【報(bào)告摘要】

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈一般分為設(shè)計(jì)、制造和應(yīng)用三個(gè)環(huán)節(jié)。

按照應(yīng)用環(huán)節(jié)半導(dǎo)體材料可以分為制造材料與封測(cè)材料。

2021年半導(dǎo)體材料全球整體市場(chǎng)空間約643億美元。

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2015-2021年全球半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模整體呈不斷上漲態(tài)勢(shì)，2015年市場(chǎng)規(guī)模為432.9億美元，2021年增長(zhǎng)到643億美元，CAGR為6.8%2020與2021年由于5G和新能源的快速發(fā)展，大幅提升了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)需求，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)?？焖偕仙?，2021年達(dá)到643億美元，同比增長(zhǎng)15.86%。

根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2021年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額為10458.3億元，同比增長(zhǎng)18.2%。

ICinsights在2020年的《Mcclean》報(bào)告指出，在過(guò)去的50年中，DRAM、閃存、微處理器和圖形處理器增長(zhǎng)趨勢(shì)仍依照摩爾定律，即每隔18-24個(gè)月，芯片上集成的晶體管數(shù)目就會(huì)增加一倍，隨著制程和集成度的提升，工藝難度和加工步驟數(shù)相應(yīng)增加，對(duì)上游材料的需求和性能要求也相應(yīng)提高。

2022022年中國(guó)國(guó)內(nèi)新建數(shù)量分別為5座和3座，2024年中國(guó)國(guó)內(nèi)的12英寸寸晶圓廠市場(chǎng)份額上升至20%，相較于2015年增長(zhǎng)12%，產(chǎn)能達(dá)到150萬(wàn)片/月。

根據(jù)KnometaResearch數(shù)據(jù)，2021年全球的晶圓產(chǎn)能達(dá)到了2143萬(wàn)片/月（按8寸晶圓當(dāng)量），其中中國(guó)國(guó)內(nèi)月產(chǎn)能為350萬(wàn)片，僅占全球產(chǎn)能的16%根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2021年，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)仍擁有全球半導(dǎo)體材料最大的市場(chǎng)。

根據(jù)中國(guó)海關(guān)總署數(shù)據(jù)，2021年中國(guó)進(jìn)口的芯片總量為6354.8億個(gè)，同比增長(zhǎng)了16.9%；進(jìn)口金額突破到了近4326億美元，同比增長(zhǎng)23.6%，均創(chuàng)下歷史新高。

進(jìn)一步限制中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，短期來(lái)看對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈存在較大影響，但長(zhǎng)期來(lái)看中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)必將走上獨(dú)立自主創(chuàng)新之路，管制新規(guī)將進(jìn)一步催化設(shè)備及材料端國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)，預(yù)計(jì)相關(guān)國(guó)產(chǎn)材料及設(shè)備能夠得到更多的驗(yàn)證資源和機(jī)會(huì)，縮短國(guó)產(chǎn)替代周期。

硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。

半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)流程復(fù)雜，涉及工序較多硅片制造過(guò)程中需要經(jīng)過(guò)多次清洗，在銷(xiāo)售給客戶之前還需要經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)和包裝。

拉單晶是半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)工序中最為核心的技術(shù)，常用方法有直拉法（Czochralsk，CZ法）和區(qū)熔法（Float-Zone，F(xiàn)Z法）兩種CZ法氧含量高，更容易生產(chǎn)出大尺寸單晶硅棒，工藝也已成熟，成本較低，因此目前半導(dǎo)體行業(yè)主要采用CZ法拉制單晶硅棒。

單晶硅棒磨成相同直徑，然后根據(jù)客戶要求的電阻率，用內(nèi)徑鋸或線鋸將晶棒切成約1mm厚的薄片，形成晶圓。

在研磨機(jī)上用磨料將切片拋光到所需的厚度，同時(shí)提高表面平整度。

重?fù)焦杵膿诫s元素?fù)饺肓看?，電阻率?一般用于功率器件等領(lǐng)域產(chǎn)品；輕摻硅片摻雜濃度低，一般用于集成電路領(lǐng)域，技術(shù)難度和產(chǎn)品質(zhì)量要求更高。

研磨片可用于制造分立器件；輕摻拋光片可用于制造大規(guī)模集成電路或作為外延片的襯底材料，重?fù)綊伖馄话阌米魍庋悠囊r底材料。

退火片在氫氣或氬氣環(huán)境下對(duì)拋光片進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，以去除晶圓表面附近的氧氣，可以提高表面晶體的完整性。

結(jié)隔離硅片是根據(jù)客戶的設(shè)計(jì)，利用曝光、離子注入和熱擴(kuò)散技術(shù)在晶圓表面預(yù)形成IC嵌入層，然后再在上面生長(zhǎng)一層外延層。

拋光片直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料；外延片是由拋光片經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)而形成，常在CMOS電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等，也應(yīng)用于應(yīng)用于二極管、IGBT等功率器件的制造；SOI硅片是由拋光片經(jīng)過(guò)氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成，具備耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高等特點(diǎn)，主要應(yīng)用于智能手機(jī)、WiFi等無(wú)線通信設(shè)備的射頻前端芯片，也應(yīng)用于功率器件、傳感器、硅光子器件等芯片產(chǎn)品，價(jià)格是一般硅片的4-5倍。

正片用于半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造，假片用來(lái)暖機(jī)、填充空缺、測(cè)試生產(chǎn)設(shè)備的工藝狀態(tài)或某一工藝的質(zhì)量狀況據(jù)觀研網(wǎng)數(shù)據(jù)，65nm制程的晶圓代工廠每10片正片需要加6片假片，28nm及以下制程每10片正片則需要加15-20片假片。

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2016-2018年，全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)總體處于上升增速明顯，2018-2020年小幅回落，2021年重拾升勢(shì)，全球市場(chǎng)規(guī)模126億美元。

歷史上半導(dǎo)體行業(yè)的年均增速高于電子系統(tǒng)整體市場(chǎng)，主要驅(qū)動(dòng)力是電子系統(tǒng)中使用的半導(dǎo)體的含量不斷增加。

在半導(dǎo)體含量推動(dòng)作用下，硅片出貨面積呈上升趨勢(shì)，根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，2021年全球硅片出貨面積141.65億平方英寸，創(chuàng)歷史新高。

半導(dǎo)體硅片通?？梢园凑粘叽纭⒐に噧煞N方式進(jìn)行分類(lèi)。

因此，制程的不斷縮小推動(dòng)硅片向大尺寸發(fā)展。

根據(jù)ICinsight預(yù)測(cè)，2021-2024年，全球芯片制造產(chǎn)能中10nm以下制程占比迅速上升。

Omdia預(yù)計(jì)2021至2025年，8英寸和12英寸半導(dǎo)體硅片需求量將增加，6英寸及以下尺寸硅片需求保持平穩(wěn)。

分立器件由于價(jià)格偏低，生產(chǎn)廠商對(duì)于投資大尺寸產(chǎn)線動(dòng)力不足，目前仍以6英寸及以下硅片為主若硅片尺寸增大帶來(lái)的成本節(jié)約可以彌補(bǔ)投資大尺寸晶圓制造產(chǎn)線的成本，廠商便有向大尺寸遷移的動(dòng)力。

掩膜版的作用是將設(shè)計(jì)者的電路圖形通過(guò)曝光的方式轉(zhuǎn)移到晶圓上，從而實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)以晶圓制造為例，其制造過(guò)程需要經(jīng)過(guò)多次曝光工藝，利用掩膜版的曝光掩蔽作用，在半導(dǎo)體晶圓表面形成柵極、源漏極、摻雜窗口、電極接觸孔等。

掩膜版的主要原材料包括掩膜基板、光學(xué)膜、化學(xué)試劑以及包裝盒等輔助材料，掩膜版主要應(yīng)用于平板顯示、半導(dǎo)體、觸控和電路板的制造過(guò)程。

分地區(qū)來(lái)看，隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)占全球比重的逐步提升，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體掩膜版市場(chǎng)規(guī)模也逐步擴(kuò)大；根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2019年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體掩膜版市場(chǎng)規(guī)模1.44億美元，預(yù)計(jì)2021年將達(dá)到1.95億美元(CAGR:16.32%)。

半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)由130nm、100nm、90nm、65nm等逐步發(fā)展到28nm、14nm、7nm、5nm等；半導(dǎo)體掩膜版也從激光直寫(xiě)光刻、濕法制程、光學(xué)檢測(cè)等逐步發(fā)展為電子束光刻、干法制程、電子顯微檢測(cè)。

根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，從光掩膜版需求量來(lái)看，IC用光掩膜玻璃基板需求從2015年的2.9萬(wàn)平方米增長(zhǎng)到2020年的5.6萬(wàn)平方米，F(xiàn)PD光掩膜玻璃基板需求從2015年的4.1萬(wàn)平方米增長(zhǎng)到2020年的5.3萬(wàn)平方米,IC用光掩膜版首次超越FPD（平板顯示）光掩膜版需求量。

整體來(lái)看，不同制程半導(dǎo)體掩膜版占比中，130nm以上制程占比54%，是目前主流制程；28-90nm制程占比33%，22nm以下制程占比13%，長(zhǎng)期來(lái)看，隨著先進(jìn)制程不斷發(fā)展，半導(dǎo)體掩膜版在先進(jìn)制程占比會(huì)不斷提升。

其中，LG-IT和SKE的掩膜版產(chǎn)品主要布局在平板顯示掩膜版領(lǐng)域，均擁有G11掩膜版生產(chǎn)線；Toppan和臺(tái)灣光罩掩膜版產(chǎn)品主要布局在半導(dǎo)體掩膜版領(lǐng)域；福尼克斯、DNP、HOYA的掩膜版產(chǎn)品同時(shí)布局在平板顯示掩膜版領(lǐng)域和半導(dǎo)體掩膜版領(lǐng)域，均擁有G11掩膜版生產(chǎn)線；清溢光電和路維光電的掩膜版產(chǎn)品種類(lèi)多樣，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括平板顯示掩膜版、半導(dǎo)體掩膜版、觸控掩膜版和電路板掩膜版等，其中路維光電擁有G11掩膜版生產(chǎn)線。

PKL于2005年被福尼克斯（Photronics）收購(gòu)，成為其子公司。

LG-IT主要為汽車(chē)，移動(dòng)，物聯(lián)網(wǎng)，顯示器，半導(dǎo)體，LED等行業(yè)開(kāi)發(fā)關(guān)鍵材料和組件，其產(chǎn)品包括攝像頭模組、掩膜版和膠帶基材等。

SKE的主要產(chǎn)品為平板顯示用掩膜版，擁有G10和G11掩膜版生產(chǎn)線。

HOYA是一家專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)光學(xué)玻璃的制造商，主要應(yīng)用于信息技術(shù)和醫(yī)療保健領(lǐng)域，產(chǎn)品涵蓋眼鏡、醫(yī)用內(nèi)窺鏡、眼內(nèi)透鏡、光學(xué)透鏡以及電子器件（包括半導(dǎo)體掩膜版及其基板、平板顯示用掩膜版以及硬盤(pán)用玻璃磁盤(pán)）。

Toppan是一家多元化的大型集團(tuán)公司，其業(yè)務(wù)分為以下八個(gè)模塊：內(nèi)容創(chuàng)作、安防解決方案、營(yíng)銷(xiāo)傳播、紙質(zhì)包裝、阻隔薄膜、裝飾材料、顯示元器件（彩色濾光片、金屬掩膜版等）以及半導(dǎo)體解決方案（包括半導(dǎo)體用掩膜版、半導(dǎo)體封裝等）。

DNP的業(yè)務(wù)領(lǐng)域主要分為四部分：一是信息溝通（印刷出版業(yè)務(wù)、營(yíng)銷(xiāo)、信息安全等），二是包裝材料（食品包裝、裝飾材料、鋰電池包裝等），三是電子產(chǎn)品（彩色濾光片、半導(dǎo)體用掩膜版、光學(xué)膜等），四是飲料業(yè)務(wù)。

清溢光電主要從事掩膜版的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于平板顯示、半導(dǎo)體芯片、觸控、電路板等行業(yè)。

根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2020年全球各大掩膜版廠商平板顯示掩膜版的銷(xiāo)售金額前五名分別為福尼克斯、SKE、HOYA、LG-IT和清溢光電，前五名掩膜版廠商的合計(jì)銷(xiāo)售額占全球平板顯示用掩膜版銷(xiāo)售額的比例約為88%。

由于用于芯片制造的掩膜版涉及各家晶圓制造廠的技術(shù)機(jī)密，因此晶圓制造廠先進(jìn)制程（45nm以下）所用的掩膜版大部分由晶圓廠自己的專(zhuān)業(yè)工廠生產(chǎn)，但對(duì)于45nm以上等比較成熟的制程所用的標(biāo)準(zhǔn)化程度更高的掩膜版，晶圓廠出于成本的考慮，更傾向于向獨(dú)立第三方掩膜版廠商進(jìn)行采購(gòu)。

近幾年面板廠商積極投資與擴(kuò)產(chǎn)高世代產(chǎn)線，面板尺寸的增大帶動(dòng)掩膜版朝大尺寸化方向發(fā)展，同時(shí)帶動(dòng)大尺寸掩膜版的需求增長(zhǎng)55英寸及以上顯示產(chǎn)品的需求增加引領(lǐng)全球平板顯示產(chǎn)業(yè)向8+代線和10+代線邁進(jìn)，8.5代線可高效切割32寸、48寸、55寸電視，8.6代線可高效切割50寸、58寸電視，10.5代線可高效切割65寸、75寸電視。

舉例來(lái)說(shuō)，8.5代線切割65寸電視的效率為64%，但是可以采用66寸+32寸電視套切，實(shí)現(xiàn)94%的切割效率；8.6代線切割90寸電視的效率為74%，但是可以采用90寸+23.3寸電視套切，實(shí)現(xiàn)91%的切割效率；10.5代線切割65寸、75寸電視都可以達(dá)到90%以上的切割效率。

超高清視頻產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景廣闊，帶動(dòng)掩膜版朝著高精細(xì)化的方向發(fā)展8K電視終端銷(xiāo)量占電視總銷(xiāo)量的比例超過(guò)5%，同時(shí)超高清視頻用戶數(shù)達(dá)到2億”隨著平板顯示解析度不斷提高，TFT半導(dǎo)體主動(dòng)層材料已逐步采用LTPS/Oxide技術(shù)，并朝著LTPO（低溫多晶氧化物）等新技術(shù)演變。

以掩膜版最小圖形尺寸為例，180nm制程節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品所對(duì)應(yīng)的掩膜版最小圖形尺寸約為750nm，65nm制程節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品對(duì)應(yīng)約260nm，28nm制程節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品對(duì)應(yīng)約120nm。

在基板材料上，石英基板與蘇打基板相比，具有高透過(guò)率、高平坦度、低膨脹系數(shù)等優(yōu)點(diǎn)，通常應(yīng)用于對(duì)產(chǎn)品圖形精度要求較高的行業(yè)，因此基板材料逐漸由蘇打基板轉(zhuǎn)為石英基板。

電子特氣是純度和質(zhì)量穩(wěn)定性最高要求最高的特種氣體，純度一般在6N以上電子特氣廣泛應(yīng)用于集成電路制造領(lǐng)域和半導(dǎo)體照明領(lǐng)域，其中集成電路制造中主要用于硅片制造、氧化、離子注入、CVD、刻蝕等環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體照明中主要用于外延片制造和刻蝕環(huán)節(jié)。

根據(jù)億渡數(shù)據(jù)，應(yīng)用于集成電路的電子特氣占比約為43%，是電子特氣占比最高的應(yīng)用，此外，用于顯示面板占比21%，LED占比13%，光伏6%。

市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)方面，全球電子特氣市場(chǎng)市場(chǎng)規(guī)模占比最高的是德國(guó)林德、法國(guó)液化空氣、美國(guó)空氣化工和日本大陽(yáng)日酸四家公司，2020年分別占比20.2%、15.5%、6.6%、5.5%，共47.7%。

目前國(guó)產(chǎn)特種氣體產(chǎn)品主要集中于在中低端產(chǎn)品市場(chǎng)，在集成電路制造應(yīng)用更廣的高端特氣市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)廠商存在產(chǎn)品品類(lèi)不齊全，品種純度不高等問(wèn)題，因此國(guó)產(chǎn)電子特氣主要集中于清洗和部分蝕刻、光刻低精度環(huán)節(jié)，對(duì)摻雜、沉積以及其他刻蝕、光刻的高精度環(huán)節(jié)，主要依賴海外進(jìn)口。

特種氣體屬于危險(xiǎn)化學(xué)品，對(duì)于產(chǎn)品的包裝和運(yùn)輸有很高要求，一旦發(fā)生泄漏會(huì)引起嚴(yán)重的后果，因此進(jìn)口特種氣體存在多種不便而國(guó)產(chǎn)特種氣體不存在進(jìn)出口管制問(wèn)題，運(yùn)輸和售后也更為便利。

從2009年開(kāi)始，國(guó)家不斷出臺(tái)新的政策法規(guī)，來(lái)支持工業(yè)氣體行業(yè)的發(fā)展，重點(diǎn)支持特種氣體，尤其是應(yīng)用于集成電路的電子級(jí)特種氣體的相關(guān)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

光刻膠為利用光化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行微細(xì)加工圖形轉(zhuǎn)移的媒體，由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等主要成分組成的對(duì)光敏感的感光材料，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。

在光刻膠工藝過(guò)程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來(lái)，該涂層材料為正性光刻膠。

其中溶劑主要起溶解作用，占比50%-90%；光引發(fā)劑是核心部分，在特定光輻射能下回產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，占比1%-6%；成膜樹(shù)脂起粘合作用，占比10%-40%；添加劑分為單體和助劑，主要對(duì)光化學(xué)反應(yīng)和整體性能起調(diào)節(jié)作用，占比小于1%。

光刻膠根據(jù)對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)，主要品類(lèi)分為紫外光譜（300-450nm）、g-line（436nm）、i-line（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）和EUV（13.5nm）。

從下游出貨情況看，2021年Logic、DRAM、NVM出貨量分別為5951561853千升，預(yù)計(jì)到2025年將分別增加至6771613002千升。

在集成電路制造業(yè)精細(xì)加工從微米級(jí)、亞微米級(jí)、深亞微米級(jí)進(jìn)入到納米級(jí)水平的過(guò)程中，光刻膠起著舉足輕重的作用，全球光刻膠供應(yīng)市場(chǎng)高度集中，核心技術(shù)一直掌握在日、美等國(guó)際大公司手中。

JSR和東京應(yīng)化先后于2000和2001年推出了ArF光刻膠產(chǎn)品；2002年，東芝開(kāi)發(fā)出22nm的低分子EUV光刻膠。

截止2021年，美日韓企業(yè)占據(jù)了88%的光刻膠市場(chǎng)份額，其中東京應(yīng)化27%、陶氏17%、合成橡膠13%、住友化學(xué)12%、韓國(guó)東進(jìn)11%、富士膠片8%國(guó)內(nèi)知名光刻膠企業(yè)包括南大光電、晶瑞電材、彤程新材、上海新陽(yáng)等。

根據(jù)ResearchinChina數(shù)據(jù)，全球光刻膠市場(chǎng)三大組成部分是半導(dǎo)體光刻膠、平板顯示光刻膠和PCB光刻膠，市場(chǎng)份額分別為23.3%、25.9%和23.6%。

2022-2025年是國(guó)內(nèi)晶圓廠產(chǎn)線投產(chǎn)期，外部壓力增大，國(guó)產(chǎn)光刻膠進(jìn)入認(rèn)證窗口據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，預(yù)計(jì)至2024年底，中國(guó)國(guó)內(nèi)將建立31座大型晶圓廠，主要集中于成熟制程，隨著晶圓廠產(chǎn)線投產(chǎn)，光刻膠驗(yàn)證進(jìn)入導(dǎo)入期。

在光刻膠使用過(guò)程中，光刻膠配套材料是光刻膠使用過(guò)程中不可或缺的一部分根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體光刻膠配套材料市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)，2016年為19.1億美元，2021年達(dá)到了32.3億美元，CAGR為11.1%。

濕電子化學(xué)品按照大類(lèi)一般可劃分為通用化學(xué)品（通常為超凈高純?cè)噭┖凸δ苄曰瘜W(xué)品。

SEMI將半導(dǎo)體用濕電子化學(xué)品按金屬雜質(zhì)、控制粒徑、顆粒個(gè)數(shù)和應(yīng)用范圍等指標(biāo)制定國(guó)際5個(gè)等級(jí)分類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)。

超凈高純?cè)噭┌凑招再|(zhì)劃分可分為：酸類(lèi)、堿類(lèi)、有機(jī)溶劑類(lèi)和其它類(lèi)，主要包括雙氧水、氫氟酸、硫酸、磷酸、鹽酸、硝酸、氫氧化銨等。

根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，全球濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模2011年為25.3億美元，2020年為56.8億美元，2011-2020年CAGR值9.4%預(yù)計(jì)到2025年全球濕電子化學(xué)品需求量將達(dá)到697.2萬(wàn)噸，半導(dǎo)體需求量313萬(wàn)噸，顯示面板需求量244萬(wàn)噸，光伏等其他需求量140.2萬(wàn)噸，總需求量將增加50%以上。

中國(guó)濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模2011年為27.8億元，2021年為137.8億元，CAGR值17.3%，高于全球平均增速，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到163.9億元，2028年將達(dá)到301.7億元預(yù)計(jì)到2025年中國(guó)濕電子化學(xué)品需求量將達(dá)到369.6萬(wàn)噸，半導(dǎo)體需求量106.9萬(wàn)噸，顯示面板需求量149.5萬(wàn)噸，光伏需求量113.1萬(wàn)噸，總需求量超過(guò)70%。

濕電子化學(xué)品在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模占比6.7%，約20億美元，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模約6億美元近年中美貿(mào)易持續(xù)摩擦，會(huì)對(duì)電子材料的供應(yīng)格局產(chǎn)生一定影響，刺激濕電子化學(xué)品的國(guó)產(chǎn)替代需求，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。

主要企業(yè)包括德國(guó)巴斯夫、美國(guó)亞什蘭化學(xué)、Arch化學(xué)，日本關(guān)東化學(xué)、三菱化學(xué)、京都化工、住友化學(xué)，中國(guó)臺(tái)灣新林科技，韓國(guó)東友精細(xì)化工等。

國(guó)內(nèi)濕電子化學(xué)品主要供應(yīng)光伏市場(chǎng)、低代線平板顯示市場(chǎng)和6寸及以下半導(dǎo)體市場(chǎng)，GG8代線平板顯示和8寸及以上半導(dǎo)體市占率僅為10%。

半導(dǎo)體制造分為前道工藝和后道工藝，其中前道工藝指在晶圓上形成器件的工藝過(guò)程，也稱(chēng)晶圓制造，后道工藝指將晶圓上的器件分離，封裝的工藝過(guò)程。

目的是去除多余的材料，或者是為了建立極其平坦的基底，以便添加下一層電路特征。

根據(jù)SEMI2018年數(shù)據(jù)，CMP拋光材料在集成電路制造材料成本中占比7%，其中CMP拋光墊、CMP拋光液、CMP清洗液分別占比33%、49%、5%，合計(jì)占CMP拋光材料成本的85%以上。

根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體協(xié)會(huì)SEMI數(shù)據(jù)，2021年全球晶圓制造材料市場(chǎng)同比增長(zhǎng)15.5%，達(dá)到404億美元，晶圓封裝材料市場(chǎng)規(guī)模同比增長(zhǎng)16.5%，達(dá)到239億美元。

根據(jù)Cabot微電子數(shù)據(jù)，14納米以下邏輯芯片工藝要求的關(guān)鍵CMP工藝將達(dá)到20步以上，使用的拋光液將從90納米的約5種拋光液增加到20余種，種類(lèi)和用量迅速增長(zhǎng)；7納米及以下邏輯芯片工藝中CMP拋光步驟甚至可能達(dá)到30步，使用的拋光液種類(lèi)接近30種。

存儲(chǔ)芯片由2DNAND向3DNAND技術(shù)變革，也會(huì)使CMP拋光步驟數(shù)近乎翻倍隨著系統(tǒng)級(jí)封裝等新的封裝方式的發(fā)展，技術(shù)實(shí)現(xiàn)方法上出現(xiàn)了倒裝、凸塊、晶圓級(jí)封裝、2.5D封裝和3D封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)。

TSV正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù)，被認(rèn)為是第四代封裝技術(shù)。

硬度即定期保持形狀精度的能力，采用硬質(zhì)拋光墊可以獲得較好的工件平面度，使用軟質(zhì)拋光墊可以加工變質(zhì)層和表面粗糙度都很小的拋光平面可壓縮性越大，貼合越緊密，去除率越高。

過(guò)去，國(guó)內(nèi)拋光所用CMP拋光墊，幾乎全部依賴進(jìn)口。

日本、美國(guó)在拋光墊領(lǐng)域技術(shù)積累全球領(lǐng)先，中國(guó)排名第5其中日本有效專(zhuān)利占比41%，美國(guó)占比33%，處于領(lǐng)先地位公司截止2021年底已獲得授權(quán)的專(zhuān)利686項(xiàng)，其中拋光墊制造及工藝相關(guān)發(fā)明及創(chuàng)新有效專(zhuān)利約54項(xiàng)，與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)仍有一定差距。

在拋光過(guò)程中，拋光液中的氧化劑等成分與硅片表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)并在表面形成化學(xué)反應(yīng)薄膜，后由拋光液中的磨粒在壓力和摩擦的作用下將其去除，從而實(shí)現(xiàn)拋光。

二氧化硅磨粒優(yōu)點(diǎn)是活性強(qiáng)、易于清洗、分散性及選擇性好，多用于硅及層間氧化硅介電層的拋光，缺點(diǎn)是硬度大，容易對(duì)硅片表面造成損傷，且拋光效率低；氧化鋁磨粒優(yōu)點(diǎn)是拋光效率高，缺點(diǎn)是硬度大、選擇性低、易出現(xiàn)團(tuán)聚，因此拋光液中常需加入各類(lèi)穩(wěn)定劑和分散劑，導(dǎo)致成本上升；氧化鈰磨粒優(yōu)點(diǎn)是硬度低，拋光效率高，平坦度高，清潔無(wú)污染，缺點(diǎn)是團(tuán)聚嚴(yán)重，需加入各類(lèi)穩(wěn)定劑和分散劑，且鈰屬于稀有金屬，成本偏高。

酸性拋光優(yōu)點(diǎn)是拋光效率高、可溶性強(qiáng)，多用于對(duì)銅、鎢、鋁、鈦等金屬材料進(jìn)行拋光，缺點(diǎn)是腐蝕性強(qiáng)導(dǎo)致選擇性低，易降低拋光設(shè)備的壽命及可靠性，所以需要在拋光液中添加抗蝕劑（BTA）提高選擇性，但BTA對(duì)拋光液的穩(wěn)定性會(huì)造成一定影響；堿性拋光液優(yōu)點(diǎn)是腐蝕性低、選擇性高，多用于拋光硅、氧化物及光阻材料等非金屬材料的拋光，缺點(diǎn)是拋光效率較低，原因是不容易找到在弱堿性中氧化勢(shì)高的氧化劑。

核心客戶認(rèn)證體系壁壘方面，由于拋光墊和拋光液對(duì)芯片良率影響較大，但成本占比較相對(duì)較低，在穩(wěn)定而成熟的FAB廠中，為確保芯片良率，一般很少替換原有穩(wěn)定的供應(yīng)商目前在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈安全可控的大環(huán)境下，國(guó)內(nèi)廠商速度加快，驗(yàn)證周期縮短到半年左右。

物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition）技術(shù)是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，是利用物理方法在基板表面沉積薄膜的方式，根據(jù)沉積方式的不同，PVD分為濺射法和蒸鍍法，被沉積的材料稱(chēng)為靶材。

被轟擊的固體是PVD沉積薄膜的原材料，稱(chēng)為濺射靶材。

被蒸發(fā)的物質(zhì)是用真空蒸發(fā)鍍膜法沉積薄膜材料的原材料，稱(chēng)之為蒸鍍材料。

按下游應(yīng)用可分為半導(dǎo)體靶材、平面顯示靶材、太陽(yáng)能靶材和其他類(lèi)；按形狀不同可分為長(zhǎng)靶、方靶和圓靶；按照化學(xué)成分不同，可分為金屬靶材、化合物靶材和合金靶材。

首先是金屬提純，原材料鋁、銅、鉭、鈦等金屬以金屬提純方式形成高純金屬，作為靶材制造的原材料；第二環(huán)節(jié)是靶材制造，將高純金屬通過(guò)加工形成濺射靶材，制造好的靶材包括靶坯和背板兩部分，靶坯是濺射靶材的主體，背板起固定靶坯的作用。

根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，截至2021年，四大領(lǐng)域靶材市場(chǎng)占比約94%，其中平板顯示、記錄媒體和太陽(yáng)能電池占比較高，分別為34%、29%和21%，半導(dǎo)體占比約10%。

2021年為16.95億美元，同比增長(zhǎng)超過(guò)20%，其中晶圓制造用靶材10.5億美元，封裝用靶材6.45億美元一方面系消費(fèi)電子、5G、新能源等半導(dǎo)體下游應(yīng)用快速發(fā)展，另一方面由于國(guó)內(nèi)政策推動(dòng)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移。

在晶圓制造過(guò)程中，靶材主要用于晶圓導(dǎo)電層、阻擋層的沉積以及金屬柵極的濺鍍，在封裝過(guò)程中主要用于貼片焊線過(guò)程中的鍍膜。

在晶圓制造過(guò)程中，在110nm以上的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，常以鋁和鈦?zhàn)鳛橐唤M導(dǎo)電層和阻擋層來(lái)使用，進(jìn)入110nm以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，出于對(duì)更高導(dǎo)電性能的要求，用銅替換鋁作為導(dǎo)電層，用鉭替換鈦?zhàn)鳛樽钃鯇印?/p>由于濺射鍍膜工藝起源于國(guó)外，國(guó)外靶材公司相較于國(guó)內(nèi)擁有更長(zhǎng)時(shí)間的成長(zhǎng)歷史和技術(shù)積淀，在靶材市場(chǎng)處于主導(dǎo)地位，根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，截至2021年，美日頭部靶材企業(yè)占據(jù)了全球市場(chǎng)的80%，其中JX日礦金屬、霍尼韋爾、東曹和普萊克斯分別占比30%、20%、20%和10%。

近年來(lái)，國(guó)家不斷出臺(tái)新的政策法規(guī)，來(lái)推動(dòng)靶材行業(yè)國(guó)產(chǎn)化的發(fā)展，特別是集成電路產(chǎn)業(yè)的靶材國(guó)產(chǎn)化。

公司主要產(chǎn)品包含6/8/12英寸硅片、肖特基二極管、MOSFET和射頻芯片受益于晶圓制造產(chǎn)能的持續(xù)緊張以及下游光伏汽車(chē)的高景氣度，公司營(yíng)收和凈利潤(rùn)均保持高速增長(zhǎng)。

2022年一季度公司延續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，整體毛利率提升至50.26%。

截至2021年，公司半導(dǎo)體硅片營(yíng)收占比為57.4%受益于半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣，2021年半導(dǎo)體硅片和半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品銷(xiāo)售勢(shì)頭強(qiáng)勁，營(yíng)收同比增長(zhǎng)分別為49.85%和100.34%，同時(shí)化合物半導(dǎo)體射頻芯片也迅速增量，2021年銷(xiāo)售收入達(dá)0.44億元。

公司硅片產(chǎn)品品類(lèi)全面，尺寸包括300mm、200mm、150mm、125mm和100mm，類(lèi)別涵蓋半導(dǎo)體拋光片、外延片、SOI硅片借助內(nèi)生外延發(fā)展，公司已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體硅片龍頭企業(yè)。

歸母凈利潤(rùn)方面，公司在2020年實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，2021年保持快速增長(zhǎng)，2021年公司歸母凈利潤(rùn)為1,46億元，同比增長(zhǎng)67.8%，預(yù)計(jì)2022年歸母凈利潤(rùn)為2.17億元，同比增長(zhǎng)48.6%。

凈利潤(rùn)波動(dòng)較大，在2020年實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，2021年凈利率為6%。

2016-2021年公司各項(xiàng)費(fèi)率持續(xù)降低，銷(xiāo)售費(fèi)率從7%降至3%，管理費(fèi)率從34%降至9%，研發(fā)費(fèi)率從8%降至5%，財(cái)務(wù)費(fèi)率波動(dòng)不大，從1%上升2%。

公司主要生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片、平板顯示、觸控及電路板用的掩膜版，客戶包括中芯國(guó)際、長(zhǎng)電科技、士蘭微、因特爾、京東方等，在Omdia發(fā)布的2020年平板顯示用掩膜版企業(yè)銷(xiāo)售排行中，清溢光電位列全球第五，全國(guó)第一。

22-23年隨著新工廠產(chǎn)能釋放實(shí)現(xiàn)盈利，公司利潤(rùn)會(huì)快速回升。

此后公司積極探索戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，通過(guò)內(nèi)生發(fā)展和外延并購(gòu)先后進(jìn)軍半導(dǎo)體封裝材料、半導(dǎo)體前驅(qū)體、特種氣體及集成電路等領(lǐng)域，成為新興產(chǎn)業(yè)下的平臺(tái)型公司。

2016年公司開(kāi)啟電子材料的并購(gòu)，收入體量從8.94億元增長(zhǎng)到2021年37.82億元，5年CAGR值高達(dá)33.4%。

預(yù)計(jì)2022年?duì)I業(yè)收入44.17億元，同比增長(zhǎng)16.67%主要系光刻膠業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)自產(chǎn)疊加產(chǎn)品漲價(jià)，以及國(guó)內(nèi)客戶的開(kāi)拓，使得凈利潤(rùn)增速上升。

從2016年銷(xiāo)售毛利率23.2%上升到2020年的35.5%。

其中，前驅(qū)體&SOD占22%，光刻膠及配套試劑占32%，電子特氣占10%，球形硅微粉占6%，LDS設(shè)備占2.8%按地區(qū)劃分，2021年公司國(guó)內(nèi)收入17.4億元，國(guó)外收入20.4億元，分別占比46%和54%。

公司是國(guó)產(chǎn)特種氣體龍頭企業(yè)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)國(guó)內(nèi)IC制造企業(yè)80%以上的覆蓋率，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)，打破海外壟斷，是唯一通過(guò)ASML驗(yàn)證的國(guó)產(chǎn)氣體公司，擁有TI、INTEL、鎂光等海外客戶。

2021年公司電子特氣收入7.97億元，收入占比59.8%；此外設(shè)備工程收入2.69億元，收入占比20.2%；工業(yè)氣體收入2.66億元，收入占比20%。

2018年以來(lái)，公司通過(guò)陸續(xù)收購(gòu)大股東中國(guó)昊華旗下12家科研院所，成為中化集團(tuán)旗下重要的新材料平臺(tái)型企業(yè)，主營(yíng)業(yè)務(wù)為航空航天材料、高端氟材料、電子化學(xué)品，產(chǎn)品服務(wù)于多個(gè)國(guó)家軍、民品核心產(chǎn)業(yè)。

公司2012-2021年間毛利率基本維持在25%-35%左右，2021年公司綜合毛利率是27.53%；凈利率與毛利率步調(diào)基本保持一致，2021年凈利率是12.16%。

2021年公司細(xì)分業(yè)務(wù)中，化工材料和氟材料構(gòu)成了主要營(yíng)收來(lái)源。

在光刻膠領(lǐng)域，公司于2020年研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品是國(guó)內(nèi)通過(guò)產(chǎn)品驗(yàn)證的第一只國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)光刻膠產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化取得關(guān)鍵性的突破。

2021年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入9.84億元，同比增長(zhǎng)65.46%歸母凈利潤(rùn)方面從2016年的0.08億元增長(zhǎng)至2021年1.36億元，CAGR值高達(dá)76.2%。

從公司收入占比來(lái)看，從2012年到2016年，公司收入主要來(lái)自MO源產(chǎn)品。

公司預(yù)計(jì)未來(lái)形成年產(chǎn)25噸193nm光刻膠產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模，并建成先進(jìn)光刻膠分析測(cè)試中心和高分辨率光刻膠研發(fā)中心，為公司新的高端光刻膠產(chǎn)品的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化提供支持。

近年來(lái)公司戰(zhàn)略布局光刻膠與可降解材料，KrF光刻膠與面板光刻膠已形成一定規(guī)模，公司目前已建立了由電子材料、輪胎用特種材料和全生物降解材料三大業(yè)務(wù)支撐的全面布局。

2021年公司橡膠助劑方面實(shí)現(xiàn)營(yíng)收21.67億元，占總營(yíng)收比例93.9%，是公司主要的營(yíng)業(yè)收入隨著電子材料業(yè)務(wù)和可降解塑料業(yè)務(wù)展開(kāi)，有望成為公司新的盈利增長(zhǎng)點(diǎn)。

公司主要從事超凈高純?cè)噭?、光刻膠配套試劑等濕電子化學(xué)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于平板顯示、半導(dǎo)體及LED、光伏太陽(yáng)能等多個(gè)電子領(lǐng)域，為清洗、光刻、顯影、蝕刻、去膜、摻雜等多步制造工藝過(guò)程提供關(guān)鍵材料，公司目前是國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、品種最齊全、配套性最強(qiáng)的濕電子化學(xué)品專(zhuān)業(yè)服務(wù)提供商之一。

隨著上游原材料價(jià)格逐步恢復(fù)正常，疊加公司G5級(jí)產(chǎn)品產(chǎn)能的高技術(shù)壁壘，公司的毛利率和凈利率有望快速回升。

2021年公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)營(yíng)收2.84億元，占比47.6%，平板顯示領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)營(yíng)收2.86億元，占比47.9%。

主要產(chǎn)品包括集成電路CMP用拋光墊及清洗液、柔性O(shè)LED用聚酰亞胺(PI)漿料、彩色聚合碳粉等。

半導(dǎo)體材料方面，公司的CMP拋光墊打破了國(guó)外壟斷，是國(guó)內(nèi)唯一一家全面掌握拋光墊全流程核心研發(fā)和制造技術(shù)的CMP拋光墊供應(yīng)商，深度滲透國(guó)內(nèi)晶圓廠供應(yīng)鏈，已進(jìn)入國(guó)內(nèi)四大頭部晶圓廠打印復(fù)印通用耗材方面，公司是中國(guó)產(chǎn)能規(guī)模最大的彩色化學(xué)碳粉制造商，中國(guó)最大的成品彩色再生硒鼓制造商，以及中國(guó)最大的永固紫顏料制造商。

18-19年，由于硒鼓終端市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，市場(chǎng)價(jià)格下降，公司營(yíng)收受挫2020年公司泛半導(dǎo)體材料領(lǐng)域迎來(lái)收獲期，營(yíng)收增長(zhǎng)2021年公司迎來(lái)泛半導(dǎo)體材料收獲期，營(yíng)收23.56億元，凈利潤(rùn)2.14億元。

CMP作為晶圓制造的關(guān)鍵工藝，其相關(guān)耗材如CMP拋光墊市場(chǎng)隨半導(dǎo)體需求增長(zhǎng)而擴(kuò)容隨著制程縮小和封裝技術(shù)的更新迭代，CMP應(yīng)用范圍拓寬，次數(shù)也大幅增加半導(dǎo)體耗材領(lǐng)域有客戶、技術(shù)、專(zhuān)利三大壁壘，公司已階段性實(shí)現(xiàn)突破。

伴隨國(guó)內(nèi)主要面板廠柔性O(shè)LED產(chǎn)線建設(shè)基本完成，公司YPI產(chǎn)品已同步導(dǎo)入，YPI業(yè)務(wù)即將進(jìn)入快速成長(zhǎng)期。

2012-2019年，公司兼并收購(gòu)，快速實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈布局，上游具備彩色碳粉、打印芯片等自主可控生產(chǎn)能力，下游涉及硒鼓、墨盒面對(duì)國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)加劇的硒鼓市場(chǎng)，公司建設(shè)多條智能化產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)降本增效，市場(chǎng)繼續(xù)向龍頭集中。

其中CMP拋光液位居國(guó)內(nèi)龍頭，成功打破了國(guó)外廠商對(duì)集成電路領(lǐng)域化學(xué)機(jī)械拋光液的壟斷，實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口替代，使我國(guó)具備在該領(lǐng)域的自助供應(yīng)能力。

歸母凈利潤(rùn)方面，2016年歸母凈利潤(rùn)為0.37億元，2021年為1.25億元，預(yù)計(jì)2022年為2.25億元，CAGR為35.0%。

從公司毛利率及凈利率數(shù)值來(lái)看，公司毛利率長(zhǎng)期維持在50%左右；凈利率存在一定波動(dòng)，波動(dòng)主要源自于非經(jīng)常性損益及各項(xiàng)費(fèi)用的波動(dòng)，如研發(fā)費(fèi)用及股權(quán)激勵(lì)費(fèi)用等。

公司化學(xué)機(jī)械拋光液包括硅/多晶硅拋光液、淺槽隔離（STI）拋光液、金屬柵極拋光液、介電材料（二氧化硅、氮化硅）拋光液、鎢拋光液、銅及銅阻擋層拋光液、三維集成（TSV、混合鍵合等）拋光液、硅襯底拋光液和應(yīng)用于第三代寬帶半導(dǎo)體的拋光液等系列產(chǎn)品此外，公司在山東安特加碼拋光液原材料硅溶膠產(chǎn)品順利通過(guò)測(cè)試；研發(fā)端加強(qiáng)了氧化鈰顆粒的制備和拋光性能的自主可控能力，進(jìn)一步提高了公司在CMP拋光液領(lǐng)域核心競(jìng)爭(zhēng)力。

公司拓展?jié)耠娮踊瘜W(xué)品產(chǎn)品線布局，目前擁有光刻膠剝離液、刻蝕液、刻蝕后清洗液、拋光后清洗液品類(lèi)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于14nm以上節(jié)點(diǎn)邏輯電路及3DNAND、DRAM等存儲(chǔ)器件。

公司自2005年成立以來(lái)一直從事高純?yōu)R射靶材的研發(fā)生產(chǎn)和銷(xiāo)售，通過(guò)多年技術(shù)積累，已經(jīng)成為中芯國(guó)際、臺(tái)積電、京東方、SunPower等國(guó)內(nèi)外知名廠商的靶材供應(yīng)商，是國(guó)內(nèi)高純?yōu)R射靶材的龍頭企業(yè)公司業(yè)務(wù)遍布全球，產(chǎn)品遠(yuǎn)銷(xiāo)海外，2021年，公司產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)和海外營(yíng)收占比分別為43.4%和56.6%。

半導(dǎo)體靶材方面，隨著泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移，預(yù)計(jì)靶材需求將進(jìn)一步提升，智研咨詢預(yù)測(cè)2022年中國(guó)半導(dǎo)體靶材的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到75.1億元，同比增長(zhǎng)19%；平面顯示靶材方面，智研咨詢預(yù)測(cè)2025年預(yù)計(jì)達(dá)到320億元，2018-2025年年我國(guó)平板顯示面板用靶材市場(chǎng)CAGR為18.1%，平板顯示面板靶材市場(chǎng)提升。

根據(jù)SEMI預(yù)計(jì)，2021年原始設(shè)備制造商的半導(dǎo)體制造設(shè)備全球銷(xiāo)售總額將達(dá)到1030億美元的新高，比2020年的710億美元的歷史記錄增長(zhǎng)44.7%半導(dǎo)體零部件作為設(shè)備主要組成部分，市場(chǎng)空間提升。

公司主營(yíng)業(yè)務(wù)分布于“電磁光醫(yī)”四大領(lǐng)域，具體業(yè)務(wù)高端金屬靶材、先進(jìn)稀土材料、紅外光學(xué)材料、生物醫(yī)用材料等，其中靶材和稀土材料為主要業(yè)績(jī)來(lái)源，目前已實(shí)現(xiàn)銅系列靶材、鈷靶材等垂直一體化，有下游穩(wěn)定客戶供應(yīng)，是半導(dǎo)體材料靶材領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代龍頭。

此外，紅外光學(xué)、光纖材料收入2.35億元，貴金屬加工收入4.53億元，醫(yī)療器械材料收入0.52億元。

鉑族業(yè)務(wù)產(chǎn)品收入高但毛利率低，21年毛利收入為1.65億元，毛利率1.42%；薄膜材料主要為集成電路靶材，21年毛利收入為1.86億元，毛利率21.38%；公司稀土業(yè)務(wù)21年收入2.14億元，占比最高，毛利率7.91%。

主要產(chǎn)品為微電子化學(xué)品，按照組成成分和應(yīng)用工藝不同可分為超凈高純?cè)噭?、光刻膠及配套材料和鋰電池材料。

公司2021年?duì)I業(yè)收入為18.32億元，同比增長(zhǎng)79.21%；歸母凈利潤(rùn)2.01億元，同比增長(zhǎng)161.20%；扣非凈利潤(rùn)1.15億元，同比增長(zhǎng)159.59%。

2021年公司光刻膠及配套材料和超凈高純?cè)噭I(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)收入分別為2.74億元和3.31億元，同比增長(zhǎng)53.04%和58.71%，營(yíng)收占比15%和18%；鋰電池材料收入為5.83億元，同比增長(zhǎng)超過(guò)150%，占比達(dá)到32%；基礎(chǔ)化工材料增速最快，營(yíng)業(yè)收入達(dá)到5.53億元，同比增長(zhǎng)166.35%，占比30%。

公司的前身路維電子成立于1997年，成立之初主要從事菲林的生產(chǎn)，產(chǎn)品主要用于PCB行業(yè)隨著國(guó)內(nèi)G10.G11高世代顯示面板產(chǎn)線的建設(shè)與擴(kuò)張，公司2018年開(kāi)始建設(shè)國(guó)內(nèi)首條G11高世代掩膜版產(chǎn)線，于2019年成功下線國(guó)內(nèi)首張G11TFT掩膜版。

17-21年公司營(yíng)收分別為1.07、1.42.18、4.04.94億元，營(yíng)收CAGR為46.6%，實(shí)現(xiàn)快速增長(zhǎng)，主要得益于：全球平板顯示行業(yè)產(chǎn)能加速向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和代工產(chǎn)業(yè)興起，國(guó)內(nèi)平板顯示及半導(dǎo)體領(lǐng)域的主流廠商市場(chǎng)份額迅速增加、產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化步伐加快，對(duì)掩膜版等核心材料的市場(chǎng)需求提升，公司抓住機(jī)遇，產(chǎn)銷(xiāo)規(guī)模迅速擴(kuò)大；公司技術(shù)實(shí)力不斷增強(qiáng)，突破了G1G8.6掩膜版諸多技術(shù)與工藝難點(diǎn)，并不斷提升產(chǎn)品精度；公司產(chǎn)品線日益豐富和完善。

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