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據(jù)報道，存儲行業(yè)在經歷了有史以來最長的庫存調整期之后，下游廠商已經被告知在第四季度合約價格將上漲。這一波漲價從8-9月份的現(xiàn)貨市場開始，依賴現(xiàn)貨的模組廠率先做出了反應，報價可以迅速調整，而合約市場則會在第四季度逐步實施漲價。據(jù)悉，NAND Flash在第四季度的合約價格有望上漲10%至20%，而DRAM的價格則預計上漲約10%。盡管不同產品的漲幅不同，但漲幅均在雙位數(shù)水平。關注樂晴，洞悉產業(yè)格局！
根據(jù)TrendForce的研究數(shù)據(jù)，目前普通服務器的DRAM（不包括HBM）平均容量約為500~600GB，而AI服務器的平均容量則可以達到1.2~1.7TB，其所需的DRAM容量遠高于普通服務器。目前AI服務器的發(fā)展需求非常強勁，預計2023年AI服務器的出貨量將接近120萬臺，年增長率近38%。AI服務器的大幅增長有望帶來存儲芯片價值增量。隨著各大存儲廠商紛紛下調2023年的資本開支計劃并降低生產率，預計全年的行業(yè)供給增速將低于需求增速，供需將逐步達到平衡，這將有助于庫存修復。機構預計2023年下半年市場將加速筑底，有望迎來上行周期。隨著人工智能、物聯(lián)網、大數(shù)據(jù)等領域的發(fā)展，行業(yè)需求將得到持續(xù)擴張。#半導體##存儲芯片##人工智能#
資料來源：芯達人存儲芯片的技術壁壘體現(xiàn)在不斷迭代的技術節(jié)點中。對于DRAM而言，制程是關鍵的迭代路徑，目前市場前沿的布局節(jié)點已達到了10-14nm的水平，這對廠商的研發(fā)能力提出了高要求，以便跟上市場主流的步伐。而NAND則通過3D堆疊層數(shù)進行迭代，當前市場前沿節(jié)點已達到200+層，這同樣需要廠商具備深厚的專業(yè)知識。市場格局方面來看，DRAM市場更為集中，主要被三星、海力士和美光三家公司主導，據(jù)IDC數(shù)據(jù)，2022年DRAM行業(yè)CR3已達到95%，預計未來競爭格局將逐步趨于穩(wěn)定。相比之下，NAND市場的競爭格局更為分散。盡管三星、海力士、美光仍是主要玩家，但還包括Intel、WDC與鎧俠等其他廠商。國內在利基DRAM方面，華邦電子、兆易創(chuàng)新、北京君正規(guī)模較大；SLC NAND領域，東芯股份為本土SLC NAND龍頭；NOR方面，領先廠商包括華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新等。SLC NAND占整個NAND市場的比重約為2%，市場主流應用為TLC與MLC。SLC NANDFlash行業(yè)內龍頭主要為鎧俠、華邦電子、旺宏電子等企業(yè)。
由于利基型存儲競爭格局較為分散，且海外巨頭正逐漸淡出利基型存儲市場，隨著國產化需求提升，具備研發(fā)能力的國內存儲廠商將迎來良好的替代機遇。模組方面來看，盡管海外龍頭模組廠依舊占據(jù)模組市場主要份額，但國內各模組廠已取得長足的進步。江波龍、德明利、佰維存、朗科科技等廠商都在奮力追趕，加速國產替代進程！產業(yè)鏈相關配套廠商中還包括設備材料+封測雅克科技、深科技、精智達等；芯片方面兆易創(chuàng)新、東芯股份、北京君正、普冉股份、恒爍股份等。這些優(yōu)秀的龍頭廠商都是在存儲芯片產業(yè)鏈上有著重要地位的企業(yè)，有望在產業(yè)的發(fā)展中受益并發(fā)揮重要作用。總的來說，存儲芯片行業(yè)的技術和格局都在不斷演變中。未來，隨著技術的進步和市場競爭的加劇，行業(yè)將呈現(xiàn)出更加集中、更具競爭力的態(tài)勢。關注樂晴，洞悉產業(yè)格局！
根據(jù)TrendForce的研究數(shù)據(jù)，目前普通服務器的DRAM（不包括HBM）平均容量約為500~600GB，而AI服務器的平均容量則可以達到1.2~1.7TB，其所需的DRAM容量遠高于普通服務器。目前AI服務器的發(fā)展需求非常強勁，預計2023年AI服務器的出貨量將接近120萬臺，年增長率近38%。AI服務器的大幅增長有望帶來存儲芯片價值增量。隨著各大存儲廠商紛紛下調2023年的資本開支計劃并降低生產率，預計全年的行業(yè)供給增速將低于需求增速，供需將逐步達到平衡，這將有助于庫存修復。機構預計2023年下半年市場將加速筑底，有望迎來上行周期。隨著人工智能、物聯(lián)網、大數(shù)據(jù)等領域的發(fā)展，行業(yè)需求將得到持續(xù)擴張。#半導體##存儲芯片##人工智能#存儲芯片行業(yè)概覽
存儲芯片在半導體行業(yè)中占據(jù)重要地位，其市場規(guī)模僅次于邏輯芯片，是半導體業(yè)內最大的細分市場，占據(jù)近30%的份額。由于存儲芯片標準化程度高，可替代性強，具備大宗商品屬性，其價格受下游需求影響較為敏感，行業(yè)景氣度受供需關系影響較大，呈現(xiàn)出較強的周期性，被視為半導體產業(yè)周期的風向標。從市場增速來看，存儲芯片與半導體走勢基本一致，且周期性波動高于半導體行業(yè)整體波動。存儲原廠追求經濟效益最優(yōu)的“二八原則”，通常只聚焦智能手機、PC及服務器等具有大宗數(shù)據(jù)存儲需求的行業(yè)頭部客戶。模組廠則瞄準廣泛細分市場，為細分客戶提供客制化服務，將標準化晶圓轉化為存儲產品，提升存儲器在各類應用場景的適用性。存儲芯片產業(yè)鏈梳理
存儲芯片行業(yè)的產業(yè)鏈起始于一系列半導體材料的供應商，包括硅片、光刻膠、靶材、拋光材料和電子特種氣體等，同時也包括半導體設備的供應商，如光刻機、PVD設備、CVD設備、刻蝕設備和清洗設備等。產業(yè)鏈中游由存儲芯片制造商主導，主要負責存儲芯片的設計、生產和封裝測試。這些存儲芯片有多種類型，包括DRAM、NAND閃存和NOR閃存等，被廣泛應用于消費電子、汽車電子、信息通信和人工智能等多個領域。從分類來看，2022年全球存儲芯片市場規(guī)模約1392億美元，DRAM 2022年市場規(guī)模為790.61億美元，占比存儲芯片的56.8%，NAND FLASH 2022年市場規(guī)模為601.26億美元，占比存儲芯片的43.2%。產業(yè)鏈的下游涵蓋了眾多應用領域內的企業(yè)，不僅需要存儲芯片作為其產品和服務的核心組件，同時也對存儲芯片的性能、可靠性和成本等方面有嚴格的要求。存儲芯片競爭格局和龍頭梳理
從存儲芯片的產品布局來看，海外巨頭與國內廠商有著不同的聚焦點。海外巨頭主要集中在DRAM、NAND等高端市場，業(yè)務重心在大容量存儲產品。國內存儲廠商則主要布局在利基型存儲，包括利基DRAM、SLC NAND、NOR Flash等中小容量產品。四類NAND存儲芯片各參數(shù)對比：資料來源：芯達人存儲芯片的技術壁壘體現(xiàn)在不斷迭代的技術節(jié)點中。對于DRAM而言，制程是關鍵的迭代路徑，目前市場前沿的布局節(jié)點已達到了10-14nm的水平，這對廠商的研發(fā)能力提出了高要求，以便跟上市場主流的步伐。而NAND則通過3D堆疊層數(shù)進行迭代，當前市場前沿節(jié)點已達到200+層，這同樣需要廠商具備深厚的專業(yè)知識。市場格局方面來看，DRAM市場更為集中，主要被三星、海力士和美光三家公司主導，據(jù)IDC數(shù)據(jù)，2022年DRAM行業(yè)CR3已達到95%，預計未來競爭格局將逐步趨于穩(wěn)定。相比之下，NAND市場的競爭格局更為分散。盡管三星、海力士、美光仍是主要玩家，但還包括Intel、WDC與鎧俠等其他廠商。國內在利基DRAM方面，華邦電子、兆易創(chuàng)新、北京君正規(guī)模較大；SLC NAND領域，東芯股份為本土SLC NAND龍頭；NOR方面，領先廠商包括華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新等。SLC NAND占整個NAND市場的比重約為2%，市場主流應用為TLC與MLC。SLC NANDFlash行業(yè)內龍頭主要為鎧俠、華邦電子、旺宏電子等企業(yè)。由于利基型存儲競爭格局較為分散，且海外巨頭正逐漸淡出利基型存儲市場，隨著國產化需求提升，具備研發(fā)能力的國內存儲廠商將迎來良好的替代機遇。模組方面來看，盡管海外龍頭模組廠依舊占據(jù)模組市場主要份額，但國內各模組廠已取得長足的進步。江波龍、德明利、佰維存、朗科科技等廠商都在奮力追趕，加速國產替代進程！產業(yè)鏈相關配套廠商中還包括設備材料+封測雅克科技、深科技、精智達等；芯片方面兆易創(chuàng)新、東芯股份、北京君正、普冉股份、恒爍股份等。這些優(yōu)秀的龍頭廠商都是在存儲芯片產業(yè)鏈上有著重要地位的企業(yè)，有望在產業(yè)的發(fā)展中受益并發(fā)揮重要作用。總的來說，存儲芯片行業(yè)的技術和格局都在不斷演變中。未來，隨著技術的進步和市場競爭的加劇，行業(yè)將呈現(xiàn)出更加集中、更具競爭力的態(tài)勢。關注樂晴，洞悉產業(yè)格局！
