（報告出品方：中國平安）

現(xiàn)狀：設計端下行且分化明顯，制造、材料表現(xiàn)堅挺

全球半導體行業(yè)處于下探周期，當月增速已進入下降區(qū)間

半導體行業(yè)具有典型的周期性特點，會經歷需求爆發(fā)（新應用刺激居多）、漲價、擴產、產能釋放、需求萎縮、產能過剩和 價格下跌的往復波動。行業(yè)在經歷了2021-2022H1的較快增長之后，地緣政治、經濟及下游主要應用疲弱以及供應鏈等問題疊 加的效應加速顯現(xiàn)，行業(yè)月度增速進入快速下行通道。從月度數據看，7、8月份已經進入同比下降區(qū)間，尤其是8月份當月銷 售收入下降4.02%。

分地區(qū)：中國依然是半導體最大市場，但下滑更為劇烈

中國作為全球電子信息制造和消費大國，集成電路和分立器件的自身需求和外銷量都十分巨大。2022年以來，國內經濟下行 壓力加大，外需不振，半導體整體下降也十分明顯。 從SIA數據來看，前8個月中國大陸半導體銷售收入接近1280億美元，全球市場份額超過32%。8月當月，中國大陸銷售收入約 150億美元，同比降幅在主要地區(qū)中最大。國家統(tǒng)計局數據顯示，2022年1-8月，國內集成電路產量累計為2181億塊，同比下降 10%（上年同期增速為48.2%）。

分產品：除存儲和微處理器之外，其他賽道仍維持較快增長

消費電子疲軟繼續(xù)蔓延，存儲、CPU等產品需求延續(xù)弱勢，存儲（DRAM、NAND）需求均出現(xiàn)大幅下降，CPU等微處理產 品也進入負增長通道。 工業(yè)、汽車等賽道供給依然偏緊，傳感器、模擬電路和分立器件維持較快增長。

設計：鎂光、英特爾單財季收入大幅回落，英偉達增幅也在放緩

存儲正在加速探底。鎂光2022年第4財季（截至9月1日）疲態(tài)顯現(xiàn)，實現(xiàn)收入66.43億美元，在連續(xù)9個月季度增長之后，出現(xiàn) 大幅回落；公司還下調了2023年的資本支出預期。 微處理器面臨較大壓力。英特爾在2020年前兩個季度收入實現(xiàn)快速增長之后，此后再無起色，截止到7月2日的單財季收入大 幅下降21.69%，降幅明顯放大；曾經火熱的GPU賽道，龍頭英偉達同樣進入下行周期，截止到7月31日的單財季收入增幅出現(xiàn) 大幅放緩，僅為3.03%（前一個財季為46.41%）。

設計：模擬、功率等賽道供需依然偏緊，主要公司表現(xiàn)仍舊亮眼

模擬和功率賽道依然表現(xiàn)出非常強的需求韌性。2022年以來，英飛凌、 ADI等行業(yè)龍頭的收入延續(xù)快速增長勢頭。 市場還處在補庫存的階段，公司存貨周轉天數在上升，但是整個市場 供需偏緊的格局并沒有改變。這兩個領域的景氣度在延續(xù)。

中游代工：毛利率走高，臺積電、聯(lián)電等企業(yè)收入增長較快

臺積電在2022年前三季度表現(xiàn)亮眼，3季度當季收入同比增長47.86%，毛利率也從上年同期的51.33%上升至60.43%。良率提升、 新技術量產順利等是公司毛利率提升的最主要原因。其中，公司5nm工藝快速增長，成功彌補了7nm制程增長的放緩；從公司 終端產品收入結構看，智能手機占比在回落，但高性能計算、IoT和汽車等增長快速，相關產品在收入中的占比在擴大。聯(lián)電最近表現(xiàn)也在向好，2季度業(yè)務收入增速達到41.5%，較上年同期上升26.80個百分點；毛利率從上年同期的31.2%上升至 46.5%，較上年同期提升了15.3個百分點。

上游設備：壓力開始凸顯，收入增速下降且?guī)齑嬖鏊偕蠐P

半導體上游設備也受到行業(yè)景氣的影響，2022年以來也面臨著較大壓力。其中：阿斯麥2022年1季度火災影響尚存，產品交付 受到影響，疊加上相對較弱的需求，上半年財年收入增速也僅為7%（上年同期為45.4%），全年看會有所改善，預計收入將 增長10%；應用材料收入增速在上年8月份之后開始下滑，截至到7月的第三財季單財季增速降至個位數；泛林研究同樣面臨 著收入增長的壓力，截止到3月和6月的單財季收入增速相較上年大幅放緩，相反存貨增速大幅上揚。

上游硅片：出貨面積仍保持增長，龍頭企業(yè)經營狀況良好

硅片是半導體行業(yè)最主要的材料，雖然應用端出現(xiàn)分化，但是在生產端目前產能 利用率目前仍保持在較高水平。所以我們看到，全球的硅片出貨量增速雖然出現(xiàn) 回落，但仍保持增長。 龍頭企業(yè)的經營狀況良好。日本勝高2022年前兩個季度的收入增速均保持在30% 左右，德國世創(chuàng)收入增速也維持在較高水平，中國臺灣的環(huán)球晶圓增速也回到 15%左右的較高位置。

上游|碳化硅襯底：供需處在兩旺狀態(tài)，汽車應用超預期

SiC在新能源汽車、新能源和軌交牽引等領域的應用快速增加，上游襯底市場呈現(xiàn)出供需兩旺的狀態(tài)。 供給端，襯底龍頭Wolfspeed正計劃比預期提前釋放莫霍克谷產能，并繼續(xù)擴大在Durham工廠的襯底材料產能；除了Wolfspeed 之外，安森美、II-VI等也在計劃擴大產能。國內來看，山東天岳、露笑科技均在大舉投資SiC襯底材料。 需求端看，汽車領域需求十分旺盛，應用速度超出預期。以Wolfspeed為例，截至8月份的2022第四財季，公司已經獲得了26億美 元的項目定點。其中，大約有70%-75%是汽車行業(yè)應用，包括汽車OEM、汽車Tier 1等客戶。

資本支出規(guī)模：部分廠商在收縮，增速呈現(xiàn)高位回落

相比于2017-2018年由中國投資帶來資本支出快速增長不同，這一次的增長主要來自于代工廠產能投資。2020年疫情刺激了線上經濟需 求，整個電子信息產業(yè)包括集成電路產能都開始吃緊，主要代工廠基于這一輪強勁的需求啟動了較為激進的投資計劃，行業(yè)資本支出 快速上升。2022年下半年，由于半導體行業(yè)下行周期的確認，一些廠商的資本支出在縮減，其中臺積電2022年的資本支出就落在其資本支出的下 限（400-440億美元）附近；海力士也推遲了新廠建設。相較于2021年的水平，行業(yè)資本支出增速開始回落。IC insights預測，2022年全 球半導體資本支出額預計增長21%。

資本支出區(qū)域：中國大陸晶圓廠積極擴產，但不確定陡增

國內晶圓廠商中芯、華虹等主要晶圓代工廠及士蘭微、華潤微、聞泰、長江存儲等IDM廠商積極擴產，12英寸邏輯擴產主要 集中于28nm及以上的成熟制程，預計到2023年形成產能106.5萬片/月，相較2020年產能提升270%。存儲國內廠商也在積極擴 產，3D NAND 計劃從2020年的5萬片/月擴產至2023年的27.5萬片/月，DRAM從2020年的4萬片/月擴產至2023年的25萬片/月， 但可能由于美國制裁升級而延宕。

趨勢：2023年行業(yè)將探底，汽車、工業(yè)等機會仍在

周期判斷：“硅周期”和經濟周期疊加，2023年可能是底部

大周期：半導體技術作為經濟數字化轉型的基石，正在為傳統(tǒng)行業(yè)賦能，此前的單一應用，開始走向多元化。但也會受到宏觀經濟的景氣度的 影響。從全球來看，行業(yè)周期性表現(xiàn)的較為明顯，是硅周期和宏觀經濟周期疊加的結果。1）“硅周期”：3-5年，產品創(chuàng)新應用周期，歷次的 泡沫都是硅周期的體現(xiàn)，比如2000年IT泡沫、2016年的內存泡沫……2）宏觀經濟周期：2008年的金融危機，大幅下調；2019年以來的疫情影響 等；IMF最新數據預計，2023年全球宏觀經濟增速將觸底（2.7%），此后會逐步恢復，2024年之后回到3%以上。

周期位置：WSTS最新預計（8月底）顯示，2022年全球半導體行業(yè)增速將降至13.9%，2023年為4.6%；IC insights預計2022年行業(yè)增速將降至7%， 2023年可能將是0增長，但此后將逐步恢復增長。綜合判斷，2023年是行業(yè)底部的可能性非常大。

周期趨勢：支出趨弱且稼動率降低，可能帶來供需格局改變

2024年，行業(yè)有望開始恢復。重要的是全球半導體庫存周期的改變。主要原因來自兩個方面：1）資本支出的收縮，可能帶來 產能擴張的降速，消費電子等過剩領域的壓力在減緩。根據IC Insights預測，2023年資本支出將下降，從目前走勢看，可能下 降幅度可能更高；2）代工廠、存儲廠將考慮減產，控制產能利用率，消化客戶端庫存，預計2024年行業(yè)庫存水平有機會回歸 正常。

周期需求：手機、PC將先后進入出貨量回升通道

5G手機有望加快其他空口手機的替代：隨著量產的持續(xù)，5G手機 的價格會更快下降，市場接受度將持續(xù)提升，出貨量延續(xù)快速增長， IDC預計2023年5G手機將正式超越其他類型的手機，此后將延續(xù)平 穩(wěn)增長勢頭。

C也有望在2024年實現(xiàn)反彈：目前行業(yè)仍處在去庫存階段，個人和 教育市場也較為疲軟，下行的狀態(tài)可能會持續(xù)到2023年下半年。 2024年，對Win 7的更換將加快，處理器平臺性價比也會因為競爭加 劇而更有吸引力，出貨量可能實現(xiàn)正增長。

博弈：中美半導體摩擦升級，設備等替代空間打開

變遷：經歷兩次轉移，美國依然保持著絕對領先的地位

60S-90S中期：日本曾經輝煌。自身半導體行業(yè)發(fā)力于消費電子，比如收音機等，并開始承接美國封測產業(yè)轉移；70年代伴隨著存儲器（DRAM） 的應用擴大，日本企業(yè)如NEC、東芝、日立、三菱、富士通等聯(lián)合啟動研發(fā)，并在該方面的技術積累效果顯現(xiàn)，且相對于美國產品物美價廉， 80年代一度超過美國。

90S年代中期-：韓國的崛起。80年代開始，美國對日本半導體行業(yè)進行限制，并開始有意扶持競爭對手韓國，韓國三星在政府支持下持續(xù)逆勢 投資存儲器，市場份額開始提升。同期，我國臺灣地區(qū)的騰飛，主要依托于行業(yè)的垂直分工帶來的代工產業(yè)的發(fā)展，臺灣地區(qū)通過官產學研結 合在該領域形成的強大的競爭力，并延續(xù)至今。

2000年之后：消費電子開始興起，中國大陸政府對半導體重視力度提高，市場規(guī)模穩(wěn)步提升，2021年增加值占比達到7%。

日本：成為美國打壓的戰(zhàn)利品，半導體行業(yè)式微

興起的因素：1）冷戰(zhàn)環(huán)境，美國技術轉移；2）日本國家啟動舉國體制支持；3）大型機對半導體，尤其是DRAM的質量穩(wěn)定性的要求高，日 本質量管理方面的優(yōu)勢開始顯現(xiàn)，產品壽命長、良率高。

衰敗的因素：1）個人PC時代的開始，相比大型機，使用壽命和質量要求大幅縮短，價格成本成為重要因素，日本的產品優(yōu)勢下降；2）美國對 日本半導體企業(yè)的持續(xù)高強度打擊；3）日本對代工產業(yè)的忽略，以及此后韓國、中國臺灣地區(qū)的崛起，對日本形成了較強的替代。

韓國：政府、企業(yè)合力，在夾縫中尋找到生存空間

外部因素：1）出口導向政策：扶持和保護本土半導體企業(yè)；2）政府持續(xù)出臺相關法案和政策措施予以保護和扶持，包括《電子工業(yè)振興法》、 《電子工業(yè)振興八年計劃（1969～1976年）》、《推動半導體產業(yè)發(fā)展六年計劃（1975～1981年）》、《半導體工業(yè)扶持計劃》、《半導體工 業(yè)振興計劃（1983～1987年）》、《超大規(guī)模集成電路技術共同開發(fā)計劃（1986～1993年）》等；3）建立官產學研聯(lián)盟；4）美日半導體之爭， 給韓國創(chuàng)造了相對良好的環(huán)境，即使美韓后續(xù)也在半導體領域出現(xiàn)爭端，韓國政府也表現(xiàn)出了更強的主動性，成為半導體市場上的重要力量。

內部因素：龍頭企業(yè)如三星集團的持續(xù)堅持；成功的逆勢擴張策略，在DRAM等領域擊垮大量競爭對手，并確立持續(xù)的領先地位。2021年三星 市場規(guī)模就處在全球第一位，SK海力士位居全球第三。

10.7升級版制裁：博弈還在持續(xù)，但“練好內功”仍是首選項

與韓日不同，中國是全球最大的半導體消費市場，也是全球最大的電子系統(tǒng)和終端制造國。中國在龐大的消費能力和 OEM廠商支持著美國打造的半導體產業(yè)體系，是美國半導體體系的重要環(huán)節(jié)。但是，“緊耦合”的中美半導體產業(yè)走向 割裂之后，雙方都會受損。隨著中美在該領域博弈的加劇，雖然短期內國內一些廠商獲得“豁免”，連續(xù)經營可能不會受 到影響；但是從中長期看，中長期上升的空間被限制，需要我們在基礎材料、設備、工藝和基礎件等領域做到自主可控。

“危中有機”：加大成熟產能和特色工藝布局，實現(xiàn)短鏈生產

由于在中國大陸建設和運營一座晶圓廠的成本優(yōu)勢非常明顯，加上美國此次限制政策以及國內旺盛的市場需求，成熟制程和 特色工藝可以應用于中小容量的存儲芯片、模擬芯片（含驅動IC等）、MCU、電源管理芯片、模數混合芯片、CMOS 傳感器、 傳感器等，國內增長潛力大。從未來制造工藝節(jié)點變化情況來看，28nm以上的成熟節(jié)點需求增長較快，預計占比將達到75% 以上，其中新增產能中有65%都是28nm以上的成熟制程。此外，第三代半導體如SiC、氮化鎵國內發(fā)展也較為迅速。

報告節(jié)選：

（本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議。如需使用相關信息，請參閱報告原文。）

精選報告來源：【未來智庫】。系統(tǒng)發(fā)生錯誤