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半導(dǎo)體行業(yè)深度報告:算力時代來臨,Chiplet先進封裝大放異彩

作者:未來智庫 來源: 頭條號 107807/27

(報告出品方/作者:民生證券,方競、張文雨)1 先進封裝引領(lǐng)摩爾定律延續(xù)半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體制造工藝的后道工序,是指將通過測試的晶圓加工得到 獨立芯片的過程,即將制作好的半導(dǎo)體器件放入具有支持、保護的塑料、陶瓷或 金屬外殼中,并與外界驅(qū)動電路

標(biāo)簽:

(報告出品方/作者:民生證券,方競、張文雨)

1 先進封裝引領(lǐng)摩爾定律延續(xù)

半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體制造工藝的后道工序,是指將通過測試的晶圓加工得到 獨立芯片的過程,即將制作好的半導(dǎo)體器件放入具有支持、保護的塑料、陶瓷或 金屬外殼中,并與外界驅(qū)動電路及其他電子元器件相連的過程。

1.1 先進封裝發(fā)展歷程

迄今為止全球集成電路封裝技術(shù)一共經(jīng)歷了五個發(fā)展階段。通常認(rèn)為,前三 個階段屬于傳統(tǒng)封裝,第四、五階段屬于先進封裝。當(dāng)前的主流技術(shù)處于以 CSP、 BGA 為主的第三階段,且正在從傳統(tǒng)封裝(SOT、QFN、BGA 等)向先進封裝 (FC、FIWLP、FOWLP、TSV、SIP 等)轉(zhuǎn)型。

傳統(tǒng)封裝以引線框架型封裝為主,芯片與引線框架通過焊線連接,引線框架 的接腳連接 PCB,主要包括 DIP、SOP、QFP、QFN 等封裝形式。


傳統(tǒng)封裝的功能主要在于芯片保護、尺度放大、電氣連接三項功能,先進封 裝技術(shù)則對芯片進行封裝級重構(gòu),能有效提高系統(tǒng)高功能密度。現(xiàn)階段先進封裝 主要是指倒裝焊(Flip Chip)、晶圓級封裝(WLP)、2.5D 封裝(Interposer)和 3D 封裝(TSV)等。 先進封裝與傳統(tǒng)封裝的主要區(qū)別在于一級互聯(lián)和二級互聯(lián)方式的不同。 一級互聯(lián)方式主要包括:傳統(tǒng)工藝—Wire Bonding(WB);先進工藝— Flip Chip(FC)。 二級互聯(lián)方式主要包括:傳統(tǒng)工藝—通孔插裝型/表面貼裝;先進工藝—球柵陣列型(BGA)/平面網(wǎng)格陣列 LGA/插針網(wǎng)格陣列(PGA)。 因此 FCBGA、FCLGA 等封裝就稱為先進封裝。同時,傳統(tǒng)的元件封裝也演 變?yōu)橄到y(tǒng)封裝,封裝對象由單芯片向多芯片發(fā)展,由平面封裝向立體封裝發(fā)展。

市場規(guī)模方面,據(jù) Yole 和集微咨詢數(shù)據(jù),2017 年以來全球封測市場規(guī)模穩(wěn) 健增長,2022 年達到 815 億美元。Yole 預(yù)計總體市場規(guī)模將保持增長態(tài)勢, 2026 年達到 961 億美元。

先進封裝則有望展現(xiàn)高于封測市場整體的增長水平。據(jù) Yole 預(yù)計,2019- 2025 年,全球整體封裝市場規(guī)模年均復(fù)合增速 4%,先進封裝市場規(guī)模則達到 7% 的年均復(fù)合增速,并在 2025 年占據(jù)整體封裝市場的 49.4%。

1.2 先進封裝助力摩爾定律延續(xù)

摩爾定律主要內(nèi)容為:在價格不變時,集成電路上可以容納的晶體管數(shù)量每 18-24 個月便會增加一倍,即:處理器性能大約每兩年翻一倍,同時價格下降為 之前的一半。 自 2015 年以來,集成電路先進制程的發(fā)展開始放緩,7nm、5nm、3nm 制 程的量產(chǎn)進度均落后于預(yù)期。隨著臺積電宣布 2nm 制程工藝實現(xiàn)突破,集成電 路制程工藝已接近物理尺寸極限;與此同時芯片設(shè)計成本快速提升,以先進工藝 節(jié)點處于主流應(yīng)用時期設(shè)計成本為例,工藝節(jié)點為 28nm 時,單顆芯片設(shè)計成本 約為 0.41 億美元,而工藝節(jié)點為 7nm 時設(shè)計成本提升至 2.22 億美元。

為有效降低成本、進一步提升芯片性能、豐富芯片功能,各家龍頭廠商爭相 探索先進封裝技術(shù)。先進封裝技術(shù)作為提高連接密度、提高系統(tǒng)集成度與小型化 的重要方法,在單芯片向更高端制程推進難度大增時,擔(dān)負(fù)起延續(xù)摩爾定律的重 任。

如今,除了單個芯片封裝形式的演進以外,多芯片集成、2.5D/3D 堆疊等技 術(shù)也成為現(xiàn)階段先進封裝的主流技術(shù)路徑,尤其對于大規(guī)模集成電路,Chiplet 封裝技術(shù)應(yīng)運而生發(fā)揮重要作用,我們將在下文重點討論。

2 Chiplet:算力時代的共同選擇

2.1 算力時代來臨,算力芯片降本增效需求凸顯

AI技術(shù)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,數(shù)據(jù)中心對高算力芯片的需求急速增長。GPU 由于 具備并行計算能力,可兼容訓(xùn)練和推理,高度適配 AI 模型構(gòu)建,目前被廣泛應(yīng)用 于加速芯片。隨著 ChatGPT 帶來新的 AI 應(yīng)用熱潮,數(shù)據(jù)中心對高算力的 GPU 芯 片需求急速增長。 相較于傳統(tǒng)消費級芯片,算力芯片面積更大,存儲容量更大,對互連速度要 求更高,而 Chiplet 技術(shù)可以很好的滿足這些大規(guī)模芯片的性能和成本需求,因 而得到廣泛運用。

Chiplet 即小芯粒,它將一類滿足特定功能的 die(裸片),通過 die-to-die 內(nèi)部互聯(lián)技術(shù)將多個模塊芯片與底層基礎(chǔ)芯片封裝在一起,形成一個系統(tǒng)芯片。


2.2 Chiplet 技術(shù)在算力芯片領(lǐng)域的三大優(yōu)勢

(1)大面積芯片降低成本提升良率

由于更高的性能需求,算力芯片的 die size 通常要遠(yuǎn)大于過去的消費級產(chǎn)品。 例如 Nvdia 主流 AI 加速卡產(chǎn)品,die size 通常超過 800mm2。而近年來,隨著 先進制程推進,研發(fā)生產(chǎn)成本持續(xù)走高,大面積單顆 SOC 良率日益下降。 Chiplet 將單顆 SOC 的不同功能模塊拆分成獨立的小芯粒(即 Chiplet), 大大縮小了單顆 die 的面積,起到提升良率、降低成本的作用。DAC 2022 會議 上,清華大學(xué)馮寅瀟發(fā)表研究成果,結(jié)論表明在 5nm 制程,當(dāng)芯片面積達到 200mm2 以上,單顆 SOC 的成本將高于 MCM 工藝;當(dāng)芯片面積達到 400mm2 以上,由于良率的大幅下降,單顆 SOC 方案的成本將高于 InFO 工藝(MCM、 InFO 均為 Chiplet 技術(shù)的不同封裝形式)。其成本差異就主要在大面積單芯片方 案中的良率損失,在多芯片方案中大幅下降。

(2)HBM 的導(dǎo)入

高性能計算應(yīng)用對內(nèi)存速率提出了更高的要求,借助 3D 封裝技術(shù)的 HBM 則 很好的解決了內(nèi)存速率瓶頸。 HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器,其通過使用先進的封 裝方法(如 TSV 硅通孔技術(shù))垂直堆疊多個 DRAM,并在硅 interposer 上與 GPU 封裝在一起。HBM 內(nèi)部的 DRAM 堆疊屬于 3D 封裝,而 HBM 與 GPU 合 封于 Interposer 上屬于 2.5D 封裝,是典型的 Chiplet 應(yīng)用。

(3)允許更多計算核心的“堆料”

由于 chiplet 工藝引入了高速互連的 Interposer 或其他中介層,使得芯片廠 商得以將多顆計算核心 die 進行合封,以提高芯片整體性能。 Apple 的 M1 Ultea 芯片采用了臺積電的 InFO_LSI 工藝,將兩顆 M1 Max “拼接”,Apple 將其成為 UltraFusion 芯片互連技術(shù)。LSI 即本地硅互連(Local Silicon Interconnect),即通過在 RDL 載板中嵌入一塊硅橋?qū)崿F(xiàn)兩顆 Die 的高速 互連。

與之類似,2022 年 8 月,國產(chǎn)算力芯片廠商壁仞科技發(fā)布 BR100,采用臺 積電 CoWoS-S 工藝,將兩顆計算核心封在一塊硅 Interposer 上,其 16 位浮點 算力達到 1000T 以上、8 位定點算力達到 2000T 以上,創(chuàng)造全球算力紀(jì)錄。

2.3 行業(yè)龍頭助力,算力芯片異構(gòu)化已成大勢所趨

得益于 Chiplet 技術(shù)在大規(guī)模算力芯片領(lǐng)域的優(yōu)異表現(xiàn),業(yè)內(nèi)設(shè)計公司巨頭 紛紛加入推廣 Chiplet 成為行業(yè)主流方案。2022 年 3 月 3 日,AMD、Intel 等半 導(dǎo)體巨頭宣布共同成立 Chiplet 行業(yè)聯(lián)盟,目標(biāo)共同打造 Chiplet 互連標(biāo)準(zhǔn)、推 進開放生態(tài),并制定了標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范UCIe,在芯片封裝層面確立互聯(lián)互通的高速接口 標(biāo)準(zhǔn)。

目前市面上的主流算力芯片廠商均導(dǎo)入了 Chiplet 方案,尤其是在 AI 芯片領(lǐng) 域。 Nvdia 方面,當(dāng)前主力產(chǎn)品 A100/H100 均采用臺積電 CoWoS 2.5D 封裝, A100 采用 7nm 制程,最高配備 80GB HBM2E;H100 則采用 4nm 制程,并配 備最高 80GB HBM3。 AMD 方面則推出了更大規(guī)模的 Chiplet 產(chǎn)品,其 2023 年 6 月 14 日正式發(fā) 布的 MI300 AI 加速卡擁有 13 個小芯片,共包括 9 個 5nm 的計算核心(6 個 GCD+3 個 CCD),4 個 6nm 的 I/O die 兼 Infinity Cache(同時起到中介層的作 用,位于計算核心和 interposer 之間),還配備了累計 8 顆共計 128GB 的 HBM3 芯片。相較 Nvdia 的 A/H 系列產(chǎn)品,MI300 更進一步的將 SOC 拆分成了多顆小 芯粒,并擁有更大的面積、芯粒數(shù)量、緩存顆粒數(shù)量。

國內(nèi)算力芯片廠商亦在快速跟進,除了前文提到的壁仞科技以外,沐曦、天 數(shù)等 AI 芯片廠商亦紛紛推出異構(gòu)集成的 GPU 產(chǎn)品,導(dǎo)入 HBM 存儲,我們相信 Chiplet 的技術(shù)優(yōu)勢將使其成為算力芯片未來的主流方案,給產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)帶來 價值增量。下文我們將具體討論 Chiplet 的產(chǎn)業(yè)鏈進展,以及其對國產(chǎn)供應(yīng)鏈的 拉動作用。

3 龍頭晶圓廠主導(dǎo) Chiplet 技術(shù)路線

3.1 臺積電

晶圓代工龍頭臺積電是 Chiplet 工藝的全球領(lǐng)軍者,也是當(dāng)前業(yè)內(nèi)主流算力 芯片廠商的主要供應(yīng)商,因此我們將做著重介紹。其于 2021 年將 2.5D/3D 先進 封裝相關(guān)技術(shù)整合推出 3DFabric 平臺,由于 Chiplet 技術(shù)涉及芯片的堆疊,因此 臺積電將其命名為 3DFabric?技術(shù),旗下?lián)碛?CoWoS、InFO、SoIC 三種封裝 工藝,代表當(dāng)前 Chiplet 技術(shù)的三種主流形式。Intel 和三星各自都有類似的 2.5D/3D 封裝工藝,盡管命名不同,但結(jié)構(gòu)與臺積電方案類似。 前段技術(shù) 3D SoIC 利用芯片間直接銅鍵合,具有更小間距;后段技術(shù) 2.5D 方面,CoWos 擴展至三種不同轉(zhuǎn)接板技術(shù),InFO 將封裝凸塊直接連接到再分配 層。

(1)CoWoS

2012 年臺積電與 Xilinx 共同開發(fā)集成電路封裝解決方案 CoWoS,該封裝技 術(shù)已成為高性能和高功率設(shè)計的實際行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。CoWoS-S 采用硅中介層,可以 為高性能計算應(yīng)用提供更高的性能和晶體管密度; CoWoS-R 采用 RDL 中介層, 利用 InFO 技術(shù)進行互連,更強調(diào)小芯片間的互連; CoWoS-L 融合 CoWoS-S 和InFO 技術(shù)優(yōu)勢,使用夾層與 LSI(局部硅互連)芯片進行互連,使用 RDL 層進行 電源和信號傳輸,提供了靈活的集成。英偉達、博通、谷歌、亞馬遜、NEC、 AMD、賽靈思、Habana 等公司已廣泛采用 CoWoS 技術(shù)。

(2)InFO

2017年臺積電宣布2.5D封裝技術(shù)InFO(Integrated Fanout technology) 集成扇出晶圓級封裝。臺積電的 InFO 技術(shù)使用 polyamide 代替 CoWoS 中的硅 中介層,降低了成本和封裝高度,促進大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用。InFO 具有高密度的 RDL,適用于移動、高性能計算等需要高密度互連和性能的應(yīng)用。


(3)SoIC

2019 年臺積電推出 SoIC 技術(shù),包括 chip-on-wafer(COW)和 wafer-on-wafer(WOW)兩種方案。與 CoWoS 和 InFO 不同,前面兩種方案是在封 裝環(huán)節(jié)將完成晶圓級封裝的邏輯芯片、HBM、Interposer等進行堆疊,因此成為 后道 3D 制造(Back End 3D Fabric),而 SoIC 是在前道晶圓制造環(huán)節(jié),就在邏 輯芯片上制造 TSV 通孔,并將邏輯芯片之間(或邏輯芯片的晶圓之間)進行堆疊, 這個過程稱為前道 3D 制造(Front End 3D Fabric),完成堆疊后的晶圓切割后 可再進行類似 InFO 和 CoWoS 的后道封裝。因此,SoIC 與 InFO/CoWoS 并非 并列、替代關(guān)系,而是將 InFO/CoWoS 所用到的單顆 SoC 替換成了經(jīng)過 3D 堆 疊的多顆 SoC。 SoIC 是臺積電異構(gòu)小芯片封裝的關(guān)鍵,具有高密度垂直堆疊性能,與 CoWoS 和 InFO 技術(shù)相比 SoIC 可以提供更高的封裝密度和更小的鍵合間隔。

3.2 Intel

作為全球 CPU 設(shè)計龍頭廠商,Intel 同時亦是領(lǐng)先的 IDM 廠商。其主推的 Chiplet 工藝包括 EMIB 和 Foveros,分別類似于臺積電的 InFO_LSI 和 SoIC。 EMIB 是 2.5D 硅中介層的替代方案,die-substrate 互連通過傳統(tǒng)覆晶芯片 方式,die-die 橋接的部分用一個很小的 Si 片實現(xiàn),并將這部分嵌入在載板內(nèi), 和硅中介層(interposer)相比,EMIB 硅片面積更微小、更靈活、更經(jīng)濟;與 傳統(tǒng) 2.5D 封裝的相比,因為沒有 TSV,因此 EMIB 技術(shù)具有正常的封裝良率、無 需額外工藝和設(shè)計簡單等優(yōu)點。

Foveros技術(shù)是高于EMIB技術(shù)的3D芯片堆疊技術(shù),利用晶圓級封裝能力, 與 2D 的 EMIB 封裝方式相比,F(xiàn)overos 更適用于小尺寸產(chǎn)品或?qū)?nèi)存帶寬要求 更高的產(chǎn)品。與 TSMC 的 SoIC/CoWoS/InFO 的關(guān)系類似,F(xiàn)overos 與 EMIB 亦 可以配合使用。

3.3 三星

三星基于“超越摩爾定律”方法的異構(gòu)集成技術(shù),沿著水平集成和垂直集成 兩種方向,先后研發(fā)出三大先進封裝技術(shù):I-Cube、H-Cube 和 X-Cube。 I-Cube 和 H-Cube 是 2.5D 封裝方案。I-CUBE-S 類似臺積電的 CoWoS-s, I-CUBE-E 類似臺積電的 CoWoS-L。H-Cube 方案則拋棄了大面積的 ABF 基板, 采用面積較小的 ABF 基板或 FBGA 基板疊加大面積的 HDI 基板的方式。 X-Cube 則采用在 3D 空間堆疊邏輯裸片的方法,類似臺積電的 SoIC 方案。 而在芯片之間的互連方式上,X-Cube 可以采用傳統(tǒng)的 u-bump,也可以使用更 高端的混合鍵合(Hybrid Bonding),Hybrid Bonding 可以容納更高的 I/O 密 度。

4 Chiplet 技術(shù)帶來國產(chǎn)供應(yīng)鏈機遇

本章我們將重點討論 Chiplet 技術(shù)應(yīng)用,尤其是增長潛力較大的算力芯片 2.5D/3D 封裝帶來的國產(chǎn)供應(yīng)鏈機遇。主要包括: 1)封測端:算力芯片廣泛采用的 2.5D/3D 封裝方案是對傳統(tǒng)封裝的重大升 級,但封測廠商仍將扮演重要地位。尤其是在晶圓級封裝等領(lǐng)域,與過去的 FC 封裝有共通之處。 2)設(shè)備端:Chiplet 技術(shù)帶來芯片數(shù)量的增長,測試設(shè)備用量。此外 Chiplet 技術(shù)還增加了晶圓級封裝的需求,諸多晶圓制造設(shè)備迎來需求增量。 3)材料端:Chiplet 技術(shù)對芯片的高速互聯(lián)需求增長,帶來高速封裝基板需 求,此外高端封裝耗材的用量亦會有所增加。

4.1 封裝:晶圓廠主導(dǎo),封裝廠商配套導(dǎo)入中

算力芯片的 2.5D/3D 封裝主要包括中段晶圓級封裝+后段封裝。以臺積電 CoWoS 封裝為例: 1)晶圓級封裝:計算核心等芯片晶圓制造完成后在重構(gòu)晶圓上制造 RDL 和 bump; 2)COW:將計算核心、I/O die、HBM 等芯片封裝在 Interposer 上,即為 CoWoS(chip on wafer on substrate)的 chip on wafer 環(huán)節(jié); 3)OS:完成 CoW 封裝的整個系統(tǒng)在封裝基板上封裝,這一步即 CoWoS 的 on substrate 環(huán)節(jié),其封裝方式與傳統(tǒng)的 FCBGA 的后段封裝基本類似。

與傳統(tǒng)的產(chǎn)業(yè)鏈分工不同的是,2.5D/3D 封裝是在晶圓制造和傳統(tǒng)的后段封 裝之間增加了額外的環(huán)節(jié),因此晶圓廠和封裝廠均有參與機會。當(dāng)前臺積電基本 壟斷了全球算力芯片的 2.5D 封裝市場,受益于算力芯片需求攀升,正在積極擴充封裝產(chǎn)能。 而于此同時,國內(nèi)龍頭封裝廠亦在積極把握行業(yè)機遇,導(dǎo)入客戶 Chiplet 產(chǎn) 品供應(yīng)鏈。通富微電已經(jīng)具備 7nm Chiplet 規(guī)模量產(chǎn)能力,并持續(xù)與 AMD 等龍 頭廠商加深合作;長電科技推出 XDFOI?技術(shù)方案,已經(jīng)實現(xiàn)國際客戶 4nm 節(jié)點 Chiplet 產(chǎn)品的量產(chǎn)出貨。 此外,Chiplet 應(yīng)用加速了晶圓級封裝的需求,國內(nèi)諸多封測廠商都具備晶 圓級封裝能力,諸如長電科技、通富微電、華天科技、甬矽電子、盛合晶微等, 有望迎來晶圓級封裝的需求增量。我們看好 Chiplet 技術(shù)應(yīng)用提速之下國內(nèi)先進 封裝廠商的發(fā)展機遇。

4.2 設(shè)備:晶圓級封裝設(shè)備和后道封測設(shè)備需求增長

Chiplet 應(yīng)用對設(shè)備的需求拉動來自兩方面: 1)晶圓級封裝設(shè)備。晶圓級封裝需要的設(shè)備與前道晶圓制造類似,涉及光 刻機、涂膠顯影設(shè)備、薄膜設(shè)備、電鍍設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、量測設(shè)備等。 國產(chǎn)諸多公司都有相關(guān)業(yè)務(wù):北方華創(chuàng)(刻蝕、薄膜、清洗等)、芯源微(涂膠 顯影、清洗)、盛美上海(電鍍、清洗、涂膠顯影、拋光)、中科飛測(檢測)等。 2)后道封測設(shè)備。Chiplet 封裝依舊需要和傳統(tǒng)封裝類似的封裝和測試環(huán)節(jié), 有望成為國產(chǎn)封測設(shè)備廠商成長的新動力,包括:封裝設(shè)備廠商新益昌、ASMP; 測試設(shè)備廠商長川科技、華峰測控、金海通等。


4.3 材料:ABF 載板用量提升

Chiplet 技術(shù)發(fā)展增大芯片封裝面積,提升 ABF 載板用量。Chiplet 是將一 類滿足特定功能的 die(裸片),通過 die-to-die 內(nèi)部互聯(lián)技術(shù)實現(xiàn)多個模塊芯片與底層基礎(chǔ)芯片封裝在一起,形成一個系統(tǒng)芯片,要將這些芯片整合在一起需要 更大的 ABF 載板來放置,這意味著 ABF 載板耗用的面積將隨 chiplet 技術(shù)而變 大,而載板的面積越大,ABF 的良率就會越低,ABF 載板需求也會進一步提高。 同時,Chiplet 先進封裝的應(yīng)用也會增加封裝載板層數(shù),具體層數(shù)與技術(shù)指標(biāo) 要求取決于芯片的設(shè)計方案。

ABF 載板已經(jīng)成為 FC-BGA 封裝的標(biāo)配。ABF 載板又被稱為味之素基板, 其關(guān)鍵材料 ABF 膜被日本味之素公司壟斷,是 FC-BGA 封裝的標(biāo)配材料。ABF 載 板作為芯片封裝中連接芯片與電路板的中間材料,主要用于 CPU、GPU、FPGA、 ASIC 等高運算性能芯片,其核心作用就是與芯片進行更高密度的高速互聯(lián)通信, 然后通過載板上的更多線路與大型 PCB 板進行互聯(lián),起著承上啟下的作用,進而 保護電路完整、減少漏失、固定線路位置、有利于芯片更好的散熱以保護芯片, 甚至可埋入無源、有源器件以實現(xiàn)一定系統(tǒng)功能。 ABF 載板廠商主要集中在中國臺灣、日本和韓國。根據(jù) QYResearch 統(tǒng)計及 預(yù)測,2021 年全球 ABF 基板市場銷售額達到 43.68 億美元,預(yù)計 2028 年將達 到 65.29 億美元,CAGR 為 5.56%。目前 ABF 載板主要有七大供貨商,2021 年 供貨比重分別是欣興 21.6%、Ibiden 19.0%、AT&S 16.0%、南電 13.5%、 Shinko 12.1%、景碩 7.2%、Semco 5.1%,2022 年除 Semco 外,其余廠商于 皆有進行擴產(chǎn)。從生產(chǎn)端來看,日本、中國臺灣和韓國主導(dǎo)了全球 ABF 載板生產(chǎn), 2021 年這三大地區(qū)的市場份額分別為 25%、44%和 9.9%。

未來隨著 CPU、GPU、FPGA、ASIC 等高性能運算芯片需求增長以及 Chiplet 技術(shù)的廣泛應(yīng)用,ABF 載板的需求量將進一步提升。國內(nèi)廠商如華正新 材、生益科技、方邦股份、興森科技、深南電路等正在加快核心技術(shù)研發(fā),力爭 打破海外壟斷格局。目前華正新材的 CBF 積層絕緣膜正在加快新產(chǎn)品開發(fā)進程, 在 CPU、GPU 等半導(dǎo)體芯片封裝領(lǐng)域進入了下游 IC 載板廠、封裝測試廠及芯片 終端驗證流程,并取得了良好進展。

5 投資分析

長電科技

長電科技成立于 1972 年,是全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)企業(yè)。主 營業(yè)務(wù)包括集成電路的系統(tǒng)集成、設(shè)計仿真、技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品認(rèn)證、晶圓中測、 晶圓級中道封裝測試、系統(tǒng)級封裝測試、芯片成品測試。公司全面覆蓋主流中高 低封測技術(shù),并覆蓋 WLP、2.5D/3D、SIP、高性能倒裝芯片、引線互聯(lián)等先進 技術(shù);業(yè)務(wù)實現(xiàn)對汽車領(lǐng)域、通信領(lǐng)域、高性能計算領(lǐng)域、存儲領(lǐng)域的覆蓋。長 電旗下生產(chǎn)基地全球布局,擁有主營先進封裝的星科金朋、長電韓國、長電先進、 長電江陰,和主營傳統(tǒng)封裝的滁州、宿遷多個廠區(qū)。

長電科技在中國、韓國和新加坡?lián)碛袃纱笱邪l(fā)中心和六大集成電路成品生產(chǎn) 基地,星科金朋、長電先進、長電韓國主營先進封裝業(yè)務(wù),而長電本部江陰廠、 宿遷廠和滁州廠主營傳統(tǒng)封裝業(yè)務(wù)。各生產(chǎn)基地分工明確、各具技術(shù)特色和競爭 優(yōu)勢。 2022 年半導(dǎo)體封測行業(yè)景氣下行,但公司加快高性能封測領(lǐng)域的研發(fā)和客 戶產(chǎn)品導(dǎo)入,強化高附加值市場的開拓,優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和業(yè)務(wù)比重,實現(xiàn)收入和 凈利潤逆勢增長。2022 年全年,公司實現(xiàn)營收 337.62 億元,同比增長 10.69%; 實現(xiàn)歸母凈利潤 32.31 億元,同比增長 9.20%,創(chuàng)歷年新高。 2023 年 Q1,受半導(dǎo)體周期性下行影響,公司業(yè)績短期承壓,實現(xiàn)歸母凈利 潤 1.10 億元,同比下滑 87.24%,實現(xiàn)營收 58.60 億元,同比下滑 27.99%。


利潤率和費用率方面,公司在過去數(shù)年間通過業(yè)務(wù)規(guī)模增長、運營管理精進, 實現(xiàn)了較好的降費增效和盈利釋放。2017-2022 年,公司毛利率從 11.71%提升 至 17.04%,期間費用率從 13.55%下降至 7.47%,2019 年實現(xiàn)扭虧為盈,2022 年實現(xiàn)凈利率 9.57%。2023 年 Q1,受行業(yè)景氣度影響公司毛利率短期下滑至 11.84%,凈利率同步下滑至 1.88%。

從下游市場結(jié)構(gòu)來看,公司下游市場以通信和消費電子為主。2022 年全年, 公司收入結(jié)構(gòu)中通訊電子占比 39.3%、消費電子占比 29.3%、運算電子占比 17.4%、工業(yè)及醫(yī)療電子占比 9.6%、汽車電子占比 4.4%。運算電子和汽車電子 兩大成長性賽道將是公司重點發(fā)力方向。

通富微電

通富微電是全球第四、中國大陸第二OSAT廠商,2022年全球市占率6.51%, 公司主要從事集成電路封裝測試一體化服務(wù)。封裝類型齊全,包含框架類封裝, 基板類封裝和圓片類封裝,以及 COG、COF 和 SIP 等。產(chǎn)品種類豐富,廣泛應(yīng) 用于高性能計算、大數(shù)據(jù)存儲、網(wǎng)絡(luò)通訊、移動終端、車載電子、人工智能、物 聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)智造等領(lǐng)域。公司共設(shè)有七大生產(chǎn)基地,分別為崇川總部、南通通富、 合肥通富、通富超威蘇州、通富超威檳城、廈門通富和通富通科。

2022 年以來,封測行業(yè)需求走弱,但公司蘇州、檳城廠收入保持了 50%以 上的強勁增長,2022 年公司營收 214.29 億元,同比增長 35.52%。稼動率下行更 多地體現(xiàn)在國內(nèi)業(yè)務(wù),并影響了利潤端,2022 年公司歸母凈利潤 5.02 億元,同 比下降 47.53%,蘇通廠、合肥廠均出現(xiàn)凈利虧損。2023 年 Q1 公司收入 46.42 億元,保持正增長,年度收入目標(biāo) 248 億,同比增長 16%。

利潤率和費用率方面,2022 年公司毛利率和凈利率分別為 13.9%/2.48%, 近五年來呈現(xiàn)明顯波動的情況;同年,公司期間費用率為 12.02%,自 2018 年來 保持相對穩(wěn)定態(tài)勢。2023 年 Q1,公司毛利率和凈利率分別為 9.45%/0.23%, 期間費用率為 12.11%。


華天科技

公司主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試業(yè)務(wù),封裝產(chǎn)品可分為三大類:(1) 引線框架類產(chǎn)品,主要包括 DIP/SOP、QFP、QFN、FCQFN、SOT、DFN;(2) 基板類產(chǎn)品,主要包括 WB BGA/LGA、FCCSP/FCLGA、FCBGA、SiP;(3)晶 圓級產(chǎn)品,定位高端產(chǎn)品,主要包括 WLP 系列、TSV 系列、Bumping 系列和 MEMS 系列等。產(chǎn)品主要應(yīng)用于計算機、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費電子及智能移動終端、 物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動化控制、汽車電子等電子整機和智能化領(lǐng)域。

受終端市場產(chǎn)品需求下降及集成電路行業(yè)景氣度下滑影響,公司 2022 年營 業(yè)收入119.06億元,同比下降1.58%;歸母凈利潤7.54億元,同比下降46.74%。 景氣度低迷持續(xù)到 2023 年 Q1,公司實現(xiàn)營業(yè)收入 22.39 億元,同比下降 26%; 歸母凈利潤虧損 1.06 億元,同比下降 151.2%。

利潤率和費用率方面,2022年公司毛利率和凈利率分別為16.84%/8.59%, 近五年內(nèi)出現(xiàn)明顯的波動;同年,公司期間費用率為 12.45%,自 2018 年來保持 相對穩(wěn)定態(tài)勢。2023 年 Q1,公司毛利率和凈利率分別為 3.99%/-5.66%,期間 費用率為 14.13%。

業(yè)務(wù)拆分: 集成電路封測:公司的主要業(yè)務(wù),2022 年因封測行業(yè)周期性下行,收入增速轉(zhuǎn) 負(fù)并呈現(xiàn)毛利率的下滑,預(yù)計 2023 年起伴隨半導(dǎo)體下游需求逐漸回復(fù),集成電 路封測業(yè)務(wù)收入恢復(fù)增長。綜合考慮行業(yè)景氣度回升,以及公司 2021 年定增募 投項目將在 2023 年底逐步達到可用狀態(tài),并在之后實現(xiàn)產(chǎn)能釋放,我們預(yù)計 2024-2025 年會有更高的收入增速, 預(yù) 計 2023-2025 年收入同比增長 14.5/17.4/17.8%,而毛利率仍受到價格及產(chǎn)能利用率影響,預(yù)計 2023 年仍將短 期承壓,并有望于 2024 年開始回升,逐步回到接近周期前高水平(2021 年度), 預(yù)計 2023-2025 年毛利率分別為 14.2/18.2/20.1%。 LED 封測:收入占比較低,且相較集成電路業(yè)務(wù)更為低端,因此在行業(yè)下行周期 呈現(xiàn)了較大的收入降幅和利潤虧損。我們預(yù)計下游 LED 需求將在 2023 年觸底, 后續(xù)受有望受益于面板行業(yè)復(fù)蘇、miniLED 新品滲透等因素恢復(fù)增長,2023- 2025 年收入同比增長-30.1/9.0/4.3%。毛利率方面,短期價格及產(chǎn)能利用率維 持地位仍將壓制公司盈利水平,預(yù)計 2023 年起虧損收窄,并逐漸扭虧,2023- 2025 年毛利率分別為-19.5/-9.0/-0.3%。

甬矽電子

甬矽電子是一家新銳半導(dǎo)體封測企業(yè),從成立之初即聚焦集成電路封測業(yè)務(wù) 中的先進封裝領(lǐng)域。公司擁有的主要核心技術(shù)包括高密度細(xì)間距倒裝凸點互聯(lián)芯 片封裝技術(shù)、應(yīng)用于 4G/5G 通訊的射頻芯片/模組封裝技術(shù)、混合系統(tǒng)級封裝 (Hybrid-SiP)技術(shù)、多芯片(Multi-Chip)/高焊線數(shù)球柵陣列(WB-BGA)封裝技 術(shù)、基于引線框的高密度/大尺寸的 QFN 封裝技術(shù)、MEMS&光學(xué)傳感器封裝技 術(shù)和多應(yīng)用領(lǐng)域先進 IC 測試技術(shù)等。 公司全部產(chǎn)品均為QFN/DFN、WB-LGA、WB-BGA、FC-BGA、FC-LGA等 中高端先進封裝形式,并在系統(tǒng)級封裝(SiP)、高密度細(xì)間距凸點倒裝產(chǎn)品(FC 類)、大尺寸/細(xì)間距扁平無引腳封裝產(chǎn)品(QFN/DFN)等先進封裝領(lǐng)域具有較 為突出的封裝技術(shù)優(yōu)勢和先進性。

2022 年,受到行業(yè)周期下行影響,公司營收增速放緩,全年營業(yè)收入 21.77 億元,同比增長 5.96%;實現(xiàn)歸母凈利潤 1.38 億元,同比下降 57.11%。行業(yè)景 氣低迷持續(xù)到 2023 年 Q1,該季度甬矽實現(xiàn)營收 4.25 億元,同比下降 26.85%; 歸母凈利潤為虧損 0.50 億元,同比下降 170.04%。


收入構(gòu)成方面,系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品(SiP)與扁平無引腳封裝產(chǎn)品(QFN/DFN) 為公司兩大主要營收來源。2022 年,公司 SiP 業(yè)務(wù)收入 12.25 億元;QFN/DFN 業(yè)務(wù)收入 6.32 億元;FC 類業(yè)務(wù)收入 2.92 億元;MEMS 業(yè)務(wù)收入 0.05 億元;其 他業(yè)務(wù)及產(chǎn)品收入 0.22 億元。 利潤率和費用率方面,受半導(dǎo)體行業(yè)需求波動影響,產(chǎn)品毛利率有所下滑, 同時人員規(guī)模擴大、貸款增加等因素導(dǎo)致期間費用有所增長,影響利潤表現(xiàn)。 2022 年毛利率為 21.91%,凈利率為 6.30%,近五年來總體呈上升趨勢;公司期 間費用率為 18.64%,自 2018 年來呈下降趨勢。2023 年 Q1 毛利率為 8.39%, 凈利率為-13.60%,期間費用率為 26.34%。

晶方科技

晶方科技是大陸晶圓級封測龍頭,擁有領(lǐng)先的硅通孔(TSV)、晶圓級、 Fanout、系統(tǒng)級等多樣化的封裝技術(shù),目前同時具備 8 英寸和 12 英寸晶圓級芯 片尺寸封裝(WLCSP)技術(shù)的規(guī)模量產(chǎn)能力。 公司重點聚焦以影像傳感芯片為代表的智能傳感器市場,封裝的產(chǎn)品主要包 括 CIS 芯片、TOF 芯片、生物身份識別芯片、MEMS 芯片等,廣泛應(yīng)用在手機、 安防監(jiān)控、身份識別、汽車電子、3D 傳感等電子領(lǐng)域。主要客戶有豪威、格科 微、索尼、晶相光電、思特威等;同時公司已進一步收購 Anteryon,持有其 81.09%股份,強化了對 WLO 業(yè)務(wù)和半導(dǎo)體封裝技術(shù)的整合,有望進一步受益于 MLA 車燈需求增長;公司加大對以色列 VisIC 公司的投資,VisIC 是全球領(lǐng)先的 GaN 器件設(shè)計公司,研發(fā)團隊擁有數(shù)十年的產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗,并已開發(fā)出 GaN 大 功率晶體管和模塊,其專利技術(shù)的氮化鎵功率器件可廣泛應(yīng)用于快充、電動汽車、 5G 基站和數(shù)據(jù)中心、高功率激光等領(lǐng)域。公司通過對 VisIC 的布局,有望有效把 握第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇。

2022 年受市場需求下降、行業(yè)產(chǎn)能過剩庫存高企、手機等消費電子產(chǎn)品創(chuàng) 新力不足,更換設(shè)備的間隔拉長等多因素影響,公司所專注的影像傳感器細(xì)分市 場景氣度疲軟,2022 年公司實現(xiàn)銷售收入 11.06 億元,同比下降 21.62%,實現(xiàn) 營業(yè)利潤 2.58 億元,同比下降 59.63%,實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤 2.28 億元,同比下降 60.45%。2023 年 Q1,公司實現(xiàn)營收 2.23 億元,同比下降 26.89%;歸母凈利潤 0.29 億元,同比下降 68.48%。

業(yè)務(wù)拆分: 芯片封裝:2022 年受封測行業(yè)周期下行影響,芯片封裝業(yè)務(wù)收入、毛利率均有 下滑,預(yù)計 2023 年伴隨下游封裝周期觸底,需求逐漸回復(fù),收入恢復(fù)增長,預(yù) 計 2023-2025 年收入同比增長 15.0/20.0/20.0%,毛利率亦有望在年內(nèi)底部企 穩(wěn),考慮到 2023 年 Q1 毛利率的較大嚇唬,我們預(yù)計全年毛利率仍將短期承壓,2024 年開始有望看到較為明顯的回升,預(yù)計 2023-2025 年毛利率分別為 45.0/46.0/47.0%。 光學(xué)器件:2021 年包含在芯片封裝業(yè)務(wù)中,2022 年起作為新業(yè)務(wù)在公司財報中 單獨披露,由于基數(shù)較低展現(xiàn)了較高的增速。公司預(yù)計 2023 年將加大投入開發(fā) 提升微型光學(xué)器件的設(shè)計、研發(fā)與制造能力,加強荷蘭 Anteryon、晶方光電的 業(yè)務(wù)與技術(shù)協(xié)同,進一步鞏固混合鏡頭業(yè)務(wù)的技術(shù)領(lǐng)先能力,提高其在半導(dǎo)體設(shè) 備、工業(yè)智能等領(lǐng)域的應(yīng)用規(guī)模。完善增強晶圓級微型鏡頭業(yè)務(wù)的制造能力,拓 展 MLA 產(chǎn)品的客戶群體與業(yè)務(wù)規(guī)模,并大力推進在汽車大燈等智能交互領(lǐng)域的 開發(fā)與商業(yè)化應(yīng)用。因此預(yù)計未來保持較高的收入增長和盈利提升趨勢,預(yù)計 2023-2025 年收入同比增長 80.0/60.0/40.0%,業(yè)務(wù)規(guī)模逐漸起量有望帶來規(guī)模 優(yōu)勢和成本下降,預(yù)計 2023-2025 年毛利率分別為 38.0/38.5/39.0%。

偉測科技

公司是國內(nèi)知名的第三方集成電路測試服務(wù)企業(yè),提供從測試方案開發(fā)、晶 圓測試、芯片成品測試、SLT 測試、老化測試、In Tray Mark、Lead Scan 等全 流程測試服務(wù)。公司測試的晶圓和成品芯片在類型上涵蓋 CPU、MCU、FPGA、 SoC 芯片、射頻芯片、存儲芯片、傳感器芯片、功率芯片等芯片種類;在工藝上 涵蓋 6nm、7nm、14nm 等先進制程和 28nm 以上的成熟制程;在晶圓尺寸上 涵蓋 12 英寸、8 英寸、6 英寸等主流產(chǎn)品。公司的測試產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、 工業(yè)控制、通訊、計算機、消費電子等領(lǐng)域。


2022 年,公司實現(xiàn)營業(yè)收入 7.33 億元,同比增長 48.64%,主要系下游集 成電路測試需求旺盛,公司持續(xù)擴大測試產(chǎn)能,加大對新老客戶產(chǎn)品的測試開發(fā) 力度,使得集成電路測試收入保持較快增長所致;歸母凈利潤 24,332.73 萬元, 同比增長 84.09%。2023 年 Q1 受封測行業(yè)景氣度周期下行影響,公司實現(xiàn)營收 1.41 億元,同比下降 15.38%;歸母凈利潤 0.27 億元,同比下降 39.29%。

業(yè)務(wù)拆分: 晶圓測試業(yè)務(wù):公司的主要業(yè)務(wù),得益于公司獨特的第三方測試服務(wù)商商業(yè)模式, 在封測行業(yè)下行周期中仍保持了較好的收入增速,預(yù)計未來保持穩(wěn)健增長, 2023-2025 年收入同比增長 40.0/40.0/35.0%。毛利率方面,2023 年 Q1 整體 毛利率略有下滑,預(yù)計未來伴隨封測整體需求復(fù)蘇,盈利將有所恢復(fù),2023- 2025 年毛利率 55.0/56.0/56.0%。 成品類業(yè)務(wù):成品測試業(yè)務(wù)為公司2020-2021年發(fā)力開拓方向,已實現(xiàn)可觀收入 規(guī)模,預(yù)計未來保持穩(wěn)健增長,2023-2025 年收入同比增長 35.0/35.0/30.0%。 毛利率方面,在市場開拓期業(yè)務(wù)毛利率有所下降,預(yù)計未來伴隨收入規(guī)模擴大而 逐步穩(wěn)定,2023-2025 年毛利率 36.0/35.0/35.0%。 其他業(yè)務(wù):非主營業(yè)務(wù),收入較少,預(yù)計未來收入伴隨公司整體規(guī)模增長而穩(wěn)定 增長,毛利率則將維持穩(wěn)定。2023-2025 年收入同比增長 45.0/45.0/45.0%,毛 利率維持 45.0%。

長川科技

長川科技成立于 2008 年,公司主要為集成電路封裝測試企業(yè)、晶圓制造企 業(yè)、芯片設(shè)計企業(yè)等提供測試設(shè)備。目前主要銷售產(chǎn)品為測試機、分選機、自動 化設(shè)備及 AOI 光學(xué)檢測設(shè)備等。公司生產(chǎn)的測試機包括大功率測試機、模擬測試 機、數(shù)字測試機等;分選機包括重力式分選機、平移式分選機、測編一體機;自 動化設(shè)備包括指紋模組、攝像頭模組等領(lǐng)域的自動化生產(chǎn)設(shè)備;AOI 光學(xué)檢測設(shè) 備包括晶圓光學(xué)外觀檢測設(shè)備、電路封裝光學(xué)外觀檢測設(shè)備等。

2022 年,歸功于國家對集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)注度的提升,公司研發(fā)項目加大投 入,產(chǎn)品線豐富和客戶范圍擴張等積極作用,公司實現(xiàn)營業(yè)收入 25.77 億元,同 比增長 70.49%;歸母凈利潤 46,108.04 萬元,同比增長 111.28%。2023 年 Q1 受半導(dǎo)體封測行業(yè)景氣度周期下行影響,公司實現(xiàn)營收 3.2 億元,同比下降 40.48%;歸母凈利潤為虧損 0.57 億元,同比下降 180.5%。

業(yè)務(wù)拆分: 分選機:分選機業(yè)務(wù)在過去保持了較高的收入增長和毛利率提升,2023 年公司 并購長奕科技,并發(fā)力三溫分選機等新品,預(yù)計收入將繼續(xù)高增,2023-2025 年 收入同比增長 43.4/32.8/25.2%,毛利率方面,伴隨收入規(guī)模釋放,公司分選機 已在國內(nèi)市場占據(jù)領(lǐng)先地位,毛利率已達到較高水平,預(yù)計2023-2025年穩(wěn)定在 45.0%。 測試機:測試機產(chǎn)品線新品持續(xù)放量,在2021-2022年持續(xù)高增,達到較大收入 規(guī)模,2023 年數(shù)字測試機新品放量仍將帶來較高的收入增速,預(yù)計未來 2024- 2025 年增速逐漸趨緩,2023-2025 年收入同比增長 72.7/21.6/19.5%。毛利率 方面,測試機毛利率高于分選機業(yè)務(wù),且得益于數(shù)字測試機新品迭代,未來仍有 望維持高位,預(yù)計 2023-2025 年分別為 68.0/69.0/69.0%。

興森科技

興森科技成立于 1993 年,是 PCB 樣板、快件和小批量領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè), 并在半導(dǎo)體 ATE 測試板、封裝基板細(xì)分領(lǐng)域成為國內(nèi)頭部廠商之一。公司主 營業(yè)務(wù)為 PCB 和半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。PCB 業(yè)務(wù)聚焦于樣板快件及批量板的研發(fā)、設(shè) 計、生產(chǎn)、銷售和表面貼裝;半導(dǎo)體業(yè)務(wù)聚焦于 IC 封裝基板(含 CSP 封裝基 板和 FCBGA 封裝基板)及半導(dǎo)體測試板。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、服務(wù)器、 工業(yè)控制及儀器儀表、醫(yī)療電子、軌道交通、計算機應(yīng)用、半導(dǎo)體等多個行 業(yè)領(lǐng)域。

公司總部設(shè)在中國深圳,并在廣州、宜興、珠海、英國和美國等地建立 了生產(chǎn)運營基地;在中國香港、美國成立了子公司。目前海內(nèi)外已建立數(shù)十 個客戶服務(wù)中心,形成了全球化的營銷和技術(shù)服務(wù)網(wǎng)絡(luò)。

2022 年,半導(dǎo)體整體景氣度下行。受限于行業(yè)層面需求不振、競爭加劇的 壓力,公司收入增速放緩,且毛利率下行,2022 年公司整體營收 53.54 億元, 同比增長 6.23%;歸母凈利潤 5.26 億元,同比下降 15.42%。2023 年 Q1 封測 行業(yè)稼動率持續(xù)低迷,公司實現(xiàn)營收 12.52 億元,同比下降 1.63%;歸母凈利潤 為 0.08 億元,同比下降 96.27%。


收入構(gòu)成方面,2022 年公司 PCB 樣板及小批量板收入 40.30 億元;IC 封裝基板收入 6.90 億元;半導(dǎo)體測試板收入 4.59 億元;固態(tài)硬盤、SMT 等 其他業(yè)務(wù)收入 1.75 億元。

華正新材

華正新材成立于 2003 年,公司主要從事覆銅板及粘結(jié)片、復(fù)合材料和膜材 料等產(chǎn)品的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于 5G 通訊、服務(wù)器、數(shù)據(jù) 中心、半導(dǎo)體封裝、新能源汽車、智慧家電、醫(yī)療設(shè)備、軌道交通、綠色物流等 領(lǐng)域。公司主要產(chǎn)品覆銅板(CCL)全稱覆銅箔層壓板,是制作印制電路板 (PCB)的基礎(chǔ)材料。 公司產(chǎn)能高質(zhì)量擴張,積極布局進入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。覆銅板業(yè)務(wù)方面,2022 年公司年產(chǎn) 2400 萬張高等級覆銅板珠?;仨椖恳黄诠こ贪从媱澆糠滞懂a(chǎn),新 增產(chǎn)能有效提高了公司高等級覆銅板的供應(yīng)能力,進一步提升了行業(yè)地位。膜材 料業(yè)務(wù)方面,公司持續(xù)加快 CBF 積層絕緣膜新產(chǎn)品開發(fā)進度,在 CPU、GPU 等 半導(dǎo)體芯片封裝領(lǐng)域進入下游 IC 載板廠、封裝測試廠及芯片終端驗證流程;BT 封裝材料在 MiniLED 背光和直顯應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定市場供應(yīng),已在存儲芯片、微 機電系統(tǒng)芯片、射頻模塊芯片等應(yīng)用市場開展終端驗證。

終端市場需求疲軟,公司業(yè)績承壓。公司 2022 年營業(yè)收入為 32.86 億元, 同比減少 9.23%;歸母凈利潤為 0.36 億元,同比減少 84.85%,主要系終端及下 游客戶需求增長乏力,且產(chǎn)業(yè)整體稼動率不高,同業(yè)競爭加劇導(dǎo)致覆銅板售價下 降。受行業(yè)景氣度影響,2023Q1 公司營收為 7.58 億元,同比減少 9.45%,環(huán) 比減少 16.50%;歸母凈利潤為-0.08 億元,同比減少 125.30%,環(huán)比增長 68.16%。公司一季度歸母凈利潤出現(xiàn)環(huán)比減虧,同時 CBF 終端產(chǎn)品驗證順利, 隨著覆銅板和鋁塑膜業(yè)務(wù)擴產(chǎn)項目的投產(chǎn),預(yù)計全年盈利能力有望得到持續(xù)改 善。

覆銅板為公司主要收入來源。公司主要產(chǎn)品包括覆銅板、交通物流用復(fù)合材 料、絕緣材料、導(dǎo)熱材料。2022 年,公司覆銅板業(yè)務(wù)收入達到 24.92 億元,占 總營收 75.84%,貢獻公司大部分收入;交通物流用復(fù)合材料、絕緣材料和導(dǎo)熱 材料收入分別達到 3.40 億元、1.93 億元和 1.90 億元,其營收占比分別為 10.34%、5.87%和 5.79%。 毛利率與凈利率 23Q1 環(huán)比改善。受下游需求疲軟影響,公司 2022 年毛利 率為 12.98%,同比下降 3.53pct;凈利率為 1.24%,同比下降 5.4pct。 2023Q1,公司毛利率為 11.43%,同比減少 3.84pct,環(huán)比增加 1.07pct;凈利 率為-1.04%,同比減少 4.83pct,環(huán)比增加 1.57pct,毛利率及凈利率環(huán)比均出 現(xiàn)增長。

華海誠科

公司成立于 2010 年 12 月,是一家專業(yè)從事于半導(dǎo)體器件、集成電路、特種 器件、LED 支架等電子封裝材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)企業(yè)。公司已發(fā) 展成為我國規(guī)模較大、產(chǎn)品系列齊全、具備持續(xù)創(chuàng)新能力的環(huán)氧塑封料廠商,在 半導(dǎo)體封裝材料領(lǐng)域已構(gòu)建了完整的研發(fā)生產(chǎn)體系并擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)。 公司主要產(chǎn)品包括環(huán)氧塑封料與電子膠黏劑,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝、板級 組裝等應(yīng)用場景。 其中環(huán)氧塑封料與芯片級電子膠黏劑與半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā) 展息息相關(guān),是保證芯片功能穩(wěn)定實現(xiàn)的關(guān)鍵材料。

環(huán)氧塑封料應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝工藝中的塑封環(huán)節(jié),屬于技術(shù)含量高、工藝難 度大、知識密集型的產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)。在塑封過程中,封裝廠商主要采用傳遞成型法將 環(huán)氧塑封料擠壓入模腔并將其中的半導(dǎo)體芯片包埋,在模腔內(nèi)交聯(lián)固化成型后成 為具有一定結(jié)構(gòu)外型的半導(dǎo)體器件。


2022 年,受下游封測需求疲軟影響,公司營業(yè)收入為 3.03 億元,同比減少 12.67%;歸母凈利潤為 0.41 億元,同比減少 13.39%,主要系公司營業(yè)收入同 比下滑、管理費剛性支出以及研發(fā)費用的持續(xù)投入所致。2023 年 Q1 下游封測景 氣度持續(xù)低迷,公司實現(xiàn)營收 0.54 億元,同比減少 11.16%;歸母凈利潤 0.041 億元,同比減少 17.45%。

2022 年公司毛利率為 27.01%,同比下降 2.13pcts,主要系消費電子市場疲 軟導(dǎo)致公司應(yīng)用于消費電子的環(huán)氧塑封料量價齊跌。23Q1 公司毛利率為 30.41%, 同比增加 1.96pcts;凈利率為 7.65%,同比減少 0.58pcts。 公司主要產(chǎn)品為環(huán)氧塑封料,2022 年收入為 2.87 億元,占公司總收入 94.76%,是公司收入的主要來源;公司膠黏劑業(yè)務(wù)收入為 0.15 億元,收入占比 為 4.86%。

方邦股份

公司成立于 2010 年 12 月,是集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)于一體的稀缺高端 電子專用材料平臺型企業(yè),在電磁屏蔽膜領(lǐng)域居龍頭地位。目前主要產(chǎn)品有:電 磁屏蔽膜、極薄撓性覆銅板、薄膜電阻、超薄可剝離銅箔、鋰電銅箔等,產(chǎn)品廣 泛應(yīng)用 5G 通訊、芯片封裝、高能量密度鋰電池負(fù)極材料、汽車電子、高密度互 連板(HDI)等領(lǐng)域,終端應(yīng)用客戶包括三星、華為、OPPO、VIVO、小米等國 內(nèi)外知名品牌。其中在 2012 年推出的電磁屏蔽膜,打破了日本企業(yè)在該領(lǐng)域的 技術(shù)壟斷,目前電磁屏蔽膜產(chǎn)品的市場占有率已位居國內(nèi)第一、全球第二位,產(chǎn) 品性能國際領(lǐng)先。

公司2022年實現(xiàn)營業(yè)收入 3.12億元,同比增長6.89%,歸母凈利潤為-0.68 億元,同比下降 305.55%,主要受下游消費電子需求低迷影響,屏蔽膜業(yè)務(wù)銷量 和價格同比均呈下降,且銅箔的產(chǎn)能利用率處于爬坡階段,未能形成規(guī)模效應(yīng)。 2023 年 Q1,下游消費電子景氣度維持低位,公司營業(yè)收入為 0.76 億元,同比 下降 21%;歸母凈利潤為-0.22 億元,同比下降 72.77%。

2022 年公司毛利率為 28.75%,同比減少 19.18pcts,主要系公司新增的銅 箔業(yè)務(wù)產(chǎn)能利用率和良率等各方面尚處于爬坡階段。2023Q1 公司毛利率為 26.35%,同比增加 1.62pcts;凈利率為-27.70%,同比減少 15.72pcts。 電磁屏蔽膜和銅箔產(chǎn)品為公司主要營業(yè)收入來源。2022 年公司電磁屏蔽膜 銷售收入達到 1.83 億元, 收入占比為 58.57%;銅箔業(yè)務(wù)收入達到 1.23 億元, 收入占比為 39.31%。

業(yè)務(wù)拆分: 電磁屏蔽膜業(yè)務(wù):公司的電磁屏蔽膜產(chǎn)品打破了境外企業(yè)的壟斷,已大量應(yīng)用于 小米、OPPO、VIVO、三星、華為等知名終端品牌產(chǎn)品,在行業(yè)中處于領(lǐng)先地位。 受智能手機產(chǎn)品終端銷售景氣度下滑的影響,2022 年屏蔽膜業(yè)務(wù)銷量和價格同 比均呈下降,雖然公司在短期內(nèi)承受業(yè)績壓力,但是 AR/VR設(shè)備與新能源汽車市 場對電磁屏蔽膜需求的不斷擴大。隨著消費電子行業(yè)景氣度的回暖與新能源汽車 市場的持續(xù)成長,該業(yè)務(wù)收入有望重回增長,我們預(yù)計 2023-2025年電磁屏蔽膜 業(yè)務(wù)收入分別實現(xiàn) 25.0/25.0/15.0%的穩(wěn)步增長,毛利率亦將受益于車載等高端 產(chǎn)品占比提升帶來的結(jié)構(gòu)性改善,預(yù)計 2023-2025 年分別為 55.0/58.0/60.0%。

銅箔業(yè)務(wù):目前低端產(chǎn)品占比仍較高,但公司帶載體可剝離超薄銅箔目前正在進 行客戶認(rèn)證,某寬幅產(chǎn)品已通過部分終端的首輪驗證,有望在 2023 年看到收入 釋放,伴隨新產(chǎn)品放量,銅箔收入規(guī)模有望保持高速增長,我們預(yù)計 2023-2025 年銅箔業(yè)務(wù)收入分別實現(xiàn) 125/90/60%的同比增長。毛利率方面前期低端產(chǎn)品毛 利率較低,伴隨可剝離銅箔、PET 銅箔新品放量,占比提升,毛利率有望實現(xiàn)快 速增長,預(yù)計 2023-2025 年分別為 10.0/25.0/35.0%。 其他主營業(yè)務(wù):主要為 FCCL 產(chǎn)品,撓性覆銅板(FCCL)是制備柔性電路板 (FPC)的基材,公司 IPO 募投項目包含 60 萬平方米/月的 FCCL 產(chǎn)能建設(shè),目 前公司正在進行小批量量產(chǎn)工作,常規(guī) FCCL 已在 2022 年三、四季度獲得小額 訂單,并將分 3 年達產(chǎn),因此 2023 年該項目有望開始釋放產(chǎn)能,2024 年將達到 產(chǎn) 能 爬 坡 高 峰 。 因 此 我 們 預(yù) 計 2023-2025 年 該業(yè)務(wù) 業(yè) 務(wù) 收 入 分 別 實 現(xiàn) 105/700/300%的高速增長。毛利率方面,早期小批量階段該業(yè)務(wù)毛利率較高, 并逐年下降,預(yù)計隨著產(chǎn)能釋放,毛利率趨于穩(wěn)定,2023-2025 年分別為 35.0/33.0/32.0%。

(本文僅供參考,不代表我們的任何投資建議。如需使用相關(guān)信息,請參閱報告原文。)

精選報告來源:【未來智庫】。「鏈接」

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