（報告出品方：東方證券）

1. 回顧海外半導(dǎo)體設(shè)備龍頭廠商的發(fā)展之路

全球半導(dǎo)體設(shè)備市場高度集中，海外龍頭企業(yè)處于壟斷地位。美國的半導(dǎo)體廠商主要有應(yīng)用材料、 泛林半導(dǎo)體和科磊，應(yīng)用材料是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造廠商，產(chǎn)品覆蓋除光刻以外的半導(dǎo)體 前道工藝，占全球半導(dǎo)體設(shè)備的 21%；泛林半導(dǎo)體是全球第三的半導(dǎo)體設(shè)備廠商，按照“先專后 全”的路線，先專注于刻蝕設(shè)備的研發(fā)制造，逐步發(fā)展薄膜沉積、清洗以及檢測業(yè)務(wù)；科磊在半 導(dǎo)體檢測設(shè)備領(lǐng)域長期占有 50%以上的市場份額，2021 年占全球半導(dǎo)體設(shè)備 8%。日本的半導(dǎo)體 廠商主要包括東京電子和迪恩士，東京電子的產(chǎn)品覆蓋非常全面，在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場占 15% 份額，迪恩士的清洗設(shè)備處于全球領(lǐng)先地位，在全球半導(dǎo)體設(shè)備廠商中排名第六；荷蘭的半導(dǎo)體 廠商主要為阿斯麥，阿斯麥壟斷了全球的高端光刻機市場，在半導(dǎo)體設(shè)備市場中占有 21%的份額。

ASML 是全球光刻機龍頭，占據(jù) 75%份額；LAM（泛林半導(dǎo)體）是全球刻蝕領(lǐng)域龍頭，占據(jù) 50% 份額； AMAT （ 應(yīng) 用 材 料 ） 是 薄 膜 沉 積 、 離 子 注 入 、 CMP 多 領(lǐng) 域 龍 頭 ， 分 別 占 據(jù) 85%(PVD)/30%(CVD)、50%、50%市場份額；DNS（迪恩士）是全球清洗機龍頭，占據(jù) 45%份 額；TEL 是全球涂膠顯影機、原子層沉積（ALD）龍頭，占據(jù) 87%、30%份額；KLA（科磊）是 全球檢測量測設(shè)備龍頭，占據(jù) 54%份額。

1.1 應(yīng)用材料：平臺型龍頭，外延并購成就版圖

應(yīng)用材料成立于 1967 年，1992 年成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造廠商，一直蟬聯(lián)至今。1970 財 年 AMAT主營業(yè)務(wù)收入為 730 萬美元，1972 年上市時為 630萬美元，到 2021 財年（2020.10.26- 2021.10.31）主營業(yè)務(wù)收入已達 231 億美元，比上市時增長 3660 倍。

AMAT 長期以來重視技術(shù)創(chuàng)新，保持高研發(fā)投入。公司歷年研發(fā)投入占營業(yè)收入比重平均在 15% 左右。

AMAT 不斷推出新品，引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展步伐。AMAT1976 年推出第一臺商用等離子化學(xué)氣相沉積設(shè) 備，1987 年推出革命性的單晶圓多反應(yīng)腔平臺 Precision 5000，分別于 1989 年和 1997 年成為全 球第一家推出 200mm 和 300mm 晶圓制造設(shè)備的企業(yè)；2005年發(fā)布 Centura Advant Edge系統(tǒng)， 采用了最先進的硅片刻蝕技術(shù)；2006 年發(fā)布 Producer GT，是當(dāng)時最高效、投入產(chǎn)出比最高的 CVD 平臺。

外延擴張，打造“半導(dǎo)體設(shè)備超市”。半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)門檻高、研發(fā)投入大且周期長，此外客戶 驗證復(fù)雜，通過收購能夠快速集成技術(shù)，發(fā)展客戶，搶占市場。AMAT1997 年收購兩家以色列公 司Opal Technologies（驗證臨界尺寸的高速計量系統(tǒng)）和Orbot Instruments（成品率提高系統(tǒng)）， 開啟了并購之路。以后相繼通過并購擴展了公司的 CMP、晶圓檢測、清洗、薄膜沉積、離子注入等業(yè)務(wù)。同時公司積極拓展泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，2007 年收購 HCT，幫助太陽能領(lǐng)域客戶降低制造光 伏電池的成本，擴展了光伏電源領(lǐng)域的業(yè)務(wù)。

緊抓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移機遇，進行全球布局。早在 1971 年 AMAT 就開始全球化布局的嘗試，在歐 洲設(shè)立了第一個海外辦事機構(gòu)。20 世紀(jì) 70 年代后期，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由美國向日本轉(zhuǎn)移，80 年代向 韓國、中國臺灣轉(zhuǎn)移。AMAT 緊抓產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的機遇，在全球各地設(shè)立辦事處。進入 21 世紀(jì)之后， 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移到中國大陸，AMAT也在加強在大陸的布局。1984 年 AMAT就在北京設(shè)立了 技術(shù)服務(wù)中心，成為第一家進入中國的外資半導(dǎo)體設(shè)備廠商。2001 年和 2007 年，分別在北京和 西安設(shè)立技術(shù)中心和全球開發(fā)中心。

1.2 ASML：光刻龍頭，突破性技術(shù)變革助力崛起

ASML 是全球光刻機的領(lǐng)跑者，壟斷 EUV 光刻技術(shù)。ASML 成立于 1984 年，由電子巨頭飛利浦 和半導(dǎo)體設(shè)備制造商 ASMI 共同成立。如今 ASML 在全球光刻機領(lǐng)域處于絕對的霸主地位，占據(jù) 全球約 75%的光刻機市場，更是壟斷了全球 7nm 及以下工藝的 EUV 光刻機技術(shù)。2021 財年 （2021.1.1-2021.12.31）ASML 出貨 309 臺光刻機，主營業(yè)務(wù)收入 186 億美元，同比增長 33%。

革命性技術(shù)突破成就 ASML 的霸主地位。ASML 一直重視研發(fā)創(chuàng)新，2021 年研發(fā)投入 25 億美元， 占主營的 14%。ASML 成立以來，四項技術(shù)突破幫助其成為光刻龍頭企業(yè)。1991 年，推出突破性 平臺 PAS5500，憑借其領(lǐng)先的生產(chǎn)力和分辨率，奠定了客戶基礎(chǔ)。2001 年，推出 TWINSCAN 系 統(tǒng)及其雙平臺技術(shù)，最大限度地提高了系統(tǒng)地生產(chǎn)力和準(zhǔn)確性。緊接著，ASML 于 2003 年推出第 一臺浸潤式機器，這一技術(shù)成為此后 65、45 和 32nm 制程的主流，推動摩爾定律往前躍進了三 代。2010 年，ASML 運送了第一臺 EUV 光刻原型機，成為全球唯一使用極紫外光的光刻機制造 商，開啟了光刻機的新時代。

ASML 重要轉(zhuǎn)折之一：開發(fā)浸沒式光刻技術(shù)。ASML 最大的彎道超車，發(fā)生在 193nm 制程到 157nm 制程的升級過程，當(dāng)時業(yè)內(nèi)大部分企業(yè)選擇在原有技術(shù)路徑上改進，比如尼康、佳能都選 擇研發(fā) 157nm 波長的光源。這時，臺積電科學(xué)家林本堅提出，利用水的折射，使進入光阻的波長 縮小到 134nm，由于浸沒式光刻技術(shù)研發(fā)難度大，且需要推翻原有設(shè)計重新開始研發(fā)，只有 ASML 愿意選擇浸沒式光刻技術(shù)，2003 年，ASML 和臺積電合作研發(fā)出首臺浸沒式光刻設(shè)備， 2004 年尼康才終于宣布 157nm 的干式光刻機產(chǎn)品樣機出爐，此后，ASML 快速占領(lǐng)光刻機市場 份額。

ASML 重要轉(zhuǎn)折之二：率先研發(fā)出 EUV 光刻機。1997 年，英特爾和美國能源部牽頭組建 EUV LLC 前沿技術(shù)組織，論證 EUV 技術(shù)的可行性，成員主要包括英特爾、摩托羅拉、AMD 以及美國 能源部 (DOE) 的勞倫斯·利弗莫爾、桑迪亞和伯克利國家實驗室。ASML 以出資在美國建工廠和 研發(fā)中心，并保證 55%的原材料都從美國采購的條件，擠進 EUV LLC，而尼康、佳能卻被排除在 外。EUV LLC 的研究成果大大加快了 ASML 的 EUV 研發(fā)速度，成為目前唯一掌握 EUV 光刻機技 術(shù)的廠商。

戰(zhàn)略并購和開放式創(chuàng)新平臺助力 ASML 技術(shù)創(chuàng)新。ASML 通過戰(zhàn)略并購快速占領(lǐng)技術(shù)優(yōu)勢，收購 MicroUnity 的 Mask Tool 部門（光學(xué)臨近矯正技術(shù)）、Brion Technologies（計算光刻技術(shù)）、 HMI（電子束檢測）、Mapper（電子束光刻）和 SVG（微激光系統(tǒng)）。此外，ASML 還于上下游 廠商、研究機構(gòu)、同業(yè)合作伙伴搭建了開放式創(chuàng)新平臺，相互推動創(chuàng)新，并提供對各種技術(shù)的大 型前沿知識庫的訪問。

推出整體光刻系統(tǒng)，集成工藝，共同優(yōu)化性能。半導(dǎo)體行業(yè)受到縮小制造成本和提高設(shè)備性能的 推動。然而，隨著半導(dǎo)體特征尺寸的縮小，工藝窗口（生產(chǎn)可行芯片所需的精度公差）也在縮小， 對套刻精度和臨界尺寸均勻性 (CDU) 等參數(shù)提出了嚴(yán)格的要求。2009 年 ASML 推出整體光刻系 統(tǒng)，集成了計算光刻技術(shù)、晶圓光刻技術(shù)和工藝控制，可以實現(xiàn)優(yōu)化生產(chǎn)精度公差、提高良率、 降低客戶時間成本。

ASML 通過收購布局上游，提出客戶聯(lián)合投資計劃攜手下游，打造上下游利益共同體。ASML 通 過收購 Cymer、berliner glas、Wijdeven Motion 以及蔡司半導(dǎo)體 24.9%的股份，布局上游零部件， 包括紫外光源、光學(xué)組件、電機和光學(xué)鏡頭組。2012 年，ASML 提出“客戶聯(lián)合投資計劃”，與 客戶建立密切關(guān)系，共同承擔(dān)研發(fā)費用，為入股客戶提供優(yōu)先供貨權(quán)，從而構(gòu)成了龐大的利益共 同體。

1.3 泛林半導(dǎo)體：深耕刻蝕，合并諾發(fā)助力平臺化

LAM 立足刻蝕設(shè)備，逐漸向工藝前端和后端擴展業(yè)務(wù)。泛林集團成立于 1980 年，是全球領(lǐng)先的 綜合性半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)。泛林半導(dǎo)體成立第二年便推出了第一款刻蝕設(shè)備 AutoEtch。LAM 在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域市場份額最大，占據(jù) 47%的市場份額，公司立足刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，逐步向前端薄膜沉 積和后端清洗設(shè)備延伸，通過并購不斷提升競爭能力，構(gòu)建技術(shù)壁壘和擴充產(chǎn)品線。泛林半導(dǎo)體 2021 財年（2020.6.29-2021.6.27）的主營業(yè)務(wù)收入達到 146 億美元，同比增長 46%。

LAM 專注于刻蝕設(shè)備，不斷進行技術(shù)升級。1981-1982 年，LAM 推出了支持 1.5μm 制程的刻蝕 設(shè)備 AutoEtch，1989 年開發(fā)了支持 0.8 微米制程的刻蝕設(shè)備。1992 年推出業(yè)內(nèi)首款 ICP 刻蝕設(shè) 備，開始引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。LAM 首創(chuàng) ALE 技術(shù)，在 2014 年推出 ALE 刻蝕設(shè)備 FLEX 系列和 KIYO 系列。ALE 技術(shù)憑借其在原子層級別的可變控制性和能實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最高生產(chǎn)率和選擇比而有望成為 新一代刻蝕設(shè)備的產(chǎn)業(yè)趨勢。

LAM 通過并購擴充產(chǎn)品線。早在 1997 年，泛林就通過收購 CMP 清洗領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者 On Trak Systems，彌補在清潔領(lǐng)域產(chǎn)品鏈的不足。2012 年，LAM 兼并收購了諾發(fā)，其刻蝕和單晶圓清洗設(shè)備方面的領(lǐng)先地位與諾發(fā)的薄膜沉積技術(shù)互補，合并后 LAM 不僅能夠擁有更廣泛的市場，而且 有助于公司技術(shù)團隊加強相鄰工藝之間的的集成，未來有望開發(fā)“集簇”設(shè)備，以提高工藝效率、 降低成本，提升設(shè)備競爭力。

技術(shù)變革驅(qū)動泛林業(yè)績增長。隨著芯片制程不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu) 3D 化發(fā)展，相關(guān)設(shè)備的加工步 驟增多，刻蝕和薄膜沉積設(shè)備成為占比最高的設(shè)備。LAM 2012 年起主營業(yè)務(wù)收入呈現(xiàn)快速增長 的態(tài)勢，除收購諾發(fā)的因素之外，另一個關(guān)鍵驅(qū)動力是 2014 年 3D NAND 的量產(chǎn)和多重曝光技術(shù) 的應(yīng)用，3D NAND 層數(shù)的增加將持續(xù)增加對刻蝕技術(shù)的依賴，多重曝光技術(shù)則是增加了刻蝕工藝 密度，因此對刻蝕設(shè)備的需求大幅增長，拉動刻蝕設(shè)備龍頭 LAM 營收增長。

1.4 東京電子：緊抓產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移機遇，受益政府扶持

東京電子是日本第一的半導(dǎo)體設(shè)備廠商。東京電子成立于 1963 年，是日本最大的半導(dǎo)體設(shè)備制 造商，也是全球第四大半導(dǎo)體供應(yīng)商。東京電子成立之初主要從事汽車收音機的出口和半導(dǎo)體設(shè) 備的進口業(yè)務(wù)，1975 年開始專注于半導(dǎo)體設(shè)備制造，1989 年成為全球營收額第一的半導(dǎo)體設(shè)備制造商，并且連續(xù)三年蟬聯(lián)。之后東京電子開始向全球擴展業(yè)務(wù)，并加強研發(fā)，一直至今，東京 電子仍然是第一梯隊的半導(dǎo)體設(shè)備制造商。2022 財年（2021.4.1-2022.3.31），東京電子營收 178 億美元，同比增長 35%。

東京電子積極響應(yīng)日本經(jīng)濟轉(zhuǎn)型以及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，領(lǐng)跑日本半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)。東京電子 成立之初是一家技術(shù)貿(mào)易公司，主要從事汽車收音機的出口和半導(dǎo)體設(shè)備的進口業(yè)務(wù)，1963 年在 日本產(chǎn)業(yè)構(gòu)造調(diào)查會議上，日本政府著手制定旨在將本國高新技術(shù)發(fā)展由“攝取型發(fā)展”轉(zhuǎn)變?yōu)?“自主創(chuàng)新型發(fā)展”的長期規(guī)劃，倡導(dǎo)由技術(shù)引進向自主創(chuàng)新的轉(zhuǎn)型，東京電子便于 1968年成為 了日本第一家半導(dǎo)體設(shè)備制造廠商。1973 年，受石油危機影響，日本政府提出要重點扶持研究開發(fā)密集產(chǎn)業(yè)，恰逢尼克松沖擊導(dǎo)致日元升值，出口業(yè)務(wù)受到?jīng)_擊，東京電子于1975年果斷退出消 費電子出口，專注半導(dǎo)體設(shè)備制造。隨后日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)興起，東京電子從美國引進技術(shù)，一躍 成為全球第一的半導(dǎo)體設(shè)備制造商。隨著日本半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的下滑，東京電子開始將業(yè)務(wù)向全球擴 展，并拓展到 FPD 領(lǐng)域。近年，隨著大數(shù)據(jù)、新能源車的驅(qū)動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，東京電子 加大創(chuàng)新研發(fā)，迎來新發(fā)展。

東京電子為什么能成為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備廠商？

（1）東京電子發(fā)展于日本半導(dǎo)體行業(yè)的黃金時期。19 世紀(jì) 70 年代末，美日幾乎同時推出 64K DRAM，迅速向全球市場滲透，1984-1985 年，日本企業(yè)展開價格圍剿，進一步占領(lǐng)市場。半導(dǎo) 體設(shè)備市場依賴于半導(dǎo)體制造廠商對設(shè)備的投資，此外，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的有意引導(dǎo)下， 以 DRAM 作為商業(yè)契機，推動本土半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備與生產(chǎn)材料快速發(fā)展，與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同步，日 本半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模擴大，發(fā)展迅速。

（2）引進先進技術(shù)。東京電子通過合資公司的形式從美國引進先進的技術(shù)，并與自身的制造技 術(shù)融為一體，1982 年成立 TEL-Varian Ltd.在日本開始生產(chǎn)離子注入機，1983 年與 LAM 成立合資 公司，在日本生產(chǎn)刻蝕設(shè)備。 （3）立足國內(nèi)市場，開拓海外市場。盡管東京電子 1986 年便開始出口業(yè)務(wù)，但是起初出口業(yè)務(wù) 份額并不大，專注于國內(nèi)市場。20 世紀(jì) 90 年代是東京電子布局海外的關(guān)鍵時期，1993 年是東京 電子邁向海外的重要一步，東京電子開始布局在韓國的業(yè)務(wù)，1994 年開始在歐美構(gòu)建銷售與服務(wù) 網(wǎng)絡(luò)，在 1994 年之前，東京電子面向國內(nèi)產(chǎn)品的銷售占比超過 80%，但在 1998 年，東京電子海 外銷售首次超過國內(nèi)銷售，2000 年海外銷售突破 70%。

1.5 科磊：檢測設(shè)備先行者，保持技術(shù)代際優(yōu)勢

科磊為半導(dǎo)體檢測設(shè)備的引領(lǐng)者，先發(fā)優(yōu)勢明顯。科磊成立于 1975 年，芯片行業(yè)的起步階段， 當(dāng)時所制造的半導(dǎo)體良率只有不到 50%，隨著芯片層數(shù)的增加，良率甚至不到 10%，缺陷檢測問 題也隨之升級，KLA 第一個產(chǎn)品掩膜檢測設(shè)備，將光掩膜檢測所需時間從 8 小時減少到 15分鐘， 并且可以做到更全面的檢測，迅速被半導(dǎo)體行業(yè)接受，隨后投入大量資金研發(fā)，不斷推出新產(chǎn)品。 KLA-Tencor 合并后開始大舉收購，擴展產(chǎn)品組合，市場份額迅速進一步擴大， 2021 財年 （2020.7.1-2021.6.30）KLA 主營業(yè)務(wù)收入 69 億美元，同比增長 19%。

KLA1975 年推出開創(chuàng)性的掩模檢測工具迎來了半導(dǎo)體工藝控制的曙光，如今運用寬帶等離子技術(shù) 檢測缺陷，KLA 一直保持技術(shù)的先發(fā)優(yōu)勢，推出一系列最先進入市場的設(shè)備。從產(chǎn)品迭代來看， KLA 每年以競爭對手兩倍的速度向市場新推出的新產(chǎn)品，且產(chǎn)品領(lǐng)先市場兩代，在其服務(wù)的10個 下游領(lǐng)域中，8 個領(lǐng)域的市占率第一。主要是由于 KLA 重視研發(fā)：

（1）高研發(fā)投入：研發(fā)投入占比基本維持在 15%以上，高于行業(yè)其他企業(yè)。

（2）不斷提高下一代產(chǎn)品的研發(fā)投入：2021 年 KLA 用于下一代技術(shù)的研發(fā)占總研發(fā)投入的 82%。

（3）與客戶合作研發(fā)：KLA 作為檢測設(shè)備領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，擁有強大的客戶基礎(chǔ)，通過與客戶 合作研發(fā)，提高產(chǎn)品競爭力。

外延并購吸收先進技術(shù)。1997 年，KLA 和 Tencor 合并，KLA 提供高端自動化光學(xué)晶圓檢測、光 罩檢測等設(shè)備，而 Tencor 更專注于薄膜量測，此次合并為半導(dǎo)體制造商提供了完整的良率管理產(chǎn) 品和服務(wù)系列。此后，KLA-Tencor 開始了大舉收購，通過戰(zhàn)略收購的方式獲得先進技術(shù)，拓展公 司的產(chǎn)品系列。2019 年，KLA 收購 Orbotech，切入 PCB 檢測、面板檢測和特殊半導(dǎo)體檢測，與 過程控制形成四大業(yè)務(wù)板塊。

KLA 擁有豐富的產(chǎn)品系列。一方面由于 KLA 在研發(fā)上的高投入，另一方面 KLA 通過外延并購不 斷吸收先進技術(shù)，拓寬產(chǎn)品線，KLA 產(chǎn)品可以運用到多種半導(dǎo)體元件的制造及封裝，并且覆蓋半 導(dǎo)體制造的全產(chǎn)業(yè)鏈。

KLA 近十年內(nèi)在過程控制領(lǐng)域的市場份額保持在 50%左右，是第二名的 4 倍，檢測/量測設(shè)備市場 為什么難以切入？ （1）檢測/量測設(shè)備開發(fā)難度大、技術(shù)壁壘高。首先檢測設(shè)備的技術(shù)跨越電子束、X 射線衍射、 激光照明以及高性能計算等領(lǐng)域；其次半導(dǎo)體檢測設(shè)備需要運用光學(xué)、電學(xué)原理進行納米級精密 程度以及 3D 維度上的檢測及量測。

（2）檢測設(shè)備定制化及差異化程度高。半導(dǎo)體檢測設(shè)備的檢測對象為定制化芯片，不同制程的 芯片對參數(shù)的要求往往是不同的。芯片制造中不同工藝過程中需要運用的檢測設(shè)備也有所不同， 比如電子束檢測可以運用在拋光、刻蝕等工藝，而掩模版檢測則適用于曝光工藝。除此之外，晶 圓制造過程當(dāng)中還需要對不同的參數(shù)如電阻、膜厚、膜應(yīng)力等進行量測，晶圓加工之后還需要檢 查芯片性能是否符合要求。

（3）設(shè)備使用壽命長。一方面，半導(dǎo)體設(shè)備的長使用壽命強化先發(fā)優(yōu)勢，加強與客戶的長期綁 定關(guān)系；另一方面，服務(wù)類收入受益于長使用壽命將不斷增加，且受行業(yè)周期波動影響小。KLA 超過 50%設(shè)備使用壽命達 18 年，平均使用壽命為 12 年，服務(wù)收入呈指數(shù)級增長，為全行業(yè)純服 務(wù)收入占比最高的企業(yè)。

1.6 迪恩士：清洗設(shè)備龍頭，面臨競爭壓力

迪恩士是全球清洗設(shè)備龍頭廠商。迪恩士成立于 1943 年，于 1975 年導(dǎo)入半導(dǎo)體設(shè)備制造，受益 于日本 1980s 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的騰飛，在半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)域迅速發(fā)展，并于 1983 年成功開發(fā)了世 界上第一臺旋轉(zhuǎn)晶片清洗系統(tǒng)。迪恩士清洗設(shè)備產(chǎn)品覆蓋全面，引領(lǐng)著先進的清洗設(shè)備技術(shù)，連 續(xù)多年在單片清洗設(shè)備、批量清洗設(shè)備以及旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備領(lǐng)域占據(jù)世界第一。迪恩士主營業(yè)務(wù)收 入呈波動向上的趨勢，主要系全球經(jīng)濟形勢的影響。2022財年（2021.4.1-2022.3.31） DNS主營 業(yè)務(wù)收入 4119 億日元，同比增長 29%。

迪恩士在單片清洗設(shè)備領(lǐng)域的市場份額逐漸降低，國產(chǎn)設(shè)備有望切入市場。迪恩士是一家聚焦于 清洗設(shè)備的企業(yè)，清洗設(shè)備占其半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)的 95%以上，單片清洗機占 70%，聚焦單一領(lǐng)域 給公司帶來了絕對的市場占有率，2009 年迪恩士在全球單片清洗設(shè)備的市場份額高達 70%，但 2021 年單片清洗設(shè)備競爭力呈現(xiàn)下降的趨勢，占比 38%，主要由于： （1）清洗設(shè)備參與到芯片制造的各個環(huán)節(jié)，新進入者切入難度相對較低。

（2）迪恩士韓國市場開拓阻力大。迪恩士 2004年開始拓展韓國市場，明顯晚于 TEL（1993年）、 LAM （1989 年）等同業(yè)競爭企業(yè)，錯失了開拓韓國市場的先機；此外，韓國本土設(shè)備廠商 SEMES（三星旗下子公司）在清洗設(shè)備方面亦具備較強競爭力，2020 年 SEMES 單片清洗設(shè)備 占全球 14%的份額，排名第三，給迪恩士開拓韓國市場帶來了阻力。

2. 國內(nèi)外差距快速縮小，政策大力支持有望進一步加 速成長進程

2.1 堅定高研發(fā)投入，與海外廠商技術(shù)差距快速縮小

國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商堅定高研發(fā)投入，成長動能足。國外龍頭設(shè)備廠商一直保持著高研發(fā)投入， 2021 年 AMAT 和 ASML 的研發(fā)投入約 25 億美元，從研發(fā)投入的絕對值來看，國內(nèi)廠商雖然不及 國外龍頭企業(yè)，北方華創(chuàng)的研發(fā)投入在國內(nèi)處于領(lǐng)先地位，2021 年研發(fā)投入 29 億元；但是從研 發(fā)投入占比例來看，國內(nèi)廠商非常重視研發(fā)投入，高于國外龍頭，基本在 15%以上。

持續(xù)實現(xiàn)技術(shù)突破，與海外廠商差距快速縮小。國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商已實現(xiàn) 28nm 制程以上工藝 技術(shù)覆蓋，還有部分廠商技術(shù)達到國際先進水平，比如中微公司的 CCP 刻蝕設(shè)備已經(jīng)可以覆蓋 5nm 以下的邏輯芯片以及 128 層 3D NAND 產(chǎn)線；北京屹唐干法去膠設(shè)備可用于 90nm 到 5nm 邏 輯芯片、1y 到 2x 納米系列 DRAM 芯片以及 32 層到 128 層 3D 閃存芯片制造中；盛美上海全球首 創(chuàng) SAPS、TEBO 兆聲波清洗技術(shù)和 Tahoe 單片槽式組合清洗技術(shù)，SAPS 清洗設(shè)備取得海力士 的重復(fù)訂單；拓荊科技的 PECVD 也已開展 10nm 及以下制程產(chǎn)品驗證測試。

2.2 多渠道提升技術(shù)實力，供應(yīng)鏈安全保障能力大幅提升

多渠道吸收前沿技術(shù)，拓展業(yè)務(wù)布局。由于半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)門檻高，研發(fā)投入和風(fēng)險相對比較大， 通過外延的方式可以幫助企業(yè)迅速切入市場，掌握核心技術(shù)。比如隨著技術(shù)節(jié)點發(fā)展到 0.35μm， CMP 設(shè)備的需求量快速增長，泛林于 1997 年收購 On Trak 迅速切入 CMP 市場；ASML 1999 年 收購 MicroUnity 的 Mask Tools 部門，迅速掌握先進的光學(xué)鄰近矯正技術(shù)，進一步提高瞄準(zhǔn)精度。 國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備也在積極嘗試通過外延方式進行布局，精測電子通過與韓國 ATE 龍頭 IT&T 合作， 設(shè)立合資公司，利用 IT&T強勁的研發(fā)實力快速布局半導(dǎo)體測試領(lǐng)域；中微公司則通過投資睿勵儀 器和拓荊科技進行檢測設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備的布局。

設(shè)備廠商積極布局上游零部件，供應(yīng)鏈安全保障能力大幅提升。萬業(yè)收購 Compart Systems（高 精度流量控制產(chǎn)品和技術(shù)的全球戰(zhàn)略供應(yīng)商），布局上游零部件，完善集成電路裝備產(chǎn)業(yè)工藝鏈， 確保供應(yīng)鏈的安全，并且有利于實現(xiàn)上下游產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應(yīng)。北方華創(chuàng)收購北廣科技射頻應(yīng)用技術(shù) 相關(guān)資產(chǎn)，射頻應(yīng)用技術(shù)是半導(dǎo)體裝備產(chǎn)品的核心技術(shù)之一，此次資產(chǎn)整合有利于提高北方華創(chuàng) 微電子射頻應(yīng)用技術(shù)水平，可增強公司半導(dǎo)體裝備產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用能力。

2.3 迎產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移歷史機遇，國內(nèi)政策強力支持

隨著終端需求的不斷變化，推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。半導(dǎo)體的需求模式對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到了重要作 用，能否適應(yīng)、開發(fā)和引導(dǎo)新產(chǎn)業(yè)的需求模式是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的重要因素。半導(dǎo)體起源于美國， 美國政府軍事需求是拉動美國半導(dǎo)體業(yè)初期發(fā)展的關(guān)鍵力量，1959-1960 年，美國政府采購占半 導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷量的 45-48%。進入 20 世紀(jì) 70 年代以后，日本鼓勵民營企業(yè)研發(fā)電子技術(shù)，日本民 用電子得到了飛速發(fā)展，而美國依舊注重軍工產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)，為日本占領(lǐng)半導(dǎo)體市場提供了機 遇，之后隨著日本 64K DRAM 研發(fā)成功，以及日本企業(yè)價格圍剿，1980s 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移到日本。 隨著 20 世紀(jì) 90 年代 PC 的普及，韓國先于美日企業(yè)推出 256M DRAM，中國臺灣開辟代工廠模 式，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向韓國、中國臺灣。目前中國大陸正處于新一代智能手機、新能源汽車等行業(yè) 快速崛起的進程中，已成為全球最重要的半導(dǎo)體應(yīng)用和消費市場之一。

中國大陸緊抓智能手機和電動汽車兩次發(fā)展機遇，半導(dǎo)體需求可能進一步擴大。21 世紀(jì)以來，中 國逐漸成為全球最大電子信息產(chǎn)品制造基地。同時，全球新能源車正處于快速發(fā)展階段，中國是 全球最大的新能源汽車消費市場和生產(chǎn)國。2021 年，我國新能源汽車銷售額占全球新能源汽車銷 售額的 51％，新能源汽車產(chǎn)量 354.5 萬輛，同比增長 160%。

國內(nèi)政策強力支持疊加舉國體制持續(xù)推進，國內(nèi)設(shè)備廠商有望加速成長?；乜慈毡景雽?dǎo)體發(fā)展的 歷史，我們認(rèn)為國內(nèi)目前半導(dǎo)體行業(yè)狀況與日本有很多相似之處，首先電子產(chǎn)業(yè)都成為經(jīng)濟轉(zhuǎn)型 的重點領(lǐng)域，日本政府 1971 年提出重點扶持研究密集產(chǎn)業(yè)，支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，1976 年開 始設(shè)立超大規(guī)模集成電路的共同組合技術(shù)創(chuàng)新行動項目（VLSI），籌資 720 億日元打造 DRAM集 成電路產(chǎn)業(yè)群，而目前國內(nèi)業(yè)不斷出臺政策扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國家大基金大力支持半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。其次，都處于產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的風(fēng)口，19 世紀(jì) 70 年代，日本大力支持民用電子的發(fā)展， 促進了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向日本的轉(zhuǎn)移，目前中國是最大的智能手機生產(chǎn)和消費基地，新能源汽車發(fā)展 也非常強勢，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移向中國大陸。東京電子在日本半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的黃金時期專 注半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展，曾占據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額第一的寶座。目前國內(nèi)也迎來上游設(shè)備等配套環(huán) 節(jié)的發(fā)展機遇，有望誕生世界級的半導(dǎo)體設(shè)備廠商。

（本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議。如需使用相關(guān)信息，請參閱報告原文。）

精選報告來源：【未來智庫】?！告溄印?/strong>