（報(bào)告出品方/作者：中航證券，劉牧野）

一、下行周期加速見(jiàn)底，H2行業(yè)拐點(diǎn)將至

現(xiàn)狀：以手機(jī)、PC為代表的傳統(tǒng)下游消費(fèi)電子需求持續(xù)疲軟

2022年下半年旺季不旺，消費(fèi)電子終端需求至今不見(jiàn)起色。2022年“缺芯”紅利不再，地緣政治沖突不斷，宏觀經(jīng)濟(jì)通脹升溫，消費(fèi)電子創(chuàng) 新乏力，需求持續(xù)低迷，上述多因素疊加導(dǎo)致存儲(chǔ)行業(yè)自年中開(kāi)始承壓。盡管每年第三、四季度是消費(fèi)電子傳統(tǒng)旺季，但2022年各消費(fèi)電子 終端出貨量仍舊低迷，2023年第一季度消費(fèi)電子終端需求仍未有明顯回暖。消費(fèi)電子是存儲(chǔ)芯片的一大傳統(tǒng)下游應(yīng)用，依據(jù)CFM數(shù)據(jù)，2022 年NAND Flash主要以應(yīng)用于移動(dòng)終端市場(chǎng)的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品、應(yīng)用于PC的cSSD，以及應(yīng)用于服務(wù)器市場(chǎng)的eSSD產(chǎn)品為主，分別占比34%、 22%和26%；DRAM的主要應(yīng)用市場(chǎng)也是在mobile、PC和服務(wù)器，分別占比35%、16%和33%。全球智能手機(jī)今年Q1的出貨量為2.69億部， 同比下滑14.5%；全球PC今年Q1和Q2的出貨量分別同比下滑29.3%和13.40%，已經(jīng)連續(xù)六個(gè)季度同比不見(jiàn)起色。

現(xiàn)狀：原廠減產(chǎn)、降資本支出以加速恢復(fù)行業(yè)供需平衡

各大原廠紛紛采取減少產(chǎn)出、降低資本開(kāi)支等措施來(lái)促進(jìn)行業(yè)恢復(fù)供需平衡。由于存儲(chǔ)下游終端需求持續(xù)低迷，原廠庫(kù)存高企，市場(chǎng)呈 現(xiàn)供過(guò)于求的態(tài)勢(shì)， “以價(jià)換量”出清庫(kù)存的策略導(dǎo)致盈利能力急劇惡化。各大原廠相繼出臺(tái)減產(chǎn)與削減資本支出的措施以降低行業(yè) 位元供應(yīng)，加速恢復(fù)存儲(chǔ)市場(chǎng)行業(yè)供需平衡。原廠減產(chǎn)步調(diào)略有差異，鎧俠、SK海力士、美光自去年Q4即開(kāi)始減產(chǎn)，西部數(shù)據(jù)自今年 1月開(kāi)始減產(chǎn)，三星電子再未采取“逆投資”而是今年4月宣布加入減產(chǎn)行列。我們判斷各廠商的減產(chǎn)動(dòng)作在半年后才會(huì)逐漸顯現(xiàn)成效， 預(yù)計(jì)H2行業(yè)供需平衡將有明顯修復(fù)。

二、存儲(chǔ)行業(yè)激蕩六十載，半導(dǎo)體中大宗商品

分類：DRAM和Flash分屬不同的存儲(chǔ)器層次

DRAM和Flash分屬不同的存儲(chǔ)器層次，經(jīng)常在下游應(yīng)用中搭配使用。處理器從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)，而內(nèi)存從閃存中加載數(shù)據(jù)。DRAM屬于 易失性存儲(chǔ)器，使用電容存儲(chǔ)，必須隔一段時(shí)間刷新，一旦停止刷新存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。而Flash屬于非易失性的存儲(chǔ)，在斷電后不會(huì) 丟失數(shù)據(jù)，是在ROM的基礎(chǔ)上演進(jìn)而來(lái)。DRAM讀寫速度比Flash快、成本高、功耗較大、壽命長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單集成度高，F(xiàn)lash的優(yōu)勢(shì)在 于容量大、成本低。

市場(chǎng)規(guī)模：存儲(chǔ)約占集成電路1/4以上份額，具有強(qiáng)周期性

存儲(chǔ)占集成電路1/4以上銷售額，具有與集成電路較同步但更劇烈的周期性。集成電路產(chǎn)業(yè)整體呈穩(wěn)步上升的態(tài)勢(shì)，但受到社會(huì)經(jīng)濟(jì)等因素的影響， 也呈現(xiàn)了較為明顯的行業(yè)波動(dòng)周期，波動(dòng)周期約為4年左右。存儲(chǔ)器在各下游應(yīng)用中需求量大，是集成電路產(chǎn)業(yè)重要的組成部分，常年占集成電路四 分之一以上的份額。兩者一般具有較為同步的波動(dòng)周期，但被稱為“半導(dǎo)體的大宗商品”的存儲(chǔ)，其價(jià)格更容易在短期內(nèi)基于供需關(guān)系而波動(dòng)，且 波動(dòng)幅度明顯強(qiáng)于整體IC產(chǎn)業(yè)。2018年，半導(dǎo)體存儲(chǔ)的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1580億美元，2019年回調(diào)后，2020-2021年出貨量再次增長(zhǎng)至2021 年的1538億美元，而2022年因俄烏沖突、通貨膨脹、消費(fèi)電子需求疲軟及創(chuàng)新乏力等因素市場(chǎng)規(guī)?；芈渲?298億美元，同比下滑15.65%。

市場(chǎng)規(guī)模：2018年后數(shù)據(jù)中心發(fā)展驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)出貨量明顯上升

回溯1991年至2021年DRAM市場(chǎng)發(fā)展，出貨量大致可分為四個(gè)時(shí)期，受到價(jià)格影響，出貨金額波動(dòng)較大。1991-2003年：受到日本、美 國(guó)和歐洲等發(fā)達(dá)地區(qū)對(duì)PC和電器產(chǎn)品需求的推動(dòng)，DRAM出貨量穩(wěn)步提升。2003-2011年：進(jìn)入21世紀(jì)，以中國(guó)為首的發(fā)展中國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā) 展迅速，人們購(gòu)買了手機(jī)、電腦、各種電器產(chǎn)品，導(dǎo)致DRAM出貨量激增。2011-2018年：DRAM市場(chǎng)幾乎被三星電子、美光、SK海力士 壟斷，為防止產(chǎn)品價(jià)格劇烈波動(dòng)，各家公司協(xié)調(diào)產(chǎn)量，出貨量趨于平穩(wěn)。2018年后：DRAM主戰(zhàn)場(chǎng)由PC轉(zhuǎn)移至數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，三大廠商 重新?tīng)?zhēng)奪市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)地位，隨著數(shù)據(jù)中心數(shù)量增長(zhǎng)，DRAM出貨量再次暴增。

市場(chǎng)規(guī)模：DRAM和NAND Flash占據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)主導(dǎo)地位

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)中，DRAM和NAND Flash占據(jù)主導(dǎo)地位。根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，DRAM占比 達(dá)56%，NAND Flash約占41%，NOR Flash約占2%，EPROM/EEPROM及其他存儲(chǔ)器約占1%。DRAM和NAND Flash也存在明顯的 周期性，過(guò)去一般在三年半左右。自2022年Q3以來(lái)，NAND Flash和DRAM季度銷售額經(jīng)歷了同比和環(huán)比的下滑，且本輪下行周期同 比跌幅已經(jīng)超過(guò)以往低谷，去年Q3、Q4及今年Q1分別同比下滑27.37%、44.34%和51.86%。

市場(chǎng)格局：全球DRAM、NAND市場(chǎng)呈寡頭壟斷格局

存儲(chǔ)器中最大的兩個(gè)市場(chǎng)DRAM和NAND Flash均呈現(xiàn)海外玩家寡頭壟斷的格局。根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)中， DRAM占比達(dá)56%，NAND Flash約占41%。DRAM市場(chǎng)由三星電子、SK海力士和美光主導(dǎo)，CR3常年占據(jù)95%左右的市場(chǎng)份額。2022年， 三星電子占DRAM營(yíng)業(yè)收入市占率為43.12%，SK 海力士市占率為27.01%，美光市占率為25.20%，三者合計(jì)市占率為95.33%。NAND Flash 市 場(chǎng) 也 在 不 斷 的 并 購(gòu) 整 合 中 更 加 集 中 ， 2022 年 三 星 電 子 / 鎧 俠 / 西 部 數(shù) 據(jù) /SK 集 團(tuán) / 美 光 的 營(yíng) 收 市 占 率 分 別 為 33.44%/18.34%/13.36%/18.54%/11.72%，CR5的市占率合計(jì)為95.41%。在未來(lái)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并后，NAND市場(chǎng)集中度將進(jìn)一步提高。

國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)格局：我國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)主要聚焦利基型市場(chǎng)

我國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)主要聚焦于利基型市場(chǎng)。目前我國(guó)已初步完成在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，但由于起步較晚，且不時(shí)受到技術(shù)封鎖，在DRAM、 NAND Flash高端存儲(chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)較韓系、美系龍頭廠商仍有一定差距。在DRAM和NAND Flash領(lǐng)域，除長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)外，我國(guó)大部分廠 商還是與國(guó)際龍頭進(jìn)行錯(cuò)位競(jìng)爭(zhēng)，聚焦利基型市場(chǎng)；我國(guó)NOR Flash芯片技術(shù)基本成熟，例如兆易創(chuàng)新的NOR Flash在全球已經(jīng)取得前三市占率。

DRAM：內(nèi)存三大分支——DDR、LPDDR、GDDR

DDR、LPDDR、GDDR是DRAM的三種主流內(nèi)存技術(shù)。其中DDR主要應(yīng)用在 PC端，LPDDR主要應(yīng)用在手機(jī)端，而GDDR主要應(yīng)用在圖像處理上。DDR的應(yīng) 用最為廣泛，據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示 2021 年 DDR 在DRAM市場(chǎng)的市占率超 過(guò) 50%，LPDDR 的市占率為 30%左右，GDDR 的市占率約為 5.3%。

DDR：即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是在SDRAM基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的存儲(chǔ)器， 在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)使傳輸速度加倍。普通的DDR內(nèi)存條主要用在PC和服 務(wù)器上，目前處于DDR4迭代至DDR5的過(guò)程中，DDR5正在逐漸放量中。三星 已經(jīng)率先開(kāi)始了下一代DDR6內(nèi)存的早期開(kāi)發(fā)，并預(yù)計(jì)在2024年之前完成設(shè)計(jì)。

LPDDR：Low Power DDR擁有比同代DDR內(nèi)存更低的功耗和個(gè)小的體積，該 類型芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)電子產(chǎn)品等低功耗設(shè)備上，在LPDDR4之前都是基于同 代的DDR發(fā)展而來(lái)的，從第四代開(kāi)始，LPDDR4領(lǐng)先DDR投入商用、LPDDR5 較DDR5率先量產(chǎn)。兩者由類似從屬的關(guān)系，演變?yōu)榉謩e根據(jù)自己的應(yīng)用場(chǎng)景需 求發(fā)展。

GDDR：Graphics DDR主要用于高速圖像處理的場(chǎng)合，比如計(jì)算器的顯卡中， 與普通DDR相比，擁有更高的時(shí)鐘頻率和更小的發(fā)熱量。GDDR3、GDDR4、 GDDR5都是基于DDR3內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)，而最新的GDDR6是基于DDR4內(nèi)存技術(shù) 開(kāi)發(fā)。

Flash：閃存主要有NAND和NOR兩種類型

目前性價(jià)比最高的存儲(chǔ)器閃存（Flash）主要有NOR和NAND兩種類型。Flash存儲(chǔ)技術(shù)是在它之前的EEPROM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的存儲(chǔ) 器，它跟EEPROM一樣，也是使用電學(xué)方法來(lái)存儲(chǔ)電荷的器件，只是EEPROM是使用兩個(gè)晶體管來(lái)構(gòu)成，而Flash存儲(chǔ)陣列中的存儲(chǔ)單 元是由一個(gè)晶體管組成的。所以Flash存儲(chǔ)器在器件集成度、數(shù)據(jù)容量和功耗低等性能上都比之前的器件有明顯的提高。

NAND和NOR各有所長(zhǎng)，應(yīng)用場(chǎng)景有所分化。NOR Flash 由英特爾公司于1988年最初推出。為了提高容量/價(jià)格比，東芝公司于1989 年推出NAND Flash。兩種Flash技術(shù)各有優(yōu)、缺點(diǎn)以及各自適用的場(chǎng)合。NOR結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP, Execute In Place）， 應(yīng)用程序可以直接在Flash內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中，節(jié)省時(shí)間。而NAND結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到 高存儲(chǔ)密度，并且增加寫入和擦除的速度。

三、 AI & 汽車電子發(fā)軔，新應(yīng)用激發(fā)新動(dòng)能

應(yīng)用：下游應(yīng)用中消費(fèi)電子和服務(wù)器占比較大

存儲(chǔ)下游應(yīng)用以消費(fèi)電子和服務(wù)器為主，近年來(lái)服務(wù)器占比提升。存儲(chǔ)廣泛應(yīng)用在手機(jī)、平板、PC、數(shù)據(jù)中心、汽車電子、視頻監(jiān)控、 智能家居等市場(chǎng)。在ChatGPT掀起AIGC浪潮后，人工智能催生了可觀的存儲(chǔ)需求，尤其是對(duì)DDR5和HBM產(chǎn)品。根據(jù)美光的判斷，AI 服務(wù)器DRAM容量是普通服務(wù)器的6-8倍，NAND容量是普通服務(wù)器的3倍。2022年，手機(jī)/PC/服務(wù)器分別占DRAM需求的 34%/16%/33%，預(yù)計(jì)2023年服務(wù)器的需求占比仍會(huì)進(jìn)一步提升。NAND Flash目前主要以應(yīng)用于手機(jī)市場(chǎng)的的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品，和 應(yīng)用于PC等消費(fèi)類渠道市場(chǎng)的cSSD、以及應(yīng)用于服務(wù)器市場(chǎng)的eSSD 產(chǎn)品為主，占比分別為39%、25%和22%，其中近年來(lái)應(yīng)用于服 務(wù)器的eSSD需求占比有明顯提升。

手機(jī)：存儲(chǔ)價(jià)格低谷契機(jī)，手機(jī)廠商掀起擴(kuò)容潮

存儲(chǔ)價(jià)格低谷契機(jī)，手機(jī)廠商掀起擴(kuò)容潮。目前智能手機(jī)存儲(chǔ)的RAM和ROM最新產(chǎn)品規(guī)范已經(jīng)發(fā)展到了LPDDR5/5X和UFS4.0，覆蓋了大部 分的中高端產(chǎn)品線。一季度國(guó)產(chǎn)手機(jī)廠商在存儲(chǔ)價(jià)格低谷發(fā)起了降價(jià)擴(kuò)容潮，低端手機(jī)NAND Flash容量由32GB逐漸升至64GB；中端手機(jī)已 經(jīng)逐漸取消RAM 8GB和ROM 128GB容量配置，完全普及256GB；支持RAM 12/16/18GB和ROM 512GB/1TB容量的機(jī)型越來(lái)越多，并逐 漸向中低端滲透。盡管手機(jī)銷量并未有明顯回暖，但手機(jī)廠商大幅擴(kuò)容有望助力存儲(chǔ)廠商在該市場(chǎng)位元出貨量提升。

PC：DDR5/LPDDR5滲透率提高，512GB SSD成為主流

DRAM：內(nèi)存條用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。它是外存與CPU進(jìn)行溝通的橋梁，計(jì)算機(jī)中所有 程序的運(yùn)行都在內(nèi)存中進(jìn)行，內(nèi)存性能的強(qiáng)弱影響計(jì)算機(jī)整體發(fā)揮的水平。通過(guò)分析近期熱門筆記本電腦參數(shù)，Windows系統(tǒng)16GB 是主流，LPDDR5和DDR5在近期機(jī)型上滲透率顯著提升；目前最新Macbook Pro/Air采用8GB的統(tǒng)一內(nèi)存，但可選配16GB或24GB。

NAND Flash：在筆記本電腦領(lǐng)域，固態(tài)硬盤已經(jīng)完全取代了機(jī)械硬盤，目前筆記本電腦中配備512GB SSD成為主流。全球存儲(chǔ)市場(chǎng) 中，由于閃存成本不斷下降，全閃存儲(chǔ)份額快速增長(zhǎng)。根據(jù)Wikibon的預(yù)測(cè)，2026年SSD單TB成本將低于HDD。2025年后，HDD的 出貨量每年將下降27%。

汽車：?jiǎn)诬嚧鎯?chǔ)容量/價(jià)值量增長(zhǎng)顯著高于其他下游應(yīng)用

汽車市場(chǎng)成為增速最快的芯片下游應(yīng)用，中長(zhǎng)期CAGR超過(guò)10%。全球芯片下游應(yīng)用主要可分為：消費(fèi)電子、通訊、工業(yè)、汽車和數(shù)據(jù)處 理，新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、和安防電子等新興領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展將持續(xù)引領(lǐng)市場(chǎng)增長(zhǎng)。根據(jù)Mordor Intelligence的預(yù)測(cè)，2021-2025年全球芯片在汽車市場(chǎng)的應(yīng)用規(guī)模CAGR約為10.3%，有望在2025年達(dá)到800億美元，在上述幾個(gè)下游 應(yīng)用市場(chǎng)中增速最快，潛力最大。Yole也預(yù)測(cè)存儲(chǔ)主要產(chǎn)品DRAM和NAND在汽車市場(chǎng)單車存儲(chǔ)容量增長(zhǎng)和單車價(jià)值量增長(zhǎng)都顯著高于其 他下游應(yīng)用。

服務(wù)器：AI服務(wù)器存儲(chǔ)容量顯著高于一般服務(wù)器

AI服務(wù)器存儲(chǔ)容量顯著高于一般服務(wù)器，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)器需求成長(zhǎng)。ChatGPT風(fēng)靡之下，AI效應(yīng)正持續(xù)發(fā)酵，并不斷滲透至千行百業(yè)，AI 服務(wù)器與高端GPU需求不斷上漲。根據(jù)TrendForce，預(yù)估2023年AI服務(wù)器（包含搭載GPU、FPGA、ASIC等）出貨量近120萬(wàn)臺(tái)，年增 38.4%，占整體服務(wù)器出貨量近9%?，F(xiàn)階段而言，Server DRAM普遍配置約為500~600GB左右，而AI服務(wù)器在單條模組上則多采 64~128GB，平均容量可達(dá)1.2~1.7TB之間。以 Enterprise SSD而言，由于AI服務(wù)器追求的速度更高，其要求優(yōu)先滿足DRAM或HBM需求， SSD在傳輸接口上會(huì)為了高速運(yùn)算的需求而優(yōu)先采用PCIe 5.0。相較于一般服務(wù)器而言，AI服務(wù)器多增加GPGPU的使用，因此以NVIDIA A100 80GB配置4或8張計(jì)算，HBM用量約為320~640GB。未來(lái)在AI模型逐漸復(fù)雜化的趨勢(shì)下，將刺激更多的存儲(chǔ)器用量，并同步帶動(dòng) Server DRAM、SSD 以及 HBM 的需求成長(zhǎng)。

四、存力升級(jí)大勢(shì)所趨，新興技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生

存算一體：“存儲(chǔ)墻”成為數(shù)據(jù)計(jì)算一大障礙

處理器、內(nèi)存發(fā)展速度不均衡，“存儲(chǔ)墻”如今成為數(shù)據(jù)計(jì)算一大障礙。隨著近幾年云計(jì)算和人工智能應(yīng)用的發(fā)展，面對(duì)計(jì)算中心的數(shù) 據(jù)洪流，數(shù)據(jù)搬運(yùn)慢、搬運(yùn)能耗大等問(wèn)題成為了計(jì)算的關(guān)鍵瓶頸。在過(guò)去二十年，處理器性能速度提升遠(yuǎn)超內(nèi)存性能提升，長(zhǎng)期下來(lái)， 不均衡的發(fā)展速度造成了當(dāng)前的存儲(chǔ)速度嚴(yán)重滯后于處理器的計(jì)算速度。在傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)的設(shè)定里，存儲(chǔ)模塊是為計(jì)算服務(wù)的，因此設(shè)計(jì) 上會(huì)考慮存儲(chǔ)與計(jì)算的分離與優(yōu)先級(jí)。從處理單元外的存儲(chǔ)器提取數(shù)據(jù)，搬運(yùn)時(shí)間往往是運(yùn)算時(shí)間的成百上千倍，整個(gè)過(guò)程的無(wú)用能耗 大概在60%-90%之間，能效非常低，“存儲(chǔ)墻”成為了數(shù)據(jù)計(jì)算應(yīng)用的一大障礙。

HBM：HBM技術(shù)下，DRAM由2D轉(zhuǎn)為3D

HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，按照J(rèn)EDEC的分類，HBM屬于GDDR內(nèi)存的一種，其通過(guò)使用先進(jìn)的封裝方 法（如TSV硅通孔技術(shù)）垂直堆疊多個(gè)DRAM，并與GPU封裝在一起。業(yè)界希望通過(guò)增加存儲(chǔ)器帶寬解決大數(shù)據(jù)時(shí)代下的“內(nèi)存墻” 問(wèn)題，HBM便應(yīng)運(yùn)而生。存儲(chǔ)器帶寬是指單位時(shí)間內(nèi)可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，要想增加帶寬，最簡(jiǎn)單的方法是增加數(shù)據(jù)傳輸線路的數(shù)量。 據(jù)悉，典型的DRAM芯片中，每個(gè)芯片有八個(gè)DQ數(shù)據(jù)輸入/輸出引腳，組成DIMM模組單元之后，共有64個(gè)DQ引腳。而HBM通過(guò)系 統(tǒng)級(jí)封裝（SIP）和硅通孔（TSV）技術(shù)，擁有多達(dá)1024個(gè)數(shù)據(jù)引腳，可顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速度。HBM技術(shù)之下，DRAM芯片從2D轉(zhuǎn) 變?yōu)?D，可以在很小的物理空間里實(shí)現(xiàn)高容量、高帶寬、低延時(shí)與低功耗，因而HBM被業(yè)界視為新一代內(nèi)存解決方案。

CXL：PCIe應(yīng)對(duì)海量數(shù)據(jù)面臨瓶頸

PCI-Express(peripheral component interconnect express)，簡(jiǎn)稱PCIE，是一種高速串行計(jì)算機(jī)擴(kuò)展總線標(biāo)準(zhǔn)，主要用于擴(kuò)充計(jì) 算機(jī)系統(tǒng)總線數(shù)據(jù)吞吐量以及提高設(shè)備通信速度。PCIE本質(zhì)上是一種全雙工的的連接總線，傳輸數(shù)據(jù)量的大小由通道數(shù)lane決定的。 一般，1個(gè)連接通道lane稱為X1，每個(gè)通道lane由兩對(duì)數(shù)據(jù)線組成，一對(duì)發(fā)送，一對(duì)接收，每對(duì)數(shù)據(jù)線包含兩根差分線。即X1只有1個(gè) lane，4根數(shù)據(jù)線，每個(gè)時(shí)鐘每個(gè)方向1bit數(shù)據(jù)傳輸，依次類推。CPU通過(guò)主板上的PCIe插槽及PCIe協(xié)議與加速器溝通，實(shí)現(xiàn)上下之間 的接口以協(xié)調(diào)數(shù)據(jù)的傳送，并在高時(shí)鐘頻率下保持高性能。

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