79009/21
荷蘭半導(dǎo)體出口管制，在9月1日就正式生效了。荷蘭的ASML是全球光刻機的龍頭，對我國主要是高端光刻機出口管制。根據(jù)之前的消息，NXT:2000i以上高端機型，我們是買不到了，但是，1980及以下型號浸沒式光刻機，我們還是能夠正常買到的。
高端的光刻機，比如EUV，能夠生產(chǎn)7nm、5nm的制程芯片，低端的光刻機是沒法生產(chǎn)的。但是，我國很多行業(yè)都需要用到高端的芯片，所以國內(nèi)的光刻機一直有國產(chǎn)替代的需求。但是，高端光刻機的研發(fā)，是沒那么快的。除了研發(fā)高端的光刻機之外，還有一個相對更容易的路徑，也能夠提升芯片制程，那就是——多重曝光。
之前就有很多關(guān)于多重曝光的討論，不過A股市場上，一直沒炒作起來。但是，最近華為的消息，非常振奮人心。華為近期發(fā)布了Mate 60 Pro，經(jīng)過多方的確認(rèn)，華為Mate 60 Pro，用的是麒麟9000s芯片，中芯國際代工的N+2技術(shù)，采用ASML浸潤式DUV 1980Di (光刻機)，多重曝光，生成的7nm工藝。換句話說，之前多重曝光一直是理論上探討，但是，現(xiàn)在華為的動作表明，這項技術(shù)我們已經(jīng)實現(xiàn)了。那么對于國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)來說，芯片制程突破到了7nm，實現(xiàn)了國產(chǎn)替代，情緒上振奮人心，也利好芯片產(chǎn)業(yè)鏈。
再說回多重曝光技術(shù)，目前主流的多重曝光技術(shù)分為LELE、LFLE或SADP。用的是荷蘭ASML浸潤式DUV 1980Di 光刻機，LELE、LFLE技術(shù)是將一層電路拆分成幾層進(jìn)行光刻，SADP則是通過控制沉積和刻蝕過程中的厚度和形貌，實現(xiàn)更高的精度。這個方法，能夠?qū)崿F(xiàn)7nm的芯片制程。但是同時也會產(chǎn)生一定的影響。
第一個就是會增加光刻膠的用量。如下圖，通過四次曝光方式，完成一次圖形轉(zhuǎn)移，曝光次數(shù)明顯增多，光刻膠使用量就大幅增加。因此，光刻膠相關(guān)品種值得關(guān)注，包括容大感光、南大光電等。
下圖是我國光刻膠行業(yè)國產(chǎn)化以及進(jìn)口替代情況，當(dāng)下炒作的主要是半導(dǎo)體光刻膠這個細(xì)分。
另外，多重曝光技術(shù)，通常需要反復(fù)進(jìn)行涂膠—光刻—顯影—刻蝕等工藝流程，因此光刻多重曝光技術(shù)的發(fā)展，大大增加了浸沒式DUV光刻機、涂膠顯影機、刻蝕機、薄膜沉積等設(shè)備的潛在需求。A股市場上，半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)品種同樣值得關(guān)注。比如顯影液的格林達(dá)、盛劍環(huán)境；刻蝕機的中微公司、北方華創(chuàng)；薄膜沉積設(shè)備的微導(dǎo)納米等。
另外，無論是哪種技術(shù)路徑，多重曝光都會導(dǎo)致良率顯著降低，因此，對于檢測設(shè)備的需求同樣會大幅提升。檢測設(shè)備相關(guān)品種：廣立微、長川科技等。
注意：再好的邏輯，也得結(jié)合大環(huán)境、漲跌趨勢等因素來選擇介入跟退出的時機。以上內(nèi)容僅是基于行業(yè)以及公司基本面的靜態(tài)分析，非動態(tài)買賣指導(dǎo)。以上觀點僅供參考，據(jù)此建議風(fēng)險自擔(dān)，股市有風(fēng)險，入市需謹(jǐn)慎。最后，喜歡我文章的朋友，記得加好關(guān)注，不迷路哦！
高端的光刻機，比如EUV，能夠生產(chǎn)7nm、5nm的制程芯片，低端的光刻機是沒法生產(chǎn)的。但是，我國很多行業(yè)都需要用到高端的芯片，所以國內(nèi)的光刻機一直有國產(chǎn)替代的需求。但是，高端光刻機的研發(fā)，是沒那么快的。除了研發(fā)高端的光刻機之外，還有一個相對更容易的路徑，也能夠提升芯片制程，那就是——多重曝光。
之前就有很多關(guān)于多重曝光的討論，不過A股市場上，一直沒炒作起來。但是，最近華為的消息，非常振奮人心。華為近期發(fā)布了Mate 60 Pro，經(jīng)過多方的確認(rèn)，華為Mate 60 Pro，用的是麒麟9000s芯片，中芯國際代工的N+2技術(shù)，采用ASML浸潤式DUV 1980Di (光刻機)，多重曝光，生成的7nm工藝。換句話說，之前多重曝光一直是理論上探討，但是，現(xiàn)在華為的動作表明，這項技術(shù)我們已經(jīng)實現(xiàn)了。那么對于國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)來說，芯片制程突破到了7nm，實現(xiàn)了國產(chǎn)替代，情緒上振奮人心，也利好芯片產(chǎn)業(yè)鏈。
再說回多重曝光技術(shù)，目前主流的多重曝光技術(shù)分為LELE、LFLE或SADP。用的是荷蘭ASML浸潤式DUV 1980Di 光刻機，LELE、LFLE技術(shù)是將一層電路拆分成幾層進(jìn)行光刻，SADP則是通過控制沉積和刻蝕過程中的厚度和形貌，實現(xiàn)更高的精度。這個方法，能夠?qū)崿F(xiàn)7nm的芯片制程。但是同時也會產(chǎn)生一定的影響。
第一個就是會增加光刻膠的用量。如下圖，通過四次曝光方式，完成一次圖形轉(zhuǎn)移，曝光次數(shù)明顯增多，光刻膠使用量就大幅增加。因此，光刻膠相關(guān)品種值得關(guān)注，包括容大感光、南大光電等。
下圖是我國光刻膠行業(yè)國產(chǎn)化以及進(jìn)口替代情況，當(dāng)下炒作的主要是半導(dǎo)體光刻膠這個細(xì)分。
另外，多重曝光技術(shù)，通常需要反復(fù)進(jìn)行涂膠—光刻—顯影—刻蝕等工藝流程，因此光刻多重曝光技術(shù)的發(fā)展，大大增加了浸沒式DUV光刻機、涂膠顯影機、刻蝕機、薄膜沉積等設(shè)備的潛在需求。A股市場上，半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)品種同樣值得關(guān)注。比如顯影液的格林達(dá)、盛劍環(huán)境；刻蝕機的中微公司、北方華創(chuàng)；薄膜沉積設(shè)備的微導(dǎo)納米等。
另外，無論是哪種技術(shù)路徑，多重曝光都會導(dǎo)致良率顯著降低，因此，對于檢測設(shè)備的需求同樣會大幅提升。檢測設(shè)備相關(guān)品種：廣立微、長川科技等。
注意：再好的邏輯，也得結(jié)合大環(huán)境、漲跌趨勢等因素來選擇介入跟退出的時機。以上內(nèi)容僅是基于行業(yè)以及公司基本面的靜態(tài)分析，非動態(tài)買賣指導(dǎo)。以上觀點僅供參考，據(jù)此建議風(fēng)險自擔(dān)，股市有風(fēng)險，入市需謹(jǐn)慎。最后，喜歡我文章的朋友，記得加好關(guān)注，不迷路哦！
