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存儲(chǔ)芯片全線上漲!半導(dǎo)體核心風(fēng)向標(biāo),龍頭廠商盤點(diǎn)

作者:樂晴行業(yè)觀察 來源: 頭條號(hào) 114409/23

據(jù)報(bào)道,存儲(chǔ)行業(yè)在經(jīng)歷了有史以來最長的庫存調(diào)整期之后,下游廠商已經(jīng)被告知在第四季度合約價(jià)格將上漲。這一波漲價(jià)從8-9月份的現(xiàn)貨市場開始,依賴現(xiàn)貨的模組廠率先做出了反應(yīng),報(bào)價(jià)可以迅速調(diào)整,而合約市場則會(huì)在第四季度逐步實(shí)施漲價(jià)。據(jù)悉,NAND

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據(jù)報(bào)道,存儲(chǔ)行業(yè)在經(jīng)歷了有史以來最長的庫存調(diào)整期之后,下游廠商已經(jīng)被告知在第四季度合約價(jià)格將上漲。

這一波漲價(jià)從8-9月份的現(xiàn)貨市場開始,依賴現(xiàn)貨的模組廠率先做出了反應(yīng),報(bào)價(jià)可以迅速調(diào)整,而合約市場則會(huì)在第四季度逐步實(shí)施漲價(jià)。

據(jù)悉,NAND Flash在第四季度的合約價(jià)格有望上漲10%至20%,而DRAM的價(jià)格則預(yù)計(jì)上漲約10%。盡管不同產(chǎn)品的漲幅不同,但漲幅均在雙位數(shù)水平。

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根據(jù)TrendForce的研究數(shù)據(jù),目前普通服務(wù)器的DRAM(不包括HBM)平均容量約為500~600GB,而AI服務(wù)器的平均容量則可以達(dá)到1.2~1.7TB,其所需的DRAM容量遠(yuǎn)高于普通服務(wù)器。

目前AI服務(wù)器的發(fā)展需求非常強(qiáng)勁,預(yù)計(jì)2023年AI服務(wù)器的出貨量將接近120萬臺(tái),年增長率近38%。AI服務(wù)器的大幅增長有望帶來存儲(chǔ)芯片價(jià)值增量。

隨著各大存儲(chǔ)廠商紛紛下調(diào)2023年的資本開支計(jì)劃并降低生產(chǎn)率,預(yù)計(jì)全年的行業(yè)供給增速將低于需求增速,供需將逐步達(dá)到平衡,這將有助于庫存修復(fù)。機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)2023年下半年市場將加速筑底,有望迎來上行周期。隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的發(fā)展,行業(yè)需求將得到持續(xù)擴(kuò)張。#半導(dǎo)體##存儲(chǔ)芯片##人工智能#

存儲(chǔ)芯片行業(yè)概覽

存儲(chǔ)芯片在半導(dǎo)體行業(yè)中占據(jù)重要地位,其市場規(guī)模僅次于邏輯芯片,是半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)最大的細(xì)分市場,占據(jù)近30%的份額。

由于存儲(chǔ)芯片標(biāo)準(zhǔn)化程度高,可替代性強(qiáng),具備大宗商品屬性,其價(jià)格受下游需求影響較為敏感,行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大,呈現(xiàn)出較強(qiáng)的周期性,被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期的風(fēng)向標(biāo)。

從市場增速來看,存儲(chǔ)芯片與半導(dǎo)體走勢基本一致,且周期性波動(dòng)高于半導(dǎo)體行業(yè)整體波動(dòng)。存儲(chǔ)原廠追求經(jīng)濟(jì)效益最優(yōu)的“二八原則”,通常只聚焦智能手機(jī)、PC及服務(wù)器等具有大宗數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求的行業(yè)頭部客戶。

模組廠則瞄準(zhǔn)廣泛細(xì)分市場,為細(xì)分客戶提供客制化服務(wù),將標(biāo)準(zhǔn)化晶圓轉(zhuǎn)化為存儲(chǔ)產(chǎn)品,提升存儲(chǔ)器在各類應(yīng)用場景的適用性。

存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)崂?/h1>存儲(chǔ)芯片行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈起始于一系列半導(dǎo)體材料的供應(yīng)商,包括硅片、光刻膠、靶材、拋光材料和電子特種氣體等,同時(shí)也包括半導(dǎo)體設(shè)備的供應(yīng)商,如光刻機(jī)、PVD設(shè)備、CVD設(shè)備、刻蝕設(shè)備和清洗設(shè)備等。

產(chǎn)業(yè)鏈中游由存儲(chǔ)芯片制造商主導(dǎo),主要負(fù)責(zé)存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和封裝測試。這些存儲(chǔ)芯片有多種類型,包括DRAM、NAND閃存和NOR閃存等,被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、信息通信和人工智能等多個(gè)領(lǐng)域。

從分類來看,2022年全球存儲(chǔ)芯片市場規(guī)模約1392億美元,DRAM 2022年市場規(guī)模為790.61億美元,占比存儲(chǔ)芯片的56.8%,NAND FLASH 2022年市場規(guī)模為601.26億美元,占比存儲(chǔ)芯片的43.2%。

產(chǎn)業(yè)鏈的下游涵蓋了眾多應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的企業(yè),不僅需要存儲(chǔ)芯片作為其產(chǎn)品和服務(wù)的核心組件,同時(shí)也對(duì)存儲(chǔ)芯片的性能、可靠性和成本等方面有嚴(yán)格的要求。

存儲(chǔ)芯片競爭格局和龍頭梳理

從存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)品布局來看,海外巨頭與國內(nèi)廠商有著不同的聚焦點(diǎn)。

海外巨頭主要集中在DRAM、NAND等高端市場,業(yè)務(wù)重心在大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品。

國內(nèi)存儲(chǔ)廠商則主要布局在利基型存儲(chǔ),包括利基DRAM、SLC NAND、NOR Flash等中小容量產(chǎn)品。

四類NAND存儲(chǔ)芯片各參數(shù)對(duì)比:

資料來源:芯達(dá)人

存儲(chǔ)芯片的技術(shù)壁壘體現(xiàn)在不斷迭代的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中。

對(duì)于DRAM而言,制程是關(guān)鍵的迭代路徑,目前市場前沿的布局節(jié)點(diǎn)已達(dá)到了10-14nm的水平,這對(duì)廠商的研發(fā)能力提出了高要求,以便跟上市場主流的步伐。

而NAND則通過3D堆疊層數(shù)進(jìn)行迭代,當(dāng)前市場前沿節(jié)點(diǎn)已達(dá)到200+層,這同樣需要廠商具備深厚的專業(yè)知識(shí)。

市場格局方面來看,DRAM市場更為集中,主要被三星、海力士和美光三家公司主導(dǎo),據(jù)IDC數(shù)據(jù),2022年DRAM行業(yè)CR3已達(dá)到95%,預(yù)計(jì)未來競爭格局將逐步趨于穩(wěn)定。

相比之下,NAND市場的競爭格局更為分散。盡管三星、海力士、美光仍是主要玩家,但還包括Intel、WDC與鎧俠等其他廠商。

國內(nèi)在利基DRAM方面,華邦電子、兆易創(chuàng)新、北京君正規(guī)模較大;SLC NAND領(lǐng)域,東芯股份為本土SLC NAND龍頭;NOR方面,領(lǐng)先廠商包括華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新等。

SLC NAND占整個(gè)NAND市場的比重約為2%,市場主流應(yīng)用為TLC與MLC。SLC NANDFlash行業(yè)內(nèi)龍頭主要為鎧俠、華邦電子、旺宏電子等企業(yè)。

由于利基型存儲(chǔ)競爭格局較為分散,且海外巨頭正逐漸淡出利基型存儲(chǔ)市場,隨著國產(chǎn)化需求提升,具備研發(fā)能力的國內(nèi)存儲(chǔ)廠商將迎來良好的替代機(jī)遇。

模組方面來看,盡管海外龍頭模組廠依舊占據(jù)模組市場主要份額,但國內(nèi)各模組廠已取得長足的進(jìn)步。江波龍、德明利、佰維存、朗科科技等廠商都在奮力追趕,加速國產(chǎn)替代進(jìn)程!

產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)配套廠商中還包括設(shè)備材料+封測雅克科技、深科技、精智達(dá)等;芯片方面兆易創(chuàng)新、東芯股份、北京君正、普冉股份、恒爍股份等。這些優(yōu)秀的龍頭廠商都是在存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈上有著重要地位的企業(yè),有望在產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中受益并發(fā)揮重要作用。

總的來說,存儲(chǔ)芯片行業(yè)的技術(shù)和格局都在不斷演變中。未來,隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場競爭的加劇,行業(yè)將呈現(xiàn)出更加集中、更具競爭力的態(tài)勢。

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