金融界2024年2月10日消息，據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，華為技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“一種半導(dǎo)體器件及制造方法“，授權(quán)公告號CN111834462B，申請日期為2019年2月。專利摘要顯示，本申請公開了一種半導(dǎo)體器件及制造方法，該器件通過溝槽柵結(jié)構(gòu)，溝槽底部溝道設(shè)置，縱向場板、縱向P?N結(jié)構(gòu)的雙縱向RESURF技術(shù)，減少元胞漂移區(qū)尺寸，增加漂移區(qū)濃度，減少漂移區(qū)電阻，縮小元胞尺寸。該器件可以基于傳統(tǒng)的分離槽柵MOS工藝或者單片集成BCD工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)，制造工藝簡單，制造成本低。如此，本申請可以基于傳統(tǒng)低成本制造技術(shù)，實(shí)現(xiàn)具有低導(dǎo)通電阻，高可靠性的雙向耐壓的MOS型開關(guān)器件。此外，本申請還公開了一種終端設(shè)備。本文源自金融界
華為公司取得半導(dǎo)體器件及制造方法專利，實(shí)現(xiàn)具有低導(dǎo)通電阻，高可靠性的雙向耐壓的MOS型開關(guān)器件
作者：金融界 來源： 頭條號 
119102/15
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金融界2024年2月10日消息，據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，華為技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“一種半導(dǎo)體器件及制造方法“，授權(quán)公告號CN111834462B，申請日期為2019年2月。專利摘要顯示，本申請公開了一種半導(dǎo)體器件及制造方法，該器件通過溝槽
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