半導(dǎo)體工程師 2022-12-27 08:32 發(fā)表于北京
一、半導(dǎo)體行業(yè)走勢分析(12.19-12.25) (一)半導(dǎo)體行業(yè)漲跌幅基本情況圖1 上周全球主要半導(dǎo)體指數(shù)漲跌幅資料來源:華信研究院整理上周,費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)下降3.82%,低于納斯達(dá)克綜合指數(shù)1.88個百分點(diǎn);臺灣半導(dǎo)體指數(shù)下降3.33%,低于臺灣資訊科技指數(shù)0.36個百分點(diǎn)。中國半導(dǎo)體發(fā)展指數(shù)下降6.60%,低于A股指數(shù)2.30個百分點(diǎn)。上周我國半導(dǎo)體上市公司中,有2家公司上漲,64家公司下跌。其中,漲幅最大的公司是中電華大科技(+60.92%)。從指數(shù)走勢看,上周中國半導(dǎo)體發(fā)展指數(shù)持續(xù)下跌,在全球主要半導(dǎo)體指數(shù)中表現(xiàn)偏弱。今年以來,受全球經(jīng)濟(jì)下行,消費(fèi)終端疲軟等因素影響,半導(dǎo)體行業(yè)處于階段性低谷。展望2023年,隨著行業(yè)加快去庫存,以及新興產(chǎn)業(yè)需求拉動,半導(dǎo)體行業(yè)有望迎來復(fù)蘇。半導(dǎo)體估值處于底部,明年下半年行業(yè)有望迎來復(fù)蘇。回顧2022年電子行業(yè)走勢,年初,受美聯(lián)儲貨幣政策收緊、俄烏沖突不斷惡化、新冠疫情反復(fù)等影響,電子板塊整體表現(xiàn)疲弱。5月,全國各地陸續(xù)復(fù)工復(fù)產(chǎn),疫情期間遲滯的汽車消費(fèi)需求快速增長,美國打壓中國半導(dǎo)體愈演愈烈,多重因素輪動式引領(lǐng)電子板塊估值性修復(fù)。8月,電子下行周期導(dǎo)致電子板塊企業(yè)三季度利潤不佳,行業(yè)指數(shù)迎來盈利性修正。10月,市場積極尋找樂觀指引,終端企業(yè)在庫存消耗下有再次拉貨預(yù)期,電子板塊弱反彈。展望2023年,我們認(rèn)為上半年半導(dǎo)體行業(yè)依然將以去庫為主線,下半年則有望迎來復(fù)蘇。截止2022年11月底,申萬電子指數(shù)動態(tài)市盈率已經(jīng)來到歷史性底部。而上一輪的底部則是2019年,這也是4G向5G切換的技術(shù)空窗期。在5G后時代,自主可控、汽車芯片、消費(fèi)電子新品折疊屏、XR等產(chǎn)品有望引領(lǐng)下一輪的半導(dǎo)體周期。我們認(rèn)為,站在當(dāng)前時間節(jié)點(diǎn),無論是從周期性的角度,還是從成長性的角度,半導(dǎo)體行業(yè)將迎來一個中長期布局的估值洼地。 (二)分領(lǐng)域漲跌幅情況
圖2 分領(lǐng)域漲跌幅情況資料來源:華信研究院整理分領(lǐng)域來看,上周中國半導(dǎo)體指數(shù)中設(shè)計(jì)、封測、制造、裝備、材料和分立器件行業(yè)均有所下降。其中,設(shè)計(jì)行業(yè)指數(shù)下降了5.97%,封測行業(yè)指數(shù)下降了7.16%,制造行業(yè)指數(shù)下降了5.16%,裝備行業(yè)指數(shù)下降了10.79%,材料行業(yè)指數(shù)下降了7.87%,分立器件行業(yè)指數(shù)下降了5.94%。設(shè)計(jì)領(lǐng)域:IC設(shè)計(jì)公司進(jìn)入集體被動補(bǔ)庫存階段,需求恢復(fù)情況有待觀察。從產(chǎn)業(yè)鏈公司數(shù)據(jù)以及第三方數(shù)據(jù)跟蹤來看,在下游需求回落與產(chǎn)品備貨的時滯下,IC設(shè)計(jì)公司進(jìn)入集體被動補(bǔ)庫存階段,而三季度行業(yè)整體庫存依然環(huán)比增長且居于高位。雖然行業(yè)中游的晶圓代工企業(yè)稼動率與臺股月度營收環(huán)比下降表明四季度開始加速進(jìn)入集體去庫存階段,但考慮一季度為傳統(tǒng)淡季,需求恢復(fù)速度依然有待觀察。制造領(lǐng)域:晶圓代工行業(yè)面臨疲軟行情,代工廠重點(diǎn)關(guān)注28nm。全球經(jīng)濟(jì)疲軟、高通貨膨脹持續(xù)影響消費(fèi)者信心,原本應(yīng)該是需求旺季的下半年,需求依然不振,半導(dǎo)體庫存消耗的速度低于預(yù)期,導(dǎo)致晶圓代工訂單大幅下降。近期,摩根士丹利證券預(yù)測,2023年第一季度晶圓代工廠的業(yè)績大概率有進(jìn)一步下行風(fēng)險,上半年代工行業(yè)可能還會被砍單,下半年市場則有望迎來復(fù)蘇。高盛證券預(yù)計(jì)臺積電2023年上半年5nm制程產(chǎn)能利用率會下降到原先的七成到八成;7nm制程則可能下降到原來的一半。而作為對比,28nm制程產(chǎn)能利用率在今年下半年到明年上半年都會基本維持原樣。封測行業(yè):下游半導(dǎo)體需求旺盛,IC封裝基板行業(yè)持續(xù)高景氣。IC封裝基板作為集成電路封測環(huán)節(jié)的關(guān)鍵載體,主要為芯片提供支撐、散熱和保護(hù)作用。隨著服務(wù)器、5G、AI、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、智能駕駛等領(lǐng)域快速發(fā)展,高端芯片的緊缺程度持續(xù)提升,作為核心材料的IC封裝基板已成為PCB行業(yè)中規(guī)模最大、增速最快的細(xì)分子行業(yè)。據(jù)Prismark統(tǒng)計(jì),2021年全球IC封裝基板行業(yè)規(guī)模達(dá)到142億美元,同比增長近40%,預(yù)計(jì)2026年將達(dá)到214億美元,2021-2026年IC載板CAGR為8.6%。材料領(lǐng)域:中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,氧化鎵有望成為新一代半導(dǎo)體材料代表。12月12日,在美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會(IEEE IEDM)上,中國科大國家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文(高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器)成功被大會接收。中國科學(xué)院院士郝躍表示,在未來的10年左右,氧化鎵器件有可能成為有競爭力的電力電子器件,將直接與碳化硅器件競爭。氧化鎵有望替代碳化硅和氮化鎵成為新一代半導(dǎo)體材料的代表。據(jù)NCT預(yù)測,到2030年氧化鎵晶圓的市場將達(dá)到約590億日元(約4.2億美元)。目前氧化鎵單晶襯底供應(yīng)方面,日本NCT公司占有全球90%以上的市場份額。從國內(nèi)看,我國研究氧化鎵的機(jī)構(gòu)和高校較多,也取得了很多研究成果,有望在應(yīng)用場景和需求量逐漸明確之后,進(jìn)行科技成果轉(zhuǎn)移。 (三)上周漲跌幅排行榜情況
圖3 上周漲幅前兩名公司資料來源:華信研究院整理


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