失效分析 趙工 半導(dǎo)體工程師 2022-12-22 07:54 發(fā)表于北京

一、國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)入深水區(qū)，把握半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資機(jī)會(huì)

博捷芯：國(guó)產(chǎn)精密晶圓切割機(jī)

1.1 2022年電子行業(yè)投資復(fù)盤(pán)

今年以來(lái)（截至 2022 年 11 月 18 日），電子行業(yè)下跌 31.26%，在 31 個(gè)申萬(wàn)一級(jí)行業(yè)中 全市場(chǎng)排名靠后。2022 年受全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境、半導(dǎo)體行業(yè)景氣周期波動(dòng)以及疫情反復(fù)影響， 終端消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)需求疲軟，產(chǎn)業(yè)鏈庫(kù)存調(diào)整向上游傳導(dǎo)，使得整個(gè)電子行業(yè)面臨一定的經(jīng) 營(yíng)壓力。

具體來(lái)看，電子各細(xì)分行業(yè)均錄得負(fù)收益。半導(dǎo)體設(shè)備和材料板塊相對(duì)抗跌，由于晶圓廠 持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)并加速導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)設(shè)備和材料，相關(guān)公司訂單飽滿(mǎn)，行業(yè)景氣度逐步驗(yàn)證，半導(dǎo)體 設(shè)備和材料板塊從 4 月底以后開(kāi)始走出獨(dú)立行情，在細(xì)分子板塊中相對(duì)表現(xiàn)較好。而芯片 設(shè)計(jì)板塊由于下游需求下滑疊加上游晶圓漲價(jià)影響，跌幅較大（模擬芯片設(shè)計(jì)、數(shù)字芯片 設(shè)計(jì)）。

今年以來(lái)（截至 2022 年 11 月 18 日），電子行業(yè)漲幅居前的個(gè)股分別為：寶明科技 （338.38%）、*ST 盈方（268.44%）、傳藝科技（222.98%）等，漲幅靠后的個(gè)股分別為 歌爾股份（-65.65%）、韋爾股份（-62.76%）、國(guó)科微（-58.58%）等。

受全球半導(dǎo)體景氣周期波動(dòng)影響，海外方面，今年截至 2022 年 11 月 18 日，費(fèi)城半導(dǎo)體 指數(shù)下跌 31.0%，臺(tái)灣半導(dǎo)體指數(shù)下跌 25.8%，主要重點(diǎn)公司今年大多數(shù)錄得負(fù)收益。

1.2 2023年半導(dǎo)體行業(yè)投資把握四條主線

2023 年半導(dǎo)體投資可以把握四條主線：1）由于美國(guó)出口管制加碼而導(dǎo)致的國(guó)產(chǎn)替代加速，看好半導(dǎo)體設(shè)備、零部件、材料方向：近期美國(guó)通過(guò)出口管制政策限制中國(guó)先進(jìn)計(jì)算和先進(jìn)半導(dǎo)體發(fā)展，未來(lái)限制有進(jìn)一步延伸 至上游材料和零部件的趨勢(shì)。在在此背景下，半導(dǎo)體設(shè)備、材料的國(guó)產(chǎn)替代有望在國(guó)家持 續(xù)支持下快速推進(jìn)。我們看好半導(dǎo)體設(shè)備、材料及零部件未驗(yàn)證通過(guò)的會(huì)進(jìn)一步加速驗(yàn)證， 已驗(yàn)證通過(guò)的會(huì)加速導(dǎo)入；2）以創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)帶來(lái)的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，看好碳化硅方向：碳化硅基器件與傳統(tǒng)硅基器件相比， 轉(zhuǎn)換效率更高，隨著下游新能源車(chē)、光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域保持高增，以及在下游高壓快充的 催化下，碳化硅市場(chǎng)未來(lái)保持高景氣；3）受益于十四五期間軍隊(duì)裝備現(xiàn)代化加速，看好特種半導(dǎo)體方向：軍隊(duì)裝備現(xiàn)代化對(duì)芯 片需求增加，同時(shí)國(guó)內(nèi)特種半導(dǎo)體企業(yè)產(chǎn)品迅速發(fā)展，結(jié)合強(qiáng)國(guó)產(chǎn)替代需求，特種領(lǐng)域的 國(guó)產(chǎn)器件滲透率逐步上升。結(jié)合對(duì)特種半導(dǎo)體產(chǎn)品周期的把握，未來(lái)三年國(guó)內(nèi)特種半導(dǎo)體 企業(yè)保持高增速；4）明年隨著半導(dǎo)體行業(yè)下行周期逐漸進(jìn)入后程，關(guān)注質(zhì)地較為優(yōu)質(zhì)且目前估值處于低位 的芯片設(shè)計(jì)公司：隨著疫情影響逐漸減小，目前部分下游細(xì)分領(lǐng)域出現(xiàn)需求復(fù)蘇跡象，疊 加部分設(shè)計(jì)公司庫(kù)存已經(jīng)出現(xiàn)改善跡象，根據(jù)歷史復(fù)盤(pán)來(lái)看，股價(jià)通常在基本面觸底前兩 個(gè)季度體現(xiàn)，且目前設(shè)計(jì)板塊整體估值處于歷史低位，建議左側(cè)布局。

二、半導(dǎo)體設(shè)備和零部件：地緣政治緊張加劇，成熟制程 大有可為，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程進(jìn)一步加速

美國(guó)出口管制升級(jí)，健全新型舉國(guó)體制，加快實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)。美國(guó)商務(wù)部在半導(dǎo)體制造和先進(jìn)計(jì)算等領(lǐng)域?qū)θA升級(jí)出口管制措施，對(duì)中國(guó)獲取高性能計(jì)算芯片、先進(jìn)計(jì) 算機(jī)、特定半導(dǎo)體制造設(shè)施及相關(guān)技術(shù)實(shí)施全面限制，同時(shí)限制已有進(jìn)一步延伸至上游材 料和零部件趨勢(shì)。

2.1 晶圓制造：美國(guó)對(duì)半導(dǎo)體出口管制升級(jí)，國(guó)內(nèi)晶圓制造砥礪前行

出口管制加碼，成熟制程擴(kuò)產(chǎn)持續(xù)，設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率加速提升。美國(guó)商務(wù)部在半導(dǎo)體制造和 先進(jìn)計(jì)算等領(lǐng)域?qū)θA升級(jí)出口管制措施，包括九項(xiàng)新規(guī)則，旨在對(duì)中國(guó)企業(yè)獲取高性能計(jì) 算芯片、先進(jìn)計(jì)算機(jī)、特定半導(dǎo)體制造設(shè)施與設(shè)備以及相關(guān)技術(shù)實(shí)施進(jìn)一步限制。同時(shí)， 在將 9 家中國(guó)實(shí)體移出“未經(jīng)驗(yàn)證清單”過(guò)程中，又將 31 家中國(guó)實(shí)體列入，包括中國(guó)最 大的存儲(chǔ)芯片制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，以及北方華創(chuàng)的一家子公司。此舉限制了中國(guó)先進(jìn)制程晶 圓廠產(chǎn)能建設(shè)，對(duì)國(guó)內(nèi)成熟產(chǎn)能建設(shè)影響有限，先進(jìn)工藝受限使得存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)面臨較大生存 與發(fā)展壓力。但長(zhǎng)期看，這將倒逼國(guó)內(nèi)晶圓廠加速?lài)?guó)產(chǎn)設(shè)備、材料、零部件驗(yàn)證和導(dǎo)入步 伐，半導(dǎo)體上游環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化將持續(xù)加速。

高端邏輯制程產(chǎn)能建設(shè)受阻，成熟產(chǎn)能建設(shè)影響有限。成熟工藝依然大有可為，據(jù) IHS Markit 預(yù)測(cè)，2025 年全球晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 861 億美元，其中成熟制程市場(chǎng)規(guī)模將 達(dá) 431 億美元。主要應(yīng)用于 MCU、移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子等。把握住成熟工藝， 做大市場(chǎng)占有率，與此同時(shí)抓緊攻堅(jiān)成熟工藝相關(guān)的材料與設(shè)備，加速實(shí)現(xiàn)成熟產(chǎn)能的自 主化，為國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈夯實(shí)基礎(chǔ)，并以后向上攀升打好基礎(chǔ)。

DRAM 產(chǎn)業(yè)影響有限，NAND 產(chǎn)業(yè)遭受重創(chuàng)。邏輯產(chǎn)品每個(gè)制程技術(shù)段都有大量需求， 存儲(chǔ)產(chǎn)品卻不同，存儲(chǔ)產(chǎn)品作為標(biāo)準(zhǔn)品，要想保證競(jìng)爭(zhēng)力，必須采用最先進(jìn)的工藝，先進(jìn) 工藝制造的存儲(chǔ)芯片價(jià)格更低，一旦產(chǎn)品落后就失去競(jìng)爭(zhēng)力和市場(chǎng)。分產(chǎn)品來(lái)看：DRAM 產(chǎn)品分為標(biāo)準(zhǔn)品和利基品，其中標(biāo)準(zhǔn)品技術(shù)工藝持續(xù)往先進(jìn)制程推進(jìn)，利基品市場(chǎng)主要采 用 19nm 及以上工藝制程，國(guó)內(nèi)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)先進(jìn)工藝將短暫受限，可以繼續(xù)專(zhuān)注利基市場(chǎng)， 利基 DRAM 主要用于電視機(jī)、機(jī)頂盒等傳統(tǒng)消費(fèi)市場(chǎng)。目前全球 NAND 產(chǎn)品主流工藝為 128 層及以上，龍頭企業(yè)占據(jù) 128 層市場(chǎng)之后逐步向 200 層以上推進(jìn)，低層數(shù)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力 和市場(chǎng)都比較小。

全球終端需求持續(xù)下行，晶圓產(chǎn)能緊張逐步緩解，資本開(kāi)支負(fù)面影響開(kāi)始顯現(xiàn)。受疫情、 全球芯片需求放緩等因素影響，半導(dǎo)體市場(chǎng)遭遇“寒風(fēng)”沖擊，產(chǎn)業(yè)進(jìn)入調(diào)整時(shí)期，包括 美光、臺(tái)積電等在內(nèi)多家大廠紛紛下修資本支出計(jì)劃，涉及存儲(chǔ)器、晶圓代工兩大領(lǐng)域。

本土晶圓產(chǎn)能占比低，國(guó)產(chǎn)替代砥礪前行。據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)，2021 年我國(guó) IC 產(chǎn)值僅 占 IC 市場(chǎng)規(guī)模的 16.7%，國(guó)產(chǎn)替代空間超過(guò) 1500 億美元，預(yù)計(jì) 2026 年該比例將提升至 21.2%。近年來(lái)中國(guó)大陸晶圓產(chǎn)能增長(zhǎng)迅速，但產(chǎn)能占全球比重仍較低，據(jù) Knometa Research 最新發(fā)布的《全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告》，截至 2021 年底，全球 IC 晶圓產(chǎn)能約為 2160 萬(wàn)片/月 200mm 當(dāng)量，同比增長(zhǎng)超 8%。其中中國(guó)大陸產(chǎn)能 350 萬(wàn)片/月 200mm 當(dāng)量，占 全球產(chǎn)能比重 16%，首次超越日本。外資晶圓廠占比較高，本土產(chǎn)能任重道遠(yuǎn)。中國(guó)大 陸產(chǎn)能中，除去 SK 海力士、Intel、聯(lián)電、三星、臺(tái)積電等在中國(guó)大陸的晶圓產(chǎn)能，大陸 本土企業(yè)產(chǎn)能占比不足 8%，與中國(guó)大陸本土消耗全球約 24%芯片量相比，差距依然較大。另?yè)?jù) IC Insights 統(tǒng)計(jì)，2021 年美國(guó)公司占據(jù)全球芯片市場(chǎng)銷(xiāo)售總額 54%（包含 IDM 和 Fabless），中國(guó)本土企業(yè)占比僅為 4%，其中 IDM 領(lǐng)域最為薄弱，占比不足 1%。2020 年中國(guó)大陸生產(chǎn)芯片產(chǎn)值 227 億美元，中國(guó)大陸本土企業(yè)生產(chǎn)僅占 37%，其余均為在華 外企生產(chǎn)。隨著美國(guó)出口管制加碼，再次倒逼國(guó)產(chǎn)替代的緊迫性，國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈建設(shè)刻不容緩。

2.2 半導(dǎo)體設(shè)備：出口管制大棒倒逼成熟制程設(shè)備加速導(dǎo)入，本土設(shè)備廠商利 潤(rùn)加速釋放

短期內(nèi)貿(mào)易管制對(duì)國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商影響有限，晶圓廠陣痛期過(guò)后將迎來(lái)國(guó)產(chǎn)設(shè)備加速導(dǎo)入期。隨著后續(xù)國(guó)內(nèi)企業(yè)抓住成熟市場(chǎng)提升工藝覆蓋率和市場(chǎng)占有率，我們對(duì)未來(lái)國(guó)內(nèi)設(shè)備市場(chǎng) 并不悲觀。合同負(fù)債和庫(kù)存快速增加，保障業(yè)績(jī)中長(zhǎng)期增長(zhǎng)。根據(jù)各公司中報(bào)披露，截至 2022 年 6 月末，萬(wàn)業(yè)企業(yè)新簽訂單 11 億元；華海清科新簽訂單 20.2 億元，同比增長(zhǎng) 133%；中微公 司新簽訂單 30.6 億元，同比增長(zhǎng) 61.8%，其余未披露詳細(xì)金額的設(shè)備企業(yè)，其存貨及合同 負(fù)債的大幅增長(zhǎng)反映在手訂單充裕，充分奠定半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)全年及下一年業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)基礎(chǔ)。

成熟設(shè)備正進(jìn)入利潤(rùn)加速釋放期，新興設(shè)備企業(yè)驗(yàn)證步伐加速。上半年半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)盈 利能力實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)，長(zhǎng)川科技/北方華創(chuàng)/拓荊科技/中微公司 2022 年二季度單季扣非凈利率 分別為 24%/15%/17%/25%，同比分別+16pct/+6pct/扭虧為盈/+18pct，盈利能力實(shí)大幅提 升，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)正進(jìn)入利潤(rùn)加速釋放期。

2.3 設(shè)備零部件：零部件迎晶圓廠和設(shè)備廠雙重利好，平臺(tái)化發(fā)展成趨勢(shì)

出口管制加碼，零部件迎晶圓廠和設(shè)備廠雙重利好。目前半導(dǎo)體零部件市場(chǎng)主要包擴(kuò)兩個(gè) 部分：1）全球設(shè)備廠商定制化生產(chǎn)或采購(gòu)的的零部件及相關(guān)服務(wù)；據(jù) VLSI 數(shù)據(jù)，全球半 導(dǎo)體設(shè)備子系統(tǒng)市場(chǎng)銷(xiāo)售規(guī)模 100 億美元，其中維修和支持服務(wù)占 46%，零部件銷(xiāo)售占 32%，升級(jí)替換占 22%；2）設(shè)備廠商直接采購(gòu)的備件零部件或耗材及相關(guān)服務(wù)（包括定 制化、工藝調(diào)試、測(cè)試等）。一般晶圓廠用零部件都是隨設(shè)備進(jìn)廠，目前國(guó)產(chǎn)化率約 20%， 隨著美國(guó)出口管制加碼，上游零部件安全越發(fā)得到關(guān)注，預(yù)期晶圓廠和設(shè)備廠會(huì)同時(shí)加速 零部件國(guó)產(chǎn)替代，零部件廠商迎來(lái)難得加速期。

市場(chǎng)格局：目前美日處于主導(dǎo)地位。據(jù) IC Word 2020 年公開(kāi)的 44 家半導(dǎo)體零部件供應(yīng)商 初步統(tǒng)計(jì)，美國(guó)供應(yīng)商 20 家，占比約 45%，日本供應(yīng)商 16 家，占比 36%，其余分布在 德國(guó)、瑞士、韓國(guó)、英國(guó)等國(guó)家。零部件技術(shù)壁壘高，卡脖子風(fēng)險(xiǎn)凸顯。隨著全球缺芯持續(xù)延續(xù)，逐漸延展至半導(dǎo)體設(shè)備上 游零部件，部分關(guān)鍵零部件由于芯片不能及時(shí)交付，導(dǎo)致設(shè)備付運(yùn)周期進(jìn)一步拉長(zhǎng)，進(jìn)而 形成整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈負(fù)反饋效應(yīng)。梳理產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)現(xiàn)，當(dāng)前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備如：射頻電源、 微波電源、匹配器、真空傳輸系統(tǒng)、密封部件以及高級(jí)石英、陶瓷材料等部件基本都依賴(lài) 國(guó)外供應(yīng)商，國(guó)內(nèi)能夠替代的屈指可數(shù)，而以上這些設(shè)備價(jià)值量占整機(jī)設(shè)備 60%以上，占營(yíng)業(yè)成本 90%以上。一旦被國(guó)外斷供，會(huì)促使整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中斷。本土化率低，增長(zhǎng)空間巨大。根據(jù) VLSI 統(tǒng)計(jì)，2020 年全球晶圓制造設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模 636 億美元，按照 40%材料費(fèi)假設(shè)，全球半導(dǎo)體設(shè)備零部件市場(chǎng)規(guī)模約 254 億美元。2021 年 全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 1030 億元，初步估算半導(dǎo)體零部件市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 400 億美元， 國(guó)產(chǎn)設(shè)備商采購(gòu)金額達(dá) 140~160 億元。如果算上設(shè)備及晶圓廠商備貨及耗費(fèi)需求，預(yù)估 整體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 500~600 億美元。其中關(guān)鍵零部件國(guó)產(chǎn)化率基本在 3%以?xún)?nèi)，國(guó)產(chǎn)化 需求迫切。

國(guó)產(chǎn)零部件替代浪潮。2022 年 3 月 30 日，萬(wàn)業(yè)企業(yè)公告，參股子公司浙江鐠芯將迎來(lái)大 基金二期等的增資，作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)向標(biāo)，大基金在繼投資半導(dǎo)體上游設(shè)備、材料 之后再次瞄準(zhǔn)設(shè)備零部件，開(kāi)啟設(shè)備零部件國(guó)產(chǎn)化元年。與此同時(shí)，下游晶圓廠也逐步對(duì) 半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)提出要求：凡涉及設(shè)備的關(guān)鍵零部件，必須要有除美國(guó)外的替代供應(yīng)商， 為了降本增效，零部件國(guó)產(chǎn)替代大勢(shì)所趨。

2.4 封裝測(cè)試：高端封裝加速滲透，先進(jìn)封裝引領(lǐng)未來(lái)

高端應(yīng)用持續(xù)滲透，先進(jìn)封裝引領(lǐng)未來(lái)。封測(cè)企業(yè)將由產(chǎn)能交付能力競(jìng)爭(zhēng)逐漸過(guò)渡至產(chǎn)品 綜合能力競(jìng)爭(zhēng)。1）汽車(chē)、工業(yè)及高性能計(jì)算滲透率逐步提高，營(yíng)收結(jié)構(gòu)逐步改善；2）積 極切入高端封裝，產(chǎn)業(yè)蓄勢(shì)待發(fā)。高端應(yīng)用持續(xù)滲透。隨著新能源、高性能計(jì)算、光伏以及工控等領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化需求驅(qū)動(dòng)，本 土封測(cè)企業(yè)逐步由傳統(tǒng)消費(fèi)電子等中低端領(lǐng)域，逐步進(jìn)入汽車(chē)電子及功率模塊、高性能計(jì) 算、存儲(chǔ)器、MCU、顯示驅(qū)動(dòng)以及 5G 等高技術(shù)含量、高附加值領(lǐng)域，一方面填補(bǔ)消費(fèi)電 子產(chǎn)能空缺，另一方面抓住中高端芯片緊缺的窗口期快速提升市場(chǎng)份額，盈利能力逐步提 升。

先進(jìn)封裝引領(lǐng)未來(lái)發(fā)展。1）2022 年 3 月，蘋(píng)果發(fā)布了最新一代的 M1 Ultra 芯片，采用 臺(tái)積電第五代 CoWoS Chiplet 先進(jìn)封裝技術(shù)，借助橋接工藝，完成了獨(dú)特的 UltraFusion 芯片架構(gòu)。該款 Ultra 芯片擁有 1,140 億個(gè)晶體管，書(shū) M1 的 7 倍之多，兩顆 Max 之間的 互連頻寬可達(dá) 2.5TB/s，性能顯著提升。預(yù)期蘋(píng)果 M1 Ultra 芯片的發(fā)布將會(huì)引發(fā)新一輪先 進(jìn)封裝的熱潮。2）3 月初，英特爾、臺(tái)積電、三星和日月光等十大巨頭宣布成立通用芯 片互連標(biāo)準(zhǔn)—UCIe，將 Chiplet（芯粒、小芯片）技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化。這一標(biāo)準(zhǔn)同樣提供了“先 進(jìn)封裝”級(jí)的規(guī)范，涵蓋了 EMIB 和 InFO 等所有基于高密度硅橋的技術(shù)。3）三星電子 在 DS（半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案）事業(yè)部?jī)?nèi)新設(shè)立了測(cè)試與封裝（TP）中心，意味著 三星電子將加強(qiáng)先進(jìn)封裝投資，確保在后端領(lǐng)域上領(lǐng)先于臺(tái)積電。先進(jìn)封測(cè)技術(shù)成為行業(yè) 的熱點(diǎn)，未來(lái) 10-20 年，異構(gòu)集成技術(shù)賽道換擋提速。

后摩爾時(shí)代，先進(jìn)封裝屬于必然選擇。隨著晶圓工藝制程逐步進(jìn)入到物理極限，摩爾定律 進(jìn)程放緩，成本快速增長(zhǎng)，以倒裝、扇入/扇出型封裝以及晶圓級(jí)、系統(tǒng)級(jí)封裝為主的先進(jìn) 封裝以其低成本、高性能等優(yōu)勢(shì)將重新定義封裝產(chǎn)業(yè)鏈地位。根據(jù) Yole 的數(shù)據(jù)，2020 年 先進(jìn)封裝全球市場(chǎng)規(guī)模 304 億美元，在全球封裝市場(chǎng)的占比 45%；預(yù)計(jì) 2026 年先進(jìn)封裝 全球市場(chǎng)規(guī)模約 475 億美元，占比達(dá) 50%。2020~2026 年全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)的 CAGR 約 7.7%，相比同期整體封裝市場(chǎng)（CAGR=5.9%）和傳統(tǒng)封裝市場(chǎng)，先進(jìn)封裝市場(chǎng)的增長(zhǎng)更 為顯著，將為全球封測(cè)市場(chǎng)貢獻(xiàn)主要增量。

隨著全球各大晶圓廠和封測(cè)廠大力加碼先進(jìn)封裝市場(chǎng)，先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模逐漸擴(kuò)大。據(jù) Yole Developpement 最新數(shù)據(jù)，2021 年全球半導(dǎo)體廠商在先進(jìn)封裝領(lǐng)域資本支出總計(jì)達(dá) 119 億美元。市場(chǎng)份額來(lái)看，預(yù)計(jì)到 2027 年，超高密度扇出（UHD FO）、HBM（高寬帶 顯存）、3D 內(nèi)存封裝和有源硅中階層將占據(jù) 50%以上市場(chǎng)份額，同時(shí) 3D NAND、嵌入式 硅橋、3D SOC 和 HBM 復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá) 20%以上，市場(chǎng)增速可期。

臺(tái)積電、三星以及英特爾等晶圓廠商先后入局先進(jìn)封裝領(lǐng)域，研發(fā)投入持續(xù)高增。自臺(tái)積 電 2008 年進(jìn)入先進(jìn)封裝領(lǐng)域以來(lái)，已經(jīng)推出了 2.5D 的 CpWos、扇出型晶圓 InFO 和 3D Faric 三類(lèi)先進(jìn)封裝技術(shù)；與谷歌和 AMD 共同研發(fā) 3D 堆疊晶圓級(jí)封裝；英特爾推進(jìn) 3D “混合結(jié)合技術(shù)”；三星開(kāi)發(fā) 3D-TSV 技術(shù)，可堆疊 12 個(gè) DRAM，同時(shí)研發(fā)出“X-cube”3D 封裝技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)不同芯片的有效堆疊。國(guó)內(nèi)長(zhǎng)電科技與中芯國(guó)際合資進(jìn)軍先進(jìn)封裝領(lǐng) 域，目前其 Fan-out、WLP、2.5D/3D 先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)已經(jīng)占營(yíng)收 90%以上；通富微電 2.5D/3D 封裝平臺(tái)（VISionS）、超大尺寸 FCBGA 平臺(tái)、晶圓級(jí)和基板級(jí) Chiplet 封測(cè)解決方案獲 得突破性進(jìn)展；華天科技在 WLP、TSV、Bumping、Fan-out、FC 等多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域均有 布局。

發(fā)展方向：1）加大成品制造技術(shù)和產(chǎn)能的投資力度，規(guī)劃大規(guī)模晶圓級(jí)微系統(tǒng)集成新項(xiàng) 目；2）高可靠高密度陶瓷封裝技術(shù)、高可靠塑封技術(shù)、晶圓級(jí)封裝、2.5D 硅轉(zhuǎn)接板、TSV 疊層封裝、SiP 封裝技術(shù)；3）針對(duì)大功率功率器件及高可靠性汽車(chē)電子封測(cè)技術(shù)在迅速 發(fā)展；4）基于先進(jìn)封裝平臺(tái)開(kāi)發(fā)特色封裝產(chǎn)品線。市場(chǎng)機(jī)遇：根據(jù)中國(guó)海關(guān)統(tǒng)計(jì)，2021 年中國(guó)集成電路進(jìn)口金額為 4325.5 億美元，同比增 長(zhǎng) 23.6%，2013-2021 年，GAGR 為 9.4%，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)自我供給不足問(wèn)題沒(méi)有根本改變， 進(jìn)口替代方面機(jī)遇巨大。本土先進(jìn)封裝占比持續(xù)上升，與全球尚存差距。2021 年國(guó)內(nèi)規(guī) 模以上的集成電路封測(cè)企業(yè)先進(jìn)封裝產(chǎn)品的銷(xiāo)售額占到整個(gè)封裝產(chǎn)業(yè)的 36%左右，與全球 45%的占比尚有一定差距。

三、半導(dǎo)體材料：晶圓廠持續(xù)擴(kuò)張，國(guó)產(chǎn)加速破局

3.1 半導(dǎo)體硅片：供需缺口確定，國(guó)內(nèi)大硅片實(shí)現(xiàn)破局

硅片是材料中占比最大的細(xì)分領(lǐng)域，供需缺口和原材料價(jià)格上行推高硅片價(jià)格。根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，2020 年全球半導(dǎo)體制造材料市場(chǎng)規(guī)模為 349 億美元，其中硅片市場(chǎng)規(guī)模為 128 億美 元，是占比最大的半導(dǎo)體制造材料。目前半導(dǎo)體 90%的芯片都需硅片作為基礎(chǔ)，所以半導(dǎo) 體硅片市場(chǎng)規(guī)模與半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模變化趨勢(shì)具有一致性。根據(jù) WSTS 統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)，全球 半導(dǎo)體銷(xiāo)售額從 2011 年的 2995 億美元增至 2021 年的 5510 億美元，CAGR 為 6.3%， 其中 2019 年和 2020 年出現(xiàn)的下滑分別由于貿(mào)易因素和疫情影響，之后由于 5G 的普及和 汽車(chē)行業(yè)景氣度回升，2021 年半導(dǎo)體規(guī)模創(chuàng)新高，對(duì)應(yīng)全球硅片出貨面積從 2011 年的 90 億平方英寸增至 2020 年的 125 億平方英寸，CAGR 為 3.7%，從硅片價(jià)格來(lái)看，2017 年之后隨著需求逐步回暖，價(jià)格觸底回升，從 2016 年的 0.67 美元/平方英寸增至 2020 年 全球半導(dǎo)體硅片單價(jià)為 0.91 美元/平方英寸，結(jié)合半導(dǎo)體產(chǎn)線的投產(chǎn)需要兩年左右的時(shí)間， 硅片價(jià)格有望保持。

需求端：從全球來(lái)看，根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2021-2022 年全球會(huì)新增 29 座晶圓廠，其中 東亞地區(qū) 12 個(gè)，美洲 6 個(gè)，其余分布在歐洲和中東等地，另外 12 英寸晶圓廠占比較大， 有 22 座，預(yù)計(jì)建設(shè)完畢后，這 29 座晶圓廠產(chǎn)能為 260 萬(wàn)片/月（折合 8 英寸）。從中國(guó)大 陸來(lái)看，根據(jù)芯思想數(shù)據(jù)，截止 2021 年年底，中國(guó)內(nèi)地 12 英寸、8 英寸和 6 英寸及以下 的晶圓制造線共有 210 條。已經(jīng)投產(chǎn)的 12 英寸晶圓制造線有 29 條，合計(jì)裝機(jī)月產(chǎn)能約 131 萬(wàn)片；（其中外資公司裝機(jī)月產(chǎn)能超過(guò) 61 萬(wàn)片）；已經(jīng)投產(chǎn)的 8 英寸晶圓制造線投有 29 條， 合計(jì)裝機(jī)月產(chǎn)能約 125 萬(wàn)片；已經(jīng)投產(chǎn)的 6 英寸及以下晶圓制造線裝機(jī)產(chǎn)能約 420 萬(wàn)片等 效 6 英寸晶圓產(chǎn)能。

供給端：根據(jù)芯思想統(tǒng)計(jì)，8 英寸來(lái)看，2020 年中國(guó)內(nèi)地拋光片和外延片裝機(jī)產(chǎn)能分別為 206 萬(wàn)片/月和 197.5 萬(wàn)片/月，預(yù)計(jì) 2021 年將分別達(dá)到 261 萬(wàn)片/月和 215 萬(wàn)片/月，預(yù)計(jì)分 別同比增長(zhǎng) 26.7%和 8.86%。12 英寸來(lái)看，2020 年中國(guó)內(nèi)地拋光片和外延片裝機(jī)產(chǎn)能分別 為 41.5 萬(wàn)片/月和 7.5 萬(wàn)片/月，預(yù)計(jì) 2021 年分別達(dá)到 153.5 萬(wàn)片/月和 23.5 萬(wàn)片/月，增速 較快。12 寸大硅片價(jià)格維持上行區(qū)間，8 英寸硅片供需緊平衡。由于 12 英寸硅片下游需求增速 塊，且上游擴(kuò)產(chǎn)需要 2 年左右，所以目前供需缺口確定的情況下，12 寸大硅片價(jià)格維持在 上行通道。根據(jù)海外龍頭勝高預(yù)測(cè)，到 2025 年全球 12 英寸大硅片的需求量為 900 萬(wàn)片/ 月，而結(jié)合目前硅片廠的擴(kuò)產(chǎn)情況，盛高預(yù)測(cè) 12 英寸硅片價(jià)格還有 20-30%漲幅。而 8 英 寸硅片來(lái)看，新能源汽車(chē)等下游需求上升，目前暫未看到緩解情況，有望維持高位。目前國(guó)內(nèi)企業(yè)在 12 英寸大硅片進(jìn)展迅速。從 12 英寸大硅片進(jìn)度來(lái)看，國(guó)內(nèi)部分企業(yè)實(shí)現(xiàn) 突破，其中滬硅產(chǎn)業(yè)、立昂微、TCL 中環(huán)等企業(yè)進(jìn)展迅速，根據(jù)公司公告，滬硅產(chǎn)業(yè)子公 司上海新昇 12 英寸半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能已完成 30 萬(wàn)片/月的安裝建設(shè)，并啟動(dòng)新增 30 萬(wàn)片/ 月的擴(kuò)產(chǎn)建設(shè)；立昂微子公司衢州金瑞泓目前已建成 15 萬(wàn)片/月的 12 英寸硅片產(chǎn)能；TCL 中環(huán)截至中報(bào)已形成 12 英寸 22 萬(wàn)片/月的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn) 30 萬(wàn)片/月以上產(chǎn)能。

3.2 電子特氣：品類(lèi)逐漸完善，高端產(chǎn)品進(jìn)階

電子特氣市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)快速增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)增速遠(yuǎn)高于全球。受益于新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，特 種氣體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)持續(xù)增長(zhǎng)的趨勢(shì)。據(jù) techcet 數(shù)據(jù)，2020 年全球特種氣體市場(chǎng)規(guī)模約 58.5 億美元，預(yù)計(jì)在 2025 年達(dá)到 80 億美元，2020-2025 年復(fù)合增速為 6.5%。據(jù)智研咨 詢(xún)數(shù)據(jù)，2020 年我國(guó)電子特氣市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 173.6 億元，近五年復(fù)合增速達(dá) 15%，據(jù)前瞻 產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè) 2024 年我國(guó)電子特氣市場(chǎng)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 230 億元，2020-2024 年復(fù)合 增速為 7.3%。電子特氣行業(yè)集中度較高。相比于傳統(tǒng)的大宗氣體，電子氣體行業(yè)由于具有較高的技術(shù)壁壘， 市場(chǎng)集中度極高。2019 年全球半導(dǎo)體用電子氣體市場(chǎng)中，空氣化工、林德集團(tuán)、液化空氣和 大陽(yáng)日酸四家廠商控制了全球 90%以上的市場(chǎng)份額，形成寡頭壟斷的局面。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，本土 氣體公司僅占據(jù) 12%的市場(chǎng)空間，我國(guó)電子氣體國(guó)產(chǎn)化程度還較低。

國(guó)內(nèi)企業(yè)與海外龍頭存在差距。大部分國(guó)內(nèi)廠商目前主供產(chǎn)品較為單一，純度級(jí)別有差距， 尤其在集成電路等領(lǐng)域相關(guān)特氣產(chǎn)品主要依賴(lài)進(jìn)口。根據(jù)中國(guó)工業(yè)氣體工業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，中 國(guó)僅能生產(chǎn)約 20%的集成電路生產(chǎn)用特種氣體品種，其余均依賴(lài)進(jìn)口，主要集中在清洗、 蝕刻、光刻等環(huán)節(jié)，對(duì)摻雜、沉積等工藝的特種氣體僅有少部分品種取得突破。氣體供應(yīng)能力上升，國(guó)內(nèi)特種氣體企業(yè)加速導(dǎo)入。2022 年俄烏沖突導(dǎo)致全球稀有氣體供 應(yīng)變化，我國(guó)部分氣體企業(yè)進(jìn)入進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)，2022H1 我國(guó)稀有氣體出口量達(dá) 191.31 噸， 同比增長(zhǎng) 16%，同時(shí)出口金額超越進(jìn)口金額達(dá) 2.83 億美元，同比增長(zhǎng) 739%。目前國(guó)內(nèi)參 與者主要有華特氣體、金宏氣體、派瑞特氣、和遠(yuǎn)氣體、雅克科技、南大光電等。其中華 特氣體自主研發(fā)的 Ar/F/Ne、Kr/Ne、Ar/Ne 和 Kr/F/Ne 這 4 種混合氣在 2017 年得到光刻機(jī) 廠商 ASML 的認(rèn)證，全球僅 4 家，公司是目前是國(guó)內(nèi)唯一獲得認(rèn)證的公司。派瑞特氣生產(chǎn) 的三氟化氮、六氟化鎢及三氟甲磺酸系列產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)市占率第一；金宏氣體率先打破高純 氨技術(shù)壟斷；南大光電的磷烷和砷烷等都也通過(guò)自主研發(fā)打破了國(guó)外技術(shù)壟斷。

3.3 光刻膠：國(guó)產(chǎn)替代是長(zhǎng)期趨勢(shì)，高端產(chǎn)品陸續(xù)認(rèn)證

光刻膠主要應(yīng)用在半導(dǎo)體光刻工藝中，技術(shù)壁壘較高。光刻膠是半導(dǎo)體光刻工藝中最關(guān)鍵 的材料，其技術(shù)壁壘高，研發(fā)難度大。主要成分是樹(shù)脂、感光劑、溶劑、添加劑等，光刻 膠作為配方型產(chǎn)品，原料、用量配比及合成工藝具有較高 Know-how。光刻應(yīng)用流程是在 一定波長(zhǎng)的光照下光子激發(fā)材料中的光化學(xué)反應(yīng)，進(jìn)而改變光刻膠在顯影液中的溶解度， 實(shí)現(xiàn)圖形化。按曝光波長(zhǎng)由大到小可分為 G 線膠（436nm）、I 線膠（365nm）、KrF 膠（248nm）、 ArF 膠（193nm）和 EUV 膠（13.5nm），分別對(duì)應(yīng)不同制程節(jié)點(diǎn)。在實(shí)際生產(chǎn)中，由于負(fù) 性光刻膠在顯影時(shí)易發(fā)生變形膨脹，只能達(dá)到 2μm，正性光刻膠應(yīng)用更為廣泛。光刻膠的 性能指標(biāo)主要有分辨度、感光性能(敏感度、感光速度、對(duì)比度)、粘滯性和粘附性等。2021 年光刻膠整體市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)大幅增長(zhǎng)，下游行業(yè)景氣度帶動(dòng)上游光刻膠需求。SEMI 數(shù)據(jù)顯示，2021 年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)約為 24.71 億美元，同比增長(zhǎng) 19.49%，中國(guó)大 陸光刻膠半導(dǎo)體市場(chǎng)從 2015 年的 1.3 億增至 2020 年的 3.5 億美元，復(fù)合增速超 30%。光 刻膠按下游應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行分類(lèi)可分為半導(dǎo)體用光刻膠、顯示面板用光刻膠和 PCB 用光刻 膠。根據(jù)智研咨詢(xún)數(shù)據(jù)顯示，下游三大應(yīng)用領(lǐng)域分布較為均衡，PCB 光刻膠、面板光刻膠、 半導(dǎo)體光刻膠各占 1/4 左右。自 2020 年以來(lái)，全球晶圓市場(chǎng)以 20%以上的速度迅速擴(kuò)張， 下游數(shù)據(jù)中心服務(wù)器及新能源汽車(chē)等行業(yè)的快速發(fā)展驅(qū)動(dòng)晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，這為上游半導(dǎo) 體光刻膠增長(zhǎng)提供動(dòng)力。IC Insights 數(shù)據(jù)顯示 2021 年全球晶圓市場(chǎng)達(dá) 1101 億美元，預(yù)計(jì) 2022 年全球晶圓市值將突破 1320 億美元。

全球光刻膠市場(chǎng)主要被日本和美國(guó)公司壟斷。目前光刻膠主流廠商包括日本的東京應(yīng)化、 JSR、富士、信越化學(xué)、住友化學(xué)，以及美國(guó)杜邦、歐洲 AZEM 和韓國(guó)東進(jìn)世美肯等。由 于半導(dǎo)體光刻膠屬于高技術(shù)壁壘材料，生產(chǎn)工藝復(fù)雜，純度要求高，認(rèn)證周期需要 2-3 年， 新進(jìn)入者導(dǎo)入有較大難度。隨著海外管制愈發(fā)嚴(yán)格，國(guó)內(nèi)企業(yè)導(dǎo)入進(jìn)展加快。國(guó)內(nèi)公司集中于中低端市場(chǎng)，多分布在 技術(shù)難度較低的 PCB 光刻膠領(lǐng)域，技術(shù)壁壘高的半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)有彤程新材(北 京科華)、華懋科技(徐州博康)、南大光電、晶瑞電材和上海新陽(yáng)等幾家，產(chǎn)品主要集中在 G/I 線光刻膠。目前北京科華和徐州博康實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) KrF 光刻膠。目前國(guó)內(nèi)企業(yè)我國(guó)光刻膠 面臨困難主要在于原材料、配方 know-how 少且驗(yàn)證困難、客戶(hù)粘性強(qiáng)更換供應(yīng)商意愿不 高三個(gè)方面。然而近期國(guó)際形勢(shì)愈發(fā)錯(cuò)綜復(fù)雜，逆全球化趨勢(shì)加強(qiáng)，美國(guó)加快與中國(guó)技術(shù) 脫鉤，也使得國(guó)內(nèi)客戶(hù)國(guó)產(chǎn)替代意愿提升。為保證上游供應(yīng)鏈安全可控，國(guó)內(nèi)廠商會(huì)加快國(guó)產(chǎn)光刻膠導(dǎo)入測(cè)試及替代，這有利于國(guó)產(chǎn)廠商縮短導(dǎo)入期及產(chǎn)品放量。

3.4 濕電子化學(xué)品：高等級(jí)產(chǎn)品逐步推出

濕電子化學(xué)品屬于關(guān)鍵性基礎(chǔ)化工材料。要求控制雜質(zhì)顆粒粒徑低于 0.5μm，金屬雜質(zhì)含 量低于 ppm 級(jí)，濕化學(xué)電子品的質(zhì)量直接影響到電子產(chǎn)品的成品率、電性能及可靠性。濕電子化學(xué)品一般可分為通用濕電子化學(xué)品和功能性濕電子化學(xué)品。通用濕電子化學(xué)品一 般是單成份、單功能化學(xué)品，例如過(guò)氧化氫、雙氧水、硫酸等。功能性濕電子化學(xué)品是指 通過(guò)復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿(mǎn)足制造中特殊工藝需求的復(fù)配類(lèi)化學(xué)品，例如顯影液、剝 離液、蝕刻液、清洗液等。按照 SEMI 分類(lèi)，濕電子化學(xué)品可劃分為 G1-G5 五個(gè)等級(jí)。1） 半導(dǎo)體領(lǐng)域：基本在 G3、G4、G5 水平，我國(guó)的研發(fā)水平與國(guó)際巨頭有差距；2）平板顯 示和 LED 領(lǐng)域：G2、G3 水平，國(guó)內(nèi)企業(yè)生產(chǎn)技術(shù)能夠滿(mǎn)足大部分生產(chǎn)需求；3）光伏太 陽(yáng)能電池領(lǐng)域：一般只需 G1 水平，是目前國(guó)產(chǎn)高純化學(xué)品的主要市場(chǎng)。

全球濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模增速快，被歐美日三國(guó)壟斷。在半導(dǎo)體、平板顯示、太陽(yáng)能等 下游推動(dòng)下，全球市場(chǎng)規(guī)模保持高增。據(jù)智研咨詢(xún)統(tǒng)計(jì)，全球濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模從 2011 年 25.31 億美元增至 2020 年的 50.84 億美元。據(jù)中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2021 年全球濕電子化學(xué)品需求量為458.3萬(wàn)噸，其中半導(dǎo)體需求量209萬(wàn)噸，占比約為45.6%。市場(chǎng)格局來(lái)看，呈現(xiàn)歐美日壟斷局面，據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計(jì)，2020 年歐美、日、韓的 廠商占據(jù)全球濕電子化學(xué)品 75%的市場(chǎng)規(guī)模。其中高端半導(dǎo)體領(lǐng)域主要被巴斯夫、三菱、 住友等德、日廠商占據(jù)，中端平板顯示及中端半導(dǎo)體市場(chǎng)的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手為韓國(guó)。

國(guó)內(nèi)廠商集中在中低端，替代空間巨大。據(jù)中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，下游拆分需求來(lái) 看，2021 年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品需求量為 70.3 萬(wàn)噸，平板顯示需求量為 77.8 萬(wàn)噸， 太陽(yáng)能需求量為 65.4 萬(wàn)噸。據(jù)智研研究預(yù)測(cè)，未來(lái)我國(guó)電子濕化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模由 2021 年 117.46 億元增至 2027 年 210.38 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率 10.20%。目前國(guó)內(nèi)廠商產(chǎn)品主要集 中在中低端，據(jù)中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，在集成電路端，電子濕化學(xué)品國(guó)產(chǎn)化率 23%， 8 英寸及以上晶圓制造用電子濕化學(xué)品國(guó)產(chǎn)化率不足 20%，國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品供應(yīng)主要集中在 6 英寸及以下晶圓制造及封裝領(lǐng)域；在顯示面板領(lǐng)域，包括各個(gè)世代液晶面板及 OLED 用 電子濕化學(xué)品整體國(guó)產(chǎn)化率為 40%，其中 OLED 面板及大尺寸液晶面板所需的電子濕化學(xué) 品部分品種目前仍被韓國(guó)、日本和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)等少數(shù)電子濕化學(xué)品廠商壟斷；在光伏太 陽(yáng)能電池領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)企業(yè)已基本實(shí)現(xiàn)電子濕化學(xué)品自主供應(yīng)。

半導(dǎo)體材料斷供風(fēng)險(xiǎn)加劇，積極研發(fā)逐漸打破海外壟斷。國(guó)內(nèi)企業(yè)在成熟制程相關(guān)產(chǎn)品已 經(jīng)有了很大進(jìn)步，目前如中巨芯電子級(jí)氫氟酸、電子級(jí)硫酸、電子級(jí)硝酸，湖北興福的電 子級(jí)磷酸、電子級(jí)硫酸、硅刻蝕液、鋁刻蝕液，晶瑞電材的電子級(jí)雙氧水，上海新陽(yáng)的電 子級(jí)硫酸、銅電鍍液、銅刻蝕后清洗液和鋁刻蝕后清洗液等產(chǎn)品，已經(jīng)在 8 英寸、12 英寸 集成電路生產(chǎn)線批量應(yīng)用。展望未來(lái)，國(guó)產(chǎn)高端濕電子化學(xué)品會(huì)加速研發(fā)和導(dǎo)入客戶(hù)。

四、特種半導(dǎo)體：把握高可靠半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇

今年以來(lái)特種半導(dǎo)體公 司業(yè)績(jī)保持穩(wěn)定較快增長(zhǎng)，板塊存貨與合同負(fù)債高速增長(zhǎng)，隨著相應(yīng)的訂單不斷轉(zhuǎn)化為產(chǎn) 品交付，預(yù)計(jì) 2023 年特種半導(dǎo)體板塊內(nèi)公司業(yè)績(jī)不斷兌現(xiàn)，有望實(shí)現(xiàn)加速增長(zhǎng)。同時(shí)， 2020-2021 年期間特種半導(dǎo)體板塊內(nèi)的公司人員數(shù)量增長(zhǎng)明顯加快，預(yù)計(jì)部分項(xiàng)目在后續(xù) 將集中落地，側(cè)面印證特種半導(dǎo)體板塊的景氣度。

4.1回顧2022：特種半導(dǎo)體公司業(yè)績(jī)穩(wěn)步較快增長(zhǎng)

今年以來(lái)特種半導(dǎo)體公司業(yè)績(jī)保持穩(wěn)定較快增長(zhǎng)。根據(jù)我們的分類(lèi)，2022 年前三季度特 種半導(dǎo)體板塊收入 123.16 億元，同比增長(zhǎng) 42%，前三季度板塊歸母凈利潤(rùn) 38.90 億元， 同比增長(zhǎng) 51%。Q3 單季度來(lái)看，22Q3 特種半導(dǎo)體板塊收入 46.79 億元，同比+45%，環(huán) 比+7%，Q3 板塊歸母凈利潤(rùn) 14.80 億元，同比+45%，環(huán)比+7%。由于國(guó)內(nèi)各大軍工集團(tuán) 下屬企業(yè)及科研院所等客戶(hù)通常會(huì)在第四季度完成相關(guān)產(chǎn)品驗(yàn)收等工作，因此預(yù)計(jì)第四季 度板塊業(yè)績(jī)還將環(huán)比上升。隨著陸、海、空、天等各型裝備批產(chǎn)列裝加快，配套的特種半導(dǎo)體公司交付量也會(huì)增加， 今年前三季度復(fù)旦微電、臻鐳科技、振華風(fēng)光等公司凈利潤(rùn)實(shí)現(xiàn)較快增長(zhǎng)。以復(fù)旦微電為 例，隨著其高毛利率 FPGA 產(chǎn)品放量，業(yè)績(jī)高速增長(zhǎng)，今年前三季度復(fù)旦微電實(shí)現(xiàn)歸母凈 利潤(rùn) 8.59 億元，同比增長(zhǎng) 121%，且 Q3 凈利潤(rùn)仍實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng) 10%。

盈利能力來(lái)看，2022 年特種半導(dǎo)體板塊毛利率和凈利率比較穩(wěn)定，板塊整體盈利能力較 強(qiáng)。特種半導(dǎo)體產(chǎn)品具有可靠性要求高、性能參數(shù)指標(biāo)嚴(yán)苛等特征，且研發(fā)周期長(zhǎng)、前期 投入大，因此特種半導(dǎo)體公司整體毛利率水平較高。由于高毛利產(chǎn)品放量以及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)變 化，復(fù)旦微電、臻鐳科技等公司今年前三季度毛利率和凈利率同比提升較多。

4.2展望2023：板塊業(yè)績(jī)有望不斷兌現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)加速增長(zhǎng)

裝備現(xiàn)代化發(fā)展趨勢(shì)明確。根據(jù)政府預(yù)算草案，中國(guó) 2022 年的國(guó)防預(yù)算為 1.45 萬(wàn)億元， 同比增長(zhǎng) 7.1%。我國(guó)近年來(lái)持續(xù)強(qiáng)調(diào)“加速武器裝備升級(jí)換代，推進(jìn)武器裝備現(xiàn)代化建 設(shè)”，預(yù)期十四五期間國(guó)防支出仍會(huì)保持穩(wěn)定增長(zhǎng)。另外，根據(jù)國(guó)防白皮書(shū)，2012-2017 年我國(guó)裝備費(fèi)占軍費(fèi)比例從 36%提高到 41.1%，占比逐年提升，軍隊(duì)裝備支出增速持續(xù) 超過(guò)國(guó)防費(fèi)支出增速。

國(guó)內(nèi)特種半導(dǎo)體市場(chǎng)空間大，隨著武器裝備國(guó)產(chǎn)化需求提到新的高度，國(guó)產(chǎn)芯片占比將逐 步提升。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，2025 年我國(guó)軍工電子行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到 5012 億元， 2021-2025 年年均復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到 9.33%。

短期由訂單驅(qū)動(dòng)，關(guān)注合同負(fù)債和存貨變化。軍工行業(yè)具有計(jì)劃性特征，軍品及其配套產(chǎn) 品的采購(gòu)嚴(yán)格按照國(guó)家計(jì)劃進(jìn)行，供應(yīng)商根據(jù)軍方訂單來(lái)組織生產(chǎn)活動(dòng)。合同負(fù)債反映在 手訂單情況，存貨體現(xiàn)備貨生產(chǎn)、交付情況，合同負(fù)債和存貨可以提前反映特種半導(dǎo)體公 司未來(lái)業(yè)績(jī)的變動(dòng)趨勢(shì)。2022 年 2 月雷電微力與客戶(hù)簽訂兩份配套產(chǎn)品合同，合計(jì)金額 為 24.1 億元，是其 2021 年收入的 3.3 倍。今年以來(lái)，特種半導(dǎo)體板塊存貨與合同負(fù)債高 速增長(zhǎng)，隨著相應(yīng)的訂單不斷轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品交付，預(yù)計(jì) 2023 年特種半導(dǎo)體板塊內(nèi)公司業(yè)績(jī) 不斷兌現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)加速增長(zhǎng)。

此外，從項(xiàng)目數(shù)量和項(xiàng)目所處階段判斷成長(zhǎng)性，人員規(guī)模可作為間接指標(biāo)。特種半導(dǎo)體企 業(yè)往往參與軍工集團(tuán)及其下屬單位的配套研制，項(xiàng)目可分為方案、試樣、定型、批產(chǎn)等不 用階段。軍品具有單一型號(hào)的換代周期長(zhǎng)的特點(diǎn)，武器裝備定型后配套供應(yīng)商一般不會(huì)更 換，已批產(chǎn)項(xiàng)目供應(yīng)關(guān)系穩(wěn)定，且一個(gè)項(xiàng)目通常會(huì)連續(xù)交付幾年，所以項(xiàng)目越靠近批產(chǎn)階 段、項(xiàng)目數(shù)量越多，公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的確定性就越強(qiáng)。軍工行業(yè)是典型的以銷(xiāo)定產(chǎn)行業(yè)，如 果配套企業(yè)參與項(xiàng)目的數(shù)量多，那么在交付前往往就會(huì)觀察到人員數(shù)量的擴(kuò)張，故可以參 考人員規(guī)模這一指標(biāo)來(lái)判斷成長(zhǎng)性。在 2020-2021 年期間，特種半導(dǎo)體板塊內(nèi)的公司人 員數(shù)量增長(zhǎng)明顯加快，預(yù)計(jì)部分項(xiàng)目在后續(xù)將集中落地，從側(cè)面印證特種半導(dǎo)體板塊的景 氣度。

五、功率：下游需求高景氣，IGBT、SiC發(fā)展可期

5.1 市場(chǎng)總覽：Q3維持高成長(zhǎng)，擴(kuò)產(chǎn)線、產(chǎn)品高端化趨勢(shì)明顯

板塊 22 年 Q3 業(yè)績(jī)整體上行，毛利、凈利處于高點(diǎn)。選取 A 股上市/提交 IPO 申請(qǐng)的 17 家主攻功率器件的廠商為樣本，統(tǒng)計(jì)其近兩年分季度業(yè)績(jī)情況，板塊季度趨勢(shì)不明顯，但 通常 Q4 為營(yíng)收高點(diǎn)。其中，22 年 Q3 板塊總體營(yíng)收、歸母凈利潤(rùn)和扣非歸母凈利潤(rùn)同比 增速分別為 11.14%、12.99%和 9.24%，環(huán)比增速分別為-0.02%、1.07%和 3.63%。板塊 毛利率看，Q2、Q4一般為高點(diǎn)，凈利率規(guī)律性較弱。其中，22年Q3板塊毛利率為25.66%， 同比+1.35pct，環(huán)比+0.19pct，突破歷史最高水位；凈利率達(dá) 12.00%，同比+0.20pct，環(huán) 比+0.13pct，處于歷史高位區(qū)間。

Q3 行業(yè)內(nèi)公司營(yíng)收與凈利潤(rùn)增降各半，增長(zhǎng)主要系新結(jié)構(gòu)/高壓 IGBT、MOS 等新產(chǎn)品放 量，高附加值提振盈利水平所致，以部分營(yíng)收增速超 20%的公司為例：1）斯達(dá)半導(dǎo)：主驅(qū)用 IGBT 模塊配套新能源車(chē)超 50 萬(wàn)輛（A 級(jí)及以上車(chē)超 20 萬(wàn)輛）， SiC MOS 模塊也大批量裝車(chē)，自研芯片的 650V/1200V IGBT 單管及模塊成為戶(hù)用型、 工商業(yè)、地面電站用并網(wǎng)逆變器和儲(chǔ)能變流器的主要供應(yīng)商；2）宏微科技：M5i 微溝槽 650V 光伏用單管、光伏逆變器用 80A 逆變模塊獲得驗(yàn)證并批 量交付；M7i 微溝槽 1200V IGBT（對(duì)標(biāo)英飛凌第七代 IGBT）通過(guò)客戶(hù)認(rèn)證并獲得小 批量訂單；車(chē)用 820A/750V 模塊產(chǎn)品獲得客戶(hù)認(rèn)證并批量交付；3）東微半導(dǎo)：第 4 代高壓超級(jí)結(jié) MOS 批量出貨，屏蔽柵 MOS 在 12 吋產(chǎn)線量產(chǎn)。同時(shí) 第 2 代 TGBT 電流密度提升至 500A/cm2，通過(guò)多客戶(hù)驗(yàn)證并批量銷(xiāo)售，營(yíng)收同比增 長(zhǎng)超 70 倍。功率器件業(yè)已小規(guī)模送樣并實(shí)現(xiàn)小批量訂單。4）時(shí)代電氣：Q3 單季度新興裝備業(yè)務(wù)營(yíng)收 17.01 億元，YoY+138.85%，其中功率半導(dǎo) 體營(yíng)收 5.2 億元，YoY+47.49%，QoQ+31.0%。據(jù) NE 時(shí)代 8 月數(shù)據(jù)，公司國(guó)內(nèi)新能 源乘用車(chē)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)搭載約 1.7 萬(wàn)套，排名第 5；電控搭載約 1.9 萬(wàn)套，排名第 9；IGBT 功率模塊搭載約 5.5 萬(wàn)套，排名第 4。此外，公司 SiC 主驅(qū)模塊已于國(guó)內(nèi)主流車(chē)企驗(yàn)證。5）揚(yáng)杰科技：小信號(hào)產(chǎn)品收入同比增長(zhǎng) 70%；1200V/80mohm SiC MOS 產(chǎn)品量產(chǎn)；1200V/10A-200A Trench IGBT 全系列開(kāi)發(fā)完成，對(duì)應(yīng)模塊投放市場(chǎng)；SiC SBD 得到 國(guó)內(nèi) TOP10 光伏逆變器客戶(hù)認(rèn)可并批量出貨；PSBD、PMBD 芯片批量應(yīng)用于新能 源汽車(chē)三電領(lǐng)域。

Q3 行業(yè)內(nèi)公司總體凈利率和毛利率承壓較大，主要系 1）需求不振，原材料價(jià)格上漲；2） 新產(chǎn)線建設(shè)初期良率、產(chǎn)能亟待爬升，或新產(chǎn)品處于送樣和驗(yàn)證階段，未能放量以彌補(bǔ)疲 軟行業(yè)。

5.2 預(yù)測(cè)與展望：應(yīng)用市場(chǎng)熱度不減，國(guó)產(chǎn)替代促發(fā)展

IGBT 下游應(yīng)用市場(chǎng)中汽車(chē)和新能源發(fā)電將領(lǐng)銜增長(zhǎng)。近 20 年來(lái)各應(yīng)用領(lǐng)域?qū)β势骷?的電壓和頻率要求日趨嚴(yán)格，帶動(dòng) IGBT 市場(chǎng)規(guī)模增加。據(jù)集邦咨詢(xún)數(shù)據(jù)，以 2020 年中 國(guó) IGBT 市場(chǎng)為例，下游應(yīng)用中新能源汽車(chē)和新能源發(fā)電占比分別為 30%和 11%；據(jù) Yole 數(shù)據(jù)及預(yù)測(cè)，2020年全球IGBT市場(chǎng)中新能源汽車(chē)和新能源發(fā)電占比分別為9.43%、1.28%， 20-26 年 CAGR 將分達(dá)+22.26%、+22.49%，兩者合計(jì)占比預(yù)計(jì)不斷提升，成為行業(yè)發(fā)展 的強(qiáng)力催化劑。Omdia 數(shù)據(jù)顯示，2021 年全球 IGBT（分立+模塊）市場(chǎng)規(guī)模約為 56 億 美元，中國(guó) IGBT 市場(chǎng)規(guī)約 22.46 億美元，2024 年有望達(dá) 25.76 億美元。

襯底技術(shù)突破帶動(dòng) SiC 量產(chǎn)技術(shù)成熟，國(guó)產(chǎn)化具備想象空間。SiC 產(chǎn)業(yè)鏈可分為襯底材料 制備、外延生長(zhǎng)、器件制造和應(yīng)用，據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究和 CASA Research，襯底和外延在 SiC 功率器件成本結(jié)構(gòu)中占比分別為 47%和 23%，合計(jì)占 70%，是主要成本來(lái)源。當(dāng)前 我國(guó)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)已經(jīng)基本完成從小批量的研發(fā)向規(guī)?；?、商業(yè)化生產(chǎn)的成功跨 越，各環(huán)節(jié)技術(shù)、性能趨于穩(wěn)定，與海外企業(yè)工藝技術(shù)上的差距正在縮小。

SiC 在新能源汽車(chē)、光伏等領(lǐng)域占比較高，國(guó)內(nèi)車(chē)用 SiC 市場(chǎng)預(yù)計(jì)迅速增長(zhǎng)至數(shù)十億元。SiC 能滿(mǎn)足高溫、高功率、高壓、高頻、抗輻射等惡劣條件要求，廣泛用于新能源車(chē)、光 伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。Yole 數(shù)據(jù)顯示，2021 年全球 SiC 功率 器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 10.9 億美元，下游應(yīng)用看新能源汽車(chē)占 62.8%，光伏占 13.8%。據(jù)中汽 協(xié)和乘聯(lián)會(huì)數(shù)據(jù)，2021 年中國(guó)新能源汽車(chē)滲透率為 16.39%，新能源汽車(chē)乘用車(chē)銷(xiāo)量達(dá) 352 萬(wàn)輛，預(yù)測(cè) 2022 年有望達(dá) 600 萬(wàn)輛?？紤]到 SiC 在高壓（800V）新能源車(chē)的布局和 滲透，我們預(yù)測(cè) 2025 年中國(guó)新能源乘用車(chē) SiC 需求將達(dá) 77.49 億元。

2021-2030 年全球光伏市場(chǎng)發(fā)展或?qū)⒊掷m(xù)加速，2025 年有望近百億元。根據(jù) CPIA 預(yù)測(cè)， 中性情況下 2022 年全球光伏新增裝機(jī)量將達(dá) 218GW，至 2025 年有望達(dá) 300GW。據(jù)產(chǎn) 業(yè)調(diào)研網(wǎng)數(shù)據(jù)，目前光伏逆變器 IGBT 模塊采購(gòu)額約 2000-2500 萬(wàn)元/GW，SiC 價(jià)格約為 Si 基 IGBT 的 3-4 倍，分別取中值，則 SiC 功率器件采購(gòu)額約為 7875 萬(wàn)元/GW。同時(shí)產(chǎn) 業(yè)調(diào)研網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，目前 SiC 在光伏逆變器中滲透率約 2%，2025 年有望升至 30%-50%；隨規(guī)模運(yùn)用、技術(shù)發(fā)展帶來(lái)成本降低，預(yù)計(jì)價(jià)格以每年 10%的幅度下調(diào)。

展望 2023 年，隨產(chǎn)能釋放和產(chǎn)品落地，國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)或迎發(fā)展良機(jī)。1）全球市場(chǎng)看，車(chē)用 SiC 功率元件市場(chǎng)仍主要由歐美 IDM 大廠 ST、安森美、Wolfspeed、 英飛凌、羅姆等掌握，；襯底主要企業(yè)有 II-VI、Norstel 等，外延廠商有 Showa Denko、 英飛凌等，器件廠商有 ST、三菱電機(jī)等。Yole 數(shù)據(jù)顯示，Cree、ROHM、Infineon、Mitsubishi 和 ST 等企業(yè)合計(jì)占 SiC 功率半導(dǎo)體 80%的市場(chǎng)份額。2）國(guó)內(nèi)市場(chǎng)看，完整產(chǎn)業(yè)鏈已基本形成，下游持續(xù)繁榮和技術(shù)發(fā)展雙支撐下，國(guó)產(chǎn)企業(yè) 已加速入局：三安光電已實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋、天科合達(dá)和山東天岳在襯底部分逐步追趕， 但仍處于早期，發(fā)展空間較大；上汽、廣汽等車(chē)企已著手布局 SiC 全產(chǎn)業(yè)鏈，比亞迪等車(chē) 企已啟動(dòng)芯片自研計(jì)劃。隨 2023 年 Q1 前后相關(guān)功率半導(dǎo)體公司諸多送樣、驗(yàn)證階段的 產(chǎn)品推進(jìn)，行業(yè)內(nèi)部分公司營(yíng)收、利潤(rùn)端可初見(jiàn)成果。

來(lái)源：集成電路前沿；作者：賀茂飛

半導(dǎo)體工程師

半導(dǎo)體經(jīng)驗(yàn)分享，半導(dǎo)體成果交流，半導(dǎo)體信息發(fā)布。半導(dǎo)體行業(yè)動(dòng)態(tài)，半導(dǎo)體從業(yè)者職業(yè)規(guī)劃，芯片工程師成長(zhǎng)歷程。