó)新增光伏裝機(jī)預(yù)測(cè)（GW）

圖表 17：光伏逆變器成本分解

綜上，在電動(dòng)汽車(chē)、充電樁以及光伏逆變器等多輪驅(qū)動(dòng)下，功率器件有望穩(wěn)健增長(zhǎng)，為千億賽道奠定堅(jiān)實(shí)路基。

2. 汽車(chē)電動(dòng)化大勢(shì)所趨，功率半導(dǎo)體深度受益

汽車(chē)的百年史里，數(shù)次技術(shù)變革都極大的推動(dòng)了汽車(chē)消費(fèi)和汽車(chē)工業(yè)的發(fā)展，如發(fā)動(dòng)機(jī)控制、自動(dòng)變速、底盤(pán)、主被動(dòng)安全、通信及多媒體影音等技術(shù)。雖然這些技術(shù)給汽車(chē)的駕駛感受和舒適性都帶來(lái)了提升，但汽車(chē)能源供給方式、駕駛方式以及驅(qū)動(dòng)方式都沒(méi)有發(fā)生變化。

如今，傳統(tǒng)燃油車(chē)動(dòng)力和傳動(dòng)系統(tǒng)將被電動(dòng)車(chē)的大、小三電系統(tǒng)取代。自動(dòng)駕駛、線(xiàn)控底盤(pán)、網(wǎng)聯(lián)化和軟件化，車(chē)、路和云端協(xié)同等賦予了汽車(chē)新的定義和生命力。汽車(chē)已不再單單是一個(gè)載客的交通工具，而是被定義為一個(gè)智能科技終端、可以在其中工作和休閑的第三移動(dòng)空間。

2.1 電動(dòng)汽車(chē)加速滲透，IGBT、MOSFET 最先受益

電動(dòng)汽車(chē)作為新能源汽車(chē)的最重要載體和代表，是承載先進(jìn)汽車(chē)科技的代名詞，也逐漸成為消費(fèi)者選擇的主流。而中國(guó)已成為引領(lǐng)全球電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)發(fā)展的最大的新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)市場(chǎng)。2016 年中國(guó)電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)滲透率僅有 1%。而在疫情等外界因素影響之下，2022 年前三季度中國(guó)電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)滲透率已經(jīng)達(dá)到 24%，實(shí)現(xiàn)了飛躍式增長(zhǎng)。

2022 年 1-9 月份，全球新能源汽車(chē)銷(xiāo)量再創(chuàng)新高，達(dá) 726 萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng) 67.56%。其中歐洲銷(xiāo)售 166 萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng) 6.68%；美國(guó)銷(xiāo)量快速提升，達(dá) 72 萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng)59.67%；中國(guó)新能源汽車(chē)銷(xiāo)量繼續(xù)領(lǐng)跑全球，銷(xiāo)量達(dá)到 400 多萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng) 110%。全球新能源汽車(chē)?yán)塾?jì)銷(xiāo)量突破 2500 萬(wàn)輛。

2022 年 1-12 月份，中國(guó)新能源汽車(chē)銷(xiāo)量共計(jì) 688.7 萬(wàn)輛，同比 2021 年增加 1 倍?？梢?jiàn)，即使上半年疫情影響帶來(lái)的供應(yīng)鏈中斷、動(dòng)力電池上游原材料漲價(jià)以及多數(shù)汽車(chē)芯片依然緊缺的形勢(shì)下，新能源汽車(chē)銷(xiāo)售市場(chǎng)熱情不減。如比亞迪增長(zhǎng)最為顯著，全年累計(jì)銷(xiāo)售 186.85 萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng) 152.5%，其中純電車(chē)型銷(xiāo)量突破 91.1 萬(wàn)輛。

車(chē)載功率半導(dǎo)體穩(wěn)健發(fā)展，離不開(kāi)高壓平臺(tái)應(yīng)用的助推。整車(chē)動(dòng)力電池電壓平臺(tái)有望將逐漸從現(xiàn)有的 400V 升級(jí)到 800V系統(tǒng)，以滿(mǎn)足消費(fèi)者對(duì)電動(dòng)汽車(chē)的長(zhǎng)續(xù)航、快速充電等期待，而這將對(duì)功率半導(dǎo)體的性能參數(shù)提出了更高的要求，中高壓功率器件如 SJMOSFET、IGBT和碳化硅 MOSFET將會(huì)在車(chē)端大量應(yīng)用，其單車(chē)價(jià)值量有望繼續(xù)提升。

據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)縱橫數(shù)據(jù)，混動(dòng)和純電動(dòng)汽車(chē)上功率半導(dǎo)體價(jià)值量分別占單車(chē)半導(dǎo)體總價(jià)值的 40%和 55%。據(jù)英飛凌統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，純電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體價(jià)值量預(yù)估在 1000 美元左右，而功率半導(dǎo)體達(dá) 550-600 美元左右。而車(chē)載功率半導(dǎo)體中最具代表的即 IGBT 和MOSFET。

車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體需求強(qiáng)勁，電動(dòng)化與高壓化是兩大重要推動(dòng)力。隨著汽車(chē)電動(dòng)化、高壓化逐步滲透，功率半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車(chē)上單車(chē)價(jià)值量有望進(jìn)一步提高。

? 在傳統(tǒng)燃油車(chē)上，單車(chē)功率半導(dǎo)體價(jià)值量在 71 美元左右。且主要以中、低壓MOSFET 應(yīng)用為主，比如在車(chē)門(mén)、車(chē)窗、座椅調(diào)節(jié)、后視鏡、儀表、影音、HUD、自動(dòng)啟停、雨刷、天窗、轉(zhuǎn)向 ECU、制動(dòng) ECU、安全氣囊、空調(diào)電動(dòng)水泵、座艙儀表燈、前后視大燈驅(qū)動(dòng)等涉及電機(jī)等應(yīng)用場(chǎng)景大量使用。MOSFET 單車(chē)用量超100 顆。比如單個(gè)轉(zhuǎn)向 ECU 中使用數(shù)量達(dá) 8 顆。平均單價(jià) 2-10 元人民幣不等。

? 電動(dòng)汽車(chē)包括純電動(dòng)，插電混動(dòng)，混動(dòng)（中混和強(qiáng)混）等。在此類(lèi)汽車(chē)上，電機(jī)驅(qū)動(dòng)、照明、熱管理、電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)逆變器、DC/DC、升壓器和 OBC（車(chē)載充電器）等產(chǎn)品將依據(jù)各自的工作功率大小，選擇不同的功率半導(dǎo)體器件。高、中、低壓硅基 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 均有廣泛使用。

不同類(lèi)型的功率半導(dǎo)體分立器件和模塊，在汽車(chē)上都能找到應(yīng)用的落腳點(diǎn)。車(chē)載功率半導(dǎo)體種類(lèi)多，在做選型時(shí)，成本和效率是最關(guān)鍵的兩大要素。首先需要考慮需要多大功率，再去匹配多大的電壓和電流，再結(jié)合系統(tǒng)效率和成本最終設(shè)計(jì)出一套最優(yōu)方案。功率半導(dǎo)體分立器件和模塊根據(jù)在車(chē)上不同的系統(tǒng)應(yīng)用，則選用不同規(guī)格的器件。

由此可見(jiàn)，功率半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車(chē)上應(yīng)用場(chǎng)景非常廣泛。不同種類(lèi)，不同規(guī)格的產(chǎn)品都能匹配到不同的系統(tǒng)應(yīng)用。電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量穩(wěn)健增長(zhǎng)，最先獲益的有望是當(dāng)前具代表性的功率半導(dǎo)體——硅基 MOSFET、IGBT 以及碳化硅。

2.2 加快產(chǎn)品開(kāi)發(fā)驗(yàn)證，重塑車(chē)規(guī)競(jìng)爭(zhēng)格局

海外廠家依然是供貨主體，本土企業(yè)份額有望持續(xù)擴(kuò)大。由于車(chē)規(guī)芯片對(duì)可靠性、安全性、試驗(yàn)等要求相對(duì)苛刻，且汽車(chē)行業(yè)供應(yīng)鏈相對(duì)封閉，車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化率一直以來(lái)比較低。歐、美、日等地的廠家憑借多年的技術(shù)積累和先進(jìn)的制造能力等占據(jù)著市場(chǎng)主導(dǎo)地位。

據(jù) Omdia 數(shù)據(jù)，英飛凌和安森美穩(wěn)居全球功率半導(dǎo)體銷(xiāo)售額第一和第二的位置，而其后排名相對(duì)動(dòng)態(tài)。日本在全球功率半導(dǎo)體前十的榜單中占據(jù)五席，實(shí)力非常強(qiáng)勁。安世半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的被列入全球第一梯隊(duì)的功率半導(dǎo)體廠家，2021 年排名第八，相比 2019 年上升一名。

圖表 25：全球前十大功率半導(dǎo)體廠商排名（億元，人民幣與美元匯率按 7 計(jì)算）

? 英飛凌——全球功率半導(dǎo)體龍頭。英飛凌引領(lǐng)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，其功率半導(dǎo)體出貨量占全球總市場(chǎng)近 40%，已經(jīng)連續(xù)多年居首位。國(guó)內(nèi)多數(shù)車(chē)廠都采用英飛凌方案，特別是用于主驅(qū)逆變器里的 IGBT 單管和模塊。同時(shí)也有不少做模塊封裝的廠家從英飛凌采購(gòu)晶圓。

英飛凌在車(chē)載 IGBT 產(chǎn)品上取得的不菲成績(jī)離不開(kāi)其多年持續(xù)的研發(fā)投入、技術(shù)創(chuàng)新、戰(zhàn)略投資和并購(gòu)、與供應(yīng)鏈上下游深度合作以及超前的戰(zhàn)略眼光和對(duì)市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)的精準(zhǔn)預(yù)判。

? 安森美——穩(wěn)坐功率半導(dǎo)體第二把交椅。功率半導(dǎo)體一直占據(jù)安森美總營(yíng)收的半壁江山。汽車(chē)為安森美最大營(yíng)收來(lái)源，2022 年第四季度汽車(chē)收入達(dá) 9.89億美元，占總營(yíng)收的 47.01%，同比增長(zhǎng) 54%，創(chuàng)下新記錄。

圖表 27：安森美財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)

美歐日等國(guó)功率半導(dǎo)體企業(yè)具備技術(shù)、產(chǎn)能、體系、人才和管理等眾多優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)地位依然穩(wěn)固。而中國(guó)作為全球最大功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，近年來(lái)發(fā)展勢(shì)頭良好。截止 2022 年 4 月份，相關(guān)企業(yè)超 300 家，產(chǎn)業(yè)鏈布局完整，其中不乏一些技術(shù)實(shí)力深厚的 IDM、Foundry 和 Fabless 企業(yè)。

以安世半導(dǎo)體、比亞迪半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)、中車(chē)時(shí)代電氣和士蘭微等為代表的功率半導(dǎo)體企業(yè)，在技術(shù)沉淀、車(chē)規(guī)認(rèn)證、制造工藝、試驗(yàn)測(cè)試、技術(shù)支持、體系搭建、上車(chē)批量驗(yàn)證、問(wèn)題解決以及產(chǎn)能提升和人才培養(yǎng)方面都積累了寶貴經(jīng)驗(yàn)。

圖表 29：中國(guó)功率半導(dǎo)體代表企業(yè)銷(xiāo)售額（億元）

在車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體中，MOSFET 和 IGBT 最具代表性。

? 車(chē)規(guī) MOSFET：車(chē)規(guī) MOSFET 不論在燃油車(chē)上還是電動(dòng)車(chē)上，應(yīng)用非常廣泛，且 MOSFET 產(chǎn)品主要被海外企業(yè)壟斷。

自 2020 年以來(lái)，海外頭部供應(yīng)商都相繼面臨產(chǎn)能緊張、漲價(jià)和斷供等問(wèn)題。此時(shí)，對(duì)于一直在等候卻缺乏合適契機(jī)進(jìn)入車(chē)載領(lǐng)域的本土廠商來(lái)說(shuō)，正是切入汽車(chē)供應(yīng)鏈的絕佳時(shí)機(jī)。經(jīng)過(guò)兩年的蓄勢(shì)，國(guó)內(nèi)部分相關(guān)企業(yè)在上車(chē)批量供貨的同時(shí)，同步在加快新的車(chē)規(guī) MOSFET 的研發(fā)和驗(yàn)證。

低壓 MOS——主要以 40V，60V、100V Planar 平面型、Trench 溝槽型和 SGT屏蔽柵 MOSFET 為主。因?yàn)閱诬?chē)用量大、應(yīng)用場(chǎng)景多且復(fù)雜，自 2021 年以來(lái)，市場(chǎng)缺貨嚴(yán)重。

中壓 SGT MOSFET：車(chē)規(guī)級(jí) SGT MOSFET 工作電壓范圍通常在 30V-250V 之間的 MOSFET 產(chǎn)品，其中中壓（100V-250V）一般并聯(lián)多個(gè) MOSFET 單管用于 A00 級(jí)小型電動(dòng)汽車(chē)或中混車(chē)輛（動(dòng)力電池電壓在 200V 上下）的主驅(qū)逆變器、OBC、DC/DC、空調(diào)壓縮機(jī)等零部件當(dāng)中起到逆變、整流等作用。

高壓 SJ MOSFET，車(chē)規(guī)級(jí) SJ MOSFET 工作電壓通常在 650V-900V，主要用于當(dāng)前廣泛搭載的 400V 動(dòng)力電池平臺(tái)汽車(chē)的主驅(qū)逆變器、OBC、DCDC 和 PTC等產(chǎn)品上。

? 車(chē)規(guī) IGBT：IGBT 通常分為單管、模塊和 IPM 模塊。全球車(chē)載 IGBT 和 MOSFET一樣，主要被美歐日等國(guó)家的廠家壟斷。如英飛凌、安森美、富士電機(jī)、三菱電機(jī)和賽米控等。其中，英飛凌占據(jù)車(chē)規(guī) IGBT 主要市場(chǎng)份額，英飛凌最早在 2007年推出車(chē)規(guī)級(jí) IGBT 模塊——HybridPACK 系列。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)和時(shí)代電氣穩(wěn)居前十。

IGBT 已發(fā)展至第七代，英飛凌作為 IGBT 龍頭，其技術(shù)早在 2018 年已經(jīng)迭代至第七代。第五、六、七代均是在第四代技術(shù)基礎(chǔ)上針對(duì)大功率、高開(kāi)關(guān)頻率等需求進(jìn)行的設(shè)計(jì)優(yōu)化。不同代差對(duì)應(yīng)不同的器件設(shè)計(jì)，也對(duì)應(yīng)著不同的器件性能和應(yīng)用場(chǎng)景。目前國(guó)內(nèi)多數(shù)廠家已經(jīng)發(fā)展到了等同英飛凌的第四代和第五代技術(shù)，而第四、五代 IGBT 也正好是目前車(chē)規(guī) IGBT 應(yīng)用的主流技術(shù)。

功率半導(dǎo)體器件或模塊是電機(jī)控制器的心臟。電機(jī)控制器、電機(jī)和減速器一起組成電動(dòng)汽車(chē)的電力驅(qū)動(dòng)總成。其中，電機(jī)控制器是功率半導(dǎo)體器件和模塊的重要應(yīng)用領(lǐng)域，其主要用途是將動(dòng)力電池輸出的直流電轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需要的三相交流電。

電機(jī)控制器由功率半導(dǎo)體器件或模塊、電容、驅(qū)動(dòng)電路板和控制電路板等零部件組成。其中功率半導(dǎo)體器件或模塊占總成本的 37%左右，是電機(jī)控制器最為核心的零部件之一。

圖表 32：電驅(qū)動(dòng)總成示意圖和電機(jī)控制器成本分解

由于電機(jī)控制器是功能安全件，通常消費(fèi)級(jí)或工規(guī)級(jí)的功率半導(dǎo)體器件和模塊不滿(mǎn)足上車(chē)條件。因此長(zhǎng)期以來(lái)，電機(jī)控制器中的功率半導(dǎo)體器件和模塊一直依賴(lài)進(jìn)口。

近年來(lái)，電機(jī)控制器格局發(fā)生變化，本土電機(jī)控制器廠家市場(chǎng)份額快速增長(zhǎng)，這讓國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體擁有更多驗(yàn)證和上車(chē)機(jī)會(huì)，國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)份額將有望進(jìn)一步擴(kuò)大。2022 年 Q1，斯達(dá)半導(dǎo)、比亞迪半導(dǎo)體和時(shí)代電氣市占率分別穩(wěn)居國(guó)內(nèi)市場(chǎng)第二、第三和第五，分別占比 16.4%、14.5%和 9%。

本土電機(jī)控制器廠商引領(lǐng)市場(chǎng)，對(duì)車(chē)載功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)格局有著積極影響。2022年，排名前 20 的電控廠家中，本土廠家占據(jù) 12 席。包括 5 家整車(chē)廠自制企業(yè)、9 家本土第三方非自制企業(yè)（包括聯(lián)合電子）以及 6 家海外廠家（包括日本的電裝、電產(chǎn)、三菱、日立等四家、法國(guó)法雷奧和美國(guó)博格華納）。包括整車(chē)企業(yè)在內(nèi)（除特斯拉外），總共有 14 家本土企業(yè)入圍前 20，占比 7 成。

圖表 34：2022 年 xEV 電控供應(yīng)商供貨量分布（萬(wàn)套）

國(guó)產(chǎn)電控引領(lǐng)市場(chǎng)，有望助力國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體上車(chē)。目前國(guó)內(nèi)電控產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)相對(duì)充分，且由本土廠家引領(lǐng)。而國(guó)內(nèi)企業(yè)在電控市場(chǎng)上份額的提升，則有望助力國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體上車(chē)。原因如下：

1）供應(yīng)鏈安全考慮：當(dāng)功率半導(dǎo)體缺貨時(shí)，為保證供應(yīng)鏈安全，車(chē)廠通常采取一品多點(diǎn)采購(gòu)戰(zhàn)略，即一個(gè)電控產(chǎn)品，多家功率半導(dǎo)體供應(yīng)商按照與車(chē)廠約定好的份額供貨。對(duì)車(chē)廠而言，國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體通常是此時(shí)的選項(xiàng)之一；

2）電控廠家成本控制需要：國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體成本相比進(jìn)口器件具備一定優(yōu)勢(shì)。特別是 A00 級(jí)和 A0 級(jí)這類(lèi)電動(dòng)車(chē)，其對(duì)整車(chē)成本控制要求相對(duì)較高，國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體應(yīng)用較為廣泛。國(guó)內(nèi)電控廠家在面臨海外競(jìng)爭(zhēng)者壓力的時(shí)候，成本是其核心優(yōu)勢(shì)之一。功率半導(dǎo)體作為電控中占比最高的核心器件，國(guó)內(nèi)電控廠家在獲取整車(chē)廠項(xiàng)目的時(shí)候，通常也會(huì)偏愛(ài)選用同樣具有成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體。

3）多數(shù)國(guó)內(nèi)車(chē)廠和電控廠家加強(qiáng)和國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠家合作，通過(guò)投資或戰(zhàn)略合作或成立合資公司的方式，形成優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，共同開(kāi)發(fā)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。這將對(duì)國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體上車(chē)應(yīng)用起著很強(qiáng)推動(dòng)作用。

圖表 35：2022 年中國(guó)純電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)控制器與功率模塊供應(yīng)鏈關(guān)系

缺芯緩解過(guò)后，功率半導(dǎo)體的“技術(shù)和成本”或成核心主線(xiàn)。隨著缺芯緩解，海外頭部廠家產(chǎn)能恢復(fù)，國(guó)內(nèi)廠家或面臨一定程度上的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。如何突破重圍，長(zhǎng)期來(lái)看，技術(shù)提升和持續(xù)成本優(yōu)化，以及加快車(chē)規(guī)產(chǎn)品研發(fā)和驗(yàn)證速度，將有助于重塑市場(chǎng)格局，這將成為國(guó)內(nèi)廠家可持續(xù)發(fā)展的兩條核心主線(xiàn)。

2.3 車(chē)規(guī)器件壁壘重重，國(guó)產(chǎn)龍頭曙光破曉

在電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量快速增長(zhǎng)和缺芯的大背景下，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠家趁勢(shì)在上車(chē)驗(yàn)證和批量供貨上取得不菲成績(jī)。但由于國(guó)內(nèi)車(chē)載功率半導(dǎo)體發(fā)展起步較晚、器件開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)不足、上車(chē)驗(yàn)證機(jī)會(huì)不多和可靠性要求高等原因，在“以下諸多方面”與全球第一梯隊(duì)的車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體企業(yè)尚存差距，這也正是車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體壁壘所在。諸多壁壘呈現(xiàn)復(fù)雜性、多樣性、綜合性以及普遍性等特點(diǎn)。

設(shè)計(jì)和制造工藝。車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造工藝相對(duì)成熟，結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，對(duì)工藝制程要求不高（通常大于 90nm）。車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體與其他芯片比較，結(jié)構(gòu)和制造工藝有一定差別，且逐漸融合更多的特色工藝（微溝槽、深溝槽和屏蔽柵等）。車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體在芯片面積、線(xiàn)寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時(shí)間、功率損耗和封裝等方面在持續(xù)做設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)化，以達(dá)到大電流、高電壓、低損耗、高開(kāi)關(guān)頻率、魯棒性、散熱快等性能目標(biāo)。

圖表 36：功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

目前全球車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造工藝和封裝測(cè)試等主要由英飛凌等海外廠商引領(lǐng)。

? 器件設(shè)計(jì)：功率半導(dǎo)體自誕生以來(lái)，從半導(dǎo)體基材的迭代、微溝槽結(jié)構(gòu)的優(yōu)化、先進(jìn)封裝、大尺寸晶圓的應(yīng)用等多個(gè)方面進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新。據(jù) Yole數(shù)據(jù)，功率半導(dǎo)體器件每隔二十年將進(jìn)行一次產(chǎn)品迭代。相比其他半導(dǎo)體，迭代周期相對(duì)慢，這將給國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠家留有充足的發(fā)展時(shí)間。

目前國(guó)內(nèi)廠商面臨的挑戰(zhàn)主要包括：1）低功耗與高可靠性以及高功率密度三者的平衡；2）滿(mǎn)足高性能和小型化以及低成本三者的平衡；3）產(chǎn)品平臺(tái)化和客戶(hù)定制要求之間的沖突和平衡；4）車(chē)規(guī)產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造等管理體系和流程不健全；

? 晶圓制造工藝：這方面的挑戰(zhàn)有：1）半導(dǎo)體設(shè)備長(zhǎng)期依賴(lài)進(jìn)口，采購(gòu)周期長(zhǎng)且成本高，設(shè)備調(diào)試時(shí)間長(zhǎng)，缺乏經(jīng)驗(yàn)；2）生產(chǎn)過(guò)程管控以達(dá)到晶圓一致性和可靠性的目的；3）適用于車(chē)規(guī)的材料選型，以達(dá)到散熱、高結(jié)溫要求；4）小尺寸、先進(jìn)封裝與成本之間的沖突等。

? 封裝測(cè)試：這方面的挑戰(zhàn)有：1）封裝環(huán)節(jié)，鍵合引線(xiàn)、模具、框架等材料的選擇；2）功率半導(dǎo)體模組的散熱問(wèn)題和可靠性?xún)烧叩钠胶猓?）缺乏車(chē)規(guī)試驗(yàn)條件或測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，具體試驗(yàn)參數(shù)如何設(shè)定沒(méi)有經(jīng)驗(yàn)。

SJ MOSFET、IGBT、碳化硅 MOSFET 作為中高端功率半導(dǎo)體器件，國(guó)內(nèi)廠家在器件設(shè)計(jì)、晶圓制造工藝和封測(cè)環(huán)節(jié)都面臨不同程度上的挑戰(zhàn)和壁壘。對(duì)于追趕者的國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠家而言，技術(shù)作為發(fā)展的第一要素，技術(shù)持續(xù)迭代和技術(shù)方案的創(chuàng)新或是超越國(guó)際巨頭、主導(dǎo)市場(chǎng)地位的最重要條件之一。

質(zhì)量管理體系。車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體相比消費(fèi)和工業(yè)產(chǎn)品，對(duì)可靠性、質(zhì)量一致性、環(huán)境（耐久、高低溫）、供貨周期以及驗(yàn)證試驗(yàn)等要求更高。需要嚴(yán)格遵守車(chē)規(guī)芯片開(kāi)發(fā)流程、質(zhì)量管理體系、驗(yàn)證要求等進(jìn)行以確保車(chē)輛行駛安全。

車(chē)載功率半導(dǎo)體與其他車(chē)規(guī)芯片一樣，從芯片定義、設(shè)計(jì)、原材料采購(gòu)、供應(yīng)商管理、生產(chǎn)制造過(guò)程、小批量和批量供貨以及售后等，都需要嚴(yán)格按照 AECQ-100 試驗(yàn)要求和 IATF16949 生產(chǎn)制造過(guò)程中的要求執(zhí)行。對(duì)于主驅(qū)逆變器中的功率半導(dǎo)體單管或模塊，甚至要求按照 ISO 26262 對(duì)系統(tǒng)和流程體系進(jìn)行功能安全認(rèn)證。

比如，在車(chē)規(guī) IGBT 模塊的安全性方面，IGBT 模塊通常由多個(gè) IGBT 單管、SBD以及散熱板等結(jié)構(gòu)組成。IGBT 單管由成百上千個(gè) IGBT 元胞構(gòu)成。IGBT 模塊實(shí)際上車(chē)后，若其中一個(gè)元胞出現(xiàn)質(zhì)量問(wèn)題，則將直接危及整車(chē)安全。

國(guó)內(nèi)從事車(chē)載功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)制造的廠商，具有數(shù)量多、分布地域廣、產(chǎn)品種類(lèi)多、技術(shù)能力水平參差不齊等特點(diǎn)。除了少數(shù)幾家頭部廠家外，車(chē)載領(lǐng)域起步相對(duì)晚，從事車(chē)規(guī)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)累計(jì)時(shí)間不長(zhǎng)。對(duì)車(chē)規(guī)產(chǎn)品質(zhì)量管理體系認(rèn)知仍有待提高，需要未來(lái)更長(zhǎng)時(shí)間上車(chē)實(shí)踐以提升。

上車(chē)機(jī)會(huì)。傳統(tǒng)燃油車(chē)時(shí)代，汽車(chē)銷(xiāo)量和核心零部件技術(shù)均由頭部車(chē)廠和供應(yīng)商把握，海外整車(chē)廠和頭部 Tier1 話(huà)語(yǔ)權(quán)大，故汽車(chē)供應(yīng)鏈相對(duì)封閉，新玩家進(jìn)入大廠供應(yīng)鏈體系相對(duì)困難。

國(guó)內(nèi)車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體廠家起步晚、技術(shù)經(jīng)驗(yàn)少、對(duì)車(chē)規(guī)產(chǎn)品認(rèn)知缺乏。由于缺乏批量上車(chē)驗(yàn)證機(jī)會(huì)。即使部分有很強(qiáng)研發(fā)實(shí)力的企業(yè)，同樣缺乏批量供貨、驗(yàn)證產(chǎn)品長(zhǎng)期可靠性的機(jī)會(huì)，從而技術(shù)能力一直處在進(jìn)步緩慢的窘境。且高投入和長(zhǎng)期低回報(bào)導(dǎo)致部分廠家信心不足甚至放棄車(chē)載產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。在此背景下，即形成了對(duì)國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體玩家極為不友好的惡性循環(huán)。

新能源汽車(chē)的快速上量以及疫情以來(lái)的汽車(chē)缺芯，特別是特斯拉以及國(guó)內(nèi)的造車(chē)新勢(shì)力們，打破了汽車(chē)供應(yīng)鏈封閉的外墻，愿意嘗試多條腿走路，這給予了國(guó)內(nèi)包括車(chē)載功率半導(dǎo)體廠家在內(nèi)的汽車(chē)零部件供應(yīng)商們充足的上車(chē)機(jī)會(huì)，也增強(qiáng)了國(guó)產(chǎn)替代的確定性，國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體有望迎來(lái)份額進(jìn)一步提升的機(jī)會(huì)。

圖表 41：汽車(chē)供應(yīng)鏈上、下游格局在逐漸演變

成本。在汽車(chē)客戶(hù)面臨器件選型時(shí)，成本將是一項(xiàng)重要考量的點(diǎn)，同樣滿(mǎn)足客戶(hù)需求的產(chǎn)品，分別來(lái)自海外廠家和國(guó)內(nèi)廠家，在不缺芯和沒(méi)有國(guó)產(chǎn)替代要求下，通?？蛻?hù)可能考慮定點(diǎn)給價(jià)優(yōu)者。

車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體和其他國(guó)產(chǎn)芯片類(lèi)似，因?yàn)槠鸩酵?、?jīng)驗(yàn)缺乏、產(chǎn)業(yè)鏈相對(duì)不成熟等特點(diǎn)，研發(fā)成本（人工、IP、軟件和工具鏈等）攤銷(xiāo)相對(duì)較高、核心原材料依賴(lài)進(jìn)口（框架、模具、引線(xiàn)鍵合相關(guān)工藝等）、工藝相對(duì)不成熟、良率相對(duì)不高、規(guī)?；?yīng)相對(duì)不突出、車(chē)規(guī)器件試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)相對(duì)缺乏以及固定資產(chǎn)尚處在攤銷(xiāo)初期等，而上述或是造成器件成本相對(duì)較高的主要因素。

半導(dǎo)體從業(yè)人才。截止 2020 年，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體從業(yè)人員人數(shù)約 54.1 萬(wàn)，同比增長(zhǎng) 5.7%。預(yù)計(jì)到 2023 年，人才需求將達(dá) 76.7 萬(wàn)人，人才缺口將近 23 萬(wàn)人。依前文所述，功率半導(dǎo)體已超 300 多家。需求旺盛背后也隱藏著行業(yè)對(duì)專(zhuān)業(yè)人才的求賢若渴。人才競(jìng)爭(zhēng)也同樣是半導(dǎo)體企業(yè)間實(shí)力競(jìng)爭(zhēng)的重要組成部分。成熟、經(jīng)驗(yàn)豐富的人才隊(duì)伍是行業(yè)發(fā)展基石。

3. 供應(yīng)鏈安全迫在眉睫，國(guó)產(chǎn)廠商乘勢(shì)而上

2023 年 3 月 3 日，美國(guó)商務(wù)部將 28 家中國(guó)實(shí)體加入“EL（Entity List，實(shí)體清單）”。自 2018 年中興和華為相繼被制裁以來(lái)，美國(guó)對(duì)中國(guó)企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)等實(shí)施多次貿(mào)易限制和打壓，目標(biāo)直指多家半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)。

3.1 地緣政治+芯片短缺，產(chǎn)業(yè)尋求破局之道

2020 年以來(lái)，在多重因素影響下，汽車(chē)芯片面臨大缺貨。芯片供求不平衡導(dǎo)致芯片期貨交期延后，價(jià)格漲價(jià)，現(xiàn)貨價(jià)格更是一路高走。至今，汽車(chē)缺芯雖然已有所緩解，但依然還存在部分芯片供應(yīng)緊張狀況。

長(zhǎng)安汽車(chē)領(lǐng)導(dǎo)層就曾公開(kāi)表示，因缺芯等因素影響，2022 年前三季度，已經(jīng)減產(chǎn) 60.6 萬(wàn)輛。據(jù) AFS 預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，2022 年因缺芯致汽車(chē)減產(chǎn)預(yù)計(jì)達(dá) 450 萬(wàn)輛，而2021 年這一數(shù)據(jù)是 1050 萬(wàn)輛。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全球化受阻。長(zhǎng)期以來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)高度依賴(lài)全球化產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同，彼此分工明確，從設(shè)計(jì)、制造、封裝、設(shè)備、材料、軟件等全球通力合作，得以成就全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)碩果。但是，近年來(lái)國(guó)際局勢(shì)已經(jīng)徹底改變了半導(dǎo)體制造商面臨的處境，全球化和自由貿(mào)易變得舉步維艱。

國(guó)產(chǎn)替代，功率半導(dǎo)體先行。在缺芯之下，功率半導(dǎo)體因?yàn)樾枨蟠?、技術(shù)門(mén)檻相對(duì)較低、國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ)好，且在消費(fèi)和工業(yè)等有多數(shù)產(chǎn)品量產(chǎn)和應(yīng)用，將有望成為最先被國(guó)產(chǎn)化的領(lǐng)域之一。

國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)量逐年增加，國(guó)產(chǎn)替代內(nèi)部驅(qū)動(dòng)力增強(qiáng)。據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)，2021年中國(guó)集成電路累計(jì)產(chǎn)量達(dá) 3594 億塊，同比增長(zhǎng) 37.48%。從 2011 年至今的國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)量數(shù)據(jù)可以看出，面對(duì)日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，國(guó)內(nèi)集成電路行業(yè)發(fā)展穩(wěn)健，產(chǎn)量逐年提高。

圖表 46：2011-2021 年中國(guó)集成電路產(chǎn)量（億顆）

3.2 IDM 及 Fabless 齊發(fā)力，國(guó)產(chǎn)替代穩(wěn)步前行

汽車(chē)受智能化、電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化和軟件化等產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)。芯片作為智能硬件和軟件的基石和載體，其重要性不言而喻。功率半導(dǎo)體在汽車(chē)電子中價(jià)值量高，且產(chǎn)業(yè)鏈相對(duì)完整，具備國(guó)產(chǎn)替代的現(xiàn)實(shí)意義和可操作性。

3.2.1 車(chē)企投資不斷，IDM 和 Fabless 齊頭并進(jìn)

當(dāng)下，車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體已然成為車(chē)企重點(diǎn)布局和投資熱門(mén)領(lǐng)域之一。車(chē)載芯片種類(lèi)多、型號(hào)多、持續(xù)“缺芯”和車(chē)廠重要控制器自研，使得車(chē)廠開(kāi)始建立控制器硬件設(shè)計(jì)和供應(yīng)鏈部門(mén)。車(chē)廠將直接參與芯片選型，直接建立與芯片廠家溝通渠道，打破原有供應(yīng)鏈的合作模式。車(chē)廠和 Tier1 都在開(kāi)始往半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域下沉，通過(guò)投資或與芯片企業(yè)成立合資的形式進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè)。他們主要聚焦重要、價(jià)值高的車(chē)規(guī)級(jí)芯片并進(jìn)行布局，與芯片企業(yè)共同合作開(kāi)發(fā)，化被動(dòng)為主動(dòng)，以應(yīng)對(duì)將來(lái)可能會(huì)面臨的汽車(chē)芯片供應(yīng)鏈安全問(wèn)題。而其中功率半導(dǎo)體，特別是 IGBT 和 SiC，成為車(chē)企投資熱門(mén)之一。

圖表 47：部分車(chē)企布局芯片產(chǎn)業(yè)

IDM 和 Fabless 各顯其能。在功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造環(huán)節(jié)，目前主要有 IDM 模式和垂直分工模式，兩方競(jìng)爭(zhēng)力孰強(qiáng)孰弱尚未分明，都在發(fā)揮各自?xún)?yōu)勢(shì)。IDM 在缺芯時(shí)，可以靈活協(xié)調(diào)產(chǎn)能以滿(mǎn)足不同客戶(hù)需求。在產(chǎn)品迭代上，IDM 也頗具優(yōu)勢(shì)。而代工模式下，設(shè)計(jì)公司和 Foundry 可以共同合作開(kāi)發(fā)先進(jìn)工藝以提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

IDM 模式一般重資產(chǎn)，工廠投入相對(duì)較大，對(duì)產(chǎn)能規(guī)劃要求相對(duì)精準(zhǔn)可控，對(duì)各類(lèi)專(zhuān)業(yè)人才需求大，在產(chǎn)能協(xié)同、成本控制、需求響應(yīng)速度等多方面或具有較強(qiáng)優(yōu)勢(shì)。國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體 IDM 有時(shí)代電氣、華潤(rùn)微、士蘭微、華微以及揚(yáng)杰科技等。

國(guó)內(nèi)部分 Fabless 選擇與頭部 Foundry 深度合作，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)、工藝融合優(yōu)化、產(chǎn)品規(guī)劃、產(chǎn)能調(diào)配等方面能達(dá)到良好效果。且該模式下，兩方既有各自分工合作，又能做到優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。設(shè)計(jì)公司可以專(zhuān)注于產(chǎn)品設(shè)計(jì)與推廣、可以更精準(zhǔn)把握市場(chǎng)需求和供應(yīng)節(jié)奏，而 Foundry 可以專(zhuān)注于工藝控制和優(yōu)化。國(guó)內(nèi)成功案例如新潔能與華虹宏力的合作、捷捷微電與中芯紹興的合作。

目前，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)上，頭部的功率半導(dǎo)體多數(shù)是“IDM 模式”或“IDM加委外代工混合模式”。后者即部分 IDM 將部分低端制程、即將EOP（End Of Production）的產(chǎn)品委外專(zhuān)業(yè)代工廠加工，比如國(guó)內(nèi)部分晶圓代工企業(yè)就接到不少此類(lèi)海外客戶(hù)的訂單。

據(jù) ittbank 數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)：中國(guó)大陸地區(qū) Top60 的功率半導(dǎo)體（不含功率 IC）企業(yè)里，其中 IDM 有 43 家，F(xiàn)oundry 有 5 家，以及 12 家 Fabless。

3.2.2 單車(chē)價(jià)值名列前茅，“國(guó)產(chǎn)替代”率先突圍

據(jù)英飛凌統(tǒng)計(jì)，在傳統(tǒng)燃油車(chē)上，MCU 是其中價(jià)值量最高的半導(dǎo)體器件，占比約 30%，功率半導(dǎo)體（包括功率半導(dǎo)體器件和功率半導(dǎo)體芯片）占比 20%。而對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)來(lái)說(shuō)，MCU 和功率的價(jià)值占比有所變化。細(xì)分來(lái)看，混動(dòng)車(chē)型和純電動(dòng)車(chē)型，功率半導(dǎo)體用量和價(jià)值存在差異?；靹?dòng)又分輕中混、強(qiáng)混和插混，純電動(dòng)也要看動(dòng)力電池電壓平臺(tái)，200V 和 800V 對(duì)選用的功率半導(dǎo)體分立器件和模塊差異較大，成本也存在差異。

從英飛凌數(shù)據(jù)看出，中混電動(dòng)汽車(chē)（MHEV）單車(chē)功率半導(dǎo)體價(jià)值 150-200 美元，自動(dòng)充電混動(dòng)汽車(chē)（FHEV）單車(chē)功率半導(dǎo)體價(jià)值在400-470美元，純電動(dòng)汽車(chē)（BEV）單車(chē)功率半導(dǎo)體價(jià)值在 550-600 美元。可見(jiàn)在各類(lèi)電動(dòng)汽車(chē)上，功率半導(dǎo)體價(jià)值量高居榜首。

在我國(guó)大力發(fā)展新能源汽車(chē)的當(dāng)下，車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體具備政策支持、產(chǎn)業(yè)鏈完整等優(yōu)勢(shì)，或?qū)⒙氏韧粐?，?shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化率穩(wěn)步提升。

4. 碳化硅器件厚積薄發(fā)，產(chǎn)業(yè)布局多點(diǎn)開(kāi)花

4.1 新材料、新機(jī)遇、新趨勢(shì)

作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，相較于硅，碳化硅具有禁帶寬度更大（是硅的3倍）、熱導(dǎo)率更高（是硅的 4-5 倍）、擊穿電壓更大（是硅的 8- 10 倍)等優(yōu)勢(shì)。

圖表 52：碳化硅性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（主要是肖特基勢(shì)壘二極管 SBD 等）、碳化硅晶體管（主要是碳化硅 BJT、MOSFET 等）以及碳化硅功率模塊等。碳化硅功率器件具有耐高壓、大電流、耐高溫、高頻、高功率和低損耗等眾多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)及充電樁、光伏、電網(wǎng)、軌道交通和儲(chǔ)能等領(lǐng)域。

據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，碳化硅功率器件 2021 年全球市場(chǎng)規(guī)模 10.9 億美金。預(yù)計(jì)到 2027年將達(dá)到 62.97 億美金，2021-2027 CAGR 達(dá) 34%。發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁，未來(lái)市場(chǎng)空間可觀。

圖表 54：碳化硅功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè) 2021-2027E

全球各國(guó)對(duì)碳化硅投資熱度不減，目前碳化硅器件市場(chǎng)龍頭依然以海外企業(yè)為主，國(guó)內(nèi)90%需求依賴(lài)進(jìn)口。我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局相對(duì)完整，部分頭部企業(yè)技術(shù)實(shí)力不可小覷，在半絕緣襯底、外延片、射頻器件和碳化硅器件均已量產(chǎn)并批量供貨。

碳化硅性能優(yōu)于 IGBT，兩者在多個(gè)領(lǐng)域或存在應(yīng)用重疊。從成本變化和晶圓尺寸發(fā)展趨勢(shì)分析：

碳化硅與 IGBT 成本比較。目前碳化硅功率器件由于技術(shù)和工藝尚不成熟、襯底良率低以及尚未規(guī)?；瘧?yīng)用等因素，導(dǎo)致當(dāng)前碳化硅成本居高不下。同等規(guī)格、滿(mǎn)足同個(gè)終端應(yīng)用需求的碳化硅 MOSFET 的價(jià)格是 IGBT 的 2.5-3 倍。而硅基 IGBT 技術(shù)成熟，規(guī)?；?yīng)已經(jīng)顯現(xiàn)，成本下探空間有限。隨著上述對(duì)碳化硅成本不利因素日漸改善，其價(jià)格有望逐年下調(diào)。對(duì)于長(zhǎng)續(xù)航電動(dòng)汽車(chē)，當(dāng)前碳化硅功率器件的應(yīng)用帶來(lái)的其他周邊零部件的降本，或?qū)⑦M(jìn)一步縮小、或打平與選用IGBT帶來(lái)的價(jià)格差。

圖表 56：碳化硅功率半導(dǎo)體器件成本變化趨勢(shì)

碳化硅晶圓制造。目前已量產(chǎn)碳化硅襯底多是基于 2 英寸、4 英寸和 6 英寸晶圓制造，其中 6 英寸逐漸將成為主流。據(jù) NE 時(shí)代數(shù)據(jù)，安森美 8 英寸襯底于 2021 年已經(jīng)投產(chǎn)。未來(lái)，隨著 8 英寸晶圓的襯底逐步量產(chǎn)，單片晶圓產(chǎn)量提升，相比 4 英寸和 6 英寸晶圓，理論上碳化硅器件價(jià)格或?qū)?huì)有所下調(diào)。

當(dāng)前碳化硅 MOSFET 主要應(yīng)用于一些中高端場(chǎng)景，這些應(yīng)用往往追求更高的性能表現(xiàn)。如售價(jià) 30 萬(wàn)以上的中高端智能電動(dòng)汽車(chē)，其對(duì)續(xù)航、瞬間加速以及充電時(shí)間有著更高要求，通常其主逆變器中會(huì)采用碳化硅方案。短時(shí)間內(nèi)，IGBT 或依然是市場(chǎng)主流。長(zhǎng)期來(lái)看，碳化硅 MOSFET 和 IGBT 市場(chǎng)需求或達(dá)到一個(gè)相對(duì)平衡，兩者將共存以供不同應(yīng)用場(chǎng)景所使用。

4.2 襯底和外延占據(jù)價(jià)值高地

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈相對(duì)復(fù)雜，主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造以及封裝測(cè)試和終端應(yīng)用等。

截至 2021 年，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)投入超 20 條，產(chǎn)業(yè)鏈上、下游都有相關(guān)企業(yè)參與。其中襯底代表企業(yè)有天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等；外延片代表企業(yè)有東莞天域半導(dǎo)體、瀚天天成等；布局碳化硅器件的企業(yè)以 IDM 為主，也有少數(shù)幾家 Foundry，還有多數(shù)設(shè)計(jì)公司。

襯底和外延占據(jù)碳化硅器件的價(jià)值高地，存在較高技術(shù)壁壘。據(jù)未來(lái)智庫(kù)數(shù)據(jù)，襯底和外延占碳化硅器件總成本近 70%（其中襯底占 46%，外延占 23%）。兩者同為碳化硅器件最核心、也是最具瓶頸的兩道制造工藝環(huán)節(jié)。襯底和外延的技術(shù)提升快慢和良率高低都將對(duì)碳化硅器件的應(yīng)用和推廣產(chǎn)生直接影響。

? 襯底是碳化硅器件的第一內(nèi)核。據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到 2027 年，全球應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)和充電樁的碳化硅襯底數(shù)量將達(dá)到 140 萬(wàn)片，占市場(chǎng)總量的78.23%。

碳化硅襯底分類(lèi)——碳化硅襯底按照電阻率大小，碳化硅可以分為導(dǎo)電型和半絕緣型。導(dǎo)電型襯底常用于制作碳化硅功率器件，應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域。而半絕緣型碳化硅襯底則被常用于制作氮化鎵微波射頻器件和功率放大器等（GaN-on-SiC），應(yīng)用于 5G 通信等。

目前導(dǎo)電型襯底市場(chǎng)依然由歐、美、日企業(yè)主導(dǎo)，美國(guó) Wolfspeed 占全球份額超 60%以上，其他如美國(guó)高意集團(tuán)（II-VI）、德國(guó) SiCrystalAG（被日本Rohm收購(gòu)）、美國(guó) DowCorning 和日本新日鐵住金等緊隨其后，市占率位居前列。國(guó)內(nèi)做導(dǎo)電型襯底起步較晚，整體發(fā)展處于初期階段，該領(lǐng)域國(guó)內(nèi)主要企業(yè)有天科合達(dá)、天岳先進(jìn)等。

國(guó)產(chǎn)廠家在半絕緣型襯底產(chǎn)品開(kāi)發(fā)相對(duì)起步較早，有一定經(jīng)驗(yàn)積累。2020年，天岳先進(jìn)的半絕緣型碳化硅襯底在全球市占率已高達(dá) 30%，位居全球第三，僅次于海外龍頭企業(yè) II-VI 和 Wolfspeed，形成三足鼎立的局面。

襯底制作方法——襯底的形成通常使用物理氣相傳輸法，在高溫下（＞2000℃），碳化硅粉體分解成硅原子等氣相物質(zhì)，在高低溫形成的溫度梯度下，氣相物質(zhì)慢慢在低溫區(qū)的碳化硅籽晶表面生長(zhǎng)形成碳化硅晶體。再通過(guò)定向、整形、切片、研磨、拋光、檢測(cè)和清洗等工藝過(guò)程，最后制成碳化硅襯底。

制作優(yōu)良的碳化硅襯底，存在較高的技術(shù)壁壘。碳化硅襯底生長(zhǎng)難度大，對(duì)工藝控制和襯底的厚度、翹曲度和彎曲度都有較高要求。其制備過(guò)程中，主要存在以下難點(diǎn)和壁壘：1）碳化硅粉體純度控制要求高，碳和硅的比例控制要精準(zhǔn)；2）溫度要求高，高溫與低溫需控制精準(zhǔn)；3）長(zhǎng)晶時(shí)，生長(zhǎng)速率等需要嚴(yán)格控制；4）襯底生長(zhǎng)為物理時(shí)間，且很難加速，時(shí)間成本高，產(chǎn)能因此受限；5）碳化硅硬度強(qiáng)，切片時(shí)損耗高，產(chǎn)出低；6）涉及設(shè)備種類(lèi)多、要求高，如長(zhǎng)晶爐，切片機(jī)、研磨機(jī)、拋光機(jī)和清洗設(shè)備等，總投入大。以上眾多壁壘導(dǎo)致目前碳化硅良率較低，單片價(jià)格較高。

? 外延工藝是碳化硅器件的第二內(nèi)核。由于碳化硅襯底表面或多或少因?yàn)樯L(zhǎng)過(guò)程或加工過(guò)程中引入微顆粒，直接基于其表面進(jìn)行晶圓制造，或?qū)?dǎo)致最終器件良率低、性能差等后果。故通常引入外延工藝，即在襯底表面通過(guò)化學(xué)氣相沉積（CVD）生長(zhǎng)出一層 4H-SiC 單晶薄膜以提高器件良率和性能，這一層單晶材料即稱(chēng)為“外延”。在制作過(guò)程中，工藝控制不良會(huì)直接造成各類(lèi)缺陷產(chǎn)生而影響良率和產(chǎn)出。

據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到 2027 年，碳化硅外延片全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 8.51 億美元，2021 年到 2027 年，CAGR 為 28%。全球外延片市場(chǎng)主要被美國(guó)Wolfspeed 和日本昭和電工是碳化硅外延片兩家龍頭企業(yè)壟斷。其他廠家有II-VI、Cree、Norstel、Rohm 和英飛凌等。國(guó)內(nèi)從事碳化硅外延片企業(yè)主要有瀚天天成、東莞天域、中電 55 所和三安光電等。

4.3 碳化硅加速上車(chē)，緩解里程焦慮

據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，電動(dòng)汽車(chē)和汽車(chē)充電樁為碳化硅第一大應(yīng)用市場(chǎng)。預(yù)計(jì)到 2027年，碳化硅器件在電動(dòng)汽車(chē)和汽車(chē)充電樁上應(yīng)用，全球市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá) 49.86 億美金和 1.35 億美金，兩者之和占市場(chǎng)總規(guī)模的 81.32%。

碳化硅 SBD 和碳化硅 MOSFET 可應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)逆變器、OBC、DC/DC以及充電樁等產(chǎn)品中。自 2019 年 Tesla 首次將碳化硅器件（供應(yīng)商：STM）應(yīng)用于其 Model 3 車(chē)型上，碳化硅便正式開(kāi)啟了上車(chē)之路。自 2021 年以來(lái)，國(guó)內(nèi)自主品牌車(chē)企紛紛在其新車(chē)型上應(yīng)用碳化硅器件，如蔚來(lái)汽車(chē) ET5 和 ET7（主驅(qū)，自研模塊，晶圓從安森美采購(gòu)），吉利 SMART 精靈(主驅(qū)，供應(yīng)商：芯聚能)、小鵬 G9（主驅(qū)，供應(yīng)商：英飛凌）、比亞迪海豹（主驅(qū)，自研自產(chǎn)模塊，部分晶圓外購(gòu)）等。

碳化硅將提升電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)航能力和縮短電動(dòng)汽車(chē)充電時(shí)間。相較于燃油車(chē)，電動(dòng)汽車(chē)消費(fèi)者對(duì)當(dāng)前有限的續(xù)航里程和相對(duì)漫長(zhǎng)的充電時(shí)間常常感到焦慮。雖然車(chē)企在動(dòng)力電池、BMS、電機(jī)、電控和 OBC 等產(chǎn)品技術(shù)上做了很多優(yōu)化和提升，但相比燃油車(chē)，續(xù)航里程受限和充電時(shí)間長(zhǎng)是電動(dòng)汽車(chē)推廣的兩大痛點(diǎn)。

? 續(xù)航里程。相比硅基 IGBT，碳化硅 MOSFET 有著眾多優(yōu)點(diǎn)：1）碳化硅在關(guān)斷時(shí)無(wú)拖尾電流，可以降低損耗；2）碳化硅的高開(kāi)關(guān)頻率特性，不僅可降低損耗，由于對(duì)散熱效率要求相對(duì)低，還可減輕和驅(qū)動(dòng)零部件和散熱零部件重量和體積，周邊器件的成本隨之降低；3）在車(chē)輛勻速和輕載情況下，因?yàn)榈蛽p耗，可提升 5%-10%的續(xù)航里程。另外，采用 800V 高壓平臺(tái)的電動(dòng)汽車(chē)，同等功率下，系統(tǒng)電流可以比 400V 電壓平臺(tái)更小，故高壓線(xiàn)束直徑可以做的更細(xì)，線(xiàn)束重量和體積可以更小，電動(dòng)汽車(chē)變的更輕，續(xù)航能力也會(huì)得到相應(yīng)提升。

圖表 64：碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)上各產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè) 2021-2027（百萬(wàn)美元）

充電時(shí)間。汽車(chē)充電樁一般分為交流慢充和直流快充。

交流慢充指的是電動(dòng)汽車(chē)通過(guò)公共或個(gè)人充電樁，需要借用車(chē)載充電器（OBC）交直流轉(zhuǎn)換給汽車(chē)充電。交流慢充的優(yōu)點(diǎn)是成本低，電池?fù)p耗慢；缺點(diǎn)是充電時(shí)間長(zhǎng)，充電時(shí)間長(zhǎng)短取決于 OBC 的額定功率（常規(guī)在 3kW9kW）。目前OBC 主要采用硅基 IGBT 或 SJ MOSFET 方案，電池充滿(mǎn)電時(shí)間一般需要 4-8 小時(shí)。相比之下，碳化硅 MOSFET 可以耐受更高電壓，使得 OBC 擁有更高的額定功率。例如采用意法半導(dǎo)體的碳化硅技術(shù)，可以將 OBC 的額定功率提升至 22kW 甚至更高，充電時(shí)間可以大大縮短。

直流快充是指充電樁自身內(nèi)部實(shí)現(xiàn)交直流轉(zhuǎn)換模塊，無(wú)需借用 OBC，將電網(wǎng)或儲(chǔ)能設(shè)備中的交流電轉(zhuǎn)換成直流電，直接給汽車(chē)充電。直流快充功率取決于充電樁自身輸出功率和 BMS（電池管理系統(tǒng)），如電池電壓升級(jí)至 800V，直流快充功率通常將超過(guò) 120 kW，碳化硅器件的高功率特性即可有其用武之地，進(jìn)而提高充電效率和縮短充電時(shí)間。

另外，800V 動(dòng)力電池平臺(tái)相比 400V 動(dòng)力電池平臺(tái)，在相同的系統(tǒng)電流和高壓線(xiàn)束直徑下，電池的充電時(shí)間或?qū)⒖s短一半。

圖表 65：碳化硅對(duì)電動(dòng)汽車(chē)充電時(shí)間的影響

來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察

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