文｜沈筱、子渝

編輯｜王與桐

作為電能轉(zhuǎn)換和電路控制的核心，功率半導(dǎo)體在電力電子行業(yè)中扮演著重要角色。近年來，受益于國(guó)內(nèi)新能源產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，功率半導(dǎo)體，尤其是IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和SiC（碳化硅）兩大核心元器件，得到了越來越多的關(guān)注。

但現(xiàn)階段，IGBT和SiC的國(guó)產(chǎn)化率仍然較低。“盡管近年來國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)出一批優(yōu)秀的功率半導(dǎo)體企業(yè)，但在中高端IGBT領(lǐng)域，英飛凌、三菱、富士等海外廠商仍在市場(chǎng)中占主導(dǎo)地位。同時(shí)，在SiC方面，目前全球都處于發(fā)展早期，Wolfspeed、羅姆等海外廠商在技術(shù)和市場(chǎng)占有率方面也處于領(lǐng)先狀態(tài)。”賽晶科技集團(tuán)、賽晶半導(dǎo)體董事長(zhǎng)項(xiàng)頡向36氪介紹，這為國(guó)產(chǎn)替代留足了想象空間，也是公司選擇進(jìn)入相關(guān)領(lǐng)域的重要原因之一。

賽晶亞太半導(dǎo)體科技（浙江）有限公司（簡(jiǎn)稱“賽晶半導(dǎo)體”）成立于2019年，由電力電子器件供應(yīng)商和系統(tǒng)集成商「賽晶科技集團(tuán)」發(fā)起設(shè)立。公司聚焦750V至1700V電壓段的中高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)，主要面向電動(dòng)汽車、新能源發(fā)電、工業(yè)電控等市場(chǎng)提供IGBT、SiC芯片及模塊產(chǎn)品。

據(jù)介紹，此前賽晶半導(dǎo)體此前已完成1.6億元A輪融資，由天津安晶企業(yè)管理咨詢合伙企業(yè)（有限合伙）、無錫河床潤(rùn)玉創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）、無錫河床皓玉創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）、蘇州亞禾星恒創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）投資，投后估值27.2億元人民幣。融資后，賽晶科技持股比例為70.53%。

之所以錨定中高端模塊研發(fā)，除前文提到的存在國(guó)產(chǎn)替代需求，項(xiàng)頡表示，主要還出于以下兩方面考量：

一是，從不同電壓段市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局和供需情況來看，低壓段和高壓段IGBT市場(chǎng)已飽和，同時(shí)高壓段市場(chǎng)集中度較高。但中壓段IGBT市場(chǎng)，如風(fēng)電、組串式光伏等細(xì)分領(lǐng)域仍處于供不應(yīng)求狀態(tài)。另外，SiC賽道整體處于起步階段，但由于其具備耐高溫、高壓的特征，同時(shí)能耗更低，因此賽晶半導(dǎo)體認(rèn)為，其未來的應(yīng)用前景和增長(zhǎng)空間較大。

二是，賽晶半導(dǎo)體的團(tuán)隊(duì)背景。據(jù)介紹，公司核心團(tuán)隊(duì)曾任職于瑞士ABB半導(dǎo)體公司等國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)，包括具有國(guó)際知名度的技術(shù)專家，在IGBT、SiC領(lǐng)域有豐富的研發(fā)設(shè)計(jì)、工藝、設(shè)備、供應(yīng)鏈經(jīng)驗(yàn)。

成立至今，賽晶半導(dǎo)體已陸續(xù)推出i20系列1200V、1700V IGBT芯片和ED封裝、ST封裝IGBT模塊，并在8月30日的PCIM Asia展電力電子應(yīng)用論壇中，正式發(fā)布了車規(guī)級(jí)HEEV封裝SiC模塊（賽晶半導(dǎo)體的首款SiC模塊），同時(shí)展示了其第二款SiC模塊——EVD封裝SiC模塊。目前，公司的芯片和(封測(cè))工藝研發(fā)分別由瑞士和國(guó)內(nèi)團(tuán)隊(duì)主導(dǎo)。

市場(chǎng)方面，賽晶半導(dǎo)體的IGBT模塊已于去年開始向新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、工控等領(lǐng)域客戶批量供貨。項(xiàng)頡介紹，總體來看，公司還處于產(chǎn)品導(dǎo)入階段，一方面，公司目前已有2個(gè)IGBT模塊封測(cè)線投產(chǎn)，仍有一個(gè)IGBT模塊封測(cè)線及碳化硅MOSFET模塊封測(cè)線正在建設(shè)中；另一方面，去年開始公司開始從8寸IGBT芯片轉(zhuǎn)向12寸。

據(jù)Yole預(yù)測(cè)，到2025年，全球功率半導(dǎo)體分立器件和模塊的市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)76億美元和113億美元；2021年全球SiC市場(chǎng)規(guī)模達(dá)10.9億美元，并預(yù)計(jì)到2027年將達(dá)62.97億美元。聚焦到中國(guó)市場(chǎng)，根據(jù)集微咨詢（JW Insights）統(tǒng)計(jì)，2022年中國(guó)IGBT市場(chǎng)總規(guī)模達(dá)321.9億元，預(yù)計(jì)將以13.3%的CAGR（2022-25）增長(zhǎng)，到2025年有望達(dá)468.1億元。同時(shí)智研咨詢數(shù)據(jù)顯示，近年來，中國(guó)SiC市場(chǎng)也呈增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，2022年中國(guó)碳化硅市場(chǎng)規(guī)模約為43.45億元。

項(xiàng)頡表示，IGBT和SiC市場(chǎng)增長(zhǎng)主要得益于下游新能源汽車和新能源發(fā)電市場(chǎng)的發(fā)展，這也是公司接下來的主要增長(zhǎng)動(dòng)力。同時(shí)他認(rèn)為，隨著各行業(yè)向電力電氣化發(fā)展，未來增長(zhǎng)還將來源于現(xiàn)階段體量不大但呈穩(wěn)步增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)的細(xì)分領(lǐng)域，例如智能電網(wǎng)、電氣化飛機(jī)、電氣化船舶等。

在賽晶半導(dǎo)體聚焦的細(xì)分領(lǐng)域，除了前文提到的占據(jù)優(yōu)勢(shì)地位的海外廠商以及斯達(dá)、中車等國(guó)內(nèi)更早布局的友商。近年來SiC賽道也吸引眾多車企入局。談及競(jìng)爭(zhēng)，項(xiàng)頡表示，在技術(shù)層面，國(guó)外廠商仍然有一定優(yōu)勢(shì)，但是從服務(wù)響應(yīng)度來看，不及國(guó)內(nèi)企業(yè)。這將為國(guó)內(nèi)廠商提供一定的技術(shù)追趕窗口期。

從IGBT產(chǎn)品來看，目前，英飛凌已研發(fā)至第七代微溝槽IGBT。相較第四代，7代產(chǎn)品在功率密度上有較大提升，已出現(xiàn)較明顯的代際差異。近年來，國(guó)內(nèi)廠商也開始陸續(xù)攻關(guān)7代產(chǎn)品。項(xiàng)頡介紹，賽晶半導(dǎo)體也已啟動(dòng)研發(fā)，公司的第7代芯片產(chǎn)品將有望在明年一季度推出。

但同時(shí)，項(xiàng)頡告訴36氪，目前市場(chǎng)上采用7代產(chǎn)品的并不多。不同于智能芯片，IGBT等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域很難快速推出一款適用于所有應(yīng)用領(lǐng)域的普適性產(chǎn)品，而是需要契合領(lǐng)域的實(shí)際工況。在他看來，這也是英飛凌作為全球巨頭的護(hù)城河所在，即產(chǎn)品型號(hào)系列齊全，擁有針對(duì)各應(yīng)用場(chǎng)景專門優(yōu)化的產(chǎn)品。而相比之下，包括賽晶半導(dǎo)體在內(nèi)的國(guó)內(nèi)廠商目前還處于單點(diǎn)突破階段，各家產(chǎn)品還有改進(jìn)空間。

從SiC產(chǎn)品來看，目前，SiC在全球半導(dǎo)體的滲透率較低。據(jù)Yole預(yù)測(cè)，到2023年SiC滲透率有望提升至3.75%。項(xiàng)頡介紹，現(xiàn)階段SiC適用的場(chǎng)景主要是新能源汽車和組串式光伏的升壓環(huán)節(jié)。但是，SiC成本較高，可達(dá)IGBT的4到5倍。除成本高，項(xiàng)頡表示，現(xiàn)階段SiC發(fā)展的難點(diǎn)還在于需進(jìn)一步提升其外延的良品率，同時(shí)在襯底技術(shù)上取得突破。他認(rèn)為，一旦SiC的成本能下降到IGBT的2倍以內(nèi)，其應(yīng)用量將會(huì)迅速提升，但也不會(huì)完全取代IGBT。公司將持續(xù)跟進(jìn)SiC產(chǎn)品研發(fā)。

談及下一階段戰(zhàn)略重點(diǎn)，項(xiàng)頡表示，公司將繼續(xù)推進(jìn)微溝槽IGBT芯片、SiC MOSFET芯片研發(fā)工作，同時(shí)在模塊設(shè)計(jì)和工藝上創(chuàng)新。此外，賽晶科技將在今年四季度啟動(dòng)海外市場(chǎng)銷售。