7月4日早間，鍺、鎵資源概念股、第三代半導(dǎo)體概念股集體高開(kāi)，云南鍺業(yè)（002428.SZ）“一”字漲停；馳宏鋅鍺(600497.SH)、羅平鋅電(002114.SZ)一度漲停；中國(guó)鋁業(yè)(601600.SH)、藍(lán)曉科技(300487.SZ)、新湖中寶(600208.SH)等高開(kāi)。截至早間收盤(pán)，云南鍺業(yè)報(bào)13.09元/股，漲幅10.00%；馳宏鋅鍺報(bào)5.45元/股，漲幅7.07%；羅平鋅電報(bào)6.96元/股，漲幅4.08%。

消息面上7月3日，商務(wù)部、海關(guān)總署發(fā)布了《關(guān)于對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告》（以下簡(jiǎn)稱“《公告》”）?！豆妗凤@示，根據(jù)《中華人民共和國(guó)出口管制法》《中華人民共和國(guó)對(duì)外貿(mào)易法》《中華人民共和國(guó)海關(guān)法》有關(guān)規(guī)定，為維護(hù)國(guó)家安全和利益，經(jīng)國(guó)務(wù)院批準(zhǔn)，決定對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制。

其中，鎵相關(guān)物項(xiàng)，包括金屬鎵（單質(zhì)）、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵。鍺相關(guān)物項(xiàng)包括金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、外延生長(zhǎng)襯底、二氧化鍺、四氯化鍺。滿足上述特性的物項(xiàng)，未經(jīng)許可，不得出口。

《公告》明確，出口經(jīng)營(yíng)者應(yīng)按照相關(guān)規(guī)定辦理出口許可手續(xù)，通過(guò)省級(jí)商務(wù)主管部門(mén)向商務(wù)部提出申請(qǐng)，填寫(xiě)兩用物項(xiàng)和技術(shù)出口申請(qǐng)表并提交相關(guān)文件。商務(wù)部應(yīng)當(dāng)自收到出口申請(qǐng)文件之日起進(jìn)行審查，或者會(huì)同有關(guān)部門(mén)進(jìn)行審查，并在法定時(shí)限內(nèi)作出準(zhǔn)予或者不予許可的決定。對(duì)國(guó)家安全有重大影響的本公告所列物項(xiàng)的出口，商務(wù)部會(huì)同有關(guān)部門(mén)報(bào)國(guó)務(wù)院批準(zhǔn)?！豆妗穼⒆?023年8月1日起正式實(shí)施。

7月4日，CIC灼識(shí)咨詢總監(jiān)董曉雅告訴記者，在產(chǎn)業(yè)鏈方面，政策的出臺(tái)將會(huì)利好本土芯片產(chǎn)業(yè)鏈完善以及發(fā)展。對(duì)于產(chǎn)業(yè)鏈上游而言，政策將促進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)步，未來(lái)鎵相關(guān)化合物的國(guó)產(chǎn)市占率更高。對(duì)于中游芯片制造商而言，未來(lái)將可更加依賴國(guó)產(chǎn)制造商的鎵晶圓，打低生產(chǎn)成本。而對(duì)于產(chǎn)業(yè)鏈下游企業(yè)來(lái)說(shuō)，《公告》更有利于通訊，國(guó)防軍工等功率器件和顯示器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

對(duì)于今日在二級(jí)市場(chǎng)的表現(xiàn)，馳宏鋅鍺證券部表示，公司主要以對(duì)內(nèi)生產(chǎn)為主，出口方面由旗下子公司負(fù)責(zé)，在過(guò)去曾出口部分紅外領(lǐng)域鍺產(chǎn)品，但是出口量很小，對(duì)子公司和上市公司業(yè)績(jī)都不構(gòu)成影響。馳宏鋅鍺稱如果后續(xù)鍺價(jià)格因《公告》上漲，對(duì)于公司整體而言將有利于業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。具體該政策對(duì)于公司未來(lái)業(yè)績(jī)影響，還將關(guān)注未來(lái)鍺價(jià)走勢(shì)。

云南鍺業(yè)證券部表示，對(duì)于該管制政策，公司正在與有關(guān)部門(mén)積極溝通中，目前暫時(shí)無(wú)法評(píng)估限制出口對(duì)公司的影響。

公開(kāi)資料顯示，鎵和鍺都是新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn)，均已被列入國(guó)家戰(zhàn)略性礦產(chǎn)名錄中。兩種金屬礦產(chǎn)無(wú)論是在儲(chǔ)量還是在出口上，中國(guó)均在全球占據(jù)領(lǐng)先地位。2022年我國(guó)鎵產(chǎn)品的出口數(shù)量大幅增長(zhǎng)。海關(guān)總署數(shù)據(jù)表明，2022年1至11月，我國(guó)累計(jì)出口鎵產(chǎn)品89.35噸，比2021年同期增加44.1%。

日前，新能源汽車(chē)需求的旺盛帶動(dòng)了國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展。眼下，碳化硅功率器件正面臨供不應(yīng)求的境況。瞅準(zhǔn)未來(lái)兩三年短缺的“窗口期”，國(guó)內(nèi)碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)駛?cè)肓税l(fā)展快車(chē)道。

而同作為第三代半導(dǎo)體的氮化鎵（GaN）因其禁帶寬度達(dá)到3.4eV。更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更優(yōu)的抗輻照能力，使得其在功率器件、射頻器件、光電器件領(lǐng)域有望超過(guò)碳化硅實(shí)現(xiàn)更優(yōu)性能。

事實(shí)上，氮化鎵目前已經(jīng)在產(chǎn)業(yè)得到長(zhǎng)足應(yīng)用，繼去年10月小米將國(guó)產(chǎn)充電功率技術(shù)推進(jìn)至210W后，另一家國(guó)產(chǎn)手機(jī)品牌真我realme今年年初又將這一數(shù)值推進(jìn)至240W，并表示已在迷你充電頭等技術(shù)上使用第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，該技術(shù)已經(jīng)投產(chǎn)。

董曉雅告訴記者，美國(guó)軍方甚至依靠氮化鎵的特性來(lái)有效傳輸開(kāi)發(fā)中的最先進(jìn)雷達(dá)的功率。氮化鎵還被用于RTX正在制造的愛(ài)國(guó)者(Patriot)導(dǎo)彈防御系統(tǒng)的替代品。

在第三代半導(dǎo)體發(fā)展方興未艾之際，第四代半導(dǎo)體材料的研制也獲得了突破性進(jìn)展。近日，西安郵電大學(xué)宣布，該校陳海峰教授團(tuán)隊(duì)日前成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵（GaO）外延片；此前在2月底，中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司（中國(guó)電科）宣布，中國(guó)電科46所成功制備出我國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶。

盡管氧化鎵目前在部分產(chǎn)品上已有使用，但距離大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用尚遠(yuǎn)。“第四代半導(dǎo)體材料現(xiàn)在的研究成果距離應(yīng)用落地，感覺(jué)還有5年左右的時(shí)間?！钡谌雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)人士對(duì)第一財(cái)經(jīng)記者表示，“不過(guò)看用在哪里，光電類(lèi)的可能會(huì)快一些，日盲探測(cè)類(lèi)現(xiàn)在也有產(chǎn)品，只是襯底尺寸很小?！?/p>中國(guó)科學(xué)院院士郝躍曾表示，氧化鎵材料是最有可能在未來(lái)大放異彩的材料之一，在未來(lái)10年左右，氧化鎵器件有可能成為有競(jìng)爭(zhēng)力的電力電子器件，會(huì)直接與碳化硅器件競(jìng)爭(zhēng)。記者關(guān)注到，上述《通知》中列出的不少化合物產(chǎn)品都屬于第四代半導(dǎo)體的范疇。

值得關(guān)注的是，日美等國(guó)在此前都曾出臺(tái)類(lèi)似的半導(dǎo)體制造材料出口限制政策。美國(guó)自2022年8月15日起對(duì)金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體材料實(shí)施出口管制。

5 月 23 日，日本政府出臺(tái)半導(dǎo)體制造設(shè)備出口管制措施，將先進(jìn)芯片制造設(shè)備等 23 個(gè)品類(lèi)追加列入出口管理的管制對(duì)象。其中就包括如如氟化氫、蝕刻液、聚酰亞胺和高純度氮等半導(dǎo)體制造所需的重要原材料。