（報告作者：國泰君安分析師 方奕、蘇徽）

華為自研芯片取得重大突破，半導體高端制造國產(chǎn)化預期升溫，看好華為產(chǎn)業(yè)鏈和自主化率亟待提升的半導體設備和先進材料。

1. 華為 Mate 60 Pro 取得“芯”突破，半導體制造國產(chǎn)化預期提升

先分享以下幾個信息：

（1）海外機構拆機檢測華為 Mate 60 Pro 手機，證實芯片自主化突破

9 月 4 日，美國彭博社發(fā)表文章稱，它們委托專業(yè)機構 TechInsights 對華為 Mate 60 Pro 手機進行了拆機檢測，結(jié)果顯示，該新機所使用的新型麒麟 9000s 芯片，來自中國芯片制造商。

（2）光刻機龍頭 ASML 在 2023 年底前仍可向中國供應 DUV 光刻機

9 月 1 日，荷蘭政府此前于 6 月底頒布的有關先進半導體設備的額外出口管制的新條例正式生效。這些新的出口管制條例主要針對的對象為先進的芯片制造技術，包括先進的沉積設備和浸潤式光刻系統(tǒng)。

據(jù)彭博社報道，ASML 發(fā)言人于當?shù)貢r間周四表示，盡管出口限制從 9月開始生效，但該公司現(xiàn)有的許可證仍能夠允許其在 2023 年底前繼續(xù)將 NXT:2000i 和更先進的 DUV 光刻機運送到中國。

（3）中國移動發(fā)布 5G 射頻收發(fā)芯片“破風 8676”

8 月 30 日，中國移動宣布，國內(nèi)首款商用可重構 5G 射頻收發(fā)芯片研制成功。這款被命名為“破風 8676”的芯片可以廣泛商業(yè)應用于 5G 云基站、家庭基站等網(wǎng)絡核心設備。

（4）華為發(fā)布搭載自研芯片和支持衛(wèi)星通話功能的 Mate 60 Pro 手機

8 月 29 日上午，華為終端通過微博發(fā)布 Mate 60 Pro，于當日 12:08 開售。該款手機搭載麒麟 9000S 芯片，采用第二代昆侖玻璃，預裝鴻蒙 4.0系統(tǒng)，支持衛(wèi)星通話功能。

2. 我國本土晶圓制造和半導體設備需求增長強勁

全球半導體產(chǎn)業(yè)需求疲軟，但我國半導體設備出貨額維持高增勢頭。據(jù)SEMI 數(shù)據(jù)，2022 年全球半導體設備出貨額達 1074 億美元，創(chuàng)歷史新高，但由于宏觀經(jīng)濟形勢的挑戰(zhàn)和半導體需求疲軟，預計 2023 年全球半導體設備市場規(guī)模將同比減少 18.6%，至 874 億美元。同時預計 2024 年將復蘇至 1000 億美元。全球半導體設備出貨額增速降緩的同時，我國半導體設備出貨額逆勢大增，2023 年二季度全球半導體設備出貨額為 258億美元，同比下降 2%，環(huán)比下降 4%。2023 年二季度我國大陸地區(qū)半導體設備出貨額達 75.5 億美元，環(huán)比 2023Q1 增長 15%，同比大增 29%。

半導體設備需求強勁增長的背后是我國晶圓代工規(guī)模的快速增長。2022年我國大陸地區(qū)晶圓代工市場規(guī)模達 1036 億元，增長 47.5%，2020 年以來三年復合增速接近 40%。本土代工需求的提升直接拉動半導體設備需求，2022 年我國半導體設備市場規(guī)模達 2745 億元，預計 2023 年仍將增長 10.4%，市場規(guī)模超 3000 億元。但本土市場規(guī)?？焖僭鲩L的同時，我國在關鍵設備和先進制程領域的自主化水平和市場規(guī)模仍有較大提升空間。

3. 我國半導體設備的自主化水平整體有待提升

3.1. 我國晶圓制造全球份額提升，但先進制程領域仍待突破

半導體產(chǎn)業(yè)具有典型的全球化分工特征，但在全球科技摩擦持續(xù)升溫的背景下亟需保障產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈安全。我國半導體產(chǎn)業(yè)起步較晚，但在多數(shù)領域已經(jīng)構建起較為完善的產(chǎn)業(yè)體系，如在芯片設計和封裝測試環(huán)節(jié)已經(jīng)形成較大的市場規(guī)模。但在半導體關鍵設備和基礎材料領域，整體自主化水平仍低。從全球晶圓制造的地區(qū)分布看，我國大陸地區(qū)晶圓廠整體占據(jù) 16%的市場份額，但主要產(chǎn)能在 10nm 以上制程，先進制程的產(chǎn)能規(guī)模顯著不足。華為麒麟系列芯片的發(fā)展也面臨晶圓制造環(huán)節(jié)的短板，但如果其 9000i 芯片完全實現(xiàn)自主生產(chǎn)，意味著我國本土晶圓制造產(chǎn)業(yè)鏈自主化水平的顯著提升。

臺積電在全球晶圓制造領域仍占有絕對份額，但中國大陸地區(qū)晶圓廠整體份額呈提升態(tài)勢。2022 年，中國臺灣地區(qū)的晶圓制造龍頭臺積電營收超 5 千億元，在全球晶圓代工廠中占據(jù) 63%的市場份額。聯(lián)電和格芯排第二、三名，大陸地區(qū)晶圓代工企業(yè)中芯國際、華虹集團和晶合集成分別位列第四、五和第九名。全球前十大晶圓代工廠市場份額達 94.6%，而中國大陸地區(qū)三家晶圓廠的市場份額為10.88%，相較2021年提升0.56個百分點。

3.2. 我國晶圓制造領域需重點提升光刻/刻蝕和量檢測等前道設備自主化水平

前道設備在半導體設備份額中占大頭，且主要是光刻、刻蝕和量檢測等設備。半導體設備中前道設備占據(jù)較大市場份額，平均占比在80%以上。

我國大陸地區(qū)半導體前道設備市場規(guī)模從 2017 年的 450.4 億元增長到2022 年的 1540.4 億元，GAGR 為 27.8%，2022 年中國大陸半導體前道設備銷售額受晶圓代工產(chǎn)業(yè)影響，同比下降 6%，但前道設備占比仍在80%以上。從前道設備的細分領域看，光刻設備占 17%，薄膜沉積設備占 23%，研磨/刻蝕/清洗設備占比最高，達 30%，其余是量檢測設備、離子注入設備和擴散設備等。

我國晶圓加工設備的整體自主化水平較低，非美設備和本土設備的占比提升。我國半導體設備中光刻設備自主化水平極低，對 ASML 等公司的光刻機依賴度高，當前上海微電子等光刻機研發(fā)企業(yè)持續(xù)提升技術實力，已經(jīng)具備 28nm 以上制程的研發(fā)生產(chǎn)能力。在北方華創(chuàng)、中微公司等頭部公司的引領下，我國刻蝕和薄膜沉積設備的國產(chǎn)化率得到顯著提升，而在量檢測領域，國產(chǎn)設備的滲透率仍低。從半導體設備進口地的變化看，非美設備的占比明顯提升。2020 年，美國設備占我國采購份額的 53%，預計到 2023 年將回落至 43%，于此同時，來自日本、歐洲和中國本土的設備占比明顯提升。

荷蘭 AMSL 公司在光刻機領域占據(jù)絕對領先地位，2022 年 ASML 公司共計出貨 345 臺光刻機，市場占有率達 63%，且在超高端的 EUV 極紫外光刻機領域占據(jù)壟斷地位，日本尼康、佳能在 DUV 光刻機領域占有一定的市場份額。

4. 持續(xù)研發(fā)投入是穿越半導體產(chǎn)業(yè)周期的重要路徑

半導體產(chǎn)業(yè)的終端需求具有顯著的周期性特征，生成式 AI 成為新的需求來源。2020-2021 年全球 3C 電子需求回暖帶動產(chǎn)業(yè)鏈周期上行，期間費城半導體指數(shù)與國內(nèi)半導體指數(shù)同步上漲，2022 年以來，半導體產(chǎn)業(yè)整體需求疲軟、庫存高企，上述兩大指數(shù)也出現(xiàn)持續(xù)調(diào)整，但 2023 年以來，國內(nèi)半導體指數(shù)仍未走出頹勢，但費城半導體指數(shù)重回強勢，指數(shù)接近上一輪周期高點，從指數(shù)成本構成看，主要由英偉達、英特爾、AMD、應用材料、ASML 等芯片研發(fā)和設備公司驅(qū)動，生成式 AI 引發(fā)的新一輪半導體產(chǎn)業(yè)趨勢成為行業(yè)新的需求增量。

半導體產(chǎn)業(yè)技術迭代快、研發(fā)投入大、研發(fā)周期長，只有持續(xù)的研發(fā)投入才能穿越行業(yè)周期。近十年來，華為公司的累計研發(fā)投入已超萬億元，2018 年研發(fā)費用金額首次突破千億，研發(fā)費用收入占比持續(xù)抬升，2023年上半年華為研發(fā)費用達 826 億元，收入占比達 26.8%。華為 Mate 60 Pro 自研芯片的成功并非一蹴而就，其背后是持續(xù)強研發(fā)投入的支撐，和國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)投入、厚積薄發(fā)的結(jié)果。從 IP 授權、芯片設計/制造/封測，到先進材料和零組件，國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)均將受益于本輪國產(chǎn)化水平提升的浪潮。

以上內(nèi)容僅供學習交流，不構成投資建議。

精選報告來源：文庫-遠瞻智庫