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7月4日早間，鍺、鎵資源概念股、第三代半導(dǎo)體概念股集體高開，云南鍺業(yè)（002428.SZ）“一”字漲停；馳宏鋅鍺(600497.SH)、羅平鋅電(002114.SZ)一度漲停；中國鋁業(yè)(601600.SH)、藍曉科技(300487.SZ)、新湖中寶(600208.SH)等高開。截至早間收盤，云南鍺業(yè)報13.09元/股，漲幅10.00%；馳宏鋅鍺報5.45元/股，漲幅7.07%；羅平鋅電報6.96元/股，漲幅4.08%。消息面上7月3日，商務(wù)部、海關(guān)總署發(fā)布了《關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制的公告》（以下簡稱“《公告》”）。《公告》顯示，根據(jù)《中華人民共和國出口管制法》《中華人民共和國對外貿(mào)易法》《中華人民共和國海關(guān)法》有關(guān)規(guī)定，為維護國家安全和利益，經(jīng)國務(wù)院批準(zhǔn)，決定對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制。其中，鎵相關(guān)物項，包括金屬鎵（單質(zhì)）、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵。鍺相關(guān)物項包括金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、外延生長襯底、二氧化鍺、四氯化鍺。滿足上述特性的物項，未經(jīng)許可，不得出口。
《公告》明確，出口經(jīng)營者應(yīng)按照相關(guān)規(guī)定辦理出口許可手續(xù)，通過省級商務(wù)主管部門向商務(wù)部提出申請，填寫兩用物項和技術(shù)出口申請表并提交相關(guān)文件。商務(wù)部應(yīng)當(dāng)自收到出口申請文件之日起進行審查，或者會同有關(guān)部門進行審查，并在法定時限內(nèi)作出準(zhǔn)予或者不予許可的決定。對國家安全有重大影響的本公告所列物項的出口，商務(wù)部會同有關(guān)部門報國務(wù)院批準(zhǔn)?！豆妗穼⒆?023年8月1日起正式實施。7月4日，CIC灼識咨詢總監(jiān)董曉雅告訴記者，在產(chǎn)業(yè)鏈方面，政策的出臺將會利好本土芯片產(chǎn)業(yè)鏈完善以及發(fā)展。對于產(chǎn)業(yè)鏈上游而言，政策將促進生產(chǎn)技術(shù)進步，未來鎵相關(guān)化合物的國產(chǎn)市占率更高。對于中游芯片制造商而言，未來將可更加依賴國產(chǎn)制造商的鎵晶圓，打低生產(chǎn)成本。而對于產(chǎn)業(yè)鏈下游企業(yè)來說，《公告》更有利于通訊，國防軍工等功率器件和顯示器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。對于今日在二級市場的表現(xiàn)，馳宏鋅鍺證券部表示，公司主要以對內(nèi)生產(chǎn)為主，出口方面由旗下子公司負責(zé)，在過去曾出口部分紅外領(lǐng)域鍺產(chǎn)品，但是出口量很小，對子公司和上市公司業(yè)績都不構(gòu)成影響。馳宏鋅鍺稱如果后續(xù)鍺價格因《公告》上漲，對于公司整體而言將有利于業(yè)績增長。具體該政策對于公司未來業(yè)績影響，還將關(guān)注未來鍺價走勢。云南鍺業(yè)證券部表示，對于該管制政策，公司正在與有關(guān)部門積極溝通中，目前暫時無法評估限制出口對公司的影響。公開資料顯示，鎵和鍺都是新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn)，均已被列入國家戰(zhàn)略性礦產(chǎn)名錄中。兩種金屬礦產(chǎn)無論是在儲量還是在出口上，中國均在全球占據(jù)領(lǐng)先地位。2022年我國鎵產(chǎn)品的出口數(shù)量大幅增長。海關(guān)總署數(shù)據(jù)表明，2022年1至11月，我國累計出口鎵產(chǎn)品89.35噸，比2021年同期增加44.1%。日前，新能源汽車需求的旺盛帶動了國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展。眼下，碳化硅功率器件正面臨供不應(yīng)求的境況。瞅準(zhǔn)未來兩三年短缺的“窗口期”，國內(nèi)碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)駛?cè)肓税l(fā)展快車道。而同作為第三代半導(dǎo)體的氮化鎵（GaN）因其禁帶寬度達到3.4eV。更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更優(yōu)的抗輻照能力，使得其在功率器件、射頻器件、光電器件領(lǐng)域有望超過碳化硅實現(xiàn)更優(yōu)性能。事實上，氮化鎵目前已經(jīng)在產(chǎn)業(yè)得到長足應(yīng)用，繼去年10月小米將國產(chǎn)充電功率技術(shù)推進至210W后，另一家國產(chǎn)手機品牌真我realme今年年初又將這一數(shù)值推進至240W，并表示已在迷你充電頭等技術(shù)上使用第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，該技術(shù)已經(jīng)投產(chǎn)。董曉雅告訴記者，美國軍方甚至依靠氮化鎵的特性來有效傳輸開發(fā)中的最先進雷達的功率。氮化鎵還被用于RTX正在制造的愛國者(Patriot)導(dǎo)彈防御系統(tǒng)的替代品。在第三代半導(dǎo)體發(fā)展方興未艾之際，第四代半導(dǎo)體材料的研制也獲得了突破性進展。近日，西安郵電大學(xué)宣布，該校陳海峰教授團隊日前成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵（GaO）外延片；此前在2月底，中國電子科技集團有限公司（中國電科）宣布，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶。盡管氧化鎵目前在部分產(chǎn)品上已有使用，但距離大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用尚遠?！暗谒拇雽?dǎo)體材料現(xiàn)在的研究成果距離應(yīng)用落地，感覺還有5年左右的時間?！钡谌雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)人士對第一財經(jīng)記者表示，“不過看用在哪里，光電類的可能會快一些，日盲探測類現(xiàn)在也有產(chǎn)品，只是襯底尺寸很小?！?/p>中國科學(xué)院院士郝躍曾表示，氧化鎵材料是最有可能在未來大放異彩的材料之一，在未來10年左右，氧化鎵器件有可能成為有競爭力的電力電子器件，會直接與碳化硅器件競爭。記者關(guān)注到，上述《通知》中列出的不少化合物產(chǎn)品都屬于第四代半導(dǎo)體的范疇。值得關(guān)注的是，日美等國在此前都曾出臺類似的半導(dǎo)體制造材料出口限制政策。美國自2022年8月15日起對金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體材料實施出口管制。5 月 23 日，日本政府出臺半導(dǎo)體制造設(shè)備出口管制措施，將先進芯片制造設(shè)備等 23 個品類追加列入出口管理的管制對象。其中就包括如如氟化氫、蝕刻液、聚酰亞胺和高純度氮等半導(dǎo)體制造所需的重要原材料。
《公告》明確，出口經(jīng)營者應(yīng)按照相關(guān)規(guī)定辦理出口許可手續(xù)，通過省級商務(wù)主管部門向商務(wù)部提出申請，填寫兩用物項和技術(shù)出口申請表并提交相關(guān)文件。商務(wù)部應(yīng)當(dāng)自收到出口申請文件之日起進行審查，或者會同有關(guān)部門進行審查，并在法定時限內(nèi)作出準(zhǔn)予或者不予許可的決定。對國家安全有重大影響的本公告所列物項的出口，商務(wù)部會同有關(guān)部門報國務(wù)院批準(zhǔn)?！豆妗穼⒆?023年8月1日起正式實施。7月4日，CIC灼識咨詢總監(jiān)董曉雅告訴記者，在產(chǎn)業(yè)鏈方面，政策的出臺將會利好本土芯片產(chǎn)業(yè)鏈完善以及發(fā)展。對于產(chǎn)業(yè)鏈上游而言，政策將促進生產(chǎn)技術(shù)進步，未來鎵相關(guān)化合物的國產(chǎn)市占率更高。對于中游芯片制造商而言，未來將可更加依賴國產(chǎn)制造商的鎵晶圓，打低生產(chǎn)成本。而對于產(chǎn)業(yè)鏈下游企業(yè)來說，《公告》更有利于通訊，國防軍工等功率器件和顯示器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。對于今日在二級市場的表現(xiàn)，馳宏鋅鍺證券部表示，公司主要以對內(nèi)生產(chǎn)為主，出口方面由旗下子公司負責(zé)，在過去曾出口部分紅外領(lǐng)域鍺產(chǎn)品，但是出口量很小，對子公司和上市公司業(yè)績都不構(gòu)成影響。馳宏鋅鍺稱如果后續(xù)鍺價格因《公告》上漲，對于公司整體而言將有利于業(yè)績增長。具體該政策對于公司未來業(yè)績影響，還將關(guān)注未來鍺價走勢。云南鍺業(yè)證券部表示，對于該管制政策，公司正在與有關(guān)部門積極溝通中，目前暫時無法評估限制出口對公司的影響。公開資料顯示，鎵和鍺都是新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn)，均已被列入國家戰(zhàn)略性礦產(chǎn)名錄中。兩種金屬礦產(chǎn)無論是在儲量還是在出口上，中國均在全球占據(jù)領(lǐng)先地位。2022年我國鎵產(chǎn)品的出口數(shù)量大幅增長。海關(guān)總署數(shù)據(jù)表明，2022年1至11月，我國累計出口鎵產(chǎn)品89.35噸，比2021年同期增加44.1%。日前，新能源汽車需求的旺盛帶動了國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展。眼下，碳化硅功率器件正面臨供不應(yīng)求的境況。瞅準(zhǔn)未來兩三年短缺的“窗口期”，國內(nèi)碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)駛?cè)肓税l(fā)展快車道。而同作為第三代半導(dǎo)體的氮化鎵（GaN）因其禁帶寬度達到3.4eV。更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更優(yōu)的抗輻照能力，使得其在功率器件、射頻器件、光電器件領(lǐng)域有望超過碳化硅實現(xiàn)更優(yōu)性能。事實上，氮化鎵目前已經(jīng)在產(chǎn)業(yè)得到長足應(yīng)用，繼去年10月小米將國產(chǎn)充電功率技術(shù)推進至210W后，另一家國產(chǎn)手機品牌真我realme今年年初又將這一數(shù)值推進至240W，并表示已在迷你充電頭等技術(shù)上使用第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，該技術(shù)已經(jīng)投產(chǎn)。董曉雅告訴記者，美國軍方甚至依靠氮化鎵的特性來有效傳輸開發(fā)中的最先進雷達的功率。氮化鎵還被用于RTX正在制造的愛國者(Patriot)導(dǎo)彈防御系統(tǒng)的替代品。在第三代半導(dǎo)體發(fā)展方興未艾之際，第四代半導(dǎo)體材料的研制也獲得了突破性進展。近日，西安郵電大學(xué)宣布，該校陳海峰教授團隊日前成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵（GaO）外延片；此前在2月底，中國電子科技集團有限公司（中國電科）宣布，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶。盡管氧化鎵目前在部分產(chǎn)品上已有使用，但距離大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用尚遠?！暗谒拇雽?dǎo)體材料現(xiàn)在的研究成果距離應(yīng)用落地，感覺還有5年左右的時間?！钡谌雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)人士對第一財經(jīng)記者表示，“不過看用在哪里，光電類的可能會快一些，日盲探測類現(xiàn)在也有產(chǎn)品，只是襯底尺寸很小?！?/p>中國科學(xué)院院士郝躍曾表示，氧化鎵材料是最有可能在未來大放異彩的材料之一，在未來10年左右，氧化鎵器件有可能成為有競爭力的電力電子器件，會直接與碳化硅器件競爭。記者關(guān)注到，上述《通知》中列出的不少化合物產(chǎn)品都屬于第四代半導(dǎo)體的范疇。值得關(guān)注的是，日美等國在此前都曾出臺類似的半導(dǎo)體制造材料出口限制政策。美國自2022年8月15日起對金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體材料實施出口管制。5 月 23 日，日本政府出臺半導(dǎo)體制造設(shè)備出口管制措施，將先進芯片制造設(shè)備等 23 個品類追加列入出口管理的管制對象。其中就包括如如氟化氫、蝕刻液、聚酰亞胺和高純度氮等半導(dǎo)體制造所需的重要原材料。
