不畏半導(dǎo)體景氣修正，三星逆勢大擴(kuò)產(chǎn)，鎖定先進(jìn)制程晶圓代工與存儲器，急追臺積電，同時(shí)也恐打亂存儲器市場復(fù)蘇腳步，牽動南亞科、華邦等臺廠后市。

法人指出，臺積電、英特爾、SK海力士、美光、南亞科等國際半導(dǎo)體大廠因應(yīng)市況調(diào)整，已陸續(xù)下修資本支出，三星卻逆勢操作，不僅存儲器擴(kuò)產(chǎn)不踩剎車，晶圓代工也因基期低而大舉在韓國與美國擴(kuò)產(chǎn)，牽動全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

彭博資訊引述首爾經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，三星位于南韓平澤的P3廠將擴(kuò)增DRAM設(shè)備，每月可生產(chǎn)7萬片的12吋晶圓，高于目前P3廠DRAM產(chǎn)線的每月2萬片產(chǎn)能。三星將使用新的設(shè)備生產(chǎn)12納米DRAM，截至第3季，三星每月的DRAM晶圓總產(chǎn)量為66.5萬片，以增產(chǎn)7萬片計(jì)算，增幅達(dá)10.5%，手筆不小。

另一方面，報(bào)道指出，三星也規(guī)劃將P3廠每月晶圓代工產(chǎn)量提高3萬片，并增加4納米產(chǎn)能，強(qiáng)攻先進(jìn)制程。截至第3季，三星的每月晶圓代工總產(chǎn)量為47.6萬片，換算增幅約6.3%。因應(yīng)存儲器與晶圓代工先進(jìn)新產(chǎn)能需求，三星將新增至少10臺極紫外光設(shè)備（EUV），目前三星已有約40臺EUV，換算將增加25%。

業(yè)界認(rèn)為，三星晶圓代工因產(chǎn)能約五成自用與約五成對外接單而呈現(xiàn)供不應(yīng)求，其4納米制程已在本季陸續(xù)擴(kuò)產(chǎn)到位。即便三星在先進(jìn)制程產(chǎn)能規(guī)模仍僅約龍頭臺積電的五分之一，但三星展現(xiàn)強(qiáng)烈企圖心追趕臺積電。

韓國媒體infostockdaily報(bào)道，三星晶圓代工4納米制程先前已將良率提升至近約六成，隨客戶需求提升而決議擴(kuò)充，相關(guān)投資挹注下，三星晶圓代工在4納米投資將達(dá)約5萬億韓元（約40億美元）。

存儲器方面，受智能手機(jī)、PC等需求疲軟沖擊，DRAM和儲存型快閃存儲器（NAND Flash）價(jià)格持續(xù)走跌，盡管其他原廠和臺廠都祭出減產(chǎn)和縮減資本支出的策略，但業(yè)界龍頭三星始終逆勢運(yùn)作，雖然有助于三星本身規(guī)模擴(kuò)張，但對整體存儲器市場而言并非好事，不僅會拖延庫存去化的時(shí)間，也會使得相關(guān)同業(yè)營運(yùn)更具壓力。

市調(diào)機(jī)構(gòu)Omdia統(tǒng)計(jì)，三星在全球DRAM市場市占率節(jié)節(jié)攀升，從2021年第4季的41.9%，今年第2季擴(kuò)大到43.4%，穩(wěn)居龍頭。NANDFlash方面，三星今年第2季市占率達(dá)33.3%，排名第一。

今年以來，DRAM與NAND Flash報(bào)價(jià)跌跌不休，美光上季財(cái)報(bào)更陷入虧損，并預(yù)告本季面臨連兩季虧損壓力，南亞科也坦言，本季可能陷入虧損。存儲器業(yè)界原本預(yù)期，隨著主要制造商減產(chǎn)、調(diào)降資本支出，市場可望在明年中過后逐步回歸正軌，如今三星又砸錢擴(kuò)產(chǎn)，使得產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇步調(diào)出現(xiàn)變數(shù)。