（報(bào)告出品方/作者：華西證券，劉澤晶）

板塊深度調(diào)整具備配置價(jià)值，中報(bào)業(yè)績持續(xù)高速增長

2023年板塊超額收益明顯，前道環(huán)節(jié)表現(xiàn)優(yōu)于后道封裝

截止2023年9月28日，半導(dǎo)體設(shè)備（長江）年初以來累計(jì)漲幅19.14%，具有明顯超額收益，復(fù)盤2023年半導(dǎo)體設(shè)備板塊行情走 勢，大致經(jīng)歷三個(gè)階段。1）2023.2-2023.4，日本和荷蘭半導(dǎo)體制裁官宣，本土晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)預(yù)期上修，以及先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)預(yù)期落地 ，板塊迎來明顯上漲。2）2023.5-2023.7，以AI為代表的科技股調(diào)整，市場對(duì)美國后續(xù)制裁升級(jí)擔(dān)憂，板塊出現(xiàn)深度調(diào)整。 3） 2023.8-至今，華為Mate 60 Pro手機(jī)回歸，疊加ASML2000i以及后續(xù)光刻機(jī)獲得出口許可等利好，帶動(dòng)板塊迎來較為明顯反彈。

就不同環(huán)節(jié)2023年初至今股價(jià)漲幅表現(xiàn)看，前道設(shè)備優(yōu)于后道測試設(shè)備：主要系后道封裝行業(yè)景氣度較差，持續(xù)承壓，前道受益 于晶圓廠逆周期擴(kuò)張且國產(chǎn)替代邏輯，前道設(shè)備環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率較低的量/檢測、薄膜沉積環(huán)節(jié)漲幅靠前，測試機(jī)龍頭年初至今甚至出 現(xiàn)下跌。

營收端持續(xù)兌現(xiàn)快速增長，利潤端實(shí)現(xiàn)翻倍增長

利潤端： 2023H1 十四家半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)合計(jì)實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤44.57億元，同比+79.55%，歸母凈利潤增速顯著高于營收入端增 速，除了部分公司投資收益等影響，規(guī)模效應(yīng)對(duì)板塊盈利水平提升起到積極作用。

規(guī)模效應(yīng)下費(fèi)用率出現(xiàn)下滑，凈利率提升明顯

2023H1十四家半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)銷售凈利率21.64%，同比+4.33pct，盈利水平提升明顯： 1）毛利端， 2023H1十四家半導(dǎo)體設(shè) 備企業(yè)毛利率45.06%，同比-2.24pct，同比出現(xiàn)一定下滑，其中最主要的原因系半導(dǎo)體設(shè)備龍頭北方華創(chuàng)高毛利電子元器件收入占 比下降所致，此外封測行業(yè)景氣度承壓，相關(guān)公司毛利率出現(xiàn)下滑。 2）費(fèi)用端， 2023H1十四家半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)期間費(fèi)用率為 27.86%，同比-1.88pct，主要系規(guī)模效應(yīng)，費(fèi)用率下降對(duì)盈利水平提升起到積極作用，此外報(bào)告期內(nèi)部分半導(dǎo)體設(shè)備公司投資收益 大幅增長，對(duì)凈利率也起到正向作用。

美、荷、日制裁塵埃落地，國產(chǎn)替代邏輯持續(xù)強(qiáng)化

美國：制裁升級(jí)至先進(jìn)制程，后續(xù)制裁或好于市場擔(dān)憂

2022年10月7日，美國對(duì)向中國半導(dǎo)體制裁升級(jí)，主要針對(duì)先進(jìn)制程芯片制造設(shè)備，對(duì)128層及以上3D NAND芯片、18nm半間 距及以下DRAM內(nèi)存芯片、16nm或14nm或以下非平面晶體管結(jié)構(gòu)（即FinFET或GAAFET）邏輯芯片相關(guān)設(shè)備進(jìn)一步管控。此外在 沒有獲得美國政府許可的情況下，美國國籍公民禁止在中國從事芯片開發(fā)或制造工作。

擔(dān)心持續(xù)的制裁升級(jí)，是板塊出現(xiàn)調(diào)整的重要因素，此前市場擔(dān)心美國或?qū)⒃诮衲晗奶焱ㄟ^進(jìn)一步限制芯片制造設(shè)備的銷售，但最 終并未落地。近期華為Mate 60 系列手機(jī)上市，引起市場強(qiáng)烈反響，加劇了市場對(duì)美國加大制裁管控的擔(dān)憂。參考2018年以來美國 對(duì)華半導(dǎo)體制裁，步步為營，半導(dǎo)體是中美重要的博弈，我們預(yù)計(jì)后續(xù)制裁倘若升級(jí)，大概率不會(huì)一步到位，有望好于市場擔(dān)憂。

日本：全球半導(dǎo)體設(shè)備重要構(gòu)成，眾多細(xì)分領(lǐng)域全球領(lǐng) 先

日本在涂膠顯影、清洗領(lǐng)域具備全球主導(dǎo)地位，并在薄膜沉積、刻蝕 等領(lǐng)域全球領(lǐng)先。日本半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)已涌現(xiàn)出TEL、DNS、Hitachi等 全球龍頭，其中TEL為世界第三大半導(dǎo)體設(shè)備廠商，業(yè)務(wù)涵蓋涂膠顯影 、CVD、ALD、刻蝕、清洗等，尤其在涂膠顯影設(shè)備領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位 ，我們預(yù)計(jì)全球市場份額近90%。此外，清洗設(shè)備也是日本半導(dǎo)體設(shè)備 優(yōu)勢領(lǐng)域，2019年DNS和TEL兩家合計(jì)全球占比達(dá)到77%。

日本：中國大陸進(jìn)口金額加速增長，制裁短期影響不大

隨著日本出口芯片設(shè)備的禁令于7月23日正式生效臨近，中國大陸進(jìn)口日本半導(dǎo)體設(shè)備金額呈明顯增長態(tài)勢：2023年6月和7月進(jìn) 口金額分別為5.50億美元、8.23億美元，分別同比+16.96%、+64.80%，提升明顯，7月更是創(chuàng)造了中國進(jìn)口日本半導(dǎo)體設(shè)備金額單 月新高。2023年1-7月中國大陸累計(jì)進(jìn)口日本半導(dǎo)體設(shè)備金額達(dá)到37.98億美元，同比+10.80%，在全球行業(yè)下行的背景下仍實(shí)現(xiàn)了 穩(wěn)步增長。

進(jìn)一步分析，CVD、干法刻蝕設(shè)備、熱處理、光刻機(jī)等日本有一定優(yōu)勢的半導(dǎo)體設(shè)備細(xì)分環(huán)節(jié)，其中 CVD、干法刻蝕設(shè)備、光刻 機(jī)中國大陸7月進(jìn)口金額提升明顯，熱處理設(shè)備同比持續(xù)下降，我們判斷主要與北方華創(chuàng)本土企業(yè)實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代有一定關(guān)系。我們認(rèn) 為在日本出口管制生效前，中國大陸加速拉貨，短期看日本制裁生效對(duì)國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)影響不大，中長期看本土設(shè)備突破以及國產(chǎn)替 代的進(jìn)度。

荷蘭：出口管制生效，2000i以及后續(xù)型號(hào)短期獲得許可

2023年3月8日，荷蘭政府以“國家安全”為由，宣布將對(duì)包括“最先進(jìn)的”深紫外光刻機(jī)（DUV）在內(nèi)的特定半導(dǎo)體制造 設(shè)備實(shí)施新的出口管制，并加入美國對(duì)華芯片出口管制的陣營。

2023年6月30日，荷蘭政府公布了有關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備出口管制的新規(guī)定，新的出口管制側(cè)重于先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，包括最先 進(jìn)的沉積和浸沒光刻系統(tǒng)，將于2023年9月1日生效，體現(xiàn)在以下兩方面：1）對(duì)DUV設(shè)備（光源波長大于等于193nm）的限 制門檻是同時(shí)滿足兩個(gè)條件：光源波長×K/數(shù)值孔徑<=45nm；套刻精度<=1.5nm。根據(jù)ASML官網(wǎng)聲明，對(duì)外出口其最先 進(jìn)的浸沒式DUV光刻系統(tǒng)（TWINSCAN NXT：2000i和后續(xù)的浸沒式系統(tǒng)），需要向荷蘭政府申請(qǐng)出口許可證，而1980Di 浸潤式光刻系統(tǒng)（套刻精度1.6nm），以及更低端的光刻設(shè)備的出口未受荷蘭政府管控。 2）新規(guī)還對(duì)用于金屬原子層沉積 （ALD）的設(shè)備、進(jìn)行無空隙等離子體放大沉積的設(shè)備等進(jìn)行限制。

近期，根據(jù)中國日?qǐng)?bào)報(bào)道，ASML已向荷蘭政府提出TWINSCAN NXT：2000i及后續(xù)推出的浸潤式光刻系統(tǒng)的出口許可證 申請(qǐng)，荷蘭政府也已經(jīng)頒發(fā)了截至9月1日所需的許可證，允許ASML2023年繼續(xù)發(fā)運(yùn)TWINSCAN NXT：2000i及后續(xù)推出 的浸潤式光刻系統(tǒng)。自2024年1月1日起，ASML將基本不會(huì)獲得向中國客戶發(fā)運(yùn)這些設(shè)備的出口許可證。

美、日、荷制裁落地，設(shè)備進(jìn)口替代邏輯持續(xù)強(qiáng)化

整體來看，半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率仍處于低位。收入口徑下，2022年11 家半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)合計(jì)實(shí)現(xiàn)營收378億元，同比+54%，對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體設(shè)備 市場整體國產(chǎn)化率仍不足20%。細(xì)分領(lǐng)域來看，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)在清洗、熱處理、CMP、刻蝕設(shè) 備等領(lǐng)域已取得一定市場份額。然而，對(duì)于光刻、量/檢測、涂膠顯影、 離子注入設(shè)備等領(lǐng)域，我們判斷2022年國產(chǎn)化率仍低于10%，國產(chǎn)替代 空間較大。

大陸逆周期擴(kuò)產(chǎn)加速趨勢明顯，半導(dǎo)體復(fù)蘇拐點(diǎn)信號(hào)出現(xiàn)

逆周期擴(kuò)產(chǎn)加速推進(jìn)，中芯國際資本開支維持高位

相較IC設(shè)計(jì)、封測環(huán)節(jié)，晶圓制造是中國大陸當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)短板，自主可控驅(qū)動(dòng)本土晶圓廠逆周期大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)。中國大陸 市場晶圓產(chǎn)能缺口較大，2021年底晶圓全球產(chǎn)能占比僅為16%（包含臺(tái)積電、海力士等外資企業(yè)在本土的產(chǎn)能），遠(yuǎn)低于半導(dǎo) 體銷售額全球占比。外部制裁事件頻發(fā)的背景下，晶圓環(huán)節(jié)自主可控需求越發(fā)強(qiáng)烈，本土晶圓廠逆周期擴(kuò)產(chǎn)訴求持續(xù)放大。

中國大陸營收占比提升，海外龍頭對(duì)大陸擴(kuò)產(chǎn)指引樂觀

SEMI數(shù)據(jù)顯示，2023Q2中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額75.5億美金，占比 29.25%，是唯一同環(huán)比均實(shí)現(xiàn)增長地區(qū)，進(jìn)一步驗(yàn)證國內(nèi)晶圓廠逆周期擴(kuò) 產(chǎn)。下面從全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭可以得出同樣結(jié)論： ASML2023Q2實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入69億歐元，同比+27.8%，中國大陸地區(qū)收入占 比24%，環(huán)比大幅提升16pct；2023Q2浸沒式DUV銷售39臺(tái)，環(huán)比增加14臺(tái)。 根據(jù)ASML業(yè)績說明會(huì)，中國對(duì)Fab建設(shè)的戰(zhàn)略投資，使得未來幾年內(nèi)這些需 求是非?？沙掷m(xù)的，對(duì)中國大陸晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)保持樂觀態(tài)度。

半導(dǎo)體行業(yè)逐步回暖，景氣度拐點(diǎn)信號(hào)已經(jīng)出現(xiàn)

根據(jù)SIA數(shù)據(jù)，2023年2月全球半導(dǎo)體單月銷售額觸底，為3970億美元，同比-20.70%，此后連續(xù)5個(gè)月出現(xiàn)環(huán)比改善，3-7月環(huán) 比增長幅度分別為0.33%、0.53%、1.75%、3.66%、2.34%，拐點(diǎn)信號(hào)明顯，可見全球半導(dǎo)體整體復(fù)蘇呈現(xiàn)加速態(tài)勢，后續(xù)伴隨 下游需求市場回暖以及去庫存結(jié)束，全球半導(dǎo)體行業(yè)有望進(jìn)入新一輪上升周期。 中國半導(dǎo)體行業(yè)同樣出現(xiàn)復(fù)蘇跡象，2023年3月以來，連續(xù)4個(gè)月環(huán)比為正，環(huán)比增幅分別為1.19%、3.15%、3.93%、4.37%、 2.58%，環(huán)比增速均高于全球市場，考慮到中國市場下游新能源等領(lǐng)域發(fā)展較快，更看好中國半導(dǎo)體市場復(fù)蘇彈性。

自主可控&下游景氣復(fù)蘇，看好2024年半導(dǎo)體設(shè)備需求放量

歷史數(shù)據(jù)表明，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額與半導(dǎo)體銷售額同比增速呈現(xiàn)高度聯(lián)動(dòng)效應(yīng)，同時(shí)在行業(yè)上行周期時(shí)，半導(dǎo)體設(shè)備可 以表現(xiàn)出更高的同比增速，具備更強(qiáng)增長彈性。 展望2024年，全球范圍內(nèi)來看，在終端消費(fèi)持續(xù)復(fù)蘇的背景下，SEMI預(yù)計(jì)2024年全球晶圓廠設(shè)備支出約1000億美元，同比 增長14%，2024年半導(dǎo)體設(shè)備需求有望明顯反彈，進(jìn)入下一輪上行周期。對(duì)于中國大陸市場，疊加自主可控需求，我們看好 2024年半導(dǎo)體設(shè)備需求加速放量。

華為Mate 60系列手機(jī)回歸，利好半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化

受美國制裁影響，華為智能手機(jī)出貨量下滑明顯

IDC數(shù)據(jù)顯示，2018 -2020年，華為智能手機(jī)出貨量穩(wěn)居世界前三，2019年智能手機(jī)出貨量達(dá)到2.41億部，全球市占率17.6%。 根據(jù)Canalys數(shù)據(jù)，2020Q2華為更是在全球智能手機(jī)同比大幅下滑的背景下，實(shí)現(xiàn)出貨近 5580 萬臺(tái)，超過三星，登頂全球智能 手機(jī)出貨榜首。

但隨著美國對(duì)華為制裁升級(jí)以及芯片出口限制，華為智能手機(jī)銷量大幅下降，遇到了前所未有的困境，2020 年 11 月華為宣布 出售旗下榮耀手機(jī)，2020年智能手機(jī)出貨量降至1.89億部，同比-21.45%，全球市占率同比-3.0pct。 Couterpoint 數(shù)據(jù)顯示，2021 和2022年華為智能手機(jī)出貨量繼續(xù)大幅下滑， 在中國智能手機(jī)市場市占率僅為10.0%和7.9%，跌出國內(nèi)市場前五，美國制裁下 ，華為智能手機(jī)業(yè)務(wù)短期受到重創(chuàng)。

Mate 60 系列回歸，搭載國產(chǎn)麒麟芯片引爆市場

2023年華為恢復(fù)了高端旗艦機(jī)發(fā)布節(jié)奏，2023年3月發(fā)布了P60系列手機(jī)，智能手機(jī)銷量恢復(fù)快速增長。IDC數(shù)據(jù)顯示， 2023Q2中國智能手機(jī)市場出貨量約6570萬臺(tái)，同比下降2.1%，在行業(yè)持續(xù)低迷的背景下，華為智能手機(jī)逆勢增長，2023Q2出貨 量同比大幅增長76.1%，國內(nèi)市占率達(dá)到13.0%，同比+5.7pct。

研發(fā)與產(chǎn)業(yè)投資并舉，華為大力布局半導(dǎo)體領(lǐng)域

在美國制裁管控下，華為始終走在國產(chǎn)替代的前列，并取得積極成果，最直觀的體現(xiàn)：①華為持續(xù)加大研發(fā)投入，研發(fā)費(fèi)用 率逐年提升，2022年華為研發(fā)費(fèi)用高達(dá)1615億元，研發(fā)費(fèi)用率為25.1%，較2018年提升11pct，高強(qiáng)度研發(fā)投入驅(qū)動(dòng)下，中國證 券報(bào)報(bào)道，華為用3年時(shí)間內(nèi)完成13000+顆器件的替代開發(fā)、4000+電路板的反復(fù)換板開發(fā)，逐步完成各類零部件國產(chǎn)化替代。 ②華為受制于美國，核心在于芯片卡脖子，根據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公開信息，2022-2023年華為陸續(xù)公布了15條芯片堆疊封裝相關(guān) 發(fā)明專利，顯示了華為在芯片領(lǐng)域研發(fā)實(shí)力和創(chuàng)新能力，在不提升制程工藝前提下，芯片堆疊可以提升芯片產(chǎn)品性能，我們認(rèn) 為一定程度上可以緩解先進(jìn)制程卡脖子問題。

報(bào)告節(jié)選：

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